專利名稱：磁復(fù)制用源載體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有將信息復(fù)制到目標(biāo)介質(zhì)上的凹凸圖案的磁復(fù)制用源載體及其使用方法。
一般的伺服信號(伺服模式)，從伺服幀的前頭部開始依次由前置部(同步信號)、格雷碼(磁道地址信號)、脈沖串信號(磁頭位置確定信號)所構(gòu)成，之后為數(shù)據(jù)區(qū)域。上述脈沖串信號包括偏離磁道中心線1/2磁道幅度所記錄的部分，其他伺服信號在磁道中心線上以整個磁道間距幅度記錄。還有，數(shù)據(jù)區(qū)域比伺服信號的記錄幅度要窄，在與其內(nèi)外磁道鄰接的部分上形成沒有記錄信號的保護(hù)帶。
上述那樣的預(yù)格式化，在專用伺服記錄裝置中采用，通過對每一張磁片、或者每一磁道寫入信號而作成。伺服記錄裝置，例如包括具有75％磁道間距的磁頭幅度的磁頭，首先，在磁頭接近磁盤的狀態(tài)下讓磁盤轉(zhuǎn)動1周，寫入相當(dāng)于外側(cè)1/2磁道的模式，然后，讓該磁頭向內(nèi)側(cè)移動半個磁道間距，在磁盤下一周轉(zhuǎn)動中寫入相當(dāng)于內(nèi)側(cè)1/2磁道的模式，這樣形成1磁道的信號。
上述伺服記錄裝置昂貴，并且預(yù)格式化花費(fèi)時間，該工序占了制造成本的大部分，因此希望能降低成本。
為此，提出了不采用對每一磁道預(yù)格式化，而通過磁復(fù)制來實(shí)現(xiàn)的方法。例如，在特開平10-40544號以及特開平10-269566號等中介紹了磁復(fù)制技術(shù)。該磁復(fù)制的原理是，預(yù)先準(zhǔn)備具有與應(yīng)向作為被復(fù)制介質(zhì)的磁盤介質(zhì)等目標(biāo)介質(zhì)中復(fù)制的信息相對應(yīng)的凹凸圖案的源載體，在讓該源載體與目標(biāo)介質(zhì)密接的狀態(tài)下，通過施加復(fù)制用磁場，將記錄在源載體的凹凸圖案上的信息(例如伺服信息)所對應(yīng)的磁圖案復(fù)制到目標(biāo)介質(zhì)上，可以實(shí)現(xiàn)不改變源載體和目標(biāo)介質(zhì)的相對位置的靜態(tài)記錄，能正確進(jìn)行預(yù)格式化，并且在極短的時間內(nèi)就能完成記錄。
為了提高上述磁復(fù)制中的復(fù)制質(zhì)量，如何讓源載體和目標(biāo)介質(zhì)之間無間隙密接是非常重要的。即如果密接不良，會產(chǎn)生沒有進(jìn)行磁復(fù)制的區(qū)域，如果發(fā)生沒有進(jìn)行磁復(fù)制，就會在目標(biāo)介質(zhì)中產(chǎn)生磁信號遺漏，降低信號質(zhì)量，如果所記錄的信號是伺服信號，就不能充分實(shí)施跟蹤，產(chǎn)生降低可靠性的問題。
作為解決該課題的方法，例如在特開平11-161956號中所公開的技術(shù)是，在目標(biāo)介質(zhì)側(cè)彎曲形成凸?fàn)畹脑摧d體的中心部，通過與目標(biāo)介質(zhì)密接時的壓接，從中心部向外側(cè)依次平坦變形，進(jìn)行密接，在密接面上排出，不殘留空氣，以提高密接性。
然而，在采用上述伺服記錄裝置進(jìn)行伺服寫入時，為了將與記錄在目標(biāo)介質(zhì)中的信號圖案相同的信號圖案復(fù)制到目標(biāo)介質(zhì)中，形成在源載體中的凹凸圖案由與目標(biāo)介質(zhì)的磁道間距(磁道寬度)相同的寬度的凸部和凹部所構(gòu)成。具體講，如圖13中在源載體表面上形成的凹凸圖案的一部分立體圖所示，具有在磁道間距方向(箭頭Y方向)與磁道間距P相同寬度的凸部71在1個磁道內(nèi)、或者橫跨2個磁道形成。
這樣的凸部71由于在磁道方向(箭頭X方向)以及磁道間距方向(箭頭Y方向)上連續(xù)形成，如圖中斜線所示，有可能出現(xiàn)由凸部71四方包圍的凹部72的情況。如果存在這樣的由凸部71四方包圍的凹部72，即使采用上述特開平11-161956號等那樣的提高密接性的技術(shù)，實(shí)際上，在讓源載體和目標(biāo)介質(zhì)密接時，該凹部72周圍的凸部71首先與目標(biāo)介質(zhì)密接，而將該凹部72密閉，不能將該凹部72內(nèi)的空氣抽出，而殘留空氣存在的結(jié)果，存在著不能進(jìn)行充分的密接的問題。
還有，在上述那樣源載體和目標(biāo)介質(zhì)密接的狀態(tài)下進(jìn)行磁復(fù)制，在磁復(fù)制之前，會出現(xiàn)在源載體和目標(biāo)介質(zhì)密接的狀態(tài)下進(jìn)行定位的情況，在定位時，源載體和目標(biāo)介質(zhì)之間產(chǎn)生摩擦，在反復(fù)進(jìn)行磁復(fù)制的過程中，記錄源載體的信號的圖案面的形狀被磨損，會降低復(fù)制精度。由于磨損而降低了復(fù)制精度，就需要更換源載體，但該源載體非常昂貴，一張源載體可以復(fù)制多少張目標(biāo)介質(zhì)，成為降低制造成本中非常重要的問題。
還有，在源載體和目標(biāo)介質(zhì)密接時，即使兩者之間的一部分產(chǎn)生密接不良的地方，就不能保持兩者的位置關(guān)系在整個面上的一致性，將降低復(fù)制質(zhì)量。而有時會在密接不良區(qū)域產(chǎn)生沒有進(jìn)行磁復(fù)制的區(qū)域，就會產(chǎn)生在目標(biāo)介質(zhì)中所復(fù)制的磁信號遺漏，降低信號的記錄質(zhì)量，如果所記錄的信號是伺服信號，就不能充分實(shí)施跟蹤，產(chǎn)生降低可靠性的問題。
