本發(fā)明涉及觸摸屏制備工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種觸摸屏銅制程方法及觸摸屏。

背景技術(shù)：

目前，智能電子設(shè)備的觸摸屏通常采用Ag(銀)搭接ITO(氧化銦錫)，而采用這種做法，不僅在生產(chǎn)過程中普遍存在搭接精度不高、易斷路等諸多難點(diǎn)，而且當(dāng)將其應(yīng)用于智能電子設(shè)備時，也容易產(chǎn)生操作手感不佳、存在高延遲、顯示畫質(zhì)不夠清新等問題，無法滿足用戶對于觸摸屏的顯示畫質(zhì)要求，大大地降低了用戶使用體驗(yàn)性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明的目的在于，提供一種觸摸屏銅制程方法及觸摸屏，以解決現(xiàn)有的觸摸屏操作手感不佳、顯示畫質(zhì)不清新的問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施方式提供如下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明提供了一種觸摸屏銅制程方法，包括以下步驟：

S1：提供基材層，在所述基材層上依次形成ITO膜層及金屬銅膜層，且所述金屬銅膜層包括可視區(qū)及非可視區(qū)，所述ITO膜層位于所述可視區(qū)內(nèi)；

S2：對所述金屬銅膜層進(jìn)行光刻，以得到預(yù)設(shè)的ITO膜層圖案；

S3：在所述金屬銅膜層的非可視區(qū)表面形成保護(hù)膜層；

S4：對所述可視區(qū)內(nèi)的金屬銅膜層進(jìn)行蝕刻，以去除所述ITO膜層上的金屬銅膜層；

S5：去除所述金屬銅膜層的非可視區(qū)表面的保護(hù)膜層。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，在步驟S1中，具體包括以下步驟：

在所述基材層上形成襯底；

在所述襯底上通過氣相沉積依次形成所述ITO膜層及金屬銅膜層。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，在步驟S2中，具體包括以下步驟：

對所述金屬銅膜層進(jìn)行壓干膜；

對所述金屬銅膜層進(jìn)行曝光；

將曝光后的所述金屬銅膜層進(jìn)行切片；

將切片后的金屬銅膜層進(jìn)行干膜顯影；

將顯影后的所述金屬銅膜層進(jìn)行蝕刻；

對位于所述金屬銅膜層可視區(qū)的ITO膜層進(jìn)行蝕刻，以得到所述預(yù)設(shè)的ITO膜層圖案。

進(jìn)一步地，在“對位于所述金屬銅膜層可視區(qū)的ITO膜層進(jìn)行蝕刻，以得到所述預(yù)設(shè)的ITO膜層圖案”的步驟之后，還包括以下步驟：

去除所述金屬銅膜層上的干膜。

進(jìn)一步地，所述方法采用卷料壓膜機(jī)對所述金屬銅膜層進(jìn)行壓干膜，所述卷料壓膜機(jī)的上輪溫度及下輪溫度均為110℃～130℃，所述卷料壓膜機(jī)的壓干膜速度為(0.8～1.2)m/min。

進(jìn)一步地，在對所述金屬銅膜層進(jìn)行壓干膜時，其壓干膜的壓力為0.45MPa～0.5MPa，且其壓干膜的水流量為(20～30)ml/min。

進(jìn)一步地，所述方法采用曝光機(jī)對所述金屬銅膜層進(jìn)行曝光，所述曝光機(jī)的燈管功率為(4～6)KW，所述曝光機(jī)的曝光尺為(6～16)階，所述曝光機(jī)的能量為(60～90)mj/cm²。

進(jìn)一步地，所述方法采用顯影蝕刻線將切片后的金屬銅膜層進(jìn)行干膜顯影以及將顯影后的所述金屬銅膜層進(jìn)行蝕刻。

進(jìn)一步地，采用所述顯影蝕刻線進(jìn)行顯影時的溫度為(28～32)℃，采用所述顯影蝕刻線進(jìn)行顯影的濃度為(8.5～10.5)g/L，顯影時的噴壓為(1.0～1.4)kg/cm²，顯影的速度為(3.8～4.2)m/min。

