本發(fā)明涉及觸摸屏及傳感器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種觸控傳感器及制備方法。

背景技術(shù)：

觸摸屏作為一種最新的電腦輸入設(shè)備，它是目前最簡單、方便、自然的一種人機(jī)交互方式，它賦予了多媒體以嶄新的面貌，是極富吸引力的全新多媒體交互設(shè)備，主要應(yīng)用于公共信息的查詢、領(lǐng)導(dǎo)辦公、工業(yè)控制、軍事指揮、電子游戲、點(diǎn)歌點(diǎn)菜、多媒體教學(xué)、房地產(chǎn)預(yù)售等。而觸控傳感器是觸摸屏實現(xiàn)自動檢測和自動控制的首要環(huán)節(jié)。自平板觸摸顯示技術(shù)問世以來，如何優(yōu)化傳感器的性能、提高傳感器與觸摸屏的兼容性一直都是研究人員十分重視的研究方向。

傳統(tǒng)的觸控傳感器大多采用三明治結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)由上電極、壓敏材料薄膜和下電極組成。該傳感器在受到外力按壓時，上電極、壓敏材料薄膜和下電極均發(fā)生形變，利用壓敏材料薄膜產(chǎn)生的電流進(jìn)行外力測量。傳統(tǒng)的觸控傳感器在性能上過分依賴于壓敏材料的性能，若要提高傳感器的靈敏度，只能通過增加壓敏材料薄膜的面積或者減小膜厚實現(xiàn)。但是增加膜面積將會增大傳感器尺寸，不利于傳感器的微型化；減小膜厚會增大工藝難度，更重要的是這會導(dǎo)致應(yīng)力不隨變形量線性增加。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種觸控傳感器及制備方法，通過改進(jìn)觸控傳感器的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)觸摸力大小以及位置的精確測量，從而在不增大傳感器面積和工藝難度的條件下提高靈敏度。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下方案：

一種觸控傳感器裝置，所述裝置包括：基板、絕緣層、下電極板、壓力轉(zhuǎn)化單元、上電極板和觸摸板；所述絕緣層覆蓋于所述基板上表面；所述下電極板覆蓋于所述絕緣層上表面；所述觸摸板位于所述基板的正上方，所述上電極板覆蓋于所述觸摸板的下表面；所述壓力轉(zhuǎn)化單元為多個，所述壓力轉(zhuǎn)化單元位于所述上電極板與所述下電極板之間；

所述壓力轉(zhuǎn)化單元包括一個下電極、一個上電極和一個電阻，所述下電極、所述上電極以及所述電阻均為立柱形結(jié)構(gòu)；所述下電極與所述下電極板連接，所述上電極與所述上電極板連接，所述下電極的上表面與所述上電極的下表面位于同一水平面上，且所述下電極的上表面與所述上電極的下表面之間的距離大于零；所述電阻與所述上電極板連接，所述電阻位于所述上電極一側(cè)，所述電阻與所述上電極之間的距離大于零；所述電阻位于所述下電極上方，所述電阻的高度小于所述上電極的高度，所述上電極的高度小于所述下電極與所述電阻的高度之和；所述下電極上表面的寬度大于或等于所述電阻下表面的寬度，所述下電極上表面的長度大于或等于所述電阻下表面的長度，當(dāng)所述電阻向下運(yùn)動至與所述下電極接觸時，所述電阻下表面能夠被所述下電極的上表面完全覆蓋；各個所述壓力轉(zhuǎn)化單元中的所述電阻均位于所述上電極的同一側(cè)。

