專利名稱：薄膜定位裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種薄膜定位裝置，且特別是有關(guān)于一種快速反應(yīng)的薄膜定位裝置。
(2)背景技術(shù)光標定位裝置是廣泛應(yīng)用于人機界面(man-machine interface)，以方便使用者與電子裝置溝通。光標定位裝置例如是鼠標或薄膜定位裝置等等。薄膜定位裝置是包括兩片電阻式薄膜或電容式薄膜，依據(jù)使用者碰觸的點而檢測出此點的坐標。
圖1是電阻式薄膜定位裝置電路圖。電阻式薄膜定位裝置100包括薄膜110。薄膜110包括X薄膜及Y薄膜。X薄膜與Y薄膜是為平面電阻且于自然狀態(tài)下不互相接觸。于X薄膜上，電阻值隨X坐標變化，而不隨Y坐標變化；于Y薄膜上，電阻值隨Y坐標變化，而不隨X坐標變化。薄膜定位裝置還包括晶體管QX0、QX1、QY0、QY1、電容Cxp、Cxm、Cyp及Cym，用以檢測使用的所接觸的點并阻絕噪聲，其中晶體管QX0、QX1、QY0及QY1是分別受信號X0、X1、Y0及Y1所控制。
當使用者觸碰此薄膜定位裝置100時，會使X薄膜與Y薄膜于一接觸點互相導(dǎo)通，此接觸點的電阻為R_touch；在X薄膜中，接觸點以上的電阻為R_up，接觸點以下的電阻為R_down；在Y薄膜中，接觸點以右的電阻為R_right，接觸點以左的電阻為R_left。薄膜定位裝置100依據(jù)電阻R_up與R_down的比例即可知道接觸點的X坐標；依據(jù)電阻R_right與R_left的比例即可知道接觸點的Y坐標。
圖2A是檢測接觸點的X坐標時的薄膜定位裝置的等效電路圖。檢測接觸點的X坐標時，是開啟晶體管QY0及QY1，此時的電流Iy是流經(jīng)QY1、R_left、R_right及QY0而后到地，這時候檢測XP點的電壓即可據(jù)以知道接觸點的X坐標。另外，檢測XM點的電壓亦可據(jù)以知道接觸點的X坐標。
圖2B是檢測接觸點的Y坐標時的薄膜定位裝置的等效電路圖。檢測接觸點的Y坐標時，是開啟晶體管QX0及QX1，此時的電流Ix是流經(jīng)QX1、R_up、R_down及QX0而后到地，這時候檢測YP點的電壓即可據(jù)以知道接觸點的Y坐標。另外，檢測YM點的電壓亦可據(jù)以知道接觸點的Y坐標。
由于薄膜定位裝置是應(yīng)用于電子裝置中，容易耦合到許多噪聲，而使得所求的坐標有誤差。電容Cxp、Cxm、Cyp及Cym即是用來阻絕噪聲，以確保坐標的精確度。此些電容愈大，阻絕噪聲的能力強，但是會使得定位裝置的反應(yīng)變慢。
以圖2A為例，當檢測X坐標時，電容Cyp是充電至約電源Vcc的位準，當接下來欲檢測下一個坐標時，晶體管QY1及QY2是被關(guān)閉不導(dǎo)通，因此電容Cyp需經(jīng)由R_left、R_touch及Cxp等等的阻抗放電。然而，有時使用者按下薄膜定位裝置的作用力太小，會使得R_touch的阻抗值很大，因此造成電容Cyp放電時間延長。電容Cyp放電時間延長的話，會使檢測下一個坐標所需等待的時間延長，因此造成定位裝置反應(yīng)不夠快的問題。
同樣的，在檢測Y坐標時，電容Cxp是被充電至電源Vcc的位準，若電阻R_touch太大，也會有放電時間過長而使定位裝置反應(yīng)不夠快的問題。
減小電容Cxp、Cxm、Cyp及Cym雖然可以加速定位裝置的反應(yīng)速度，但是阻絕噪聲的能力將會不佳，而使得定位不準；加大此些電容值又會使得定位裝置的反應(yīng)過慢。
(3)發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的就是提供一種可阻絕噪聲又可增快反應(yīng)速度的薄膜定位裝置。
為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明薄膜定位裝置，用以檢測一接觸點的位置。薄膜定位裝置包括X薄膜，具有第一X端與第二X端；Y薄膜，具有第一Y端與第二Y端；第一Y開關(guān)，耦接于第一Y端與接地端之間；第二Y開關(guān)，耦接于第二Y端與電源之間；第一X開關(guān)，耦接于第一X端與接地端之間；第二X開關(guān)，耦接于第二X端與電源之間；第一X電容，耦接于第一X端與第二X端之間；以及第二Y電容，耦接于第一Y端與第二Y端之間。
為進一步說明本發(fā)明的上述目的、結(jié)構(gòu)特點和效果，以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明進行詳細的描述。
(4)


圖1是電阻式薄膜定位裝置電路圖。
圖2A是檢測接觸點的X坐標時的薄膜定位裝置的等效電路圖。
