專利名稱：有機(jī)薄膜開關(guān)存儲裝置及存儲器設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種允許寫和重寫的并在其中使用有機(jī)材料的有機(jī)開關(guān)存儲裝置，同時(shí)涉及一種具有該存儲裝置的存儲器設(shè)備或諸如此類裝置。
相關(guān)技術(shù)描述近些年來，研究和發(fā)展一直在努力尋求開發(fā)應(yīng)用有機(jī)材料的功能性裝置或電子元件。傳統(tǒng)的應(yīng)用有機(jī)材料的存儲器裝置的例子包括，如，在日本專利Kohyo No.2001-516964中披露的使用一個(gè)有機(jī)二極管的掩膜ROM(只讀存儲器)。由于存儲器裝置不允許電寫，存儲器裝置的使用被限定為一個(gè)掩膜ROM，存儲元件因此不能應(yīng)用到一個(gè)可實(shí)現(xiàn)電寫或重寫的存儲器裝置中。
更進(jìn)一步地，其他存儲器裝置的例子包括由日本專利KokaiNo.08-116109中披露的存儲器裝置。該存儲器裝置利用一個(gè)根據(jù)電壓的施加而改變電阻并且甚至在該施加電壓消失之后保持該電阻值的有機(jī)材料。盡管這樣一種存儲器必須與開關(guān)元件結(jié)合以增加存儲器裝置容量，但并沒有提出一種簡單的方法來利用有機(jī)材料的特性。

發(fā)明內(nèi)容
因此已有技術(shù)已經(jīng)面臨一個(gè)問題，即很難去實(shí)現(xiàn)一個(gè)大容量的有機(jī)存儲裝置及在高性能有機(jī)存儲裝置和存儲器設(shè)備中允許電寫或重寫的存儲設(shè)備。以上所提及的問題作為本發(fā)明將解決的問題的一個(gè)例子加以引用。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種有機(jī)開關(guān)存儲裝置，其包括多個(gè)第一電極線；一個(gè)形成在多個(gè)第一電極線上的有機(jī)存儲層，該有機(jī)存儲層呈現(xiàn)一電壓—電流滯后特性；一個(gè)堆疊在有機(jī)存儲層上的半導(dǎo)體二極管層；和形成在多個(gè)半導(dǎo)體二極管層上的第二電極線，多個(gè)第二電極線在一個(gè)方向放置以和多個(gè)第一電極線交叉。
更進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種存儲器設(shè)備，其包括一個(gè)有機(jī)開關(guān)存儲裝置，該有機(jī)開關(guān)存儲裝置具有多個(gè)第一電極線，形成在多個(gè)第一電極線上的一個(gè)有機(jī)存儲層，該有機(jī)存儲層呈現(xiàn)電壓—電流滯后特性；一個(gè)堆疊在有機(jī)存儲層上的半導(dǎo)體二極管層；和形成在多個(gè)在半導(dǎo)體二極管層上的第二電極線，多個(gè)第二電極線在一個(gè)方向放置以和多個(gè)第一電極線交叉；一個(gè)用于接收一地址指示信號、數(shù)據(jù)和寫指令信號的接收器部分，該地址指示信號指示對應(yīng)于多個(gè)第一電極線和多個(gè)第二電極線的交叉位置的地址；一響應(yīng)寫指令信號，根據(jù)地址指示信號寫數(shù)據(jù)到有機(jī)開關(guān)存儲裝置的控制部分。
附圖的簡要說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的存儲裝置的一部分的平面圖；圖2是包括圖1所示的存儲裝置的存儲單元部分的一個(gè)區(qū)域的剖視圖；圖3與圖1相對應(yīng)，示出存儲裝置的一部分的等效電路圖；圖4示出應(yīng)用于存儲層的有機(jī)存儲材料的電流—電壓特性(I-V特性)的一個(gè)例子；圖5示出利用該存儲裝置的存儲器裝置的結(jié)構(gòu)；圖6是用于表示當(dāng)將數(shù)據(jù)一次一個(gè)字地寫入到存儲裝置的情況下的過程的時(shí)間圖表；圖7示意地示出當(dāng)電壓-VL在時(shí)間tj施加到字線Wj中時(shí)位數(shù)據(jù)(B1-Bm)寫到字線Wj中，也示出存儲單元的狀態(tài)；圖8是一用于表示當(dāng)從裝置一次讀出一個(gè)字地讀出數(shù)據(jù)的情況下的過程的時(shí)間圖表。
