本發(fā)明創(chuàng)造涉及芯片測(cè)試設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種帶限位結(jié)構(gòu)的芯片測(cè)試裝置。

背景技術(shù)：

芯片封裝不但為芯片提供隔離周圍環(huán)境的保護(hù)，更進(jìn)一步為芯片提供一個(gè)連接界面。芯片的封裝方式比較常見的有以下三種方式：QFN、BGA和LQFP。封裝后的芯片需要用Handler（處理器）來對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試，同種型號(hào)的Handler（處理器）可以測(cè)試不同封裝形式的芯片，測(cè)試完之后，處理器的機(jī)械手抓取移離芯片。然而不同的方式封裝的芯片，其厚度存在較大的差異，如使用相同處理器來測(cè)試不同封裝芯片，釋放芯片時(shí)，由于芯片被釋放的位置過低，有可能導(dǎo)致芯片無法釋放下來，或者釋放芯片又把芯片帶飛，影響芯片質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述技術(shù)問題，本發(fā)明創(chuàng)造提供一種帶限位結(jié)構(gòu)的芯片測(cè)試裝置，其能夠保障芯片釋放的位置高度，防止芯片無法釋放，防止芯片釋放后被帶飛。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明創(chuàng)造提供以下技術(shù)方案。

一種帶限位結(jié)構(gòu)的芯片測(cè)試裝置，包括底板和用于抓取或釋放芯片的機(jī)械手，所述機(jī)械手位于所述底板的上方，所述底板設(shè)置有用于保障機(jī)械手釋放芯片時(shí)，芯片距離底板的高度大于3mm的限位結(jié)構(gòu)。

其中，每個(gè)限位結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)左右設(shè)置的限位柱，兩個(gè)限位柱之間留有用于釋放芯片的空間，每個(gè)限位柱包括同軸設(shè)置的圓柱本體和圓柱凸起，所述圓柱凸起固定在所述圓柱本體的頂面，且圓柱凸起的直徑小于圓柱本體的直徑。

其中，該測(cè)試裝置包含兩個(gè)限位結(jié)構(gòu)，所述底板為矩形的底板，兩個(gè)限位結(jié)構(gòu)左右排布于所述底板。

其中，所述限位結(jié)構(gòu)的整體高度為11~13mm，所述圓柱本體的高度為8~10mm。

優(yōu)選的，所述限位結(jié)構(gòu)的整體高度為11mm，所述圓柱本體的高度為8mm。

其中，所述限位結(jié)構(gòu)為鋁材質(zhì)的限位結(jié)構(gòu)。

有益效果

本發(fā)明創(chuàng)造的一種帶限位結(jié)構(gòu)的芯片測(cè)試裝置，其結(jié)構(gòu)包括底板和用于抓取或釋放芯片的機(jī)械手，機(jī)械手位于底板的上方，底板設(shè)置有用于保障機(jī)械手釋放芯片時(shí)，芯片距離底板的高度大于3mm的限位結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的芯片測(cè)試裝置，由于設(shè)置了限位結(jié)構(gòu)，機(jī)械手釋放芯片時(shí)，限位結(jié)構(gòu)限制機(jī)械手下行的位置，從而保障機(jī)械手釋放芯片時(shí)，芯片距離底板的高度大于3毫米，進(jìn)而避免了芯片釋放高度過低而無法釋放，也避免了芯片釋放后被帶飛。

附圖說明

圖1為本發(fā)明創(chuàng)造的一種帶限位結(jié)構(gòu)的芯片測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明創(chuàng)造的一種帶限位結(jié)構(gòu)的芯片測(cè)試裝置的另一角度的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記包括：

底板1；

限位柱2；

圓柱本體21；

圓柱凸起22。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明創(chuàng)造作詳細(xì)說明。

本實(shí)施例的一種帶限位結(jié)構(gòu)的芯片測(cè)試裝置，如圖1和圖2所示，其結(jié)構(gòu)包括底板1和用于抓取或釋放芯片的機(jī)械手（圖中沒示出），機(jī)械手位于底板1的上方，底板1設(shè)置有用于保障機(jī)械手釋放芯片時(shí)，芯片距離底板1的放置芯片的槽底的高度大于3mm的限位結(jié)構(gòu)，限位結(jié)構(gòu)為容易加工的鋁材質(zhì)的限位結(jié)構(gòu)，每個(gè)限位結(jié)構(gòu)由兩個(gè)左右設(shè)置的限位柱2組成，兩個(gè)限位柱2之間留有用于釋放芯片的空間，兩個(gè)限位柱2同時(shí)作用于機(jī)械手進(jìn)行限位，比較穩(wěn)定。每個(gè)限位柱2包括同軸設(shè)置的圓柱本體21和圓柱凸起22，圓柱凸起22固定在圓柱本體21的頂面，且圓柱凸起22的直徑小于圓柱本體21的直徑。圓柱凸起22的頂面和圓柱本體21的頂面不被圓柱凸起22覆蓋之處均可以作為限位受力點(diǎn)，可根據(jù)實(shí)際情況選擇。其中，該測(cè)試裝置包含兩個(gè)限位結(jié)構(gòu)，底板1為矩形的底板1，兩個(gè)限位結(jié)構(gòu)左右排布于底板1。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的芯片測(cè)試裝置，由于設(shè)置了限位結(jié)構(gòu)，機(jī)械手釋放芯片時(shí)，限位結(jié)構(gòu)限制機(jī)械手下行的位置，從而保障機(jī)械手釋放芯片時(shí)，芯片距離底板1的高度大于3毫米，進(jìn)而避免了芯片釋放高度過低而無法釋放，也避免了芯片釋放后被帶飛。

本實(shí)施例中，限位結(jié)構(gòu)的整體高度為11mm，當(dāng)然，限位結(jié)構(gòu)的整體高度可以在11~13mm范圍自由選擇；圓柱本體21的高度為8mm，圓柱本體21的高度亦可以在8~10mm范圍內(nèi)選擇設(shè)置。

最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明創(chuàng)造的技術(shù)方案，而非對(duì)本發(fā)明創(chuàng)造保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明創(chuàng)造作了詳細(xì)地說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明創(chuàng)造的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明創(chuàng)造技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。