還有，本發(fā)明的目的在于提供一種可以向更多的目標(biāo)介質(zhì)進(jìn)行磁復(fù)制的壽命長的磁復(fù)制用源載體及其使用方法。
本發(fā)明的磁復(fù)制用源載體，具有向目標(biāo)介質(zhì)復(fù)制信息的凹凸圖案，其特征是上述凹凸圖案構(gòu)成為不形成被凸部包圍整個周圍的凹部。
所謂[不形成被凸部包圍整個周圍的凹部]是指，讓目標(biāo)介質(zhì)與源載體密接時，在凹部周圍即使在一部分如果有能抽出空氣的沒有凸部的部分即可，例如，通過讓上述凹凸圖案的凸部的磁道間距方向的寬度比該磁道間距要小，就可以實(shí)現(xiàn)。
并且，沒有必要讓所有的凸部的磁道間距方向的寬度都比該磁道間距要小，只要一部分的凸部的磁道間距方向的寬度比該磁道間距要小即可。這時，在上述凹凸圖案中，也可以讓在1個磁道內(nèi)形成的凸部的磁道間距方向的寬度比該磁道間距要小，而橫跨2個相鄰磁道所形成的凸部的磁道間距方向的寬度與該磁道間距大致相同。
本發(fā)明的磁復(fù)制用源載體，具有向目標(biāo)介質(zhì)復(fù)制信息的凹凸圖案，其特征是在上述凹凸圖案的凸部表面上形成有粗糙面。
此外，上述粗糙面可以在上述凹凸圖案的凸部表面的一部分上形成，也可以在整個面上形成。或者，不僅在凸部表面，而且也可以在凹部表面形成。
上述磁復(fù)制用源載體，具體講，例如，可以包括基板和該基板上的、上述凹凸圖案的至少成為凸部的部位上所設(shè)置的軟磁性層，上述粗糙面根據(jù)通過在上述基板的至少設(shè)置了上述軟磁性層的部位上所施行的表面處理所形成的粗糙面所形成。在此在基板上施行的表面處理是指，例如可以是通過研磨的紋理處理或者激光的紋理處理，進(jìn)一步，也可以是腐蝕表面的處理。
還有，上述本發(fā)明的又一磁復(fù)制用源載體，可以包括基板、該基板上的、上述凹凸圖案的至少成為凸部的部位上涂敷的粒狀物質(zhì)、在該粒狀物質(zhì)上所形成的軟磁性層，上述粗糙面根據(jù)上述粒狀物質(zhì)所涂敷的上述凸部的表面形狀所形成。
進(jìn)一步，上述本發(fā)明的又一磁復(fù)制用源載體，可以包括基板和該基板上的、上述凹凸圖案的至少成為凸部的部位上所設(shè)置的軟磁性層，上述粗糙面根據(jù)由上述軟磁性層的形成條件，即濺射等的條件所控制的表面粗糙度所形成。
還有，上述本發(fā)明的又一磁復(fù)制用源載體，可以包括基板、該基板上的、上述凹凸圖案的至少成為凸部的部位上所設(shè)置的多孔膜、在該多孔膜上所形成的軟磁性層，上述粗糙面根據(jù)上述多孔膜的表面形狀所形成。這時，上述多孔膜的體積比希望在30％到99％的范圍，表面粗糙度Rp在0.0001到0.1的范圍。
此外，在上述各磁復(fù)制用源載體中，上述粗糙面希望是具有3nm到50nm深度的凹部的凹凸面，更優(yōu)選在5nm到20nm的范圍。
本發(fā)明的又一磁復(fù)制用源載體，具有向目標(biāo)介質(zhì)復(fù)制信息的凹凸圖案，其特征是剛制造出來的上述凹凸圖案的槽的深度在50nm到1000nm的范圍，上述凹凸圖案的凸部表面在制造后使用之前至少經(jīng)過1次研磨之后使用。
本發(fā)明的又一磁復(fù)制用源載體，具有向目標(biāo)介質(zhì)復(fù)制信息的凹凸圖案，其特征是剛制造出來的上述凹凸圖案的槽的深度在50nm到1000nm的范圍，上述凹凸圖案的凸部表面在使用后至少經(jīng)過1次研磨之后再次使用。
在上述中所謂的[剛制造出來]是指，一系列的制造工序結(jié)束后，源載體處于可以進(jìn)行磁復(fù)制但還沒有被使用的狀態(tài)。因此，例如，在通常的源載體制造過程中，凹凸圖案的凸部表面上有毛刺等情況時所施行的表面研磨為制造過程中的研磨，與上述制造后的研磨不同。
還有，所謂[制造后使用之前]是指，可以是剛制造出來而還沒有使用的狀態(tài)，也可以是曾一度使用之后，再次使用之前。
本發(fā)明的磁復(fù)制用源載體的使用方法，是具有向目標(biāo)介質(zhì)復(fù)制信息的凹凸圖案的磁復(fù)制用源載體的使用方法，其特征是上述凹凸圖案的凸部表面在制造后使用之前至少經(jīng)過1次研磨之后使用。
本發(fā)明的磁復(fù)制用源載體的使用方法，是具有向目標(biāo)介質(zhì)復(fù)制信息的凹凸圖案的磁復(fù)制用源載體的使用方法，其特征是上述凹凸圖案的凸部表面在使用后至少經(jīng)過1次研磨之后再次使用。
還有，作為上述各磁復(fù)制用源載體的使用方法，可以是上述凹凸圖案的凸部表面根據(jù)該凸部表面的損傷程度進(jìn)行研磨之后使用。
在此，所謂[根據(jù)損傷程度進(jìn)行研磨]是指，可以是在經(jīng)驗(yàn)值的基礎(chǔ)上經(jīng)過多少次使用之后、或者經(jīng)過多少天使用之后進(jìn)行研磨，也可以是在檢查上述凸部表面的狀態(tài)之后進(jìn)行研磨。