圖9是用于表示所有存儲單元的內(nèi)容被擦除(復(fù)位)的情況下的程序的時(shí)間表；圖10是包括根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的存儲裝置的存儲單元部分的區(qū)域剖視圖；和圖11是包括根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的存儲裝置的存儲單元部分的區(qū)域剖視圖。
本發(fā)明的詳細(xì)說明現(xiàn)在參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。在下面的用于參考的附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示基本相同的組成元件。
第一實(shí)施例圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的存儲裝置10的部分平面圖，圖2是包括圖1所示的存儲裝置10的存儲單元的一個(gè)區(qū)域的剖視圖。如圖1所示，存儲器10在襯底11上，由下電極(以下，也作為位線Bi提及)12，存儲層14，半導(dǎo)體層15，和上電極(以下，也作為字線Wj提及)16依次堆疊而成。
更詳細(xì)地，襯底11由例如無堿玻璃構(gòu)成。多個(gè)第一電極線由金(Au)金屬層或其他金屬層構(gòu)成，也就是說，位線Bi(i＝1，2，…m)，以互相平行的條或斑紋的形式排列在襯底11上。存儲層14由有機(jī)存儲材料諸如鋅酞花青(ZnPc)或者鋅酞花青卟啉組成。半導(dǎo)體層15是一p-n結(jié)有機(jī)半導(dǎo)體二極管，例如其中，銅酞花青作為p-型材料，一種二萘嵌苯衍生物作為n-型材料。p-型有機(jī)半導(dǎo)體層與存儲層14連接，n-型有機(jī)半導(dǎo)體層與上電極16連接，這將在下面進(jìn)行描述。
多個(gè)第二電極線由金屬如鋁(Al)提供，即，條形的字線Wj(j＝1，2，…n)，排列在半導(dǎo)體層15上以便互相平行，在一個(gè)方向展開，與位線Bi空間交叉，例如與位線Bi正交的一方向。在上電極(字線Wj)16和半導(dǎo)體層15(n-型有機(jī)半導(dǎo)體層)之間形成歐姆接觸。
下電極(位線Bi)12，存儲層14，半導(dǎo)體層15和上電極(字線Wj)16通過真空蒸氣沉積形成。
根據(jù)上面所提及的結(jié)構(gòu)，存儲單元C(j，i)形成在字線Wj和位線Bi之間的交叉區(qū)域。更具體地，每個(gè)存儲單元C(j，i)的結(jié)構(gòu)中，字線(Wj)16，半導(dǎo)體層(二極管結(jié))15，存儲層14和位線(Bi)12串聯(lián)連接。更進(jìn)一步的，存儲單元C(j，i)以一個(gè)矩陣的形式排列。正如以后將要描述的，存儲單元C(j，i)作為開關(guān)存儲復(fù)合元件工作。
圖3與圖1對應(yīng)，示出與存儲裝置10的部分對應(yīng)的等效電路。在等效電路中，二極管Di對應(yīng)于半導(dǎo)體層15的二極管結(jié)，電阻R對應(yīng)于存儲層14(圖2)。一個(gè)二極管Di與電阻R的串聯(lián)代表每個(gè)存儲單元C(j，i)。
