1.一種IGBT模塊內(nèi)部芯片結(jié)溫測(cè)試方法，其特征在于，所述測(cè)試方法為：首先將IGBT芯片焊接在覆銅的陶瓷基板上，然后在IGBT芯片旁設(shè)定距離處焊接一個(gè)二極管芯片，所述二極管芯片的上表面是陽極，下表面是陰極；通過鋁線鍵合方式，將所述二極管芯片的兩個(gè)電極引出到所述陶瓷基板的覆銅層上，然后覆銅層再通過鋁線鍵合方式引出到外接的二極管芯片陽極端子和陰極端子上；通過測(cè)量電路獲得所述二極管芯片陽極端子和陰極端子之間的管壓降，根據(jù)二極管的正向?qū)▔航抵岛蜏囟鹊木€性關(guān)系計(jì)算出二極管芯片的溫度，進(jìn)而表征所述IGBT芯片的溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT模塊內(nèi)部芯片結(jié)溫測(cè)試方法，其特征在于，所述設(shè)定距離為0.5-1mm。