本發(fā)明屬于電力電子領域，涉及一種雙向能量流動裝置，尤其是一種應用于直流系統中的雙向通斷電路。

背景技術：

新能源系統能量雙向變換中涉及到諸如：儲能裝置中的dc/dc變換、電動汽車電池到直流微網中的直流母線之間的雙向dc/dc變換。要實現能量的雙向流動，系統中需要有雙向大功率高壓直流通斷裝置。

目前市場上利用高壓直流接觸器(如繼電器)實現直流系統中通路的通斷，但是接觸器僅僅支持單向功率通斷，如果強制做反向的通斷，會導致開關觸頭拉弧，拉弧造成高溫和燒蝕，會降低觸頭壽命。因此，采用該方案實現直流系統中的雙向通斷，會存在對接觸器的利用率低，安全性也比較差的問題。

針對現有技術直流系統中實現雙向通斷的方案效率低，安全性差的問題，目前還沒有有效的解決方案。

在此背景下，有必要提出一種應用于直流系統中的雙向通斷電路。

技術實現要素：

本發(fā)明的目的在于克服上述現有技術的缺點，提供一種應用于直流系統中的雙向通斷電路，該電路安全性高、效率高、成本低、應用范圍廣，能夠應用于高壓直流的雙向通斷系統中。

本發(fā)明的目的是通過以下技術方案來解決的：

一種應用于直流系統中的雙向通斷電路：包括微控制器，第一直流端口，第二直流端口，以及連接并控制第一直流端口與第二直流端口雙向通斷的雙向開關組。

進一步，上述雙向開關組的第一種方案為：雙向開關組包括連接第一直流端口一極與第二直流端口一極的第一開關組，以及連接第一直流端口另一極與第二直流端口另一極的第二開關組；所述第一開關組為一個第三繼電器；所述第二開關組包括第一繼電器和串聯在第一繼電器上的第二繼電器，所述第二開關組還包括第一二極管、第二二極管、第一全控型半導體器件以及第二全控型半導體器件；第一二極管并聯在第一繼電器上，第二二極管并聯在第二繼電器上，第一二極管的陽極和第二二極管的陽極連在一起并且連接點接在第一繼電器和第二繼電器之間；第一全控型半導體器件并聯在第一二極管上，第二全控型半導體器件并聯在第二二極管上；所述微控制器通過驅動電路連接雙向開關組里所有繼電器和所有全控型半導體器件。

進一步，上述雙向開關組的第二種方案為：雙向開關組包括連接第一直流端口一極與第二直流端口一極的第一開關組，以及連接第一直流端口另一極與第二直流端口另一極的第二開關組和第三開關組；所述第一開關組為一個第三繼電器；所述第二開關組包括第一繼電器和串聯在第一繼電器上的第二繼電器，所述第二開關組還包括第一二極管、第二二極管、第一全控型半導體器件以及第二全控型半導體器件，第一二極管并聯在第一繼電器上，第二二極管并聯在第二繼電器上，第一二極管的陽極和第二二極管的陽極連在一起并且連接點接在第一繼電器和第二繼電器之間；第一全控型半導體器件并聯在第一二極管上，第二全控型半導體器件并聯在第二二極管上；所述第三開關組為一個第四繼電器；所述微控制器通過驅動電路連接雙向開關組里所有繼電器和所有全控型半導體器件。

進一步，上述雙向開關組的第三種方案為：雙向開關組包括連接第一直流端口一極與第二直流端口一極的第二開關組和第三開關組；所述第二開關組包括第一繼電器和串聯在第一繼電器上的第二繼電器，所述第二開關組還包括第一二極管、第二二極管、第一全控型半導體器件以及第二全控型半導體器件；第一二極管并聯在第一繼電器上，第二二極管并聯在第二繼電器上，第一二極管的陽極和第二二極管的陽極連在一起并且連接點接在第一繼電器和第二繼電器之間；第一全控型半導體器件并聯在第一二極管上，第二全控型半導體器件并聯在第二二極管上；所述第三開關組為一個第四繼電器；所述微控制器通過驅動電路連接雙向開關組里所有繼電器和所有全控型半導體器件。

