本發(fā)明涉及激光雷達(dá)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

激光雷達(dá)在方向性、穩(wěn)定性、分辨率和探測(cè)距離等諸多方面都有了巨大的進(jìn)步，其在軍事領(lǐng)域內(nèi)大發(fā)展的同時(shí)，也廣泛地進(jìn)入民生領(lǐng)域，如大氣探測(cè)、城市測(cè)繪、海洋探測(cè)、自主駕駛、機(jī)器人技術(shù)、激光電視、激光三維成像、工業(yè)機(jī)械人、gps定位等等。

當(dāng)前市場(chǎng)上大多數(shù)激光雷達(dá)均采用由離散的自由空間光學(xué)元件構(gòu)成，但是其結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積龐大、掃描范圍小且價(jià)格昂貴，正面臨小型化、安全化、網(wǎng)絡(luò)化、智能化等多項(xiàng)挑戰(zhàn)。

采用硅基光電子集成技術(shù)實(shí)現(xiàn)光控相控陣?yán)走_(dá)，是解決激光雷達(dá)面臨上述多項(xiàng)挑戰(zhàn)的有效途徑。圖1所示為目前芯片式激光雷達(dá)結(jié)構(gòu)示意圖，包括兩個(gè)光控相控陣，分別做發(fā)射(tx)和接收(rx)。但是圖1所示的芯片式激光雷達(dá)，其結(jié)構(gòu)中光損耗比較大，因此其探測(cè)距離比較近。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中探測(cè)距離近的問題。

為實(shí)現(xiàn)所述目的，本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案如下：

一種激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)，包括：

可調(diào)諧激光器，用于發(fā)出激光信號(hào)；

光控相控陣，用于向外發(fā)射所述激光信號(hào)，并接收外部返回的激光信號(hào)；

相干光探測(cè)器，用于接收所述激光信號(hào)和所述外部返回的激光信號(hào)；

至少一個(gè)光開關(guān)，用于控制激光信號(hào)的傳輸路徑；

控制電路，用于控制所述可調(diào)諧激光器、所述光控相控陣、所述相干光探測(cè)器及所述光開關(guān)工作。

優(yōu)選的，所述光開關(guān)為2×2的電光開關(guān)，在直通和交叉兩種狀態(tài)之間切換；

所述光開關(guān)第一端的兩個(gè)端口分別與所述可調(diào)諧激光器和所述相干光探測(cè)器的一個(gè)端口相連；

所述光開關(guān)第二端的兩個(gè)端口分別與所述光控相控陣和所述相干光探測(cè)器的另一個(gè)端口相連。

優(yōu)選的，所述光開關(guān)的兩端分別與所述可調(diào)諧激光器和所述光控相控陣相連；

所述可調(diào)諧激光器與所述光控相控陣分別與所述相干光探測(cè)器的兩個(gè)端口相連。

優(yōu)選的，所述光開關(guān)的個(gè)數(shù)為兩個(gè)，兩個(gè)光開關(guān)均為2×2的電光開關(guān)，在直通和交叉兩種狀態(tài)之間切換；

一個(gè)光開關(guān)第一端的一個(gè)端口與所述可調(diào)諧激光器相連，第二端的兩個(gè)端口分別與另一個(gè)光開關(guān)第一端一個(gè)端口和所述相干光探測(cè)器的一個(gè)端口相連；

另一個(gè)光開關(guān)第一端的另一個(gè)端口與所述相干光探測(cè)器的另一個(gè)端口相連，第二端的一個(gè)端口與所述光控相控陣相連。

優(yōu)選的，所述可調(diào)諧激光器包括：半導(dǎo)體光放大器和可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器；

所述半導(dǎo)體光放大器與所述可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器的一端相連；

所述可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器的另一端通過所述光開關(guān)與所述光控相控陣相連；

所述半導(dǎo)體光放大器和所述可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器均與所述控制電路相連。

優(yōu)選的，所述可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器包括相位控制器和多個(gè)微環(huán)諧振器。

優(yōu)選的，所述可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器、所述光開關(guān)、所述光控相控陣及所述相干光探測(cè)器集成于光電子芯片上；

所述半導(dǎo)體光放大器、所述控制電路及所述光電子芯片均設(shè)置于pcb上。

優(yōu)選的，還包括：另一個(gè)光控相控陣與另一個(gè)控制電路；

所述可調(diào)諧激光器通過所述光開關(guān)與一個(gè)光控相控陣相連，均受控于一個(gè)控制電路；

所述相干光探測(cè)器的一個(gè)端口與另一個(gè)光控相控陣相連，均受控于另一個(gè)控制電路；且所述相干光探測(cè)器的另一個(gè)端口與所述可調(diào)諧激光器相連。