本發(fā)明的磁復(fù)制用源載體，由于凹凸圖案構(gòu)成為不會形成被凸部包圍整個周圍的凹部，與目標(biāo)介質(zhì)密接時，在現(xiàn)有技術(shù)中的源載體中，由于存在上述那樣被凸部包圍整個周圍的凹部會出現(xiàn)在該凹部中殘留空氣降低密接性的問題，可以避免該問題，提高與目標(biāo)介質(zhì)的密接性。密接性的提高，可以防止信號遺漏的發(fā)生，提高復(fù)制信號質(zhì)量。
本發(fā)明的另一磁復(fù)制用源載體，由于在與目標(biāo)介質(zhì)相接觸的凹凸圖案的凸部表面上形成有粗糙面，與現(xiàn)有的凸部表面整體與目標(biāo)介質(zhì)相接觸的情況相比，由于可以減少與目標(biāo)介質(zhì)實(shí)際的接觸面積，可以減少兩者接觸時、特別是兩者定位時的摩擦系數(shù)，其結(jié)果可以延緩凹凸圖案的磨損。因此，可以延長源載體的壽命，向更多目標(biāo)介質(zhì)進(jìn)行磁復(fù)制。這樣，可以降低磁復(fù)制中的成本，以低價格提供預(yù)格式化后的目標(biāo)介質(zhì)。
還有，在與目標(biāo)介質(zhì)密接進(jìn)行磁復(fù)制之后，如果與目標(biāo)介質(zhì)剝離時難以剝離，會向源載體或者目標(biāo)介質(zhì)施加多余的力，成為破損的主要原因，而如本發(fā)明那樣，實(shí)際接觸面積小，容易剝離，具有排出破損的原因之一的效果。
還有，通過形成粗糙面，與目標(biāo)介質(zhì)接觸時容易抽出空氣，可以提高與目標(biāo)介質(zhì)的密接性。通過該密接性的提高，可以防止信號遺漏的發(fā)生，提高復(fù)制信號質(zhì)量。
本發(fā)明的又一磁復(fù)制用源載體，由于其凹凸圖案的凸部表面在制造后使用之前至少經(jīng)過1次研磨之后使用，在凹凸圖案的凸部表面上如果有損傷時，可以通過研磨除去，可以在良好的表面狀態(tài)下使用。
本發(fā)明的又一磁復(fù)制用源載體，由于其凹凸圖案的凸部表面在使用后至少經(jīng)過1次研磨之后再次使用，在使用中由于表面形狀的磨損或者塵埃等引起損傷時，可以通過研磨在良好的表面狀態(tài)下再次使用。
依據(jù)本發(fā)明的磁復(fù)制用源載體的使用方法，由于源載體的凹凸圖案的凸部表面在制造后使用之前至少經(jīng)過1次研磨之后使用，在凹凸圖案的凸部表面上如果有損傷時，可以通過研磨除去之后使用，可以進(jìn)行良好的磁復(fù)制。還有，因此可以重復(fù)使用源載體，其結(jié)果，可以延長源載體的壽命，向更多目標(biāo)介質(zhì)進(jìn)行磁復(fù)制。這樣，可以降低磁復(fù)制中的成本，以低價格提供預(yù)格式化后的目標(biāo)介質(zhì)。
依據(jù)本發(fā)明的磁復(fù)制用源載體的使用方法，由于源載體的凹凸圖案的凸部表面在使用后至少經(jīng)過1次研磨之后再次使用，在凹凸圖案的凸部表面上如果有在使用中由于表面形狀的磨損或者塵埃等所引起損傷時，可以通過研磨除去損傷部位的基礎(chǔ)上在使用，可以進(jìn)行良好的磁復(fù)制。還有，因此可以重復(fù)使用源載體，其結(jié)果，可以延長源載體的壽命，向更多目標(biāo)介質(zhì)進(jìn)行磁復(fù)制。這樣，可以降低磁復(fù)制中的成本，以低價格提供預(yù)格式化后的目標(biāo)介質(zhì)。


圖1為表示目標(biāo)介質(zhì)和源載體的立體圖。
圖2為表示磁復(fù)制方法的基本工序圖。
圖3為表示本發(fā)明實(shí)施例1的源載體的凹凸圖案形狀的一部分立體圖。
圖4為表示本發(fā)明實(shí)施例2的源載體的凹凸圖案形狀的一部分立體圖。
圖5為表示采用本發(fā)明一實(shí)施例的源載體進(jìn)行磁復(fù)制的磁復(fù)制裝置主要部位的立體圖。
圖6為表示圖1所示密接體的分解立體圖。
圖7為表示本發(fā)明實(shí)施例3的源載體的一部分剖視圖。
圖8為表示本發(fā)明實(shí)施例4的源載體的一部分剖視圖。
圖9為表示本發(fā)明實(shí)施例5的源載體的一部分剖視圖。
圖10為表示本發(fā)明實(shí)施例6的源載體的一部分剖視圖。
圖11為表示本發(fā)明實(shí)施例7的源載體的一部分剖視圖。
圖12為表示本發(fā)明一實(shí)施例的源載體的使用方法的圖。
圖13為表示現(xiàn)有的源載體的凹凸圖案形狀的一部分立體圖。
在上述附圖中，1—磁復(fù)制裝置，2—目標(biāo)介質(zhì)，3、4—源載體，3a、4a—基板，3b、4b—軟磁層，5—損傷部位，11、21、22—凸部，13、23、33、43、53—源載體，13a、23a、33a、43a、53a—基板，13b、23b、33b、43b、53b—軟磁層，15—微細(xì)凹凸，17、27、37、47、57—粗面，25—粒狀物質(zhì)，44—多孔膜，P—間距。
圖1為表示目標(biāo)介質(zhì)2和源載體3、4的立體圖。目標(biāo)介質(zhì)2，例如是在圓盤狀的記錄介質(zhì)2a的中心部粘接了盤心2b的軟磁盤，記錄介質(zhì)2a是在軟性聚酯片等非磁性體構(gòu)成的圓盤狀的基片2c的兩面上有磁性體層所形成的記錄面2d、2e所構(gòu)成。在此，雖然是以軟磁盤為例，但目標(biāo)介質(zhì)并不限定于此，本發(fā)明的源載體也可以用于硬盤的此復(fù)制。