圖4示出應(yīng)用于存儲層14的有機(jī)存儲材料(鋅酞花青ZnPc)的電流-電壓特性(I-V特性)的一個(gè)例子。這樣有機(jī)存儲材料呈現(xiàn)了滯后回路特性。更具體地，當(dāng)存儲材料處于高阻相位狀態(tài)(復(fù)位狀態(tài))時(shí)，當(dāng)施加到存儲材料的電壓增加，電流值隨著高阻相位區(qū)域的電阻值增加而增加。隨著施加的電壓接近VW，電流值開始迅速增加，當(dāng)施加的電壓達(dá)到+VW(VW＞0)時(shí)，存儲材料使相位轉(zhuǎn)換到低阻相位。更進(jìn)一步地，當(dāng)施加電壓從過渡電壓VW減小時(shí)，電流值隨著電阻值在低阻相位區(qū)域內(nèi)減小而減小。當(dāng)施加電壓進(jìn)一步減少，施加電壓達(dá)到-VE(VE＞0)，電流值急速增加，存儲材料使相位轉(zhuǎn)換到高阻相位。應(yīng)當(dāng)注意，為簡明起見，示出一種情況，其中，電流值在高阻相位和低阻相位區(qū)域內(nèi)基本上成線性變化。然而，存儲材料也用于具有一個(gè)I-V滯后特性，使得電流變化具有一曲線形態(tài)。
如上所述，通過等于或大于+VW(VW＞0)的電壓的施加，存儲材料使相位轉(zhuǎn)換到低阻相位，通過等于或小于-VE(VE＞0)的電壓的施加，使相位轉(zhuǎn)換到高阻相位。因此，通過存儲材料I-V特性的利用，二進(jìn)制位數(shù)據(jù)的寫入可以通過應(yīng)用到存儲單元的電壓的變化實(shí)現(xiàn)。更進(jìn)一步，如圖4所示，這樣寫入的數(shù)據(jù)可通過施加在-VE和+VW之間的電壓VR讀出到存儲裝置或單元以檢測電流值(即，例如，I0和I1)之間的差別。
圖5示出使用存儲裝置10的存儲設(shè)備20。存儲設(shè)備20包括存儲裝置10，其包括上面提及的矩陣存儲排列，控制器21，地址選擇電路23，讀/寫控制電路(以下，簡單提及為‘讀/寫電路’)24。地址指示信號由控制器21提供到地址選擇電路23中，寫控制信號或讀控制信號由控制器21提供到讀/寫電路24中。地址選擇電路23可包括一地址寄存器(未示出)。讀/寫電路24可包括一寫寄存器/讀寄存器(未示出)。基于外部數(shù)據(jù)和控制信號或基于內(nèi)部產(chǎn)生的控制信號、數(shù)據(jù)和從存儲裝置10中讀出的輸出數(shù)據(jù)，控制器21執(zhí)行向存儲裝置10中寫入。更進(jìn)一步，控制器21執(zhí)行到存儲單元的寫入數(shù)據(jù)的擦除操作或總復(fù)位操作。
另外，存儲設(shè)備20可包括提供增加的速度或增加的功能如錯(cuò)誤糾正電路、刷新電路、和緩沖電路的電路。更進(jìn)一步的，控制器21不必作為一單獨(dú)的電路提供，如圖5所示。該設(shè)備中不包括控制器21的構(gòu)造也是可能的。在這樣一個(gè)設(shè)備中，地址選擇電路23和寫/讀電路24構(gòu)造成隨著通過數(shù)據(jù)總線指令或從諸如微處理器(CPU)等外部處理器中得到的類似指令而運(yùn)行，以便實(shí)現(xiàn)存儲裝置10的寫/讀和擦除操作。
下面將參照附圖詳細(xì)描述關(guān)于存儲裝置10的寫入、讀出和擦除操作的原理。更進(jìn)一步，為簡化描述起見，當(dāng)實(shí)現(xiàn)寫入操作時(shí)，假定所有的存儲單元C(j，i)都復(fù)位到“0”(邏輯值)。這里，高阻相位和低阻相位各自對應(yīng)于“0”和“1”(邏輯值)。
在數(shù)據(jù)一次寫入一個(gè)字地(例如，字到字)寫入到存儲裝置10的情況將通過舉例的方式進(jìn)行描述。更具體地，執(zhí)行寫操作的字線電壓設(shè)置為-VL(VL＞0)，電壓V1(V1＞0)施加到要寫入“1”的單元，電壓V0(V0＞0)施加到將寫入“0”的單元。在這種情況下，電壓V1和V0均被設(shè)置為V1-VL＞VW，V0-V1＜VW。更進(jìn)一步地，一個(gè)電壓(在本實(shí)施例中為0V)施加到不經(jīng)歷寫操作的字線，該電壓足夠地高以便避免由于電壓V1的施加引起相位轉(zhuǎn)換?？蛇x的，不經(jīng)歷寫操作的字線可維持在高阻抗?fàn)顟B(tài)。
