1.一種基于人工智能的晶體振蕩器質(zhì)量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，包括時(shí)間劃分區(qū)域模塊、頻率穩(wěn)定參數(shù)獲取模塊、頻率穩(wěn)定數(shù)據(jù)分析模塊、敏感程率參數(shù)獲取模塊、敏感程率數(shù)據(jù)分析模塊、環(huán)境穩(wěn)定參數(shù)獲取模塊、環(huán)境穩(wěn)定數(shù)據(jù)分析模塊、綜合評(píng)價(jià)模塊，其特征在于：
2.所述頻率穩(wěn)定數(shù)據(jù)分析模塊用于建立晶體振蕩器頻率穩(wěn)定數(shù)據(jù)分析模型，將頻率穩(wěn)定參數(shù)采集模塊傳輸?shù)木w振蕩器頻率數(shù)據(jù)導(dǎo)入晶體振蕩器頻率數(shù)據(jù)分析模型，計(jì)算出頻率穩(wěn)定評(píng)價(jià)系數(shù)，并將分析結(jié)果傳輸?shù)骄C合分析模塊。
3.所述敏感程度參數(shù)獲取模塊用于采集晶體振蕩器的各子時(shí)間區(qū)域的負(fù)載電容數(shù)據(jù)和靈敏度數(shù)據(jù)，并將采集到的數(shù)據(jù)傳輸?shù)矫舾谐潭葦?shù)據(jù)分析模塊。
4.所述敏感程度數(shù)據(jù)分析模塊用于對(duì)敏感程度參數(shù)獲取模塊傳輸?shù)臄?shù)據(jù)分析，計(jì)算出敏感程度評(píng)價(jià)系數(shù)，并將分析結(jié)果傳輸?shù)骄C合分析模塊。
5.所述環(huán)境穩(wěn)定參數(shù)獲取模塊用于采集各子時(shí)間區(qū)域的晶體振蕩器內(nèi)部溫度數(shù)據(jù)，并將采集到的數(shù)據(jù)傳輸?shù)江h(huán)境穩(wěn)定數(shù)據(jù)分析模塊。
6.所述環(huán)境穩(wěn)定數(shù)據(jù)分析模塊用于建立環(huán)境穩(wěn)定數(shù)據(jù)分析模型，將環(huán)境穩(wěn)定參數(shù)獲取模塊傳輸?shù)臄?shù)據(jù)分析，計(jì)算出環(huán)境穩(wěn)定評(píng)價(jià)系數(shù)，并將分析結(jié)果傳輸?shù)骄C合分析模塊。
7.所述綜合分析模塊用于建立綜合分析模型，將頻率穩(wěn)定數(shù)據(jù)分析模塊、敏感程度數(shù)據(jù)分析模塊和環(huán)境穩(wěn)定數(shù)據(jù)分析模塊傳輸?shù)臄?shù)據(jù)導(dǎo)入綜合分析模型中，計(jì)算出目標(biāo)時(shí)間區(qū)域的綜合評(píng)價(jià)系數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于人工智能的晶體振蕩器質(zhì)量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于：所述頻率穩(wěn)定參數(shù)獲取模塊中使用萬用表、外加電路、示波器等采集參數(shù)，首先采集的是晶體振蕩器開始工作時(shí)的頻率，將此時(shí)的時(shí)間設(shè)為t0，此時(shí)晶體振蕩器的頻率表示為α0，其次采集晶體振蕩器一段時(shí)間后的頻率，將此時(shí)的時(shí)間設(shè)為ti，此時(shí)晶體振蕩器的頻率表示為αi；晶體振蕩器起振時(shí)的電容值表示為c，電感值表示為l。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于人工智能的晶體振蕩器質(zhì)量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于：所述頻率穩(wěn)定數(shù)據(jù)分析模塊中，頻率穩(wěn)定評(píng)價(jià)系數(shù)包括頻率偏移率和電抗穩(wěn)定率；將頻率穩(wěn)定參數(shù)采集模塊中從t0到ti時(shí)間內(nèi)的頻率偏移范圍設(shè)為a=（α0，αi），將晶體振蕩器預(yù)設(shè)的從t0到ti時(shí)間內(nèi)的頻率偏移范圍設(shè)為b=（β0，βi），此時(shí)晶體振蕩器的頻率偏移取a∩b，若a∩b=，則頻率偏移率為y=100%，若a∩b=（αi‘，βi’），則頻率偏移率為，若a∩b=（α0，αi），此時(shí)偏移范圍在預(yù)設(shè)偏移范圍之內(nèi)，則偏移率為y=0，若a∩b=（β0，βi），此時(shí)預(yù)設(shè)偏移范圍在偏移范圍之內(nèi)，則偏移率為；將頻率穩(wěn)定參數(shù)采集模塊中的電容值和電感值以及電抗公式得到電抗值，再將電抗值導(dǎo)入電抗穩(wěn)定率分析模型中，得到電抗穩(wěn)定率，其分析公式具體表示為，其中xi表示第i個(gè)子時(shí)間區(qū)域的電抗值，表示電抗允許的誤差值，將晶體振蕩器的頻率偏移度和電抗穩(wěn)定度導(dǎo)入頻率穩(wěn)定評(píng)價(jià)系數(shù)分析模型中，計(jì)算出第i個(gè)子時(shí)間區(qū)域的頻率穩(wěn)定分析系數(shù)，具體表示為，其中λ1和λ2分別表示頻率穩(wěn)定度和電抗穩(wěn)定度的影響因子，表示在不同情況下選擇的不同偏移率。