還有，源載體3、4由剛體的圓環(huán)狀盤片形成，在其一面上形成與上述目標(biāo)介質(zhì)2的記錄面2d、2e密接的微細(xì)凹凸圖案，成為復(fù)制信息載置面。源載體3、4分別形成目標(biāo)介質(zhì)2的下側(cè)記錄面2d、上側(cè)記錄面2e用的凹凸圖案。凹凸圖案，以源載體3為例，是在圖中虛線所包圍的環(huán)形區(qū)域中形成。此外，圖1所示源載體3、4雖然是由形成了凹凸圖案的基板3a、4a和在該凹凸圖案上形成的軟磁層3b、4b所構(gòu)成，如果基板3a、4a由Ni等強(qiáng)磁性體形成時，只用基板就可以進(jìn)行磁復(fù)制，并不一定用軟磁層3b、4b覆蓋。但是，設(shè)置復(fù)制特性良好的磁性層，可以進(jìn)行良好的磁復(fù)制。如果基板為非磁性體，則必須設(shè)置磁性層。
進(jìn)一步，在最上層如果覆蓋類鉆石碳(DLC)等保護(hù)膜，由于該保護(hù)膜可以提高接觸耐磨性，可以進(jìn)行多次磁復(fù)制。進(jìn)一步也可以在DLC保護(hù)膜的下層通過濺射等形成Si膜。
圖2為表示使用本發(fā)明的源載體進(jìn)行磁復(fù)制的基本工序圖。圖2(a)為表示在一方向施加磁場將目標(biāo)介質(zhì)進(jìn)行初始直流磁化的工序，(b)為表示讓源載體和目標(biāo)介質(zhì)密接施加相反方向磁場的工序，(c)為表示磁復(fù)制后的狀態(tài)。此外，在圖2中目標(biāo)介質(zhì)2只表示了下側(cè)記錄面2d。
以下說明磁復(fù)制方法的概要。如圖2(a)所示，預(yù)先向目標(biāo)介質(zhì)2在磁道方向的一方向上施加初始磁場Hin進(jìn)行初始磁化(直流消磁)。然后，如圖2(b)所示，讓該目標(biāo)介質(zhì)2的記錄面2d與在源載體3的基板3a的微細(xì)凹凸圖案覆蓋了磁性層32的信息載置面密接，施加與目標(biāo)介質(zhì)2的磁道方向上的上述初始磁場Hin相反方向的復(fù)制用磁場Hdu進(jìn)行磁復(fù)制。其結(jié)果，如圖2(c)所示，在目標(biāo)介質(zhì)2的磁記錄面(磁道)上磁復(fù)制記錄與源載體3的信息載置面的凹凸圖案對應(yīng)的信息(例如伺服信號)。在此，雖然是針對目標(biāo)介質(zhì)2的下側(cè)記錄面2d和下側(cè)源載體3進(jìn)行了說明，如圖1所示，對于目標(biāo)介質(zhì)2的上側(cè)記錄面2e，通過與上側(cè)源載體4密接，可以同樣進(jìn)行磁復(fù)制?？梢酝瑫r對目標(biāo)介質(zhì)2的上下側(cè)記錄面2d、2e進(jìn)行磁復(fù)制，也可以單面依次進(jìn)行磁復(fù)制。
還有，源載體3的凹凸圖案如果是與圖2的正片圖案相反的凹凸形狀的負(fù)片圖案，只要讓初始磁場Hin以及磁復(fù)制磁場Hdu的方向與上述方向相反，就可以磁復(fù)制記錄同樣的信息。此外，初始磁場和磁復(fù)制磁場有必要采用根據(jù)目標(biāo)介質(zhì)的保磁力、源載體以及目標(biāo)介質(zhì)的比導(dǎo)磁率所定的值。
以下說明在本發(fā)明實(shí)施例的源載體上形成的凹凸圖案。圖3、4為表示在本發(fā)明實(shí)施例1、2的源載體上形成的凹凸圖案的一部分立體圖。
圖3所示在有關(guān)本發(fā)明實(shí)施例1的源載體上形成的凹凸圖案形成為讓其凸部11的磁道間距方向的寬度W1比磁道間距P要短。因此，圖13所示的現(xiàn)有的凹凸圖案中所產(chǎn)生的凸部71包圍的凹部72不會在圖3所示的源載體中存在。通過讓凸部比現(xiàn)有圖案的寬度P小，在目標(biāo)介質(zhì)上的磁道中形成比現(xiàn)有的寬度小的信號，如果該寬度與目標(biāo)介質(zhì)的信號讀取磁頭的寬度H為相同程度，對于形成在1個磁道內(nèi)的信號，不會產(chǎn)生C/N的劣化。但是，在所形成的圖案中，有橫跨磁道所形成的信號(例如脈沖串信號)，對于與在源載體上橫跨2個磁道所形成的凸部相對應(yīng)的目標(biāo)介質(zhì)上的信號，在現(xiàn)有的技術(shù)中，磁頭寬度的一半寬度的信號在1磁道內(nèi)讀取，而在本實(shí)施例中，由于所讀取的信號寬度比磁頭的寬度W的1/2要小，有可能產(chǎn)生C/N的劣化。但是，本實(shí)施例的源載體，提高了與目標(biāo)介質(zhì)的密接性，抑制了由于密接不良所產(chǎn)生的信號遺漏，一部分信號的C/N的劣化與信號遺漏相比只是小問題。
圖4所示在有關(guān)本發(fā)明實(shí)施例2的源載體上形成的凹凸圖案，對于在1個磁道內(nèi)形成的凸部21，形成為其磁道間距方向的寬度W2分別比磁道間距P要短，對于橫跨2個磁道內(nèi)形成的凸部22，形成為其磁道間距方向的寬度W3與磁道間距P相同的程度。這樣形成不同長度的凸部，是為了抑制實(shí)施例1所示凹凸圖案形狀中所產(chǎn)生的上述C/N的劣化，如果做成圖4所示本實(shí)施例的凹凸圖案形狀，可以進(jìn)行不會產(chǎn)生源載體和目標(biāo)介質(zhì)之間的密接不良，并且也沒有C/N的劣化的磁復(fù)制。
此外，本發(fā)明的磁復(fù)制用源載體，并不限定于上述實(shí)施例1以及2所述的凹凸圖案形狀，只要是在現(xiàn)有的凹凸圖案形狀中，在產(chǎn)生凸部所包圍的凹部的部位，作為讓其周圍的一個或者多個凸部的一部分切口的形狀，在周圍的至少一部分上設(shè)置沒有凸部的部分，與目標(biāo)介質(zhì)密接時可以抽出空氣即可。