進(jìn)一步地，采用所述顯影蝕刻線對所述金屬銅膜層進(jìn)行蝕刻時的濃度為(0.60～1.10)mol/L，蝕刻時的噴壓為(1.0～1.4)kg/cm²，蝕刻的溫度為(30～40)℃，且蝕刻的速度為(2.0～4.2)m/min。

進(jìn)一步地，采用所述顯影蝕刻線對所述ITO膜層進(jìn)行蝕刻時的濃度為(5.50～6.50)mol/L，蝕刻時的噴壓為(1.0～1.4)kg/cm²，蝕刻的溫度為(35～45)℃，且蝕刻的速度為(2.0～4.2)m/min。

進(jìn)一步地，在步驟“去除所述金屬銅膜層上的干膜”時，去干膜的濃度為(8.0～10)g/L，去干膜的噴壓為(1.0～1.4)kg/cm²，去干膜的溫度為(45～55)℃，且去干膜的速度為(3.8～4.2)m/min。

進(jìn)一步地，在步驟S3中，具體包括以下步驟：

在所述金屬銅膜層的非可視區(qū)表面進(jìn)行印刷耐酸；

對所述金屬銅膜層的非可視區(qū)表面進(jìn)行干燥，以在所述非可視區(qū)表面形成所述保護(hù)膜層。

進(jìn)一步地，所述印刷耐酸的厚度為(10～11)um。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述方法采用顯影蝕刻線對所述金屬銅膜層進(jìn)行蝕刻，在對所述可視區(qū)內(nèi)的金屬銅膜層進(jìn)行蝕刻時，其蝕刻的濃度為(0.60～1.10)mol/L，蝕刻時的噴壓為(1.0～1.4)kg/cm²，蝕刻的溫度為(30～40)℃，且蝕刻的速度為(2.0～4.2)m/min。

作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述方法采用蝕刻的方式對所述金屬銅膜層非可視區(qū)表面的保護(hù)層進(jìn)行去除，蝕刻時的濃度為(8.0～10)g/L，蝕刻時的噴壓為(1.0～1.4)kg/cm²，蝕刻的溫度為(45～55)℃，且蝕刻的速度為(3.8～4.2)m/min。

第二方面，本發(fā)明還提供了一種觸摸屏，所述觸摸屏采用如上述的觸摸屏銅制程方法制備得到。

本發(fā)明提供的觸摸屏銅制程方法及觸摸屏，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)：

(1)取代了Ag(銀)與ITO(氧化銦錫)的搭接工藝。本發(fā)明的觸摸屏銅制程方法，通過將金屬銅膜層與ITO采用一次成型的方式，替代了采用Ag與ITO進(jìn)行搭接方式，解決了采用Ag與ITO的搭接精度不高的問題。

(2)低電阻、低延遲現(xiàn)象及顯示畫質(zhì)清新。本發(fā)明提供的觸摸屏銅制程方法，由于金屬銅膜層與ITO采用一次成型，因此，當(dāng)將其應(yīng)用于觸摸屏上時，能夠解決搭接精度不高而導(dǎo)致的電阻較高且延遲現(xiàn)象嚴(yán)重的問題，進(jìn)而使得觸摸屏的觸控手感更佳，顯示畫質(zhì)更清新。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏銅制程方法的流程圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏銅制程方法中的S2的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

為便于描述，這里可以使用諸如“在…之下”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空間相對性術(shù)語來描述如圖中所示的一個元件或特征與另一個(些)元件或特征的關(guān)系?？梢岳斫?，當(dāng)一個元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“耦接到”另一元件或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由?、直接連接到或耦接到另一元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖诰娱g元件或?qū)印?/p>