進一步，上述全控型半導體器件為igbt型。

進一步，上述全控型半導體器件為mosfet型。

進一步，上述全控型半導體器件為igct型。

本發(fā)明有如下的有益效果：

本發(fā)明通過設置第一直流端口和第二直流端口作為電路的接入口，采用雙向開關組來通斷電路；通過微控制器控制雙向開關組全控型半導體器件，繼電器的時序，并結合二極管的特性，在不使用帶滅弧功能的切斷裝置的條件下，能夠實現第一直流端口和第二直流端口雙向流通，能夠實現高壓大電流直流回路的雙向通斷，且通斷瞬間不拉弧，具有安全性高、效率高、成本低、應用范圍廣的特點，不僅可以滿足雙向高壓大電流系統的雙向切合要求，還可以滿足雙向低壓大電流系統的雙向切合要求；并實現物理隔離，從而實現雙向高壓直流系統的安全切斷并能保證切合裝置和高壓直流端口的安全，電路結構設置合理，生產成本低。

一極連線上兩個開關組，另一極一個開關組，這樣兩極均能雙向通斷，不僅可以應用在高壓大電流系統的雙向切合系統中，還可以應用在低壓大電流雙向切合系統中，是本發(fā)明能夠滿足不同的應用場景。

只有一極的連線上設置開關組，可以調整一極的狀態(tài)實現雙向切合，在保證電路安全和高效的前提下，節(jié)省了安裝空間，擴大了本發(fā)明的使用范圍。

全控型半導體器件根據本發(fā)明中實際使用情況，合理的選擇igbt型，或mosfet型，或igct型；電路更加安全、高效。

采用全控型半導體器件，通過微控制器控制全控型半導體器件以及繼電器的時序，控制直流系統中通路的通斷，且結合二極管實現通路的雙向通斷，通過該方案，利用全控型半導體器件的通斷來保證繼電器的通斷，提高了繼電器的使用率，且保證了繼電器通斷時的安全，此外，在正向通路導通或反向通路導通的情況下，相應的二極管起到防反作用，能夠防止能量的反向流動，保證電路的安全可靠，因此，提高了直流系統雙向通斷的效率和安全。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的第一種結構示意圖；

圖2為本發(fā)明的正向通斷時序圖；

圖3為本發(fā)明的正向導通通路的示意圖；

圖4為本發(fā)明的反向通斷時序圖；

圖5為本發(fā)明的反向導通通路的示意圖；

圖6為本發(fā)明的第一種結構的衍生結構示意圖；

圖7為本發(fā)明的第二種結構示意圖；

圖8為本發(fā)明的第二種結構的衍生結構示意圖；

圖9為本發(fā)明的第三種結構示意圖；

圖10為本發(fā)明的第三種結構的衍生結構示意圖。

其中：1為第一直流端口；2為第二直流端口；3為第一開關組；4為第二開關組；5為第三開關組；k1為第一全控型半導體器件；k2為第二全控型半導體器件；s1為第一繼電器；s2為第二繼電器；s3為第三繼電器；s4為第四繼電器；d1為第一二極管；d2為第二二極管；mcu為微控制器。

具體實施方式

為了使本技術領域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分的實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本發(fā)明保護的范圍。

需要說明的是，本發(fā)明的說明書和權利要求書及上述附圖中的術語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應該理解這樣使用的數據在適當情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實施例能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序實施。

下面結合附圖對本發(fā)明做進一步詳細描述：

參見圖1—10，一種應用于直流系統中的雙向通斷電路，包括微控制器mcu，第一直流端口1，第二直流端口2，以及連接并控制第一直流端口1與第二直流端口2雙向通斷的雙向開關組。本發(fā)明中，第一直流端口1和第二直流端口2的電壓可以為高壓，也可以為低壓。