以下說明具體的磁復(fù)制方法。圖5為表示本發(fā)明一實(shí)施例的磁復(fù)制裝置的處于磁復(fù)制狀態(tài)的主要部位的立體圖。圖6為表示實(shí)施例1的密接體的分解立體圖。
圖5以及圖6所示的磁復(fù)制裝置1是兩面同時進(jìn)行磁復(fù)制的裝置，讓在目標(biāo)介質(zhì)2的上下壓接了源載體3、4的密接體10轉(zhuǎn)動，通過配置在該密接體10的上下的電磁鐵裝置5(磁場產(chǎn)生裝置)施加復(fù)制用磁場，將載置在源載體3、4上的信息同時在目標(biāo)介質(zhì)2的兩面進(jìn)行磁復(fù)制記錄。
密接體10包括向目標(biāo)介質(zhì)2的下側(cè)記錄面復(fù)制伺服信號等信息的下側(cè)源載體3、向目標(biāo)介質(zhì)2的上側(cè)記錄面復(fù)制伺服信號等信息的上側(cè)源載體4、具有將上述下側(cè)源載體3吸入支撐并校正其平坦性的下側(cè)校正部件6的下側(cè)壓接部件8、具有將上述上側(cè)源載體4吸入支撐并校正其平坦性的上側(cè)校正部件7(和下側(cè)校正部件6相同的構(gòu)成)的上側(cè)壓接部件9，在對準(zhǔn)中心位置的狀態(tài)下壓接，在目標(biāo)介質(zhì)2的兩面上密接下側(cè)源載體3和上側(cè)源載體4。
上述下側(cè)源載體3和上側(cè)源載體4，通過由下側(cè)校正部件6和上側(cè)校正部件7真空吸住與形成了微細(xì)凹凸圖案的信息載置面相反側(cè)的面所支撐。該下側(cè)源載體3和上側(cè)源載體4，根據(jù)需要，為了提高與目標(biāo)介質(zhì)2的密接性，在微細(xì)凹凸圖案的形成部以外的位置上并且在不與后述的校正部件6、7的吸氣孔連通的位置上形成表里貫通的微細(xì)孔，將與目標(biāo)介質(zhì)2的密接面之間的空氣吸引排出。這時，由于通過本發(fā)明的源載體的上述那樣的凹凸圖案形狀可以將與目標(biāo)介質(zhì)2之間的空氣完全吸引排出，因此使得密接性非常良好。
下側(cè)校正部件6(上側(cè)校正部件7也相同)，為與源載體3的大小相應(yīng)的圓盤狀，在其表面設(shè)置中心線平均表面粗糙度Ra為0.01～0.1μm左右的平坦度并且平坦放置的吸接面6a。在該吸接面6a上，均勻形成25～100個直徑在2mm以下的吸氣孔6b。圖中雖然未畫出，該吸氣孔6b經(jīng)過從校正部件6的內(nèi)部向下側(cè)壓接部件8的外部導(dǎo)出的吸氣通路與真空泵連接，真空吸接與吸接面6a密接的源載體3的背面，該源載體3的平坦性通過吸接面6a校正。
下側(cè)壓接部件8以及上側(cè)壓接部件9為圓盤狀，通過一方或者兩方可移動設(shè)置的圖中未畫出的開閉機(jī)構(gòu)(按壓機(jī)構(gòu)、締結(jié)機(jī)構(gòu)等)進(jìn)行開閉動作，相互以給定的壓力進(jìn)行壓接。在其外周具有鍔部8a、9a，在關(guān)閉動作時上下的壓接部件8、9的鍔部8a、9a擋接，保持內(nèi)部處于密閉狀態(tài)。在下側(cè)壓接部件8的中心部，形成與目標(biāo)介質(zhì)2的盤心2b的中心孔掛接的定位針8b。還有，下側(cè)壓接部件8以及上側(cè)壓接部件9與圖中未畫出的轉(zhuǎn)動機(jī)構(gòu)連接可以一體轉(zhuǎn)動。
為了能采用1組下側(cè)源載體3和上側(cè)源載體4對多張目標(biāo)介質(zhì)進(jìn)行磁復(fù)制，在密接體10中，分別與下側(cè)校正部件6和上側(cè)校正部件7的吸接面6a對準(zhǔn)中心位置，分別真空吸住下側(cè)源載體3和上側(cè)源載體4，在下側(cè)壓接部件8以及上側(cè)壓接部件9分離處于打開狀態(tài)下，進(jìn)行目標(biāo)介質(zhì)2的設(shè)置以及替換。將預(yù)先在磁道方向的一方向進(jìn)行了初始直流磁化后的目標(biāo)介質(zhì)2在對準(zhǔn)中心位置設(shè)置后，進(jìn)行讓下側(cè)壓接部件8以及上側(cè)壓接部件9接近的關(guān)閉動作，在目標(biāo)介質(zhì)2的兩面上密接源載體3、4。然后，通過移動上下的電磁鐵裝置5或者移動密接體10，讓密接體10的上下面與上下的電磁鐵裝置5接近。在轉(zhuǎn)動密接體10的同時，施加與目標(biāo)介質(zhì)2的初始磁化方向相反方向的復(fù)制用磁場Hdu。通過施加該復(fù)制用磁場Hdu，下側(cè)源載體3和上側(cè)源載體4的凹凸圖案面所載置的復(fù)制信息被磁復(fù)制記錄在目標(biāo)介質(zhì)2的記錄面上。
如果采用上述那樣的本發(fā)明的源載體，由于在目標(biāo)介質(zhì)和源載體之間沒有殘留空氣，可以獲得良好的密接性，防止磁復(fù)制時的信號遺漏，提高復(fù)制質(zhì)量。
在此雖然說明的是兩面同時復(fù)制時的實(shí)施例，也可以單面依次進(jìn)行復(fù)制。并且，單面復(fù)制具有容易進(jìn)行目標(biāo)介質(zhì)和源載體的定位的效果。
