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一種觸摸屏銅制程方法及觸摸屏與流程

文檔序號:12362136閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種觸摸屏銅制程方法,其特征在于,包括以下步驟:

S1:提供基材層,在所述基材層上依次形成ITO膜層及金屬銅膜層,且所述金屬銅膜層包括可視區(qū)及非可視區(qū),所述ITO膜層位于所述可視區(qū)內(nèi);

S2:對所述金屬銅膜層進行光刻,以得到預(yù)設(shè)的ITO膜層圖案;

S3:在所述金屬銅膜層的非可視區(qū)表面形成保護膜層;

S4:對所述可視區(qū)內(nèi)的金屬銅膜層進行蝕刻,以去除所述ITO膜層上的金屬銅膜層;

S5:去除所述金屬銅膜層的非可視區(qū)表面的保護膜層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟S1中,具體包括以下步驟:

在所述基材層上形成襯底;

在所述襯底上通過氣相沉積依次形成所述ITO膜層及金屬銅膜層。

3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟S2中,具體包括以下步驟:

對所述金屬銅膜層進行壓干膜;

對所述金屬銅膜層進行曝光;

將曝光后的所述金屬銅膜層進行切片;

將切片后的金屬銅膜層進行干膜顯影;

將顯影后的所述金屬銅膜層進行蝕刻;

對位于所述金屬銅膜層可視區(qū)的ITO膜層進行蝕刻,以得到所述預(yù)設(shè)的ITO膜層圖案。

4.如權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,在“對位于所述金屬銅膜層可視區(qū)的ITO膜層進行蝕刻,以得到所述預(yù)設(shè)的ITO膜層圖案”的步驟之后,還包括以下步驟:

去除所述金屬銅膜層上的干膜。

5.如權(quán)利要求3或4所述的方法,其特征在于,所述方法采用卷料壓膜機對所述金屬銅膜層進行壓干膜,所述卷料壓膜機的上輪溫度及下輪溫度均為110℃~130℃,所述卷料壓膜機的壓干膜速度為(0.8~1.2)m/min。

6.如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,在對所述金屬銅膜層進行壓干膜時,其壓干膜的壓力為0.45MPa~0.5MPa,且其壓干膜的水流量為(20~30)ml/min。

7.如權(quán)利要求3或4所述的方法,其特征在于,所述方法采用曝光機對所述金屬銅膜層進行曝光,所述曝光機的燈管功率為(4~6)KW,所述曝光機的曝光尺為(6~16)階,所述曝光機的能量為(60~90)mj/cm2。

8.如權(quán)利要求3或4所述的方法,其特征在于,所述方法采用顯影蝕刻線將切片后的金屬銅膜層進行干膜顯影以及將顯影后的所述金屬銅膜層進行蝕刻。

9.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,采用所述顯影蝕刻線進行顯影時的溫度為(28~32)℃,采用所述顯影蝕刻線進行顯影的濃度為(8.5~10.5)g/L,顯影時的噴壓為(1.0~1.4)kg/cm2,顯影的速度為(3.8~4.2)m/min。

10.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,采用所述顯影蝕刻線對所述金屬銅膜層進行蝕刻時的濃度為(0.60~1.10)mol/L,蝕刻時的噴壓為(1.0~1.4)kg/cm2,蝕刻的溫度為(30~40)℃,且蝕刻的速度為(2.0~4.2)m/min。

11.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,采用所述顯影蝕刻線對所述ITO膜層進行蝕刻時的濃度為(5.50~6.50)mol/L,蝕刻時的噴壓為(1.0~1.4)kg/cm2,蝕刻的溫度為(35~45)℃,且蝕刻的速度為(2.0~4.2)m/min。

12.如權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,在步驟“去除所述金屬銅膜層上的干膜”時,去干膜的濃度為(8.0~10)g/L,去干膜的噴壓為(1.0~1.4)kg/cm2,去干膜的溫度為(45~55)℃,且去干膜的速度為(3.8~4.2)m/min。

13.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟S3中,具體包括以下步驟:

在所述金屬銅膜層的非可視區(qū)表面進行印刷耐酸;

對所述金屬銅膜層的非可視區(qū)表面進行干燥,以在所述非可視區(qū)表面形成所述保護膜層。

14.如權(quán)利要求13所述的方法,其特征在于,所述印刷耐酸的厚度為(10~11)um。

15.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法采用顯影蝕刻線對所述金屬銅膜層進行蝕刻,在對所述可視區(qū)內(nèi)的金屬銅膜層進行蝕刻時,其蝕刻的濃度為(0.60~1.10)mol/L,蝕刻時的噴壓為(1.0~1.4)kg/cm2,蝕刻的溫度為(30~40)℃,且蝕刻的速度為(2.0~4.2)m/min。

16.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法采用蝕刻的方式對所述金屬銅膜層非可視區(qū)表面的保護層進行去除,蝕刻時的濃度為(8.0~10)g/L,蝕刻時的噴壓為(1.0~1.4)kg/cm2,蝕刻的溫度為(45~55)℃,且蝕刻的速度為(3.8~4.2)m/min。

17.一種觸摸屏,其特征在于,所述觸摸屏采用權(quán)利要求1至16任意一項所述的觸摸屏銅制程方法制備得到。

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