可以理解，這里所用的術(shù)語僅是為了描述特定實(shí)施例，并非要限制本發(fā)明。在這里使用時，除非上下文另有明確表述，否則單數(shù)形式“一”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式。進(jìn)一步地，當(dāng)在本說明書中使用時，術(shù)語“包括”和/或“包含”表明所述特征、整體、步驟、元件和/或組件的存在，但不排除一個或多個其他特征、整體、步驟、元件、組件和/或其組合的存在或增加。說明書后續(xù)描述為實(shí)施本發(fā)明的較佳實(shí)施方式，然所述描述乃以說明本發(fā)明的一般原則為目的，并非用以限定本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。

請一并參閱圖1至圖2，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸摸屏銅制程方法，包括以下步驟：

S1：提供基材層，在所述基材層上依次形成ITO膜層及金屬銅膜層，且所述金屬銅膜層包括可視區(qū)及非可視區(qū)，所述ITO膜層位于所述可視區(qū)內(nèi)。

本步驟的目的是為了在基材層上形成ITO膜層及金屬銅膜層，以使ITO膜層與金屬銅膜層一次成型，無需進(jìn)行搭接。在本實(shí)施例中，該基材層的厚度可為50um，且該基材層可采用PET(Polythylene terephthalate聚對苯二甲酸乙二醇酯)，以具有良好的抗蠕變性及耐用性。

具體地，上述步驟S1具體包括步驟：

S11：在所述基材層上形成襯底。

在本實(shí)施例中，所述襯底的厚度小于或等于所述基材層的厚度。在所述基材層上形成所述襯底，以便于后續(xù)形成所述ITO膜層及金屬銅膜層。

S12：在所述襯底上通過氣相沉積依次形成所述ITO膜層及金屬銅膜層。

本步驟的目的是為了使得ITO膜層與金屬銅膜層一次成型，以替代采用Ag與ITO進(jìn)行搭接的方式，確保后續(xù)應(yīng)用于觸摸屏上具有低電阻及畫質(zhì)清新的優(yōu)點(diǎn)。優(yōu)選地，所述ITO膜層及金屬銅膜層可通過化學(xué)氣相沉積或者物理氣相沉積形成與所述襯底上。

S2：對所述金屬銅膜層進(jìn)行光刻，以得到預(yù)設(shè)的ITO膜層圖案。

本步驟的目的是為了得到金屬銅圖層及ITO膜層的圖案。該步驟具體包括以下步驟：

S21：對所述金屬銅膜層進(jìn)行壓干膜。

本步驟的目的是對金屬銅膜層進(jìn)行保護(hù)，以防止后續(xù)步驟對金屬銅膜層造成損壞。具體地，在本步驟中，可采用卷料壓膜機(jī)對所述金屬銅膜層進(jìn)行壓干膜，且所述卷料壓膜機(jī)的上輪溫度及下輪溫度均為110℃～130℃，所述卷料壓膜機(jī)的壓干膜速度為(0.8～1.2)m/min，以便于快速在所述金屬銅膜層上形成干膜保護(hù)。優(yōu)選地，所述上輪溫度及下輪溫度可選擇為110℃、115℃、120℃或125℃等。所述卷料壓膜機(jī)的壓干膜速度可選為0.8m/min、0.9m/min、1.0m/min、1.1m/min或1.2m/min等?？梢岳斫獾氖牵谄渌麑?shí)施例中，所述卷料壓膜機(jī)的上輪溫度及下輪溫度還可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置成110℃～150℃，所述卷料壓膜機(jī)的壓干膜速度還可為(0.5～2.0)m/min，或者根據(jù)實(shí)際壓干膜需要調(diào)節(jié)設(shè)置。