可選的，所述基板與所述觸摸板的長寬均相同，所述絕緣層與所述基板的長、寬均相同，所述下電極板與所述絕緣層的長、寬均相同，所述上電極板與所述觸摸板的長、寬均相同。

本發(fā)明還公開了一種觸控傳感器制備方法，所述方法包括：

在清洗干凈的基板上利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積絕緣層；

利用磁控濺射技術(shù)在所述絕緣層上表面濺射電極材料，在所述絕緣層上表面生長出下電極板；

利用磁控濺射技術(shù)在觸摸板下表面濺射電極材料，在所述觸摸板下表面生長出上電極板；

在所述下電極板表面旋涂光刻膠，然后經(jīng)過光刻、顯影、烘烤形成立柱形的下電極光刻膠圖層，對所述下電極光刻膠圖層進(jìn)行濕法刻蝕，刻蝕出下電極；

在所述上電極板表面濺射壓敏電阻材料，采用光刻工藝刻蝕出電阻；

在所述上電極板表面旋涂光刻膠，然后經(jīng)過光刻、顯影、烘烤形成立柱形的上電極光刻膠圖層，對所述上電極光刻膠圖層進(jìn)行濕法刻蝕，刻蝕出上電極；

所述下電極、所述電阻和所述上電極組成多個壓力轉(zhuǎn)化單元；每個所述壓力轉(zhuǎn)化單元包括一個下電極、一個上電極和一個電阻，所述下電極、所述上電極以及所述電阻均為立柱形結(jié)構(gòu)，每個所述壓力轉(zhuǎn)化單元中的所述下電極與所述下電極板連接，所述上電極與所述上電極板連接，所述電阻與所述上電極板連接，所述電阻位于所述上電極一側(cè)，所述電阻與所述上電極之間的距離大于零，所述電阻的高度小于所述上電極的高度，所述上電極的高度小于所述下電極與所述電阻的高度之和，所述下電極上表面的寬度大于或等于所述電阻下表面的寬度，所述下電極上表面的長度大于或等于所述電阻下表面的長度，各個所述壓力轉(zhuǎn)化單元中的所述電阻均位于所述上電極的同一側(cè)；

根據(jù)所述下電極板上的下電極標(biāo)記位和所述上電極板上對應(yīng)的電阻標(biāo)記位，對位組裝成觸控傳感器，使所述觸摸板位于所述基板的正上方，所述壓力轉(zhuǎn)化單元位于所述上電極板與所述下電極板之間，所述電阻位于所述下電極上方，使所述電阻運(yùn)動至與所述下電極接觸時，所述電阻下表面能夠被所述下電極的上表面完全覆蓋，同時使所述下電極的上表面與所述上電極的下表面位于同一水平面上，且所述下電極的上表面與所述上電極的下表面之間的距離大于零。

可選的，所述在清洗干凈的基板上利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積絕緣層包括：

在清洗干凈的基板表面利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝沉積一層厚度均勻的絕緣薄膜作為絕緣層，所述絕緣層與所述基板的長、寬均相同；所述絕緣薄膜的材料為氮化硅、氧化硅、氧化鋁、氮化鋁中的一種或多種，所述絕緣薄膜的厚度由傳統(tǒng)干刻工藝所允許的最小膜厚確定。

可選的，所述利用磁控濺射技術(shù)在所述絕緣層上表面濺射電極材料，在所述絕緣層上表面生長出下電極板包括：

利用磁控濺射技術(shù)在所述絕緣層上表面濺射一層厚度均勻的電極材料，所述電極材料選用Mo、Al、Ag、ITO中的一種或多種；在所述絕緣層上表面生長下電極板，所述下電極板與所述絕緣層的長、寬均相同。

可選的，所述利用磁控濺射技術(shù)在觸摸板下表面濺射電極材料，在所述觸摸板下表面生長出上電極板包括：

制作一塊與所述基板長、寬均相同的所述觸摸板；利用磁控濺射技術(shù)在所述觸摸板下表面濺射一層厚度均勻的電極材料，所述電極材料選用Mo、Al、Ag、ITO中的一種或多種；在所述觸摸板下表面生長上電極板，所述上電極板與所述觸摸板的長、寬均相同。