雙向開關組包括連接第一直流端口1一極與第二直流端口2一極的第一開關組3，以及連接第一直流端口1另一極與第二直流端口2另一極的第二開關組4；第一開關組3為一個第三繼電器s3；第二開關組4包括第一繼電器s1和串聯在第一繼電器s1上的第二繼電器s2，第二開關組還包括第一二極管d1、第二二極管d2、第一全控型半導體器件k1以及第二全控型半導體器件k2；第一二極管d1并聯在第一繼電器s1上，第二二極管d2并聯在第二繼電器s2上，第一二極管d1的陽極和第二二極管d2的陽極連在一起并且連接點接在第一繼電器s1和第二繼電器s2之間；第一全控型半導體器件k1并聯在第一二極管d1上，第二全控型半導體器件k2并聯在第二二極管d2上；微控制器mcu通過驅動電路連接雙向開關組里所有繼電器和所有全控型半導體器件。

或者，雙向開關組包括連接第一直流端口1一極與第二直流端口2一極的第一開關組3，以及連接第一直流端口1另一極與第二直流端口2另一極的第二開關組4和第三開關組5；第一開關組3為一個第三繼電器s3；第二開關組4包括第一繼電器s1和串聯在第一繼電器s1上的第二繼電器s2，第二開關組4還包括第一二極管d1、第二二極管d2、第一全控型半導體器件k1以及第二全控型半導體器件k2，第一二極管d1并聯在第一繼電器s1上，第二二極管d2并聯在第二繼電器s2上，第一二極管d1的陽極和第二二極管d2的陽極連在一起并且連接點接在第一繼電器s1和第二繼電器s2之間；第一全控型半導體器件k1并聯在第一二極管d1上，第二全控型半導體器件k2并聯在第二二極管d2上；第三開關組5為一個第四繼電器s4；微控制器mcu通過驅動電路連接雙向開關組里所有繼電器和所有全控型半導體器件。

或者，雙向開關組包括連接第一直流端口1一極與第二直流端口2一極的第二開關組4和第三開關組5；第二開關組4包括第一繼電器s1和串聯在第一繼電器s1上的第二繼電器s2，第二開關組4還包括第一二極管d1、第二二極管d2、第一全控型半導體器件k1以及第二全控型半導體器件k2；第一二極管d1并聯在第一繼電器s1上，第二二極管d2并聯在第二繼電器s2上，第一二極管d1的陽極和第二二極管d2的陽極連在一起并且連接點接在第一繼電器s1和第二繼電器s2之間；第一全控型半導體器件k1并聯在第一二極管d1上，第二全控型半導體器件k2并聯在第二二極管d2上；第三開關組5為一個第四繼電器s4；微控制器mcu通過驅動電路連接雙向開關組里所有繼電器和所有全控型半導體器件。

以上全控型半導體器件為igbt型。全控型半導體器件或者為mosfet型。全控型半導體器件或者為igct型。

參見圖1電路，雙向開關組用于雙向通斷第一直流端口1和第二直流端口2正極和負極時，雙向開關組包括第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2、二極管d1、二極管d2以及第三繼電器s3；第一繼電器s1一端與第一直流端口1正極相連，另一端與第二繼電器s2一端相連，第二繼電器s2另一端與第二直流端口2正極相連；第一全控型半導體器件k1與二極管d1以及第一繼電器s1并聯，且第一全控型半導體器件k1一端與第一直流端口1正極相連，另一端與第二繼電器s2一端相連，且二極管d1陰極與第一直流端口1正極相連，陽極與第二繼電器s2一端相連；第二全控型半導體器件k2與二極管d2以及第二繼電器s2并聯，且第二全控型半導體器件k2一端與第二直流端口2正極相連，另一端與第一繼電器s1一端相連，且二極管d2陰極與第二直流端口2正極相連，陽極與第一繼電器s1一端相連；第一直流端口1負極經第三繼電器s3與第二直流端口2負極相連；第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2以及第三繼電器s3均由微控制器mcu控制其通斷。