作為源載體的基板，可以采用鎳、硅、石英板、玻璃、鋁、合金、陶瓷、合成樹脂等。凹凸圖案的形成可以采用沖壓法、光加工法等進(jìn)行?；宓陌纪箞D案的深度(凸起的高度)優(yōu)選在80nm～800nm的范圍，更優(yōu)選在150nm～600nm的范圍。該凹凸圖案為伺服信號時，在半徑方向長。例如，優(yōu)選半徑方向的長度為0.05～20μm，圓周方向?yàn)?.05～5μm，在該范圍內(nèi)選擇半徑方向長的圖案優(yōu)選作為載置伺服信號的信息的圖案。
作為軟磁性層的磁性材料，可以采用Co、Co合金(CoNi、CoNiZr、CoNbTaZr等)、Fe、Fe合金(FeCo、FeCoNi、FeNiMo、FeAlSi、FeAl、FeTaN)、Ni、Ni合金(NiFe)等。特別優(yōu)選采用FeCo、FeCoNi。該軟磁性層可以采用將磁性材料進(jìn)行真空蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法等真空成膜方法、電鍍法等進(jìn)行成膜。軟磁性層的厚度優(yōu)選50nm～500nm的范圍，更優(yōu)選100nm～400的范圍。
以下進(jìn)一步詳細(xì)說明源載體的制作。在此，具有凹凸圖案的基板的形成采用濺射法制作源載體進(jìn)行說明。
首先，在表面平滑的玻璃板(或者石英板)上采用旋轉(zhuǎn)噴涂法形成光刻膠，在轉(zhuǎn)動該玻璃板的同時，用與伺服信號對應(yīng)調(diào)制后的激光(或者電子束)照射，在整個光刻膠面上形成指定的圖案，例如在各磁道上從轉(zhuǎn)動中心向半徑方向延伸的相當(dāng)于伺服信號的圖案曝光在圓周上的各幀所對應(yīng)的部分上，然后對光刻膠進(jìn)行顯影處理，出去曝光部分，獲得有光刻膠形成的凹凸形狀的原盤。然后，在原盤表面的凹凸圖案的基礎(chǔ)上，對該表面實(shí)施電鍍(電鑄)，制作成具有正凹凸圖案的Ni基板，并從原盤上剝離。該基板本身可以作為源載體，或者在該凹凸圖案上根據(jù)需要覆蓋非磁性層、軟磁性層、保護(hù)膜之后作成源載體。
還有，也可以在上述原盤上進(jìn)行電鍍制作成第2原盤，使用該第2原盤進(jìn)行電鍍，制作成具有負(fù)片凹凸圖案的基板。進(jìn)一步，也可以在第2原盤上進(jìn)行電鍍或者涂敷樹脂液進(jìn)行硬化制作成第3原盤，在第3原盤上進(jìn)行電鍍，制作成具有正片凹凸圖案的基板。
此外，也可以在上述玻璃板上由光刻膠形成圖案后，進(jìn)行蝕刻在玻璃板上形成孔，獲得除去光刻膠后的原盤。以下可以和上述同樣形成基板。
作為金屬基板的材料，可以使用Ni或者Ni合金，制作該基板的上述電鍍可以采用無電解電鍍、電鑄、濺射、離子電鍍等各種金屬成膜法。
當(dāng)基板由Ni等形成強(qiáng)磁性體時，雖然只用該基板就可以進(jìn)行磁復(fù)制，但如果設(shè)置復(fù)制特性良好的磁性層，可以進(jìn)行更良好的磁復(fù)制。還有，基板為非磁性體時必須設(shè)置磁性層。
該磁性層(軟磁性層)可以采用將磁性材料進(jìn)行真空蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法等真空成膜方法、電鍍法等進(jìn)行成膜。
此外，如前所述，優(yōu)選在磁性層上進(jìn)一步設(shè)置DLC等保護(hù)膜，也可以設(shè)置潤滑劑層。又進(jìn)一步優(yōu)選具有作為保護(hù)膜的5～30nm的DLC膜和潤滑劑層。還有，在磁性層和保護(hù)層之間也可以設(shè)置Si等密接增強(qiáng)層。
也可以采用上述原盤制作樹脂基板，在其表面上設(shè)置磁性層作為源載體。作為樹脂基板的樹脂材料，可以采用聚碳酸脂、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯樹脂、聚氯乙烯·氯乙烯共聚物等氯乙烯樹脂、環(huán)氧樹脂、非晶聚烯烴以及聚酯等。從耐濕性、尺寸穩(wěn)定性以及價格方面考慮優(yōu)選聚碳酸脂。當(dāng)成形品有毛刺時，采用拋光或者磨光等除去。樹脂基板的圖案凸起高度優(yōu)選50～1000nm的范圍，進(jìn)一步優(yōu)選200～500nm的范圍。
上述樹脂基板的表面的微細(xì)圖案上覆蓋磁性層或者源載體。此外，該磁性層可以采用將磁性材料進(jìn)行真空蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法等真空成膜方法、電鍍法等進(jìn)行成膜。
以下詳細(xì)說明作為本發(fā)明的源載體在凹凸圖案的凸部表面上形成粗糙面的實(shí)施例。圖7～11為表示本發(fā)明實(shí)施例3-7的源載體的一部分剖視圖。圖7～10所示本發(fā)明實(shí)施例3-6的源載體的基板，為在基板表面上形成凹凸圖案，該基板例如采用上述濺射法等獲得。
圖7所示本發(fā)明實(shí)施例3的源載體13，在具有凹凸圖案的基板13a的凸部表面上具有通過實(shí)施研磨的紋理處理或者激光的紋理處理形成的微細(xì)凹凸15，在其上形成軟磁性層13b。即，根據(jù)在基板13a的凸部表面上所形成的微細(xì)凹凸15，在設(shè)置在其上層上的軟磁性層13b的表面上形成凹凸面(粗糙面)17。
圖8所示本發(fā)明實(shí)施例4的源載體23，在具有凹凸圖案的基板23a表面上涂敷SiO2等粒狀物質(zhì)25，覆蓋該粒狀物質(zhì)25，形成軟磁性層23b。即，根據(jù)在基板23a上涂敷的粒狀物質(zhì)25在軟磁性層23b的表面上形成凹凸面(粗糙面)27。
