專利名稱：復(fù)位信號生成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及復(fù)位信號生成領(lǐng)域，特別是涉及一種復(fù)位信號生成裝置。
背景技術(shù)：
因特爾/>司(Intel)更新了芯片ICH8的復(fù)位信號RSMRST并的時 序規(guī)格(Timing spec ),其中，芯片ICH8對復(fù)位信號RSMRST并的時
序有以下要求
1、 復(fù)位信號RSMRST并的上升時間不能超過50ps;
2、 在3. 3V供電電平V3. 3AL下降到2. IV之前復(fù)位信號 RSMRST并的下降沿必須轉(zhuǎn)換到小于等于0. 8V;
3、 從發(fā)出3. 3V供電電平到生成復(fù)位信號RSMRSTf的時間大于 10ms。
原來的通用復(fù)位信號生成電路很難保證復(fù)位信號RSMRST并的上 升時間在50|tis以內(nèi)。
可以通過改變原電路的元件的參數(shù)來改進電路，使生成的復(fù)位信 號RSMRSTt滿足芯片ICH8的時序規(guī)格的要求。 一種方法是將電阻PR1 設(shè)為47K,電阻PR4設(shè)為100K,電阻PR2設(shè)為220K，但是采用這種 方法，如圖11所示，復(fù)位信號RSMRST并的上升沿有幾個平臺，而且 這些平臺出現(xiàn)的電平位置是隨機的，如果這些平臺出現(xiàn)在復(fù)位信號 RSMRST并的輸入低電壓Vih或輸入高電壓Vil處，就很可能會影響到 芯片ICH8的工作。
另一種方法是電阻PR1設(shè)為100K,電阻PR4 i殳為10K,電阻PR2 設(shè)為220K。但這種方法的缺點是芯片LM358的輸入負極處的參考電 壓Vref下降以后， 一旦電源芯片出現(xiàn)震蕩或不穩(wěn)定的問題，例如電源復(fù)位端電壓上到1. 8V之后又下來了 ，就會影響復(fù)位信號RSMRST#。 并且上述兩種方法都具有一個缺點，就是復(fù)位信號RSMRST并的高 電平在高溫時有可能會超過3. 3V，會影響到芯片ICH8的工作。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供了一種復(fù)位信號生成裝置，能夠使生成的 復(fù)位信號RSMRST并滿足芯片ICH8對時序的要求，并且不會出現(xiàn)影響 到芯片ICH8的工作的情況。
本發(fā)明提供的復(fù)位信號生成裝置，包括通用復(fù)位信號生成電路， 其特征在于，所述通用復(fù)位信號生成電路的復(fù)位信號輸出端還串聯(lián) 有預(yù)處理電路，所述預(yù)處理電路包括三極管，其中，
所述三極管的發(fā)射極與所述通用的復(fù)位信號生成電路的復(fù)位信 號輸出端連接；
所述三極管的基極依次經(jīng)串聯(lián)的二極管組和第八電阻與地連接， 所述二極管組的正極與所述三極管的基極連接，所述二極管組的負 極與第八電阻連接，所述三極管的基極還經(jīng)過第六電阻與供電電平 連接；
所述三極管的集電極輸出預(yù)處理后的復(fù)位信號，集電極經(jīng)第七電
阻與地連接，集電極與發(fā)射極用導(dǎo)線連接。
其中，所述二才及管組由三個二才及管正向串聯(lián)而成。
其中，所述通用復(fù)位信號生成電路包括運算放大器
所述運算放大器的輸出端連接第一 二極管的負極，所述第一 二極
管的正極輸出復(fù)位信號；
所述第一二極管的正極還經(jīng)第二電阻與供電電平連接，經(jīng)第五電
阻與地連接；
所述運算放大器的輸入正極接電源復(fù)位端，還經(jīng)第二電容與地連
接；
所述運算放大器的輸入負極經(jīng)第三電阻與供電電平連接，還經(jīng)第 第四電阻與地連接；所述運算放大器的接地端接地；
所述運算放大器的電源端與電源連接，還經(jīng)第 一 電容與地連接。
較佳的，所述三極管采用HMBT3906芯片。
較佳的，所述二極管采用小信號開關(guān)二極管1N4148WS。
其中，所述第七電阻為10k歐姆。
其中，第六電阻為10k歐姆，第八電阻為5.1k歐姆。
較佳的，所述第二電阻為lk歐姆。
較佳的，所述第四電阻為10k歐姆。
本發(fā)明提供的復(fù)位信號生成裝置，能夠產(chǎn)生穩(wěn)定的經(jīng)過預(yù)處理后 的復(fù)位信號PM-RSMRST并輸出給芯片ICH8。