本發(fā)明提供的所述激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)，通過可調(diào)諧激光器發(fā)出激光信號(hào)；通過光控相控陣向外發(fā)射所述激光信號(hào)，并接收外部返回的激光信號(hào)；由相干光探測(cè)器接收所述激光信號(hào)和所述外部返回的激光信號(hào)；通過至少一個(gè)光開關(guān)控制激光信號(hào)的傳輸路徑；并由控制電路控制所述可調(diào)諧激光器、所述光控相控陣、所述相干光探測(cè)器及所述光開關(guān)工作。其中的相干光探測(cè)器可以探測(cè)到非常弱的光信號(hào)，進(jìn)而使所述激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的探測(cè)距離相比現(xiàn)有技術(shù)大大加長(zhǎng)，提高了整個(gè)系統(tǒng)的探測(cè)靈敏度。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)內(nèi)的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述內(nèi)的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a是本發(fā)明實(shí)施例提供的激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2c是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4b是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4c是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4d是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4e是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6a是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6b是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6c是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7a是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的光開關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7b是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的光開關(guān)的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7c是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的光開關(guān)的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8a是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的相干光探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8b是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的相干光探測(cè)器的另一結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本申請(qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。

本發(fā)明提供一種激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中探測(cè)距離近的問題。

具體的，該激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)，參見圖2，包括：可調(diào)諧激光器101、光控相控陣102、相干光探測(cè)器103、控制電路及至少一個(gè)光開關(guān)104；其中：

可調(diào)諧激光器101用于發(fā)出激光信號(hào)；

光控相控陣102用于向外發(fā)射激光信號(hào)，并接收外部返回的激光信號(hào)；

相干光探測(cè)器103用于接收激光信號(hào)和外部返回的激光信號(hào)；

光開關(guān)104用于控制激光信號(hào)的傳輸路徑；

控制電路用于控制可調(diào)諧激光器101、光控相控陣102、相干光探測(cè)器103及光開關(guān)104工作。

根據(jù)光開關(guān)104的個(gè)數(shù)與連接關(guān)系的不同，該激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)可以包括多種不同的具體實(shí)現(xiàn)形式，如圖2a、圖2b及圖2c所示；其中：

圖2a所示，該激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中光開關(guān)104的個(gè)數(shù)為1，且為2×2的電光開關(guān)，在直通和交叉兩種狀態(tài)之間切換；

光開關(guān)104第一端的兩個(gè)端口分別與可調(diào)諧激光器101和相干光探測(cè)器103的一個(gè)端口相連；

光開關(guān)104第二端的兩個(gè)端口分別與光控相控陣102和相干光探測(cè)器103的另一個(gè)端口相連。

直通狀態(tài)如圖3a所示，此時(shí)可調(diào)諧激光器101與光控相控陣102直接相連，系統(tǒng)處于激光信號(hào)的發(fā)射狀態(tài)。交叉狀態(tài)如圖3b所示，此時(shí)可調(diào)諧激光器101與光控相控陣102均直接連接到相干光探測(cè)器103上，此時(shí)系統(tǒng)處于外部返回的激光信號(hào)的接收狀態(tài)。

圖2b所示，該激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中光開關(guān)104的個(gè)數(shù)為1，且兩端分別與可調(diào)諧激光器101和光控相控陣102相連；

可調(diào)諧激光器101與光控相控陣102分別與相干光探測(cè)器的兩個(gè)端口相連。

圖2c所示，該激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中光開關(guān)104的個(gè)數(shù)為2，且兩個(gè)光開關(guān)104均為2×2的電光開關(guān)，在直通和交叉兩種狀態(tài)之間切換；

一個(gè)光開關(guān)104第一端的一個(gè)端口與可調(diào)諧激光器101相連，第二端的兩個(gè)端口分別與另一個(gè)光開關(guān)104第一端一個(gè)端口和相干光探測(cè)器103的一個(gè)端口相連；

另一個(gè)光開關(guān)104第一端的另一個(gè)端口與相干光探測(cè)器103的另一個(gè)端口相連，第二端的一個(gè)端口與光控相控陣102相連。

本實(shí)施例提供的該激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)，無(wú)論采用上述何種具體實(shí)現(xiàn)形式，均可以通過可調(diào)諧激光器101發(fā)出激光信號(hào)；通過光控相控陣102向外發(fā)射激光信號(hào)，并接收外部返回的激光信號(hào)；由相干光探測(cè)器103接收激光信號(hào)和外部返回的激光信號(hào)；通過至少一個(gè)光開關(guān)104控制激光信號(hào)的傳輸路徑；并由控制電路控制可調(diào)諧激光器101、光控相控陣102、相干光探測(cè)器103及光開關(guān)104工作。其中的相干光探測(cè)器103可以探測(cè)到非常弱的光信號(hào)，進(jìn)而使該激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的探測(cè)距離相比現(xiàn)有技術(shù)大大加長(zhǎng)，提高了整個(gè)系統(tǒng)的探測(cè)靈敏度。