更明確的是，如圖6所示，電壓-VL施加到在時(shí)間tj經(jīng)歷寫操作的第j個(gè)字線(Wj)中。該電壓在時(shí)間Δt施加到字線(Wj)中。在這種情況下，與將要寫至位線Bi(i＝1，2，…m)的每位位數(shù)據(jù)一致地施加電壓。圖7示意地示出寫入到字線(Wj)中的位數(shù)據(jù)(B1到Bm)，也演示了存儲單元的狀態(tài)(以下稱為相位狀態(tài))。例如，當(dāng)被寫到字線的位數(shù)據(jù)為“1001011…”，電壓V1施加到B1，B4，B6和B7中，電壓V0施加到B2，B3和B5中，由于B1，B4，B6和B7對應(yīng)于邏輯值“1”，B2，B3和B5對應(yīng)于邏輯值“0”。如上所述。電壓V1所施加的單元使相位從高阻相位(PH)轉(zhuǎn)換到低阻相位(PL)。更進(jìn)一步，電壓V0所施加的單元由于電壓V0的施加沒有發(fā)生相位轉(zhuǎn)換而維持高阻相位(PH)。相應(yīng)地，存儲單元(Cj，i)在字線Wj(其中i＝1，2，…m)上，具有阻抗相位“LHHLHLL…”與位數(shù)據(jù)對應(yīng)(這里，PH由H表示，PL由L表示)。
然后，如圖6所示，字線Wj的施加電壓在時(shí)刻tj+Δt時(shí)為0V，電壓-VL在時(shí)間段Δt施加到下一字線Wj+1中。電壓V或V0施加到位線Bi(i＝1，2，…m)中，根據(jù)寫入在字線Wj+1上的單元中的位數(shù)據(jù)中的每一位。結(jié)果是，在如上所述的近似方式中，單元C(j+1，i)(其中i＝1，2，…m)在字線Wj+1上具有與位數(shù)據(jù)相應(yīng)的阻抗相位。數(shù)據(jù)也被寫入到字線Wj+2和以近似方式寫其他每個(gè)字。
下面將描述對每個(gè)字從存儲裝置10讀出數(shù)據(jù)的過程。更具體地，如圖8所示，讀出電壓VR施加到所有的位線(B1-Bm)中。更進(jìn)一步，等于或大于VR的電壓VH施加到字線中，可選的，字線也可設(shè)置為高阻狀態(tài)。如圖4所示，讀出電壓VR也設(shè)置為一不引起相位轉(zhuǎn)換的電壓，即，在相位轉(zhuǎn)換電壓+VW和0V之間的電壓(0＜VR＜+VW)。在這種情況下，讀出的字線(Wj)的電壓變?yōu)?V，由此在存儲單元C(j+1，i)(其中i＝1，2，…m)流過的各個(gè)電流的值被檢測出來。寫入的位數(shù)據(jù)可以通過從電流值鑒別每個(gè)單元的阻抗相位(即，高阻相位或低阻相位)而讀出來。于數(shù)據(jù)寫入的情況類似，期望數(shù)據(jù)通過在0V時(shí)充分掃描字線而讀出。
下面將描述寫入到存儲裝置10的數(shù)據(jù)被擦除的過程。更進(jìn)一步，所有的存儲單元的內(nèi)容被擦除(或復(fù)位)的情況將以舉例的方式進(jìn)行描述。首先，如圖9所示，等于或小于-VE的擦除電壓-VER在時(shí)刻t0時(shí)施加到所有的字線(W1-Wn)中和所有的位線(B1到Bm)中。然后，在時(shí)刻t1，所有的位線(B1到Bm)的電壓設(shè)置為0V。由于在所有的位線電壓設(shè)置為0V的瞬時(shí)，施加到存儲單元的電壓等于或大于VE(絕對值)，所以存儲單元不管這個(gè)擦除之前已有的狀態(tài)(阻抗相位)，被復(fù)位到一高阻相位。更進(jìn)一步的，擦除(復(fù)位)所有的存儲器單元的內(nèi)容的情況已經(jīng)在上面描述過，然而，擦除也能對每個(gè)字或每個(gè)單元實(shí)現(xiàn)。
因此，如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種簡單而且便宜并允許電寫和讀出的開關(guān)存儲裝置，也可以提供應(yīng)用該存儲裝置的存儲設(shè)備。
