技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種IGBT模塊內(nèi)部芯片結(jié)溫測(cè)試方法，該測(cè)試方法為：首先將IGBT芯片焊接在覆銅的陶瓷基板上，然后在IGBT芯片旁設(shè)定距離處焊接一個(gè)二極管芯片，二極管芯片的上表面是陽極，下表面是陰極；通過鋁線鍵合方式，將二極管芯片的兩個(gè)電極引出到陶瓷基板的覆銅層上，然后覆銅層再通過鋁線鍵合方式引出到外接的二極管芯片陽極端子和陰極端子上；通過測(cè)量電路獲得所述二極管芯片陽極端子和陰極端子之間的管壓降，根據(jù)二極管的正向?qū)▔航抵岛蜏囟鹊木€性關(guān)系計(jì)算出二極管芯片的溫度，進(jìn)而表征所述IGBT芯片的溫度。本方法中由于二極管芯片非?？拷麵GBT芯片，溫度的反饋會(huì)更精準(zhǔn)快速，避免了IGBT模塊由于瞬間溫升情況而引起的失效情況的發(fā)生。

技術(shù)研發(fā)人員：王志超;盧小東;徐妙玲;季莎;崔志勇;胡羽中
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司
文檔號(hào)碼：201611050121
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.21
技術(shù)公布日：2017.05.31