電路為圖1所示結構，當第一直流端口1為輸入端口，第二直流端口2為輸出端口時，結合本發(fā)明的正向通斷時序圖2，來敘述本發(fā)明的工作情況：

當第一直流端口1和第二直流端口2之間的通路斷開時，第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2以及第三繼電器s3控制信號均置于低電平。

調整微控制器mcu的控制信號，來控制第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2以及第三繼電器s3的通斷狀態(tài)，最終控制第一直流端口1和第二直流端口2之間的電路的通斷狀態(tài)，其中，t0～t2表示本發(fā)明電路中開關器件的閉合過程，t3～t5表示本發(fā)明電路中開關器件的斷開過程。

1)t0～t1：第二繼電器s2控制信號維持為低電平，第二全控型半導體器件k2控制信號維持為低電平，第三繼電器s3控制信號置高電平，第三繼電器s3閉合，第一直流端口1負極和第二直流端口2負極連接，第三繼電器s3不承受高壓、大電流，不會出現打火或拉弧現象；

2)t1～t2：第二繼電器s2控制信號維持為低電平，第二全控型半導體器件k2控制信號維持為低電平，第三繼電器s3控制信號維持為高電平，第一全控型半導體器件k1控制信號置高電平，第一直流端口1正極與第二直流端口2正極通過第一代全控型半導體器件k1以及二極管d2連接。如圖3中通路1所示，此時第一全控型半導體器件k1承受高壓、電流，在這里第一全控型半導體器件選擇igbt型。第三繼電器s3不承受高壓、大電流，不會出現打火或拉弧現象；

3)t2～t3：第二繼電器s2控制信號維持為低電平，第二全控型半導體器件k2控制信號維持為低電平，第三繼電器s3控制信號維持為高電平，第一全控型半導體器件k1控制信號維持為高電平。第一繼電器s1控制信號置高電平，第一直流端口1正極與第二直流端口2正極通過第一繼電器s1以及二極管d2連接。如圖3中通路2所示，第一繼電器s1不承受高壓、大電流，不會出現打火或拉弧現象；

4)t3～t4：第二繼電器s2控制信號維持為低電平，第二全控型半導體器件k2控制信號維持為低電平，第三繼電器s3控制信號維持為高電平，第一全控型半導體器件k1控制信號維持為高電平。第一繼電器s1控制信號置低電平，第一繼電器s1斷開，第一繼電器s1不承受高壓、大電流，不會出現打火或拉弧現象；

5)t4～t5：第二繼電器s2控制信號維持為低電平，第二全控型半導體器件k2控制信號維持為低電平，第三繼電器s3控制信號維持為高電平，第一繼電器s1維持為低電平，第一全控型半導體器件k1控制信號置低電平；

6)t5～：第三繼電器s3控制信號置低電平，第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2、第三繼電器s3均斷開，第三繼電器s3不承受高壓、大電流，不會出現打火或拉弧現象。

電路為圖1所示結構，當第二直流端口2為輸入端口，第一直流端口1為輸出端口時，結合本發(fā)明的反向通斷時序圖4來敘述本發(fā)明的工作情況。

調整微控制器mcu的控制信號，來控制第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2以及第三繼電器s3的通斷狀態(tài)，進一步來控制第一直流端口1和第二直流端口2之間的電路的通斷狀態(tài)，其中，t0～t2表示本發(fā)明電路中開關器件的閉合過程，t3～t5表示本發(fā)明電路中開關器件的斷開過程。

1)t0～t1：第一繼電器s1控制信號維持為低電平，第一全控型半導體器件k1控制信號維持為低電平，第三繼電器s3控制信號置高電平，第三繼電器s3閉合，第二直流端口2負極和第一直流端口1負極連接，第三繼電器s3不承受高壓、大電流，不會出現打火或拉弧現象；

2)t1～t2：第一繼電器s1控制信號維持為低電平，第一全控型半導體器件k1控制信號維持為低電平，第三繼電器s3控制信號維持為高電平，第二全控型半導體器件k2控制信號置高電平，第二直流端口2正極與第一直流端口1正極通過第二全控型半導體器件k2以及二極管d1連接。如圖5中通路3所示，此時第二全控型半導體器件k2承受高壓、大電流，在這里第二全控型半導體器件k2選擇igbt型。第三繼電器s3不承受高壓、電流，不會出現打火或拉弧現象；