圖1為復(fù)位信號生成裝置的電路圖2為復(fù)位信號生成裝置產(chǎn)生的預(yù)處理后的復(fù)位信號 PM — RSMRST井上升沿的測量圖3為V3. 3AL與預(yù)處理后的復(fù)位信號PM-RSMRST并上升時的時序 (timing)關(guān)系測量圖4為V3. 3AL與預(yù)處理后的復(fù)位信號PM-RSMRST并下降時的時序 (timing)關(guān)系測量圖5為25。C時三極管PQ1的基極和發(fā)射極在開啟過程中的波形
圖6為(TC時三極管PQ1的基極和發(fā)射極在開啟過程中的波形
圖7為(TC時復(fù)位信號RSMRSTf上升時的時序(timing)關(guān)系圖； 圖8為(TC時V3. 3AL與復(fù)位信號RSMRST并上升時的時序(timing) 關(guān)系圖9為0。C時V3. 3AL與復(fù)位信號RSMRSTf下降時的交流AC才莫式
圖IO為(TC時V3. 3AL與復(fù)位信號RSMRST井下降時的直流DC模式圖11為通用復(fù)位信號生成電路產(chǎn)生的復(fù)位信號RSMRST并的上升 沿的測量圖。
具體實施例方式
圖1為復(fù)位信號生成裝置的電路圖，如圖所示，包括通用復(fù)位信 號生成電路，所述通用復(fù)位信號生成電路的復(fù)位信號輸出端還串聯(lián) 有預(yù)處理電路。
所述預(yù)處理電^各包括PNP型三極管芯片HMBT3906、小信號開關(guān) 二極管芯片1N4148WS和R0402型電阻，其中
所述三極管PQ1的發(fā)射極與所述通用復(fù)位信號生成電路的復(fù)位 信號RSMRST并輸出端連接；所述三極管PQ1的集電極輸出預(yù)處理后的 復(fù)位信號PM-RSMRST#。所述三極管PQ1的基極依次經(jīng)串聯(lián)的二極管 組和第八電阻PR8與地連接，所述三極管PQ1的基極還經(jīng)過第六電 阻PR6與供電電平連接；所述三極管PQ1的集電極經(jīng)第七電阻PR7 與地連接，所述三極管PQ1的集電極和發(fā)射極用導(dǎo)線連接；
所述二極管組由三個小信號開關(guān)二極管，第二二極管PD2、第三 二極管PD3和第四二極管PD4，正向串聯(lián)而成，所述二極管組的正極 與所述三極管PQ1的基極連接，所述二極管組的負極與第八電阻PR8 連接。
所述第六電阻PR6為10k歐姆，第八電阻為5.1k歐姆。 其中，所述第七電阻PR7為10k歐姆，這是因為芯片ICH8在未 復(fù)位之前需要復(fù)位信號RSMRSTf要有10K的下拉電阻分壓來保證復(fù) 位信號的低電平；并且由于供電電平V3. 3AL上電之后，供電電平 V3. 3AL會通過第二電阻PR2、三極管PQ1漏電到預(yù)處理后的復(fù)位信 號PM_RSMRST#，因此需要有合適的下拉電阻保證供電電平V3. 3AL 上電之后預(yù)處理后的復(fù)位信號PM-RSMRSTf為低電平。
所述通用復(fù)位信號生成電路包括運算放大器PU1A芯片LM358、 二極管、電容和R0402型電阻，其中所述運算放大器的輸出端連接第一二極管PD1的負極，所述第一 二極管PD1的正才及輸出復(fù)位信號RSMRST并；
所述第一二才及管的正才及還經(jīng)第二電阻PR2與供電電平V3. 3AL連 接，經(jīng)第五電阻PR5與地連接；
所述運算》文大器的輸入正極接電源復(fù)位端ALW—PWR0K,還經(jīng)第二 電容PC2與地連接；
所述運算放大器的輸入負極經(jīng)第三電阻與供電電平V3. 3AL連 接，還經(jīng)第四電阻PR4與地連接；
所述運算放大器的接地端接地；
所述運算放大器的電源端與電源V5A1連接，還經(jīng)第一電容PC1 與地連接。
通用復(fù)位信號生成電路的第二電阻PR2取值為lk歐姆，這是為 保證三極管PQ1的飽和，以及為防止三極管PQ1飽和之后第二電阻 PR2、三極管PQ1和第七電阻PR7的分壓導(dǎo)致輸入到芯片ICH8的預(yù) 處理后的復(fù)位信號PM-RSMRST并的高電平不夠高。
通用復(fù)位信號生成電路的第四電阻PR4取值為10k歐姆，是為防 止補償運算放大器PU1A的輸出由低到高的上升沿產(chǎn)生小平坡。如果 這個平坡出現(xiàn)在三極管PQ1開啟電壓的位置時，預(yù)處理后的復(fù)位信 號PM-RSMRSTtf的上升為非單調(diào)特性；如果這個平坡不出現(xiàn)在三極管 PQ1的開啟電壓的區(qū)間，預(yù)處理后的復(fù)位信號PNLRSMRSTf將是單調(diào) 特性。可見，所述非單調(diào)特性和單調(diào)特性的出現(xiàn)，導(dǎo)致了不確定性， 因此通過取值為10k歐姆的第四電阻PR4將補償運算放大器PU1A的 參考電平改為1.62V，改善補償運算放大器PU1A輸出的上升沿的單 調(diào)性的同時也保證了預(yù)處理后的復(fù)位信號PM—RSMRST并上升沿的單調(diào) 性。