根據(jù)本發(fā)明提供的具體實施例，本發(fā)明公開了以下技術(shù)效果：

本發(fā)明提出了一種新型結(jié)構(gòu)的觸控傳感器及其制備方法，通過改進(jìn)觸控傳感器的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)觸摸力大小以及位置的精確測量，能夠在不增大傳感器面積和工藝難度的條件下提高靈敏度，解除了觸控傳感器過分依賴材料帶來的限制。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為傳統(tǒng)觸控傳感器采用的三明治結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為傳統(tǒng)觸控傳感器三明治結(jié)構(gòu)工作原理圖；

圖3為本發(fā)明觸控傳感器實施例的截面示意圖；

圖4為本發(fā)明觸控傳感器實施例受較小外力作用時的工作原理示意圖；

圖5為本發(fā)明觸控傳感器實施例受較大外力作用時的工作原理示意圖；

圖6為本發(fā)明觸控傳感器制備方法實施例的工藝流程圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明的目的是提供一種觸控傳感器裝置及其制備方法。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

圖1為傳統(tǒng)觸控傳感器采用的三明治結(jié)構(gòu)示意圖。

傳統(tǒng)的平板觸控傳感器大多采用三明治結(jié)構(gòu)，如圖1所示，所述三明治結(jié)構(gòu)由上電極101、壓敏材料薄膜102和下電極103組成。

圖2為傳統(tǒng)觸控傳感器三明治結(jié)構(gòu)工作原理圖。

如圖2所示，傳統(tǒng)觸控傳感器采用的三明治結(jié)構(gòu)在受到外力按壓時，上電極101、壓敏材料薄膜102和下電極103均發(fā)生形變，利用壓敏材料薄膜102產(chǎn)生的電流進(jìn)行外力測量。該傳統(tǒng)的觸控傳感器在性能上過分依賴于壓敏材料的性能，若要提高傳感器的靈敏度，只能通過增加壓敏材料薄膜102的面積或者減小膜厚實現(xiàn)。但是增加膜面積將會增大傳感器尺寸，不利于傳感器的微型化；減小膜厚會增大工藝難度，更重要的是這會導(dǎo)致應(yīng)力不隨形變量線性增加，從而無法實現(xiàn)外力的精確測量。因此，為了在不增大傳感器面積和工藝難度的條件下提高靈敏度，本發(fā)明提出了一種新型結(jié)構(gòu)的觸控傳感器裝置及其制備方法。

圖3為本發(fā)明觸控傳感器實施例的截面示意圖。

如圖3所示的一種觸控傳感器裝置，所述裝置包括：基板201、絕緣層202、下電極板203、壓力轉(zhuǎn)化單元204、上電極板205和觸摸板206。所述絕緣層202覆蓋于所述基板201上表面。所述下電極板203覆蓋于所述絕緣層202上表面。所述觸摸板206位于所述基板201的正上方，所述上電極板205覆蓋于所述觸摸板206的下表面。所述壓力轉(zhuǎn)化單元204為多個，所述壓力轉(zhuǎn)化單元204位于所述上電極板205與所述下電極板203之間。

如圖3所示的一種觸控傳感器裝置實施例中，所述觸控傳感器包括三個壓力轉(zhuǎn)化單元204，在圖中由虛線框部分表示。每個所述壓力轉(zhuǎn)化單元204包括一個下電極207、一個上電極208和一個電阻209，所述下電極207、所述上電極208以及所述電阻209均為立柱形結(jié)構(gòu)。所述下電極207與所述下電極板203連接，所述上電極208與所述上電極板205連接，所述下電極207的上表面與所述上電極208的下表面位于同一水平面上，且所述下電極207的上表面與所述上電極208的下表面之間的距離大于零。所述電阻209與所述上電極板205連接，所述電阻209位于所述上電極208的一側(cè)，所述電阻209與所述上電極208之間的距離大于零。所述電阻209位于所述下電極207的上方，所述電阻209的高度小于所述上電極208的高度，所述上電極208的高度小于所述下電極207與所述電阻209的高度之和。所述下電極207上表面的寬度大于或等于所述電阻209下表面的寬度，所述下電極207上表面的長度大于或等于所述電阻209下表面的長度，保證當(dāng)所述電阻209向下運(yùn)動至與所述下電極207接觸時，所述電阻209下表面能夠被所述下電極207的上表面完全覆蓋。每個所述壓力轉(zhuǎn)化單元204中的所述電阻209均位于所述上電極208的同一側(cè)。如圖3所示的觸控傳感器中，各個所述壓力轉(zhuǎn)化單元204中的所述電阻209均位于所述上電極208左側(cè)。