圖2B是檢測接觸點的Y坐標時的薄膜定位裝置的等效電路圖。
圖3是依照本發(fā)明一較佳實施例的一種薄膜定位裝置電路圖。
圖4A是檢測接觸點的X坐標時的薄膜定位裝置的等效電路圖。
圖4B是檢測接觸點的Y坐標時的薄膜定位裝置的等效電路圖。
(5)具體實施方式
圖3是依照本發(fā)明一較佳實施例的一種薄膜定位裝置電路圖。薄膜定位裝置300包括薄膜310。薄膜310包括X薄膜及Y薄膜。X薄膜與Y薄膜是為平面電阻且于自然狀態(tài)下不互相接觸。于X薄膜上，電阻值隨X坐標變化，而不隨Y坐標變化；于Y薄膜上，電阻值隨Y坐標變化，而不隨X坐標變化。薄膜定位裝置還包括晶體管QX0’、QX1’、QY0’、QY1’、電容Cx及Cy，用以檢測使用的所接觸的點并阻絕噪聲，其中晶體管QX0’、QX1’、QY0’及QY1’是分別受信號X0’、X1’、Y0’及Y1’所控制。
當使用者觸碰此薄膜定位裝置300時，會使X薄膜與Y薄膜于一接觸點互相導(dǎo)通，此接觸點的電阻為R_touch’；在X薄膜中，接觸點以上的電阻為R_up’，接觸點以下的電阻為R_down’；在Y薄膜中，接觸點以右的電阻為R_right’，接觸點以左的電阻為R_left’。薄膜定位裝置300依據(jù)電阻R_up’與R_down’的比例即可知道接觸點的X坐標；依據(jù)電阻R_right’與R_left’的比例即可知道接觸點的Y坐標。
圖4A是檢測接觸點的X坐標時的薄膜定位裝置的等效電路圖。檢測接觸點的X坐標時，是開啟晶體管QY0’及QY1’，此時的電流I1’是流經(jīng)QY1’、R_left’、R_right’及QY0’而后到地，這時候檢測XP’點的電壓即可據(jù)以知道接觸點的X坐標。另外，檢測XM’點的電壓亦可據(jù)以知道接觸點的X坐標。
圖4B是檢測接觸點的Y坐標時的薄膜定位裝置的等效電路圖。檢測接觸點的Y坐標時，是開啟晶體管QX0’及QX1’，此時的電流Ix是流經(jīng)QX1’、R_up’、R_down’及QX0’而后到地，這時候檢測YP’點的電壓即可據(jù)以知道接觸點的Y坐標。另外，檢測YM’點的電壓亦可據(jù)以知道接觸點的Y坐標。
由于薄膜定位裝置是應(yīng)用于電子裝置中，容易耦合到許多噪聲，而使得所求的坐標有誤差。若薄膜定位裝置用于例如是個人數(shù)字助理(PersonalDigital Assistant，PDA)上的觸控式面板的話，所招致的噪聲影響更大。由于觸控式面板的下方是液晶屏幕，其是具有像素時脈信號(pixel clock)、水平同步信號(Horizontal synchronization signal)、垂直同步信號(Verticalsynchronization signal)等等的高頻信號，以維持例如是每秒30個畫面(frame)的更新頻率。此些高頻信號容易耦合到薄膜定位裝置，而使得其檢測到的坐標產(chǎn)生誤差。
本發(fā)明即是利用新增的電容Cx及Cy來阻絕噪聲，以確保坐標的精確度，而且增快此些電容的放電時間以加快定位裝置300的反應(yīng)速度。
以圖4A為例，當檢測X坐標時，電容Cy是充電至約電源Vcc的位準，當接下來欲檢測下一個坐標時，晶體管QY1’及QY2’是被關(guān)閉不導(dǎo)通，因此電容Cy可以經(jīng)由R_left’及R_right’阻抗而放電，而不需如傳統(tǒng)作法需經(jīng)由R_touch’放電。這樣可以避免使用者按下的作用力太小而導(dǎo)致R_touch’太大使得放電速度太慢的問題。
同樣的，以圖4B為例，當檢測Y坐標時，電容Cx是充電至約電源Vcc的位準，當接下來欲檢測下一個坐標時，晶體管QX1’及QX2’是被關(guān)閉不導(dǎo)通，因此電容Cx可以經(jīng)由R_up’及R_down’而放電，而不需如傳統(tǒng)作法需經(jīng)由R_touch’放電。這樣可以避免使用者按下的作用力太小而導(dǎo)致R_touch’太大使得放電速度太慢的問題。
本實施例另外可以再加上電容值較小的電容Cxp’、Cxm’、Cyp’及Cym’以使抗噪聲效果更加而且也不影響定位裝置的反應(yīng)速度。
本發(fā)明上述實施例所揭示的薄膜定位裝置由于改變抗噪聲電容的耦接方式而使其放電時間不受限于R_touch’的大小，因此可以加快定位的速度而且還具有良好的抗噪聲能力。