下面對復(fù)位信號生成裝置的工作原理進行介紹，通用復(fù)位信號生 成電路的復(fù)位信號RSMRST并傳輸?shù)筋A(yù)處理電路的三極管PQ1的發(fā)射 極，在傳輸過來的復(fù)位信號RSMRST井到達由第二二極管PD2、第三二 極管PD3、第四二極管PD4、第六電阻PR6、第八電阻PR8和三極管PQ1的發(fā)射極和基極間的電壓限定的指定電平之后，三極管PQ1才會 開啟并進入深度飽和狀態(tài)，從而可以產(chǎn)生穩(wěn)定的經(jīng)過預(yù)處理后的復(fù) 位信號PM—RSMRST弁輸出給芯片ICH8，從而避免了因電源芯片出現(xiàn)震 蕩或不穩(wěn)定造成輸出的復(fù)位信號出現(xiàn)上升或下降的異常情況。
圖2為復(fù)位信號生成裝置產(chǎn)生的預(yù)處理后的復(fù)位信號PM— RSMRST#上升沿的測量圖，如圖所示，預(yù)處理后的復(fù)位信號 PM—RSMRST并的上升時間為3.020us,滿足時序規(guī)J各(Timing spec) 的要求，而且預(yù)處理后的復(fù)位信號PM-RSMRST并沒有出現(xiàn)會影響到芯 片ICH8的工作的平臺。
圖3為V3. 3AL與預(yù)處理后的復(fù)位信號PM-RSMRST弁上升時的時序 (timing)關(guān)系測量圖，如圖所示，線A表示預(yù)處理后的復(fù)位信號 PM_RSMRST#，線B表示供電電平V3. 3AL，供電電平V3. 3AL和預(yù)處理 后的復(fù)位信號PM—RSMRST并之間的時間差是大于10ms的，滿足時序規(guī) 格(Timing spec)的要求。
圖4為V3. 3AL與預(yù)處理后的復(fù)位信號PM—RSMRSTf下降時的時序 (timing)關(guān)系測量圖，線A表示預(yù)處理后的復(fù)位信號PM-RSMRST并， 線B表示供電電平V3. 3AL,在供電電平V3. 3AL下降至2. OV以下之 后，預(yù)處理后的復(fù)位信號PM—RSMRSTI是小于0. 8V的，滿足時序規(guī)格 (Timing spec)的要求。
從圖中可以看到預(yù)處理后的復(fù)位信號PM-RSMRST并在開始的時候 有一個小臺階，這是V3. 3AL通過第二電阻PR2、三極管PQ1和第七 電阻PR7分壓產(chǎn)生的，這個電壓小于660mV，因此不會對預(yù)處理后的 復(fù)位信號PM-RSMRST弁造成影響。
下面分析溫度對復(fù)位信號生成裝置的影響。
高溫時，使用熱風(fēng)槍對復(fù)位信號生成裝置進行局部加熱制造高溫 環(huán)境，在高溫時，第一二極管PD1的反向等效電阻、第二二極管PD2、 第三二極管PD3、第四二極管PD4、三極管PQ1的發(fā)射極和基極間的 正向?qū)妷憾紩冃?，測量不同溫度下的PM—RSMRSTt電平，得到 25°C 2. 96V70°C 3.02V 80°C 3.07V
從上面可以看出80。C的時候PM-RSMRST并的高電壓也是合適的， 沒有超出3. 3V。
低溫時，第一二極管PD1的反向等效電阻、第二二極管PD2、第 三二極管PD3、第四二極管PD4、三極管PQ1的發(fā)射極和基極間的正 向?qū)妷憾紩兇?，第一二極管PD1的反向等效電阻變大是有利 的。第二二極管PD2、第三二極管PD3、第四二極管PD4、三極管PQ1 的發(fā)射極和基極間的正向?qū)妷鹤兇笫遣焕?，因為如果電壓?得非常大之后就可以使三極管PQ1不導(dǎo)通。圖5為25。C時三極管PQ1 的基極和發(fā)射極在開啟過程中的波形圖，圖6為(TC時三極管PQ1 的基極和發(fā)射極在開啟過程中的波形圖，如圖所示，線M為三極管 PQ1的基極在開啟過程中的波形，線N為發(fā)射極在開啟過程中的波 形。在(TC的時候三極管PQ1的基極在導(dǎo)通前和導(dǎo)通后的壓差相比較 于25。C的時候變小了，是二極管、三極管隨溫度變化而產(chǎn)生的。低 溫的時候三極管PQ1的基極仍然是一個上升的臺階而不是持平，這 就表示三極管PQ1在低溫(TC的時候是可以開啟的。
圖7為(TC時復(fù)位信號RSMRST并上升時的時序(timing)關(guān)系圖， 圖8為(TC時V3. 3AL與復(fù)位信號RSMRST并上升時的時序(timing) 關(guān)系圖，圖9為O'C時V3. 3AL與復(fù)位信號RSMRST并下降時的交流AC 模式圖，圖10為0。C時V3. 3AL與復(fù)位信號RSMRST并下降時的直流DC 模式圖，以上各圖用來說明(TC時復(fù)位信號RSMRST井的時序。其中， 線X表示復(fù)位信號RSMRST#,線Y表示供電電平V3. 3AL,如圖所示， 均滿足圖3和4中提到的時序規(guī)格(Timing spec)的要求。