進(jìn)一步地，當(dāng)在對所述金屬銅膜層進(jìn)行壓干膜時，為了確保形成的干膜能夠牢牢地位于所述金屬銅膜層的表面，壓干膜時的壓力為0.45MPa～0.5MPa，且壓干膜的水流量為(20～30)ml/min。優(yōu)選地，在進(jìn)行壓干膜時，其壓力可選擇為0.45MPa、0.46MPa、0.47MPa、0.48MPa、0.49MPa、0.50MPa等。其壓干膜的水流量可為20ml/min、25ml/min或30ml/min等。可以理解的是，在其他實(shí)施例中，當(dāng)對所述金屬銅膜層進(jìn)行壓干膜時，其壓力還可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置，例如采用(0.3～1.0)MPa，其壓干膜的水流量還可選擇為(15～40)ml/min，依照實(shí)際工藝需求設(shè)置。

S22：對所述金屬銅膜層進(jìn)行曝光。

在本步驟中，采用曝光機(jī)對所述金屬銅膜層進(jìn)行曝光。具體地，采用的所述曝光機(jī)的燈管功率為(4～6)KW，所述曝光機(jī)的曝光尺為(6～16)階，且所述曝光機(jī)的能量為(60～90)mj/cm²。優(yōu)選地，所述曝光燈的燈管功率可為4KW、5KW或6KW等。所述曝光機(jī)的曝光尺可采用6階、8階、10階、12階、14階或16階。所述曝光機(jī)的能量可為60mj/cm²、65mj/cm²、70mj/cm²、75mj/cm²、80mj/cm²、85mj/cm²、或90mj/cm²等?？梢岳斫獾氖?，在其他實(shí)施例中，所述曝光燈的燈管功率還可根據(jù)實(shí)際工藝調(diào)整設(shè)置，例如，所述曝光燈的燈管功率還可選擇(2～10)KW，所述曝光尺還可選用(6～21)。所述曝光機(jī)的能量可根據(jù)所述曝光尺選擇的階數(shù)設(shè)置。

S23：將曝光后的所述金屬銅膜層進(jìn)行切片。

本步驟的目的是為了去除所述金屬銅膜層表面多余的材料，以便于后續(xù)進(jìn)行顯影。

S24：將切片后的金屬銅膜層進(jìn)行干膜顯影。

在本步驟中，可采用顯影蝕刻線將切片后的金屬銅膜層進(jìn)行干膜顯影，以便于后續(xù)根據(jù)該顯影進(jìn)行蝕刻。具體地，當(dāng)采用所述顯影蝕刻線進(jìn)行顯影時，其溫度為(28～32)℃，采用所述顯影蝕刻線進(jìn)行顯影的濃度為(8.5～10.5)g/L，所述顯影蝕刻線的顯影噴壓為(1.0～1.4)kg/cm²，且所述顯影蝕刻線的顯影速度為(3.8～4.2)m/min。優(yōu)選地，在進(jìn)行顯影時的溫度可為28℃、29℃、30℃、31℃或32℃等。顯影的濃度為8.5g/L、9.0g/L、9.5g/L、10.0g/L或10.5g/L。顯影噴壓優(yōu)選為1.0kg/cm²、1.1kg/cm²、1.2kg/cm²、1.3kg/cm²或1.4kg/cm²等。顯影的速度可采用3.8m/min、3.9m/min、4.0m/min、4.1m/min或4.2m/min等。當(dāng)然，可以理解的是，在其他實(shí)施例中，其顯影的溫度、濃度及顯影噴壓均可根據(jù)實(shí)際工藝需求設(shè)置，例如，顯影的溫度可為(20～40)℃，濃度可為(6.0～15.0)g/L，顯影噴壓可選擇為(0.8～2.0)kg/cm²，其顯影的速度可為(3.0～5.5)m/min。