3)t2～t3：第一繼電器s1控制信號維持為低電平，第一全控型半導體器件k1控制信號維持為低電平，第三繼電器s3控制信號維持為高電平，第二全控型半導體器件k2控制信號維持高電平。第二繼電器s2控制信號置高電平，第二直流端口2正極與第一直流端口1正極通過第二繼電器s2和二極管d1連接。如圖5中通路4所示，第二繼電器s2不承受高壓、大電流，不會出現打火或拉弧現象；

4)t3～t4：第一繼電器s1控制信號維持為低電平，第一全控型半導體器件k1控制信號維持為低電平，第三繼電器s3控制信號維持為高電平，第二全控型半導體器件k2控制信號維持高電平。第二繼電器s2控制信號置低電平，第二繼電器s2斷開，第二繼電器s2不承受高壓、大電流，不會出現打火或拉弧現象；

5)t4～t5：第一繼電器s1控制信號維持為低電平，第一全控型半導體器件k1控制信號維持為低電平，第三繼電器s3控制信號維持為高電平，第二繼電器s2維持為低電平，第二全控型半導體器件k2控制信號置低電平；

6)t5～：第三繼電器s3控制信號置低電平，第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2、第三繼電器s3均斷開，第三繼電器s3不承受高壓、大電流，不會出現打火或拉弧現象。

以上只是本發(fā)明電路的一種實現方式，雙向直流通斷電路中，各個開關器件的互聯關系還有多種衍生電路。

參見圖6電路，雙向開關組用于雙向通斷第一直流端口1和第二直流端口2正極和負極時，雙向開關組包括第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2、二極管d1、二極管d2以及第三繼電器s3；第一直流端口1正極經第三繼電器s3與第二直流端口2正極相連；第一繼電器s1一端與第一直流端口1負極相連，另一端與第二繼電器s2一端相連，第二繼電器s2另一端與第二直流端口2負極相連；第一全控型半導體器件k1與二極管d1以及第一繼電器s1并聯，且第一全控型半導體器件k1一端與第一直流端口1負極相連，另一端與第二繼電器s2一端相連，且二極管d1陰極與第一直流端口1負極相連，陽極與第二繼電器s2一端相連；第二全控型半導體器件k2與二極管d2以及第二繼電器s2并聯，且第二全控型半導體器件k2一端與第二直流端口2負極相連，另一端與第一繼電器s1一端相連，且二極管d2陰極與第二直流端口2負極相連，陽極與第一繼電器s1一端相連；第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2以及第三繼電器s3均由微控制器mcu控制其通斷。

參見圖7電路，雙向開關組用于雙向通斷第一直流端口1和第二直流端口2正極和負極時，雙向開關組包括第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2、二極管d1、二極管d2、第三繼電器s3以及第四繼電器s4；第一繼電器s1一端與第一直流端口1正極相連，另一端與第二繼電器s2一端相連，第二繼電器s2另一端與第四繼電器s4一端相連，第四繼電器s4另一端與第二直流端口2正極相連；第一全控型半導體器件k1與二極管d1以及第一繼電器s1并聯，且第一全控型半導體器件k1一端與第一直流端口1正極相連，另一端與第二繼電器s2一端相連，且二極管d1陰極與第一直流端口1正極相連，陽極與第二繼電器s2一端相連；第二全控型半導體器件k2與二極管d2以及第二繼電器s2并聯，且第二全控型半導體器件k2一端與第四繼電器s4一端相連，另一端與第一繼電器s1一端相連，且二極管d2陰極與第四繼電器s4一端相連，陽極與第一繼電器s1一端相連；第二直流端口2負極經第三繼電器s3與第一直流端口1負極相連；第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2、第三繼電器s3以及第四繼電器s4均由微控制器mcu控制其通斷。