圖4為本發(fā)明觸控傳感器實施例受較小外力作用時的工作原理示意圖。

參見圖4，在外加垂直于所述觸摸板206的較小外力F1作用下，所述觸控傳感器的所述上電極板205向所述下電極板203靠近，所述上電極208與鄰近的兩個所述下電極207之間形成多個雙電容C，并且所述上電極208與所述下電極207的正對面積S和外力F1成正比，外力F1越大，正對面積S也越大，電容C也越大，從而可以根據(jù)不同外力F1與電容容量C單調(diào)對應(yīng)的關(guān)系實現(xiàn)對外力F1大小的測量。

圖5為本發(fā)明觸控傳感器實施例受較大外力作用時的工作原理示意圖。

參見圖5，當(dāng)施加在所述觸摸板206上的外力F2較大時，所述上電極208與所述下電極207之間的正對面積達(dá)到最大值后，雖然所述上電極208與所述下電極207之間形成的電容大小不再變化，但是此時所述上電阻209與所述下電極207接觸，所述上電阻209的總電阻R隨外力F2的增大而變小，從而根據(jù)不同外力F2與總電阻R單調(diào)對應(yīng)的關(guān)系實現(xiàn)對外力F2大小的測量。

總的來說，當(dāng)外力F較小時，本發(fā)明所述觸控傳感器表現(xiàn)為電容式壓力傳感器測量外力F大?。划?dāng)外力F較大時，本發(fā)明所述觸控傳感器表現(xiàn)為電阻式壓力傳感器測量外力F大小。

采用本發(fā)明所述觸控傳感器實施例實現(xiàn)觸摸力位置和大小測量的方法如下：

在圖3中沒有外力F施加在所述觸摸板206上時，所述上電極208與所述下電極207之間存在間隙，沒有形成電容C。

如圖4，當(dāng)在所述觸摸板206上施加的較小外力時，在外力F1作用下，觸控傳感器的上板向下板靠近，所述上電極208與所述下電極207之間存在正對面積，形成電容C1，只要測得所述上電極208的電容C1就能得到外力F2大小。

如圖5，若較大外力F2施加在所述觸摸板206上，則所述上電極208與所述下電極207之間的正對面積不再改變，因此無法根據(jù)電容的變化測量外力F的大小，但是此時所述上電阻209與所述下電極207接觸，由于施加不同大小的外力F2時，所述上電阻209的電阻值也不同，所以只要測得所述上電阻209的電阻值R就能得到外力F2大小。

進(jìn)一步的，如果想要實現(xiàn)對外力F施加位置的測量，可將多個本發(fā)明所述的觸控傳感器制作成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，即通過陣列將每個所述觸控傳感器以網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的形式制作成觸控面板，在外力F作用時，每個觸控傳感器受力大小不均勻，可以得到各個觸控傳感器受力大小的梯度，從而根據(jù)最大的梯度確定外力F的施加位置，并根據(jù)觸控傳感器單元陣列，以坐標(biāo)的形式表示出所施加外力的位置。

可見，本發(fā)明提出的一種新型結(jié)構(gòu)的觸控傳感器，通過改進(jìn)觸控傳感器的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)觸摸力大小以及位置的精確測量，能夠在不增大傳感器面積和工藝難度的條件下提高靈敏度，解除了觸控傳感器過分依賴材料帶來的限制。