S25：將顯影后的所述金屬銅膜層進(jìn)行蝕刻。

在本步驟中，可采用上述顯影蝕刻線對所述金屬銅膜層進(jìn)行蝕刻，以便于露出所述ITO膜層，從而便于后續(xù)對ITO膜層進(jìn)行蝕刻。具體地，在蝕刻時，其蝕刻的濃度為(0.60～1.10)mol/L，所述顯影蝕刻線的蝕刻噴壓為(1.0～1.4)kg/cm²，所述顯影蝕刻線的蝕刻溫度為(30～40)℃，且蝕刻的速度為(2.0～4.2)m/min。優(yōu)選地，蝕刻的濃度可為0.6mol/L、0.7mol/L、0.8mol/L、0.9mol/L、1.0mol/L或1.1mol/L，蝕刻噴壓優(yōu)選為1.0kg/cm²、1.1kg/cm²、1.2kg/cm²、1.3kg/cm²或1.4kg/cm²等。蝕刻的溫度優(yōu)選為30℃、32℃、34℃、36℃、38℃或40℃等。蝕刻的速度可采用2.0m/min、2.5m/min、3.0m/min、3.5m/min、4.0m/min或4.2m/min等。當(dāng)然，可以理解的是，在其他實(shí)施例中，其蝕刻的溫度、濃度、蝕刻噴壓及速度均可根據(jù)實(shí)際工藝需求設(shè)置，例如，蝕刻的溫度可為(10～50)℃，濃度可為(0.2～1.5)g/L，蝕刻噴壓可選擇為(0.8～2.0)kg/cm²，其蝕刻的速度可為(0.5～5.5)m/min。

S26：對位于所述金屬銅膜層可視區(qū)的ITO膜層進(jìn)行蝕刻，以得到所述預(yù)設(shè)的ITO膜層圖案。

本步驟的目的是為了對所述ITO膜層進(jìn)行蝕刻，以得到預(yù)設(shè)的ITO膜層圖案。在本步驟中，由于所述ITO膜層是位于所述金屬銅膜層的可視區(qū)下方，因此，只需對所述金屬銅膜層可視區(qū)內(nèi)的部分進(jìn)行蝕刻即可。具體地，可采用上述的顯影蝕刻線對所述ITO膜層進(jìn)行蝕刻，當(dāng)采用所述顯影蝕刻線對所述ITO膜層進(jìn)行蝕刻時，其蝕刻的濃度為(5.50～6.50)mol/L，所述顯影蝕刻線的蝕刻噴壓為(1.0～1.4)kg/cm²，所述顯影蝕刻線的蝕刻溫度為(35～45)℃，且蝕刻的速度為(2.0～4.2)m/min。優(yōu)選地，蝕刻的濃度可為5.5mol/L、5.7mol/L、5.9mol/L、6.1mol/L、6.3mol/L或6.5mol/L，蝕刻噴壓優(yōu)選為1.0kg/cm²、1.1kg/cm²、1.2kg/cm²、1.3kg/cm²或1.4kg/cm²等。蝕刻的溫度優(yōu)選為35℃、37℃、39℃、41℃、43℃或45℃等。蝕刻的速度可采用2.0m/min、2.5m/min、3.0m/min、3.5m/min、4.0m/min或4.2m/min等。當(dāng)然，可以理解的是，在其他實(shí)施例中，其蝕刻的溫度、濃度、蝕刻噴壓及速度均可根據(jù)實(shí)際工藝需求設(shè)置，例如，蝕刻的溫度可為(30～55)℃，濃度可為(4～8)g/L，蝕刻噴壓可選擇為(0.8～2.0)kg/cm²，其蝕刻的速度可為(0.5～5.5)m/min。