雖然本發(fā)明已參照當前的具體實施例來描述，但是本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當認識到，以上的實施例僅是用來說明本發(fā)明，應(yīng)理解其中可作各種變化和修改而在廣義上沒有脫離本發(fā)明，所以并非作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實質(zhì)精神范圍內(nèi)，對以上所述實施例的變化、變形都將落在本發(fā)明權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜定位裝置，用以檢測一接觸點的位置，該裝置包括一X薄膜，具有一第一X端與一第二X端；一Y薄膜，具有一第一Y端與一第二Y端；一第一Y開關(guān)，耦接于該第一Y端與一接地端之間；一第二Y開關(guān)，耦接于該第二Y端與一電源之間；一第一X開關(guān)，耦接于該第一X端與該接地端之間；一第二X開關(guān)，耦接于該第二X端與該電源之間；一第一去噪聲電容，耦接于該第一X端與該第二X端之間；以及一第二去噪聲電容，耦接于該第一Y端與該第二Y端之間。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜定位裝置，其特征在于該X薄膜與該Y薄膜是為平面電阻。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜定位裝置，其特征在于該第一Y開關(guān)、該第二Y開關(guān)、該第一X開關(guān)及該第二X開關(guān)是為晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜定位裝置，其特征在于還包括一第一電容，耦接于該第一X端；一第二電容，耦接于該第二X端；一第三電容，耦接于該第一Y端；以及一第四電容，耦接于該第二Y端。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜定位裝置，其特征在于，當該薄膜定位裝置檢測該接觸點的一X坐標時，是導(dǎo)通該第一Y開關(guān)及該第二Y開關(guān)，然后依據(jù)該第一X端或該第二X端的電壓而求得該X坐標。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜定位裝置，其特征在于，當該薄膜定位裝置檢測該接觸點的一Y坐標時，是導(dǎo)通該第一X開關(guān)及該第二X開關(guān)，然后依據(jù)該第一Y端或該第二Y端的電壓而求得該Y坐標。
7.一種薄膜定位裝置，用以檢測一接觸點的位置，該裝置包括一X薄膜，具有一第一X端與一第二X端；一Y薄膜，具有一第一Y端與一第二Y端；一第一Y開關(guān)，耦接于該第一Y端與一接地端的間；一第二Y開關(guān)，耦接于該第二Y端與一電源的間；一第一X開關(guān)，耦接于該第一X端與該接地端的間；一第二X開關(guān)，耦接于該第二X端與該電源的間；一第一去噪聲電容，耦接于該第一X端與該第二X端的間；一第二去噪聲電容，耦接于該第一Y端與該第二Y端的間；一第一電容，耦接于該第一X端；一第二電容，耦接于該第二X端；一第三電容，耦接于該第一Y端；以及一第四電容，耦接于該第二Y端。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜定位裝置，其特征在于該X薄膜與該Y薄膜是為平面電阻。
9.如權(quán)利要求7所述的薄膜定位裝置，其特征在于該第一Y開關(guān)、該第二Y開關(guān)、該第一X開關(guān)及該第二X開關(guān)系為晶體管。
10.如權(quán)利要求7所述的薄膜定位裝置，其特征在于，當該薄膜定位裝置檢測該接觸點的一X坐標時，是導(dǎo)通該第一Y開關(guān)及該第二Y開關(guān)，然后依據(jù)該第一X端或該第二X端的電壓而求得該X坐標；當該薄膜定位裝置檢測該接觸點的一Y坐標時，是導(dǎo)通該第一X開關(guān)及該第二X開關(guān)，然后依據(jù)該第一Y端或該第二Y端的電壓而求得該Y坐標。
全文摘要
一種薄膜定位裝置，用以檢測一接觸點的位置。薄膜定位裝置包括X薄膜，具有第一X端與第二X端；Y薄膜，具有第一Y端與第二Y端；第一Y開關(guān)，耦接于第一Y端與接地端之間；第二Y開關(guān)，耦接于第二Y端與電源之間；第一X開關(guān)，耦接于第一X端與接地端之間；第二X開關(guān)，耦接于第二X端與電源之間；第一X電容，耦接于第一X端與第二X端之間；以及第二Y電容，耦接于第一Y端與第二Y端之間。
文檔編號G06K11/06GK1609890SQ20031010290
公開日2005年4月27日 申請日期2003年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月22日
發(fā)明者張維志, 王維謙 申請人:宏達國際電子股份有限公司