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于人工智能的晶體振蕩器質(zhì)量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于：所述敏感程度參數(shù)獲取模塊中，敏感程度參數(shù)包括負(fù)載電容和靈敏度數(shù)據(jù)，負(fù)載電容反映了晶體振蕩器對(duì)外部電容的敏感程度，負(fù)載電容越小，說明晶體振蕩器對(duì)外部元件的容抗要求越低，更容易與外部電路匹配，靈敏度數(shù)據(jù)包括起振頻率和重力加速度，所得負(fù)載電容表示為ci，所得起振頻率表示為fi，重力加速度表示為gi，i表示第i個(gè)子時(shí)間區(qū)域。。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于人工智能的晶體振蕩器質(zhì)量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于：所述敏感程度數(shù)據(jù)分析單元用于建立敏感程度數(shù)據(jù)分析模型，將敏感程度參數(shù)采集模塊傳輸?shù)呢?fù)載電容數(shù)據(jù)和頻率數(shù)據(jù)導(dǎo)入敏感程度分析模型，計(jì)算出各子時(shí)間區(qū)域的敏感程度評(píng)價(jià)系數(shù)，敏感程度評(píng)價(jià)系數(shù)包括容抗敏感度和靈敏度，容抗敏感度具體表示為,其中表示第i個(gè)子時(shí)間區(qū)域所測(cè)得電容值的容抗，表示第i個(gè)子時(shí)間區(qū)域的容抗敏感度，靈敏度具體表示為，將晶體振蕩器的容抗敏感度和靈敏度導(dǎo)入敏感程度評(píng)價(jià)系數(shù)分析模型中，計(jì)算出第i個(gè)子時(shí)間區(qū)域的敏感程度分析系數(shù)，具體表示為，其中λ3和λ4分別表示容抗敏感度和靈敏度的影響因子。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于人工智能的晶體振蕩器質(zhì)量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于：所述環(huán)境穩(wěn)定評(píng)價(jià)系數(shù)包括溫度波動(dòng)度和損耗度，溫度波動(dòng)度具體表示為，其中qi表示第i個(gè)子時(shí)間區(qū)域晶體振蕩器的內(nèi)部溫度，表示第i個(gè)子時(shí)間區(qū)域晶體振蕩器的溫度波動(dòng)度，δt表示單位時(shí)間；損耗度具體表示為，其中t下限和t上限分別表示為晶體振蕩器在工作時(shí)最適宜的下限溫度和上限溫度，t低和t高分別表示晶體振蕩器工作時(shí)外部平均最低溫度和平均最高溫度，當(dāng)晶體振蕩器在工作時(shí)最適宜的溫度與外部平均溫度差異較大時(shí)，晶體振蕩器的損耗度就越大；將溫度波動(dòng)度和損耗度導(dǎo)入環(huán)境穩(wěn)定評(píng)價(jià)系數(shù)的分析模型中，得到環(huán)境穩(wěn)定評(píng)價(jià)系數(shù)，其具體分析公式為，其中λ5表示環(huán)境穩(wěn)定的影響因子。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于人工智能的晶體振蕩器質(zhì)量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于：所述晶體振蕩器在頻率穩(wěn)定維度、敏感程度維度和環(huán)境穩(wěn)定維度的評(píng)價(jià)系數(shù)同級(jí)晶體振蕩器對(duì)應(yīng)的綜合評(píng)價(jià)系數(shù)，其分析公式表示為，其中z表示為晶體振蕩器綜合評(píng)價(jià)系數(shù)，a、b、c分別表示為頻率穩(wěn)定維度、敏感程度維度、環(huán)境穩(wěn)定維度對(duì)應(yīng)的權(quán)重系數(shù)，且a+b+c=1。