值得說(shuō)明的是，圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)中包括兩個(gè)光控相控陣，分別做發(fā)射(tx)和接收(rx)。而本實(shí)施例提供的該激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)，通過光開關(guān)104控制激光信號(hào)的傳輸路徑，使得光控相控陣102既能夠接收可調(diào)諧激光器101的激光信號(hào)向外發(fā)射，還能夠接收外部返回的激光信號(hào)發(fā)送給相干光探測(cè)器103，進(jìn)而使得該激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的激光發(fā)射部分和接收部分相比現(xiàn)有技術(shù)成本降低、結(jié)構(gòu)更緊湊。

本發(fā)明另一實(shí)施例還提供了一種具體的激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)，在上述實(shí)施例及圖2和圖3的基礎(chǔ)之上，參見圖4a，可調(diào)諧激光器101包括：半導(dǎo)體光放大器111和可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器112；

半導(dǎo)體光放大器111與可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器112的一端相連；

可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器112的另一端通過光開關(guān)104與光控相控陣102相連；

半導(dǎo)體光放大器111和可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器112均與控制電路相連。

優(yōu)選的，參見圖5，可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器112、光開關(guān)104、光控相控陣102及相干光探測(cè)器103集成于光電子芯片上；

半導(dǎo)體光放大器111、控制電路及該光電子芯片均設(shè)置于pcb(printedcircuitboard，印刷電路板)上。

優(yōu)選的，可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器112包括相位控制器和多個(gè)微環(huán)諧振器。具體可以采用圖6a、圖6b及圖6c所示的實(shí)現(xiàn)形式。

如圖6a所示，可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器112由兩個(gè)可調(diào)諧微環(huán)201、202，兩個(gè)光柵耦合器203、204，光全反射環(huán)205以及光電探測(cè)器206組成；半導(dǎo)體光放大器111與可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器112的入射波導(dǎo)(圖6a箭頭所示)直接耦合或通過光纖耦合，光經(jīng)過第一個(gè)可調(diào)諧微環(huán)201后，直通波導(dǎo)將作為下一級(jí)器件的入射光波導(dǎo)，下載波導(dǎo)經(jīng)過第二個(gè)可調(diào)諧微環(huán)202，直通波導(dǎo)與光柵耦合器203相連，該光柵耦合器203用于監(jiān)測(cè)可調(diào)諧激光器101的光譜。第二個(gè)可調(diào)諧微環(huán)202的下載波導(dǎo)直接與光全反射環(huán)205相連，將該波導(dǎo)中的光原路反射回去。反射的光在經(jīng)過可調(diào)諧微環(huán)202后，直通波導(dǎo)進(jìn)入光電探測(cè)器206，用以監(jiān)測(cè)可調(diào)諧激光器101的功率。反射光在經(jīng)過可調(diào)諧微環(huán)202的下載波導(dǎo)后，經(jīng)過第一個(gè)可調(diào)諧微環(huán)201，直通波導(dǎo)進(jìn)入光柵耦合器204，用以監(jiān)測(cè)反射光譜，下載波導(dǎo)經(jīng)過可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器112的入射波導(dǎo)返回光放大器111。其中可調(diào)諧微環(huán)201和202由波導(dǎo)和波導(dǎo)的相位控制部分組成，相位的控制部分可以是熱光控制或電光控制，或載流子色散控制，此處不做限定，可以視其具體應(yīng)用環(huán)境而定。

或者，參見圖6b及圖6c，半導(dǎo)體光放大器111與可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器112的入射波導(dǎo)(圖6b和6c箭頭所示)直接耦合或通過光纖耦合，光波導(dǎo)的光通過兩個(gè)微環(huán)諧振器201與202的耦合，一部分反射回入射波導(dǎo)，另一部分進(jìn)入下一級(jí)器件。

可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器112的具體實(shí)現(xiàn)形式可以視其應(yīng)用環(huán)境而定，此處不做限定，均在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍內(nèi)。

另外，光開關(guān)104的具體實(shí)現(xiàn)形式可以為圖7a所示的兩個(gè)定向耦合器組成的mzi結(jié)構(gòu)，也可以為圖7b及圖7c所示的微環(huán)結(jié)構(gòu)，此處不做具體限定，視其具體應(yīng)用環(huán)境而定，均在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍內(nèi)。

相干光探測(cè)器103的具體實(shí)現(xiàn)形式可以為圖8a所示的90°混合型相干光探測(cè)器，也可以為圖8b所示的定向耦合器型相干光探測(cè)器構(gòu)成，此處也不做具體限定，視其具體應(yīng)用環(huán)境而定，均在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍內(nèi)。

