本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，且特別涉及一種晶圓背面缺陷檢查裝置。

背景技術(shù)：

在集成電路制造過(guò)程中，對(duì)于晶圓的檢查非常普遍，也十分重要。通過(guò)對(duì)晶圓的檢查能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)集成電路制造工藝中可能存在的問(wèn)題，從而可以盡快加以解決，盡量防止集成電路制造工藝中的缺漏對(duì)于集成電路產(chǎn)品的影響；此外，通過(guò)對(duì)晶圓的檢查也能夠防止缺陷產(chǎn)品流入市場(chǎng)，保證了產(chǎn)品質(zhì)量。

在現(xiàn)有技術(shù)中，在半導(dǎo)體器件制作過(guò)程中，需要對(duì)晶圓進(jìn)行外觀檢查，以檢出具有明顯外觀缺陷，從而會(huì)影響半導(dǎo)體器件質(zhì)量的晶圓。其中，所述外觀缺陷包括破損、裂紋、劃痕、附著物或者污染等，其常規(guī)檢查設(shè)備均配置有晶圓片正面的宏觀目測(cè)檢查和顯微鏡微觀檢查功能。隨著集成電路集成度的提高和線寬的縮小，晶圓片的背面狀況對(duì)成品率產(chǎn)生了較大的影響，客戶也提出晶圓背面質(zhì)檢的要求，從而更加清楚、準(zhǔn)確的判斷出晶圓的質(zhì)量以及相應(yīng)集成電路制造工藝的可靠性，因此必須建立晶圓片背面檢查裝置。

請(qǐng)參考圖1，現(xiàn)有技術(shù)中采用僅設(shè)置有正面檢測(cè)組件10的宏觀缺陷檢測(cè)裝置，然而所述正面檢測(cè)組件10的吸片裝置阻擋了接近50％的晶圓背面面積，同時(shí)晶圓背面的最大傾角也小于75度，使得操作人員難以清晰的觀察晶圓背面缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提出一種晶圓背面缺陷檢查裝置，能夠有效對(duì)晶圓背面的缺陷進(jìn)行檢查。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提出一種晶圓背面缺陷檢查裝置，包括：

基座；

第一檢測(cè)組件，設(shè)置于所述基座上，用于檢查晶圓正面缺陷；

第二檢測(cè)組件，設(shè)置于所述基座上，并通過(guò)多個(gè)夾持裝置固定晶圓。

進(jìn)一步的，所述第二檢測(cè)組件包括3個(gè)夾持裝置，用于固定晶圓。

進(jìn)一步的，所述第二檢測(cè)組件的夾持裝置為吸盤，用于吸附晶圓。

進(jìn)一步的，所述第二檢測(cè)組件的夾持裝置固定所述晶圓邊緣部分。

進(jìn)一步的，所述第二檢測(cè)組件控制晶圓背面的最大傾角大于130度。

本實(shí)用新型提出的晶圓背面缺陷檢查裝置，通過(guò)增設(shè)的第二檢測(cè)組件從側(cè)邊吸附晶圓邊緣，避免了直接吸附晶圓背面造成待檢查區(qū)域被遮擋的情況發(fā)生，對(duì)于晶圓背面缺陷的檢查影響降低到最小，同時(shí)可控制晶圓背面的最大傾角，使得目視觀察更加清晰。

附圖說(shuō)明

圖1所示為僅設(shè)置有正面檢測(cè)組件的宏觀缺陷檢測(cè)裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2所示為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的晶圓背面缺陷檢查裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖給出本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型不限于以下的實(shí)施方式。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用于方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。

請(qǐng)參考圖2，圖2所示為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的晶圓背面缺陷檢查裝置結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)用新型提出一種晶圓背面缺陷檢查裝置，包括：基座100；第一檢測(cè)組件200，設(shè)置于所述基座100上，用于檢查晶圓正面缺陷；第二檢測(cè)組件300，設(shè)置于所述基座100上，并通過(guò)多個(gè)夾持裝置400固定晶圓。

根據(jù)本實(shí)用新型較佳實(shí)施例，所述第二檢測(cè)組件300包括3個(gè)夾持裝置400，用于固定晶圓，所述第二檢測(cè)組件300的夾持裝置400為吸盤，用于吸附晶圓，所述第二檢測(cè)組件300的夾持裝置400固定所述晶圓邊緣部分，第二檢測(cè)組件300位于晶圓邊緣外側(cè)，而夾持裝置400只占用晶圓邊緣很少的面積，幾乎不會(huì)對(duì)晶圓正面和背面產(chǎn)生遮擋，使得缺陷檢查時(shí)更加清晰。

進(jìn)一步的，所述第二檢測(cè)組件控制晶圓背面的最大傾角大于130度，使得使用時(shí)具有更大的角度對(duì)晶圓背面進(jìn)行全面檢查。

綜上所述，本實(shí)用新型提出的晶圓背面缺陷檢查裝置，通過(guò)增設(shè)的第二檢測(cè)組件從側(cè)邊吸附晶圓邊緣，避免了直接吸附晶圓背面造成待檢查區(qū)域被遮擋的情況發(fā)生，對(duì)于晶圓背面缺陷的檢查影響降低到最小，同時(shí)可控制晶圓背面的最大傾角，使得目視觀察更加清晰。

雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型。本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。