具有耐磨性和吸附性的相控陣楔塊的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于金屬檢測(cè)裝置，特別涉及一種具有耐磨性和吸附性的相控陣楔塊。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，相控陣技術(shù)在工程檢測(cè)時(shí)主要為人工手持相控陣楔塊進(jìn)行檢測(cè)，由于相控陣楔塊厚度較大，對(duì)檢測(cè)結(jié)果影響較大，由于楔塊的磨損不僅增加楔塊校準(zhǔn)的頻率，而且大大減小楔塊的使用壽命；并且在檢測(cè)受空間限制的部位時(shí)人工手持楔塊較為困難，可能會(huì)由于人工手持楔塊導(dǎo)致楔塊受力不均，導(dǎo)致耦合不好的現(xiàn)象。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種耐磨性好，自身具備吸附性的相控陣楔塊。
[0004]本實(shí)用新型的
[0005]一種具有耐磨性和吸附性的相控陣楔塊，其特征在于:由兩種材料拼接的高相控陣楔塊，其仰視為矩形，其側(cè)視為正方形，其主視為五邊形，此五邊形是一個(gè)矩形缺了左上角形成五邊形；在此高相控陣楔塊的底面四角處鑲嵌由帶弱磁性圓柱材料。
[0006]本實(shí)用新型有益效果:
[0007]將帶弱磁性圓柱材料鑲嵌在高相控陣楔塊四角處，并且保證弱磁性圓柱材料所在的位置不影響聲束的傳播，并且?guī)醮判詧A柱材料平行于高相控陣楔塊的底面，用來(lái)在確保耦合良好，使用該楔塊檢測(cè)時(shí)不僅可以增加楔塊自身的耐磨性，并且能保證該楔塊自身帶有吸附性(不銹鋼材料除外)確保楔塊能牢牢的吸附在被檢測(cè)表面。
[0008]高相控陣楔塊的耐磨性，提升工作效率和質(zhì)量，保證探頭與被撿物體表面的耦合性。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1.1:具有耐磨性和吸附性的相控陣楔塊主視圖。
[0010]圖1.2:具有耐磨性和吸附性的相控陣楔塊側(cè)視圖。
[0011]圖1.3:具有耐磨性和吸附性的相控陣楔塊仰視圖。
[0012]圖2.1弱磁性圓柱材料主視圖。
[0013]圖2.2:弱磁性圓柱材料側(cè)視圖。
[0014]圖中兩種材料拼接的高相控陣楔塊、2弱磁性圓柱。
【具體實(shí)施方式】
[0015]參見(jiàn)附圖1-2本實(shí)用新型涉及一種具有耐磨性和吸附性的相控陣楔塊，是由平面楔，弱磁性圓柱材料，組裝而成。
[0016]本具有耐磨性和吸附性的相控陣楔塊，包括有由高相控陣楔塊，帶弱磁性圓柱材料。
[0017]所述的由高相控陣楔塊為帶有鑲嵌弱磁性圓柱材料的小孔，且孔的位置不在相控陣聲束覆蓋范圍內(nèi)。
[0018]所述的帶弱磁性圓柱材料鑲嵌在高相控陣楔塊四角處，且可保證不會(huì)影響相控陣聲束的傳播。
[0019]將帶弱磁性圓柱材料鑲嵌在高相控陣楔塊四角處，并且保證弱磁性圓柱材料所在的位置不影響聲束的傳播，并且?guī)醮判詧A柱材料平行于高相控陣楔塊的底面，用來(lái)在確保耦合良好，使用該楔塊檢測(cè)時(shí)不僅可以增加楔塊自身的耐磨性，并且能保證該楔塊自身帶有吸附性(不銹鋼材料除外)確保楔塊能牢牢的吸附在被檢測(cè)表面。
[0020]帶弱磁性圓柱材料鑲嵌在高相控陣楔塊底面四角。所述的弱磁性圓柱材料所鑲嵌位置并不在相控陣聲束傳播路徑范圍內(nèi)。即可保證高相控陣楔塊穩(wěn)定的吸附在檢測(cè)表面，而且自身的耐磨性增加楔塊的耐磨性所述帶弱磁性圓柱材料平行于高相控陣楔塊的底面，用來(lái)在確保耦合良好；而且使高相控陣楔塊穩(wěn)定的吸附在被檢測(cè)表面。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有耐磨性和吸附性的相控陣楔塊，其特征在于:由兩種材料拼接的高相控陣楔塊，其仰視為矩形，其側(cè)視為正方形，其主視為五邊形，此五邊形是一個(gè)矩形缺了左上角形成五邊形；在此高相控陣楔塊的底面四角處鑲嵌由帶弱磁性圓柱材料。
【專利摘要】一種具有耐磨性和吸附性的相控陣楔塊，高相控陣楔塊，帶弱磁性圓柱材料，組裝而成。所述的帶弱磁性圓柱材料鑲嵌在高相控陣楔塊內(nèi)部。帶弱磁性性圓柱的材料不僅具備吸附性，并且具有耐磨的性質(zhì)，固定該材料的位置位于高相控陣楔塊底部的四角處，并且該材料的位置不影響相控陣聲束的傳播。本實(shí)用新型裝置能提高相控陣楔塊的耐磨性，提升工作效率和質(zhì)量，保證探頭與被撿物體表面的耦合性。
【IPC分類】G01N29-30
【公開(kāi)號(hào)】CN204314260
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420830449
【發(fā)明人】田旭海
【申請(qǐng)人】天津鼎安特金屬檢測(cè)科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月6日
【申請(qǐng)日】2014年12月24日