1.一種觸控傳感器，其特征在于，包括：基板、絕緣層、下電極板、壓力轉(zhuǎn)化單元、上電極板和觸摸板；所述絕緣層覆蓋于所述基板上表面；所述下電極板覆蓋于所述絕緣層上表面；所述觸摸板位于所述基板的正上方，所述上電極板覆蓋于所述觸摸板的下表面；所述壓力轉(zhuǎn)化單元為多個，所述壓力轉(zhuǎn)化單元位于所述上電極板與所述下電極板之間；
所述壓力轉(zhuǎn)化單元包括一個下電極、一個上電極和一個電阻，所述下電極、所述上電極以及所述電阻均為立柱形結(jié)構(gòu)；所述下電極與所述下電極板連接，所述上電極與所述上電極板連接，所述下電極的上表面與所述上電極的下表面位于同一水平面上，且所述下電極的上表面與所述上電極的下表面之間的距離大于零；所述電阻與所述上電極板連接，所述電阻位于所述上電極一側(cè)，所述電阻與所述上電極之間的距離大于零；所述電阻位于所述下電極上方，所述電阻的高度小于所述上電極的高度，所述上電極的高度小于所述下電極與所述電阻的高度之和；所述下電極上表面的寬度大于或等于所述電阻下表面的寬度，所述下電極上表面的長度大于或等于所述電阻下表面的長度，當(dāng)所述電阻向下運(yùn)動至與所述下電極接觸時，所述電阻下表面能夠被所述下電極的上表面完全覆蓋；各個所述壓力轉(zhuǎn)化單元中的所述電阻均位于所述上電極的同一側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的觸控傳感器，其特征在于，所述基板與所述觸摸板的長、寬均相同，所述絕緣層與所述基板的長、寬均相同，所述下電極板與所述絕緣層的長、寬均相同，所述上電極板與所述觸摸板的長、寬均相同。
3.一種觸控傳感器制備方法，其特征在于，所述方法包括：
在清洗干凈的基板上利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積絕緣層；
利用磁控濺射技術(shù)在所述絕緣層上表面濺射電極材料，在所述絕緣層上表面生長出下電極板；
利用磁控濺射技術(shù)在觸摸板下表面濺射電極材料，在所述觸摸板下表面生長出上電極板；
在所述下電極板表面旋涂光刻膠，然后經(jīng)過光刻、顯影、烘烤形成立柱形的下電極光刻膠圖層，對所述下電極光刻膠圖層進(jìn)行濕法刻蝕，刻蝕出下電極；
在所述上電極板表面濺射壓敏電阻材料，采用光刻工藝刻蝕出電阻；
在所述上電極板表面旋涂光刻膠，然后經(jīng)過光刻、顯影、烘烤形成立柱形的上電極光刻膠圖層，對所述上電極光刻膠圖層進(jìn)行濕法刻蝕，刻蝕出上電極；
所述下電極、所述電阻和所述上電極組成多個壓力轉(zhuǎn)化單元；每個所述壓力轉(zhuǎn)化單元包括一個下電極、一個上電極和一個電阻，所述下電極、所述上電極以及所述電阻均為立柱形結(jié)構(gòu)，每個所述壓力轉(zhuǎn)化單元中的所述下電極與所述下電極板連接，所述上電極與所述上電極板連接，所述電阻與所述上電極板連接，所述電阻位于所述上電極一側(cè)，所述電阻與所述上電極之間的距離大于零，所述電阻的高度小于所述上電極的高度，所述上電極的高度小于所述下電極與所述電阻的高度之和，所述下電極上表面的寬度大于或等于所述電阻下表面的寬度，所述下電極上表面的長度大于或等于所述電阻下表面的長度，各個所述壓力轉(zhuǎn)化單元中的所述電阻均位于所述上電極的同一側(cè)；
根據(jù)所述下電極板上的下電極標(biāo)記位和所述上電極板上對應(yīng)的電阻標(biāo)記位，對位組裝成觸控傳感器，使所述觸摸板位于所述基板的正上方，所述壓力轉(zhuǎn)化單元位于所述上電極板與所述下電極板之間，所述電阻位于所述下電極上方，使所述電阻運(yùn)動至與所述下電極接觸時，所述電阻下表面能夠被所述下電極的上表面完全覆蓋，同時使所述下電極的上表面與所述上電極的下表面位于同一水平面上，且所述下電極的上表面與所述上電極的下表面之間的距離大于零。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述在清洗干凈的基板上利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積絕緣層具體包括：
在清洗干凈的基板表面利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝沉積一層厚度均勻的絕緣薄膜作為絕緣層，所述絕緣層與所述基板的長、寬均相同；所述絕緣薄膜的材料為氮化硅、氧化硅、氧化鋁、氮化鋁中的一種或多種，所述絕緣薄膜的厚度由傳統(tǒng)干刻工藝所允許的最小膜厚確定。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，利用磁控濺射技術(shù)在所述絕緣層上表面濺射電極材料，在所述絕緣層上表面生長出下電極板具體包括：
利用磁控濺射技術(shù)在所述絕緣層上表面濺射一層厚度均勻的電極材料，所述電極材料選用Mo、Al、Ag、ITO中的一種或多種；
在所述絕緣層上表面生長下電極板，所述下電極板與所述絕緣層的長、寬均相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用磁控濺射技術(shù)在觸摸板下表面濺射電極材料，在所述觸摸板下表面生長出上電極板具體包括：
制作一塊與所述基板長、寬均相同的所述觸摸板；
利用磁控濺射技術(shù)在所述觸摸板下表面濺射一層厚度均勻的電極材料，所述電極材料選用Mo、Al、Ag、ITO中的一種或多種；
在所述觸摸板下表面生長上電極板，所述上電極板與所述觸摸板的長、寬均相同。