圖6為本發(fā)明觸控傳感器制備方法實施例的工藝流程圖。

參見圖6，一種觸控傳感器制備方法，所述方法包括：

步驟301：在清洗干凈的基板上利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積絕緣層。

在清洗干凈的基板表面利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝沉積一層厚度均勻的絕緣薄膜作為絕緣層，所述絕緣層與所述基板的長、寬均相同；所述絕緣薄膜的材料為氮化硅、氧化硅、氧化鋁、氮化鋁中的一種或多種，所述絕緣薄膜的厚度由傳統(tǒng)干刻工藝所允許的最小膜厚確定。

步驟302：利用磁控濺射技術(shù)在所述絕緣層上表面濺射電極材料，在所述絕緣層上表面生長出下電極板。

利用磁控濺射技術(shù)在所述絕緣層上表面濺射一層厚度均勻的電極材料，所述電極材料選用Mo、Al、Ag、ITO中的一種或多種；

在所述絕緣層上表面生長下電極板，所述下電極板與所述絕緣層的長、寬均相同。

步驟303：利用磁控濺射技術(shù)在觸摸板下表面濺射電極材料，在所述觸摸板下表面生長出上電極板。

制作一塊與所述基板長、寬均相同的所述觸摸板；

利用磁控濺射技術(shù)在所述觸摸板下表面濺射一層厚度均勻的電極材料，所述電極材料選用Mo、Al、Ag、ITO中的一種或多種；

在所述觸摸板下表面生長上電極板，所述上電極板與所述觸摸板的長、寬均相同。

步驟304：在所述下電極板表面旋涂光刻膠，然后經(jīng)過光刻、顯影、烘烤形成立柱形的下電極光刻膠圖層，對所述下電極光刻膠圖層進(jìn)行濕法刻蝕，刻蝕出下電極。

步驟305：在所述上電極板表面濺射壓敏電阻材料，采用光刻工藝刻蝕出電阻。

步驟306：在所述上電極板表面旋涂光刻膠，然后經(jīng)過光刻、顯影、烘烤形成立柱形的上電極光刻膠圖層，對所述上電極光刻膠圖層進(jìn)行濕法刻蝕，刻蝕出上電極。

其中，所述下電極、所述電阻和所述上電極組成多個壓力轉(zhuǎn)化單元。每個所述壓力轉(zhuǎn)化單元包括一個下電極、一個上電極和一個電阻，所述下電極、所述上電極以及所述電阻均為立柱形結(jié)構(gòu)。每個所述壓力轉(zhuǎn)化單元中的所述下電極與所述下電極板連接，所述上電極與所述上電極板連接，所述電阻與所述上電極板連接，所述電阻位于所述上電極一側(cè)，所述電阻與所述上電極之間的距離大于零，所述電阻的高度小于所述上電極的高度，所述上電極的高度小于所述下電極與所述電阻的高度之和，所述下電極上表面的寬度大于或等于所述電阻下表面的寬度，所述下電極上表面的長度大于或等于所述電阻下表面的長度，各個所述壓力轉(zhuǎn)化單元中的所述電阻均位于所述上電極的同一側(cè)。

步驟307：根據(jù)所述下電極板上的下電極標(biāo)記位和所述上電極板上對應(yīng)的電阻標(biāo)記位，對位組裝成觸控傳感器：

使所述觸摸板位于所述基板的正上方，所述壓力轉(zhuǎn)化單元位于所述上電極板與所述下電極板之間，所述電阻位于所述下電極上方，使所述電阻運(yùn)動至與所述下電極接觸時，所述電阻下表面能夠被所述下電極的上表面完全覆蓋，同時使所述下電極的上表面與所述上電極的下表面位于同一水平面上，且所述下電極的上表面與所述上電極的下表面之間的距離大于零。