參見圖8電路，雙向開關組用于雙向通斷第一直流端口1和第二直流端口2正極和負極時，雙向開關組包括第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2、二極管d1、二極管d2、第三繼電器s3以及第四繼電器s4；第一直流端口1正極經第三繼電器s3與第二直流端口2正極相連；第一繼電器s1一端與第一直流端口1負極相連，另一端與第二繼電器s2一端相連，第二繼電器s2另一端與第四繼電器s4一端相連，第四繼電器s4另一端與第二直流端口2負極相連；第一全控型半導體器件k1與二極管d1以及第一繼電器s1并聯，且第一全控型半導體器件k1一端與第一直流端口1負極相連，另一端與第二繼電器s2一端相連，且二極管d1陰極與第一直流端口1負極相連，陽極與第二繼電器s2一端相連；第二全控型半導體器件k2與二極管d2以及第二繼電器s2并聯，且第二全控型半導體器件k2一端與第四繼電器s4一端相連，另一端與第一繼電器s1一端相連，且二極管d2陰極與第四繼電器s4一端相連，陽極與第一繼電器s1一端相連；第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2、第三繼電器s3以及第四繼電器s4均由微控制器mcu控制其通斷。

參見圖9電路，雙向開關組用于雙向通斷第一直流端口1正極和第二直流端口2正極時，雙向開關組包括第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2、二極管d1、二極管d2以及第四繼電器s4；第一繼電器s1一端與第一直流端口1正極相連，另一端與第二繼電器s2一端相連，第二繼電器s2另一端與第四繼電器s4一端相連，第四繼電器s4另一端與第二直流端口2正極相連；第一全控型半導體器件k1與二極管d1以及第一繼電器s1并聯，且第一全控型半導體器件k1一端與第一直流端口1正極相連，另一端與第二繼電器s2一端相連，且二極管d1陰極與第一直流端口1正極相連，陽極與第二繼電器s2一端相連；第二全控型半導體器件k2與二極管d2以及第二繼電器s2并聯，且第二全控型半導體器件k2一端與第四繼電器s4一端相連，另一端與第一繼電器s1一端相連，且二極管d2陰極與第四繼電器s4一端相連，陽極與第一繼電器s1一端相連；第二直流端口2負極與第一直流端口1負極相連；第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2以及第四繼電器s4均由微控制器mcu控制其通斷。

參見圖10電路，雙向開關組用于雙向通斷第一直流端口1負極和第二直流端口2負極時，雙向開關組包括第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2、二極管d1、二極管d2以及第四繼電器s4；第一直流端口1正極與第二直流端口2正極相連；第一繼電器s1一端與第一直流端口1負極相連，另一端與第二繼電器s2一端相連，第二繼電器s2另一端與第四繼電器s4一端相連，第四繼電器s4另一端與第二直流端口2負極相連；第一全控型半導體器件k1與二極管d1以及第一繼電器s1并聯，且第一全控型半導體器件k1一端與第一直流端口1負極相連，另一端與第二繼電器s2一端相連，且二極管d1陰極與第一直流端口1負極相連，陽極與第二繼電器s2一端相連；第二全控型半導體器件k2與二極管d2以及第二繼電器s2并聯，且第二全控型半導體器件k2一端與第四繼電器s4一端相連，另一端與第一繼電器s1一端相連，且二極管d2陰極與第四繼電器s4一端相連，陽極與第一繼電器s1一端相連；第一繼電器s1、第一全控型半導體器件k1、第二繼電器s2、第二全控型半導體器件k2以及第四繼電器s4均由微控制器mcu控制其通斷。

通過本發(fā)明上述實施例，可以實現雙向高壓大電流、高壓小電流及低壓大電流的雙向通斷。具體可以實現高壓直流單獨正極雙向切合、高壓直流單獨負極雙向切合或正負均雙向切合的功能。利用全控型半導體器件的通斷來保證繼電器的通斷，提高了繼電器的使用率，且保證了繼電器通斷時的安全，因此，提高了直流系統雙向通斷的效率和安全。