在具體的實(shí)際應(yīng)用中，可以應(yīng)用cmos工藝將可調(diào)諧波長(zhǎng)反射器112、光開關(guān)104、光控相控陣102及相干光探測(cè)器103集成于硅基芯片上；以頂層硅為220nm的soi晶片，熱光效應(yīng)做相位控制器，鍺作為光電探測(cè)器為例進(jìn)行說(shuō)明，其具體的制作過程為：

利用光刻技術(shù)或電子束曝光技術(shù)，制作出光柵結(jié)構(gòu)的光刻膠掩模，并在soi的頂硅上刻蝕70nm深的硅。

在soi上沉積30nm的sio2作為光刻的掩模層，利用光刻技術(shù)或電子束曝光技術(shù)，在掩模層上制作出波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的圖案，該波導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括所需要的微環(huán)結(jié)構(gòu)、mzi結(jié)構(gòu)、定向耦合器結(jié)構(gòu)、星型耦合器等等。并在soi的頂硅上刻蝕100nm深的硅。

利用光刻技術(shù)或電子束曝光技術(shù)，制作出脊型波導(dǎo)的光刻膠掩模，在soi的頂硅上刻蝕120nm深到sio2介質(zhì)層。此時(shí)除彎曲波導(dǎo)為矩形波導(dǎo)以外，其他波導(dǎo)部分為脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。

在p型硅和n型硅的區(qū)域分別做離子摻雜，退火活化摻雜離子。

沉積～100nm厚的sio2，在需要做鍺外延生長(zhǎng)的區(qū)域刻蝕出生長(zhǎng)窗口，清洗后做鍺的外延生長(zhǎng)。

在p型鍺和n型鍺的區(qū)域分別做離子摻雜，退火活化摻雜離子。清洗晶片表面，去除硅和鍺上面的sio2。

沉積～600nm厚的sio2，刻蝕出金屬與硅、鍺連接的連接孔。

沉積25nmtan/750nmal/25nmtan，并刻蝕，制作出第一層金屬電極。

沉積～1.5μm厚的sio2，做化學(xué)機(jī)械拋光，使表面平滑。

沉積100nm厚的al作為微加熱器的擴(kuò)展層?？涛g出微加熱器的擴(kuò)展層結(jié)構(gòu)，沉積200nm的sio2。

沉積120～150nm厚的tin作為微加熱器的材料，再沉積30nm的sin，并刻蝕出條形結(jié)構(gòu)，使tin成為微加熱絲。沉積500nm厚的sio2。

刻蝕第二層金屬與微加熱絲，第二層金屬與第一層金屬電極的連接孔，沉積50nmtan/2μmal。沉積300nmsio2和300nmsin，刻蝕出用于鍵合的窗口。

本實(shí)施例提供的該激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)，除了半導(dǎo)體光放大器111和控制電路部分以外，其他部分都可以用cmos工藝加工集成于光電子芯片上，因此芯片的耦合封裝更容易，集成度高、體積小、性能穩(wěn)定、可批量生產(chǎn)、成本低；滿足小型化和低成本的要求。另外，利用硅基光電子集成技術(shù)開發(fā)的工作在～1.55μm波長(zhǎng)附近的大量光通信器件，可以方便地與光纖網(wǎng)絡(luò)連接，實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)化，而且這個(gè)波段也正是人眼的安全波段，安全性能好。再者，硅基光電子集成技術(shù)與集成電路技術(shù)完全兼容，可以在集成光電子器件的同時(shí)，完成電子控制電路和邏輯電路的制作，容易實(shí)現(xiàn)與智能化控制電路的集成，為在芯片上實(shí)現(xiàn)智能化控制提供方便條件。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)之上，可以得到該激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)可以如圖4a、圖4b及圖4c所示。

本發(fā)明另一實(shí)施例還提供了另外一種激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)之上，參見圖4d，該激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)還包括：另一個(gè)光控相控陣與另一個(gè)控制電路；

可調(diào)諧激光器通過光開關(guān)與一個(gè)光控相控陣相連，均受控于一個(gè)控制電路；

相干光探測(cè)器的一個(gè)端口與另一個(gè)光控相控陣相連，均受控于另一個(gè)控制電路；且相干光探測(cè)器的另一個(gè)端口與可調(diào)諧激光器相連。

在具體的實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)應(yīng)用環(huán)境對(duì)該激光雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)置，此處不做具體限定，均在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍內(nèi)。

具體的工作原理與上述實(shí)施例相同，此處不再一一贅述。

本發(fā)明中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對(duì)于實(shí)施例公開的裝置而言，由于其與實(shí)施例公開的方法相對(duì)應(yīng)，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見方法部分說(shuō)明即可。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。