根據(jù)本發(fā)明提供的一種觸控傳感器制備方法制備出的一種新型結(jié)構(gòu)的觸控傳感器，能夠?qū)崿F(xiàn)觸摸力大小以及位置的精確測量，能夠在不增大傳感器面積和工藝難度的條件下提高靈敏度，解除觸控傳感器過分依賴材料帶來的限制。

下面結(jié)合本發(fā)明觸控傳感器制備方法實施例的工藝流程圖圖6，來舉例介紹一種觸控傳感器實施例的具體制作工藝：

步驟A：在清洗干凈的基板表面利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝沉積一層厚度均勻的絕緣薄膜作為絕緣層，所述絕緣層與所述基板的長、寬均相同；所述絕緣薄膜的材料為氮化硅(Si₃N₄)、氧化硅(SiO₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氮化鋁(AlN)中的一種或多種，所述絕緣薄膜的厚度由傳統(tǒng)干刻工藝所允許的最小膜厚確定。

步驟B：利用磁控濺射技術(shù)在所述絕緣層上表面濺射一層厚度均勻的電極材料，所述電極材料選用Mo、Al、Ag、ITO中的一種或多種；在所述絕緣層上表面生長下電極板，所述下電極板與所述絕緣層的長、寬均相同。

步驟C：在所述下電極板外圍制作出表示下電極位置的多個下電極標(biāo)記位。

步驟D：在所述下電極板表面旋涂光刻膠，然后經(jīng)過光刻、顯影、烘烤形成立柱形的下電極光刻膠圖層，對所述下電極光刻膠圖層進(jìn)行濕法刻蝕，在每個所述下電極標(biāo)記位對應(yīng)的位置上刻蝕出一個立柱形的所述下電極，所述下電極與所述下電極板連接。

步驟E：制作一塊與所述基板長、寬均相同的所述觸摸板。

步驟F：利用磁控濺射技術(shù)在所述觸摸板下表面濺射一層厚度均勻的電極材料，所述電極材料選用Mo、Al、Ag、ITO中的一種或多種；在所述觸摸板下表面生長上電極板，所述上電極板與所述觸摸板的長、寬均相同。

步驟G：在所述上電極板外圍制作出表示電阻位置的多個電阻標(biāo)記位，當(dāng)所述上電極板與所述下電極板正對時，所述電阻標(biāo)記位與所述下電極標(biāo)記位也一一正對。

步驟H：在所述上電極板表面濺射壓敏電阻材料，采用光刻工藝在每個所述電阻標(biāo)記位對應(yīng)的位置上刻蝕出一個立柱形的電阻，所述電阻下表面的寬度小于或等于所述下電極上表面的寬度，所述電阻下表面的長度小于或等于所述下電極上表面的長度，所述電阻與所述上電極板連接，所述電阻與所述下電極數(shù)量相同。

步驟I：在所述上電極板表面旋涂光刻膠，然后經(jīng)過光刻、顯影、烘烤形成立柱形的上電極光刻膠圖層，對所述上電極光刻膠圖層進(jìn)行濕法刻蝕，在每個所述電阻的同一側(cè)刻蝕出一個立柱形的上電極，所述上電極與所述上電極板連接，所述上電極的高度大于所述電阻的高度，所述上電極的高度小于所述電阻與所述下電極的高度之和，所述電阻與所述上電極之間的距離大于零。

步驟J：根據(jù)所述下電極標(biāo)記位和對應(yīng)的所述電阻標(biāo)記位，對位組裝成觸控傳感器，使所述觸摸板位于所述基板的正上方，所述電阻標(biāo)記位與所述下電極標(biāo)記位一一正對，所述電阻位于所述下電極上方，使所述電阻運(yùn)動至與所述下電極接觸時，所述電阻下表面能夠被所述下電極的上表面完全覆蓋，同時使所述下電極的上表面與所述上電極的下表面位于同一水平面上，且所述下電極的上表面與所述上電極的下表面之間的距離大于零。

本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進(jìn)行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處。綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。