進(jìn)一步地，在對所述ITO膜層進(jìn)行蝕刻后，還包括以下步驟：

S27：去除所述金屬銅膜層上的干膜。

本步驟的目的是去除金屬銅膜層上的干膜，以露出金屬銅膜層。在本步驟中，可采用蝕刻的方式去除所述金屬銅膜層表面的干膜。具體地，在進(jìn)行蝕刻去除干膜時，其去干膜的濃度為(8.0～10)g/L，去干膜的噴壓為(1.0～1.4)kg/cm²，去干膜的溫度為(45～55)℃，且去干膜的速度為(3.8～4.2)m/min。優(yōu)選地，去干膜的濃度可為8.0mol/L、8.5mol/L、9.0mol/L、9.5mol/L或10mol/L，去干膜的噴壓優(yōu)選為1.0kg/cm²、1.1kg/cm²、1.2kg/cm²、1.3kg/cm²或1.4kg/cm²等。去干膜的溫度優(yōu)選為45℃、47℃、49℃、51℃、53℃或55℃等。蝕刻的速度可采用3.8m/min、3.9m/min、4.0m/min、4.1m/min或4.2m/min等。當(dāng)然，可以理解的是，在其他實(shí)施例中，其采用蝕刻方法去干膜時的溫度、濃度、噴壓及速度均可根據(jù)實(shí)際工藝需求設(shè)置，例如，去干膜的溫度可為(30～70)℃，濃度可為(6～12)g/L，去干膜的噴壓可選擇為(0.8～2.0)kg/cm²，去干膜的速度可為(2.0～5.5)m/min。

S3：在所述金屬銅膜層的非可視區(qū)表面形成保護(hù)膜層。

本步驟是為了保護(hù)金屬銅膜層的非可視區(qū)表面，以防止后續(xù)工藝對非可視區(qū)表面造成的損傷。具體地，在形成所述保護(hù)膜層時，具體包括以下步驟：

S31：在所述金屬銅膜層的非可視區(qū)表面進(jìn)行印刷耐酸。

在本步驟中，為了使得形成的保護(hù)膜層能夠?qū)λ龇强梢晠^(qū)進(jìn)行保護(hù)，所述印刷耐酸的厚度為(10～11)um。優(yōu)選地，所述印刷耐酸的厚度可選擇10um、10.5um或11um等?？梢岳斫獾氖?，在其他實(shí)施例中，所述印刷耐酸的厚度還可為9um～13um。

S32：對所述金屬銅膜層的非可視區(qū)表面進(jìn)行干燥，以在所述非可視區(qū)表面形成所述保護(hù)膜層。

本步驟的目的是為了干燥所述非可視區(qū)表面的印刷耐酸，以形成所述保護(hù)膜層，從而能夠?qū)λ龇强梢晠^(qū)的表面進(jìn)行保護(hù)。優(yōu)選地，可采用干燥機(jī)對所述非可視區(qū)的表面進(jìn)行干燥。

由于采用在所述非可視區(qū)表面印刷耐酸以形成所述保護(hù)膜層的方式，因此，無需額外對所述非可視區(qū)進(jìn)行壓干膜、顯影、曝光等步驟，減少了加工工序，使得整個銅制程的方法更為簡單，同時也有利于減少加工時間及節(jié)約加工成本。

S4：對所述可視區(qū)內(nèi)的金屬銅膜層進(jìn)行蝕刻，以去除所述ITO膜層上的金屬銅膜層。

本步驟的目的是為了露出可視區(qū)下方的所述ITO膜層。具體地，在本步驟中，可采用顯影蝕刻線的方式對所述可視區(qū)內(nèi)的金屬銅膜層進(jìn)行蝕刻。優(yōu)選地，為了確保在對所述可視區(qū)內(nèi)的金屬銅膜層進(jìn)行蝕刻時，其蝕刻的濃度為(0.60～1.10)mol/L，蝕刻噴壓為(1.0～1.4)kg/cm²，蝕刻溫度為(30～40)℃，且蝕刻的速度為(2.0～4.2)m/min。優(yōu)選地，蝕刻的濃度可為0.6mol/L、0.7mol/L、0.8mol/L、0.9mol/L、1.0mol/L或1.1mol/L，蝕刻噴壓優(yōu)選為1.0kg/cm²、1.1kg/cm²、1.2kg/cm²、1.3kg/cm²或1.4kg/cm²等。蝕刻的溫度優(yōu)選為30℃、32℃、34℃、36℃、38℃或40℃等。蝕刻的速度可采用2.0m/min、2.5m/min、3.0m/min、3.5m/min、4.0m/min或4.2m/min等。當(dāng)然，可以理解的是，在其他實(shí)施例中，其蝕刻的溫度、濃度、蝕刻噴壓及速度均可根據(jù)實(shí)際工藝需求設(shè)置，例如，蝕刻的溫度可為(10～50)℃，濃度可為(0.2～1.5)g/L，蝕刻噴壓可選擇為(0.8～2.0)kg/cm²，其蝕刻的速度可為(0.5～5.5)m/min。