圖9所示本發(fā)明實(shí)施例5的源載體33，在具有凹凸圖案的基板33a表面上采用濺射等方法形成軟磁性層33b，通過改變用濺射成膜軟磁性層33b時的條件，控制軟磁性層33b的表面粗糙度，根據(jù)該表面粗糙度在凹凸圖案面上形成粗糙面37。
圖10所示本發(fā)明實(shí)施例6的源載體43，在具有凹凸圖案的基板43a表面上形成多孔膜44，在多孔膜44上形成軟磁性層43b。即，在設(shè)置在該多孔膜44上的軟磁性層43b的表面上，根據(jù)該多孔膜44的表面形狀45形成粗糙面47。該多孔膜44的體積比希望在30％～90％的范圍，表面粗糙度Rp希望在0.001～0.1的范圍。
此外，該多孔膜也可以在基板上由與基板不同的材料所形成，例如，讓由鎳、硅、石英板、玻璃、鋁、合金、陶瓷、合成樹脂等形成的基板的凹凸圖案表面多孔膜化所形成。作為該多孔膜化的方法，有燒結(jié)或者鑄造等，為了形成更微細(xì)的凹凸，在鑄造模具上進(jìn)行電、化學(xué)析出的方法，或者在表面上涂敷聚合物溶液等，然后進(jìn)行蝕刻的方法。
圖11所示本發(fā)明實(shí)施例7的源載體53，為在平板基板53a上由軟磁性層53b形成凹凸圖案。這樣，源載體的凹凸圖案可以由軟磁性層53b構(gòu)成。該源載體53通過以和上述實(shí)施例3的情況相同的適當(dāng)成膜條件在平板基板53a上軟磁性層53b，在軟磁性層53b表面上形成粗糙面57，然后，例如用光加工法形成凹凸圖案。此外，為了形成粗糙面，和上述實(shí)施例3、4或者6的源載體的情況相同，也可以在基板表面上施行紋理處理，在基板和軟磁性層之間涂敷粒狀物質(zhì)，或者在基板和軟磁性層之間設(shè)置多孔膜。
在上述各實(shí)施例中，在凹凸圖案的表面上形成粗糙面或者凹凸面時，該粗糙面的凹部的深度希望在3nm～50nm的范圍，更優(yōu)選在5nm～20nm的范圍。
還有，在上述各實(shí)施例的源載體中，也可以在軟磁性層表面設(shè)置保護(hù)膜。在軟磁性層表面設(shè)置保護(hù)膜時，根據(jù)上述軟磁性層表面的粗糙面，在成為最上層的保護(hù)膜表面上形成粗糙面，其結(jié)果，可以獲得在凹凸圖案的至少凸部表面上具有粗糙面的源載體。
如果采用上述本發(fā)明實(shí)施例的源載體進(jìn)行上述的磁復(fù)制，由于在該凹凸圖案的凸部表面具有的粗糙面，與目標(biāo)介質(zhì)定位時，真實(shí)接觸面積比現(xiàn)有的要小，減少兩者之間的摩擦系數(shù)，延緩凹凸圖案的磨損，密接時容易抽出空氣，獲得良好的密接性，進(jìn)一步，容易剝離磁復(fù)制后的兩者。因此，可以延長源載體的壽命，還有，可以進(jìn)行良好的磁復(fù)制。
以下參照圖12說明本發(fā)明的源載體的使用方法。圖12(a)為表示剛制造出的源載體，圖12(b)為表示經(jīng)過反復(fù)使用表面損傷后的源載體，圖12(c)為表示將該圖(b)的表面進(jìn)行研磨成為可再次使用狀態(tài)的源載體的一部分剖視圖。
源載體3如圖12(a)所示其凹凸圖案的深度d在50nm～1000nm的范圍。采用該源載體3，進(jìn)行圖1所示所說明的磁復(fù)制。在對多張目標(biāo)介質(zhì)反復(fù)進(jìn)行磁復(fù)制的過程中，如圖12(b)所示，源載體3的凹凸表面的凸部表面上，由于與目標(biāo)介質(zhì)進(jìn)行定位時的摩擦、或者在表面粘附的塵埃等，產(chǎn)生損傷5。這樣采用表面有損傷、或者成為圓角的凸部的源載體進(jìn)行磁復(fù)制，其復(fù)制精度非常差。以前，必須將這種狀態(tài)的源載體更換新的源載體。
但是，在本發(fā)明的源載體的使用方法中，通過將受傷的凸部表面研磨，使得源載體3可以再次使用。圖12(b)凸部表面被研磨到除去該損傷部位5的程度(圖中虛線所示位置附近)。
通過研磨凸部表面，形成圖12所示的沒有損傷的良好的凸部表面的源載體，可以再次使用。通過研磨，雖然凹凸圖案的深度減少，直到該深度在5nm～10nm之前就可以反復(fù)使用。但是，凹凸圖案的深度的最低限度與凹凸圖案的磁道寬度方向的寬度有關(guān)，不能一概確定。
這樣，通過研磨凹凸圖案的凸部表面而再次使用，可以延長源載體的壽命，可以向更多目標(biāo)介質(zhì)進(jìn)行磁復(fù)制。此外，凹凸圖案的凸部表面的研磨，也可以按照經(jīng)驗(yàn)獲得的、或者根據(jù)源載體的使用次數(shù)或者使用期間等確定的損傷度定期進(jìn)行，或者定期檢查凸部表面的狀態(tài)，根據(jù)其結(jié)果按照需要進(jìn)行。
此外，對于基板上層具有磁性層、保護(hù)層的源載體，研磨后由于將這些上層磨掉，需要再次覆膜。但是，與從基板開始制造源載體的情況相比，可以減少成本和工序。
此外，上述源載體的使用方法，用于制造后在使用過程中產(chǎn)生損傷后進(jìn)行再生或者再使用的情況，而即使在源載體制出后未使用狀態(tài)下，由于在制造過程中或者保存狀態(tài)下也可以出現(xiàn)讓凹凸圖案的凸部表面受到損傷，因此可能有降低復(fù)制精度的情況。依據(jù)本發(fā)明的另一源載體的使用方法，在制造后在使用之前對表面進(jìn)行研磨讓表面保持良好的狀態(tài)下使用，即，如上述那樣在制造后還未使用的狀態(tài)下如果表面有損傷，通過研磨除去損傷后使用，可以進(jìn)行良好的磁復(fù)制，還有，進(jìn)一步通過反復(fù)研磨使用，可以向更多目標(biāo)介質(zhì)進(jìn)行磁復(fù)制。