第二實(shí)施例圖10是包括按照本發(fā)明的第二實(shí)施例的存儲裝置10的存儲單元部分的區(qū)域剖視圖。半導(dǎo)體層1 5形成為用銅酞花青作材料的p-型有機(jī)半導(dǎo)體。通過使用具有比銅酞花青的功函數(shù)小的金屬如鋁(A1)作為上電極(字線Wj)16，在半導(dǎo)體層15的內(nèi)表面形成一肖基特二極管結(jié)。存儲裝置10的其他部分的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中的近似。
與上述第一實(shí)施例的情況類似，肖基特二極管呈現(xiàn)了一種有利的開關(guān)特性，從而這些單元C(j+1，i)作為開關(guān)存儲單元操作。
第三實(shí)施例圖11是一按照本發(fā)明第三實(shí)施例的包括存儲裝置10的存儲單元部分的區(qū)域剖視圖。在本實(shí)施例中，其結(jié)構(gòu)通過改變第一實(shí)施例中存儲層和半導(dǎo)體層的位置來得到。更具體地，位線12，半導(dǎo)體層15，有機(jī)存儲層14，和字線16依次在襯底11上形成。更進(jìn)一步地，這種情況下，半導(dǎo)體層15是p-n二極管，例如，并且構(gòu)成為使其中的p-型半導(dǎo)體層與下電極(位線)12接觸。其他方面的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例類似。
更進(jìn)一步地，根據(jù)上述第一到第三實(shí)施例，多種的其他的變形也是可能的。例如，其中字線和位線轉(zhuǎn)換的結(jié)構(gòu)是可能的。更具體地，在襯底11上的下電極可形成字線，同時(shí)上電極形成位線。另外，二極管極性也可與上述實(shí)施例中的極性相反。這樣，所施加的電壓的極性也依據(jù)二極管的極性作出適應(yīng)的選擇。
更進(jìn)一步地，半導(dǎo)體層15不限定為一有機(jī)半導(dǎo)體。也可用無機(jī)半導(dǎo)體。例如，共價(jià)化合物半導(dǎo)體諸如Si和復(fù)合半導(dǎo)體諸如GaAs也可使用。
還例如，襯底11不限定為無堿玻璃。例如，塑料，有機(jī)原料等其他也可使用。更具體地，由于有機(jī)原料可在低溫過程中形成，這種材料可在不同的襯底上形成，上述結(jié)構(gòu)因此可通過不同的材料結(jié)合的方式實(shí)現(xiàn)。
第一和第二電極線不必單獨(dú)由金屬構(gòu)成。第一和第二電極線可為由有機(jī)材料或ITO膜(銦錫氧化膜)或類似的材料構(gòu)成的透明電極。
另外，除了上述提及的酞花青材料以外的多種材料可應(yīng)用到存儲層14中。存儲層14可通過取決于所使用材料的不同的方法形成。用作存儲層14的其他材料的例子包括如聚噻吩和聚吡咯，聚次苯基聚合物，聚苯胺聚合物，和聚乙炔聚合物等雜芳族聚合物的聚合物材料。但其使用并不限定為聚合物材料，也可使用低分子材料如并五苯，并四苯，蒽等。更進(jìn)一步地，二極管層15可用象用于存儲層14的材料形成。
另外，有機(jī)存儲層14和有機(jī)半導(dǎo)體層15通過真空沉積形成的情況已作為實(shí)施例描述，但該形成并不僅限定為這樣一種方法。用于有機(jī)材料不同的其他沉積方式也可使用。例如，可被應(yīng)用的方法包括朗繆爾-布勞基特(LB)法，分子自組法，分子束外延法(MBE)，鑄造，旋轉(zhuǎn)，熔化，場聚合，等離子聚合等等諸如此類。
進(jìn)一步地，作為半導(dǎo)體15的n-型(供給體)摻雜劑，堿金屬諸如鈉(Na)，鉀(K)，烷胺和其他同類物質(zhì)等都能使用。進(jìn)一步的，在半導(dǎo)體層15由p-型有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成的情況下，可使用不同的物質(zhì)作為p-型(接受體)摻雜劑，諸如鹵族元素，Lewis酸，質(zhì)子酸，過渡金屬氯化物和其他同類物質(zhì)。