S5：去除所述金屬銅膜層的非可視區(qū)表面的保護(hù)膜層。

本步驟的目的是為了去除所述金屬銅膜層非可視區(qū)的保護(hù)膜層，以得到制備完成的銅制程產(chǎn)品。在本實(shí)施例中，所述方法采用蝕刻的方式對所述金屬銅膜層非可視區(qū)表面的保護(hù)層進(jìn)行去除，蝕刻時的濃度為(8.0～10)g/L，蝕刻時的噴壓為(1.0～1.4)kg/cm²，蝕刻溫度為(45～55)℃，且蝕刻的速度為(3.8～4.2)m/min。優(yōu)選地，蝕刻的濃度可為8.0mol/L、8.5mol/L、9.0mol/L、9.5mol/L或10mol/L，蝕刻的噴壓優(yōu)選為1.0kg/cm²、1.1kg/cm²、1.2kg/cm²、1.3kg/cm²或1.4kg/cm²等。蝕刻的溫度優(yōu)選為45℃、47℃、49℃、51℃、53℃或55℃等。蝕刻的速度可采用3.8m/min、3.9m/min、4.0m/min、4.1m/min或4.2m/min等。當(dāng)然，可以理解的是，在其他實(shí)施例中，其采用蝕刻方法去除所述非可視區(qū)表面的保護(hù)膜層溫度、濃度、噴壓及速度均可根據(jù)實(shí)際工藝需求設(shè)置，例如，去干膜的溫度可為(30～70)℃，濃度可為(6～12)g/L，去干膜的噴壓可選擇為(0.8～2.0)kg/cm²，去干膜的速度可為(2.0～5.5)m/min。

采用上述方法，通過在所述襯底上依次形成金屬銅膜層及ITO膜層，從而使得金屬銅膜層與ITO膜層在形成后即連接在一起，替代了現(xiàn)有采用搭接方式而導(dǎo)致的搭接精度不高問題；此外，在對金屬銅膜層的非可視區(qū)進(jìn)行保護(hù)膜層形成時，采用印刷耐酸及對印刷耐酸進(jìn)行干燥的方式，無需額外進(jìn)行壓干膜、曝光、顯影等工藝，減少了工藝步驟，簡化了工藝流程，同時無需額外配備顯影機(jī)、曝光機(jī)等設(shè)備，有利于控制生產(chǎn)成本。

本發(fā)明還提供了一種采用上述觸摸屏銅制程方法制備得到的觸摸屏，所述觸摸屏由于采用上述銅制程方法制備，因此，其具有低電阻、低延遲現(xiàn)象及顯示畫質(zhì)清新等優(yōu)點(diǎn)，有利于提高用戶使用體驗(yàn)性。

本發(fā)明提供的觸摸屏的銅制程方法及觸摸屏，采用金屬銅膜層與ITO膜層一次成型，替代了現(xiàn)有采用Ag和ITO進(jìn)行搭接的方式，解決了搭接Ag與ITO進(jìn)行搭接時的搭接精度不良的問題；同時，采用金屬銅膜層與ITO膜層一次成型，因此成型后將其應(yīng)用于觸摸屏上時，具有低電阻、低延遲現(xiàn)象等優(yōu)點(diǎn)，可以讓訊號尋址速度更快、掃描線更密集、顯示畫質(zhì)更清新，有利于提高用戶的使用體驗(yàn)性。

以上所述的實(shí)施方式，并不構(gòu)成對該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實(shí)施方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。