圖2至圖11中的波形線的鋸齒為測量產(chǎn)生。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明， 凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進 等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。例如預(yù)處理的電路也可以 采用NPN型三極管代替PNP型三極管。
權(quán)利要求
1.一種復(fù)位信號生成裝置，包括通用復(fù)位信號生成電路，其特征在于，所述通用復(fù)位信號生成電路的復(fù)位信號輸出端還串聯(lián)有預(yù)處理電路，所述預(yù)處理電路包括三極管，其中，所述三極管的發(fā)射極與所述通用的復(fù)位信號生成電路的復(fù)位信號輸出端連接；所述三極管的基極依次經(jīng)串聯(lián)的二極管組和第八電阻與地連接，所述二極管組的正極與所述三極管的基極連接，所述二極管組的負極與第八電阻連接，所述三極管的基極還經(jīng)過第六電阻與供電電平連接；所述三極管的集電極輸出預(yù)處理后的復(fù)位信號，集電極經(jīng)第七電阻與地連接，集電極與發(fā)射極用導(dǎo)線連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述二極管組由 三個二才及管正向串聯(lián)而成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述通用復(fù)位信 號生成電路包括運算放大器所述運算放大器的輸出端連接第一 二極管的負極，所述第一 二 極管的正極輸出復(fù)位信號；所述第一二極管的正極還經(jīng)第二電阻與供電電平連接，經(jīng)第五 電阻與地連^妻；所述運算放大器的輸入正極接電源復(fù)位端，還經(jīng)第二電容與地 連接；所述運算放大器的輸入負極經(jīng)第三電阻與供電電平連接，還經(jīng) 第第四電阻與地連4妄；所述運算放大器的接地端接地；所述運算放大器的電源端與電源連接，還經(jīng)第 一 電容與地連接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述三極管采用 HMBT3906芯片。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述二極管采用 小信號開關(guān)二極管1N4148WS。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第七電阻為 10k歐姆。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，第六電阻為10k 歐姆，第八電阻為5.1k歐姆。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第二電阻為 lk歐姆。
9. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第四電阻為 10k歐姆。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種復(fù)位信號生成裝置，包括通用復(fù)位信號生成電路，所述通用復(fù)位信號生成電路的復(fù)位信號輸出端還串聯(lián)有預(yù)處理電路，所述預(yù)處理電路包括三極管，其中，所述三極管的發(fā)射極與所述通用的復(fù)位信號生成電路的復(fù)位信號輸出端連接；所述三極管的基極依次經(jīng)串聯(lián)的二極管組和第八電阻與地連接，所述二極管組的正極與所述三極管的基極連接，所述二極管組的負極與第八電阻連接，所述三極管的基極還經(jīng)過第六電阻與供電電平連接；所述三極管的集電極輸出預(yù)處理后的復(fù)位信號，集電極經(jīng)第七電阻與地連接，集電極與發(fā)射極用導(dǎo)線連接。本發(fā)明能夠生成穩(wěn)定的滿足芯片ICH8的時序要求的復(fù)位信號。
文檔編號G06F1/24GK101540597SQ20091013614
公開日2009年9月23日 申請日期2009年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月12日
發(fā)明者石 張 申請人:北京市研祥興業(yè)國際智能科技有限公司;研祥智能科技股份有限公司