更進(jìn)一步的，所謂的聚合物摻雜劑可用作除上述提及的摻雜劑以外的摻雜劑。例如，使用聚合物電解液如聚苯乙烯磺酸鹽，乙烯聚合物磺酸鹽。
如上述有機(jī)材料摻雜的方法，可使用不同的方法如氣相和液相摻雜和電化摻雜和其他同類方法。作為變形的，可使用包括通過電子領(lǐng)域的方法催化電離摻雜以注入雜質(zhì)到有機(jī)材料中的離子注入和應(yīng)用光和放射物來實(shí)現(xiàn)摻雜的感應(yīng)摻雜。
本發(fā)明通過參考其中的較好實(shí)施例進(jìn)行描述。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員都知道的多種變化和變形可從上面描述的實(shí)施例得知。因此應(yīng)當(dāng)認(rèn)為所附權(quán)利要求包括了所有的變化和變形。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)開關(guān)存儲裝置，包括多個(gè)第一電極線；在所述的多個(gè)第一電極線上形成的一個(gè)有機(jī)存儲層，所述的有機(jī)存儲層具有電壓—電流滯后特性；一個(gè)堆疊在所述有機(jī)存儲層上的半導(dǎo)體二極管層；和在所述半導(dǎo)體二極管層上形成的多個(gè)第二電極線，所述的多個(gè)第二電極線在一個(gè)方向上排列，使得與所述的多個(gè)第一電極線交叉。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)開關(guān)存儲裝置，其中所述的半導(dǎo)體是一pn結(jié)二極管層。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)開關(guān)存儲裝置，其中所述的半導(dǎo)體層是一肖基特二極管層。
4.一種存儲器設(shè)備，包括一個(gè)有機(jī)開關(guān)存儲裝置，該有機(jī)開關(guān)存儲裝置包括多個(gè)第一電極線；在所述的多個(gè)第一電極線上形成的一個(gè)有機(jī)存儲層，所述的有機(jī)存儲層具有電壓—電流滯后特性；一個(gè)堆疊在所述有機(jī)存儲層上的半導(dǎo)體二極管層；和在所述半導(dǎo)體二極管層上形成的多個(gè)第二電極線，所述的多個(gè)第二電極線在一個(gè)方向上排列，使得與所述的多個(gè)第一電極線交叉。一個(gè)接收地址指示信號，數(shù)據(jù)和寫指令信號的接收器部分，所述的地址指示信號指示對應(yīng)于所述的多個(gè)第一電極線和所述的多個(gè)第二電極線的交叉位置的地址，和一個(gè)基于地址指示信號，響應(yīng)寫指令信號，寫數(shù)據(jù)到所述有機(jī)開關(guān)存儲裝置的控制部分。
5.如權(quán)利要求4所述的存儲器設(shè)備，其中所述接收器部分接收一讀指令信號，和所述控制部分基于所述地址指示信號，響應(yīng)所述讀指令信號，從所述有機(jī)開關(guān)裝置讀出數(shù)據(jù)。
全文摘要
一種有機(jī)開關(guān)存儲裝置包括多個(gè)第一電極線；在多個(gè)第一電極線上形成的有機(jī)存儲層，有機(jī)存儲層具有電壓—電流滯后特性；堆疊在有機(jī)存儲層上的半導(dǎo)體二極管層，和在半導(dǎo)體二極管層上形成的多個(gè)第二電極線，多個(gè)第二電極線在同一方向排列，使得與多個(gè)第一電極線交叉。
文檔編號G11C8/02GK1481034SQ0315268
公開日2004年3月10日 申請日期2003年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月12日
發(fā)明者田邊貴久 申請人:日本先鋒公司