權(quán)利要求
1.一種磁復(fù)制用源載體，具有向目標(biāo)介質(zhì)復(fù)制信息的凹凸圖案，其特征是所述凹凸圖案構(gòu)成為不形成被凸部包圍整個周圍的凹部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁復(fù)制用源載體，其特征是所述凹凸圖案的凸部的磁道間距方向的寬度比該磁道間距要小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁復(fù)制用源載體，其特征是在所述凹凸圖案中，在1個磁道內(nèi)形成的凸部的磁道間距方向的寬度比該磁道間距要小，并且，橫跨2個相鄰磁道所形成的凸部的磁道間距方向的寬度與該磁道間距大致相同。
4.一種磁復(fù)制用源載體，具有向目標(biāo)介質(zhì)復(fù)制信息的凹凸圖案，其特征是在所述凹凸圖案的凸部表面上形成有粗糙面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁復(fù)制用源載體，其特征是包括基板和該基板上的、所述凹凸圖案的至少成為凸部的部位上所設(shè)置的軟磁性層，所述粗糙面，根據(jù)通過在所述基板的至少設(shè)置了所述軟磁性層的部位上所施行的表面處理所形成的粗糙面，所形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁復(fù)制用源載體，其特征是包括基板、該基板上的、所述凹凸圖案的至少成為凸部的部位上涂敷的粒狀物質(zhì)、在該粒狀物質(zhì)上所形成的軟磁性層，所述粗糙面，根據(jù)所述粒狀物質(zhì)所涂敷的所述凸部的表面形狀，所形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁復(fù)制用源載體，其特征是包括基板和該基板上的、所述凹凸圖案的至少成為凸部的部位上所設(shè)置的軟磁性層，所述粗糙面，根據(jù)由所述軟磁性層的形成條件所控制的表面粗糙度，所形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁復(fù)制用源載體，其特征是包括基板、該基板上的、所述凹凸圖案的至少成為凸部的部位上所設(shè)置的多孔膜、在該多孔膜上所形成的軟磁性層，所述粗糙面，根據(jù)所述多孔膜的表面形狀，所形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁復(fù)制用源載體，其特征是所述多孔膜的體積比在30％到99％的范圍，表面粗糙度Rp在0.0001到0.1的范圍。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁復(fù)制用源載體，其特征是所述粗糙面是具有3nm到50nm深度的凹部的凹凸面。
11.一種磁復(fù)制用源載體，具有向目標(biāo)介質(zhì)復(fù)制信息的凹凸圖案，其特征是剛制造出來的所述凹凸圖案的槽的深度在50nm到1000nm的范圍，所述凹凸圖案的凸部表面在制造后使用之前至少經(jīng)過1次研磨之后使用。
12.一種磁復(fù)制用源載體，具有向目標(biāo)介質(zhì)復(fù)制信息的凹凸圖案，其特征是剛制造出來的所述凹凸圖案的槽的深度在50nm到1000nm的范圍，所述凹凸圖案的凸部表面在使用后至少經(jīng)過1次研磨之后再次使用。
13.一種磁復(fù)制用源載體的使用方法，是具有向目標(biāo)介質(zhì)復(fù)制信息的凹凸圖案的磁復(fù)制用源載體的使用方法，其特征是所述凹凸圖案的凸部表面在制造后使用之前至少經(jīng)過1次研磨之后使用。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁復(fù)制用源載體的使用方法，其特征是所述凹凸圖案的凸部表面根據(jù)該凸部表面的損傷程度進(jìn)行研磨之后使用。
15.一種磁復(fù)制用源載體的使用方法，是具有向目標(biāo)介質(zhì)復(fù)制信息的凹凸圖案的磁復(fù)制用源載體的使用方法，其特征是所述凹凸圖案的凸部表面在使用后至少經(jīng)過1次研磨之后再次使用。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁復(fù)制用源載體的使用方法，其特征是所述凹凸圖案的凸部表面根據(jù)該凸部表面的損傷程度進(jìn)行研磨之后使用。
全文摘要
一種磁復(fù)制用源載體,在采用磁復(fù)制用源載體進(jìn)行磁復(fù)制中,防止復(fù)制在目標(biāo)介質(zhì)上的磁信息的信號遺漏。在形成在源載體的凹凸圖案中,通過讓凸部11的磁道間距方向(箭頭Y方向)的寬度W1比磁道間距P小,不形成由凸部包圍整個周圍的凹部。
文檔編號G11B5/82GK1371092SQ0210247
公開日2002年9月25日 申請日期2002年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月22日
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