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光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置制造方法

文檔序號(hào):6231978閱讀:139來源:國(guó)知局
光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置,具有這樣的特征,包括:光源單元,包含光源部、光源分束棱鏡、第一透鏡以及全偏振光接收顯像部;光路轉(zhuǎn)換單元,包含磁光晶體部和偏振分光棱鏡;電流探測(cè)單元;光斑接收單元,包含第二透鏡、反光鏡和顯像部。根據(jù)本發(fā)明所涉及的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置通過光路轉(zhuǎn)換單元和電流探測(cè)單元可以根據(jù)測(cè)量出電流,同時(shí),通過光路轉(zhuǎn)換單元和光斑接收單元將的組合實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)觀察旋轉(zhuǎn)偏振光的光斑變化情況,并且通過光源單元中的光源分束棱鏡和全偏振光接受顯像部可以實(shí)現(xiàn)對(duì)光源部發(fā)出的光束質(zhì)量進(jìn)行觀察和評(píng)估,本發(fā)明具有操作簡(jiǎn)單、精度高和穩(wěn)定性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及光電式電流傳感器【技術(shù)領(lǐng)域】,具體涉及一種適光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)
試裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,光電式電流傳感器相對(duì)于傳統(tǒng)電磁式電流傳感器具有明顯優(yōu)勢(shì),具體優(yōu)勢(shì)在于:絕緣性能好、不會(huì)產(chǎn)生傳統(tǒng)電磁式電流互感器二次開路產(chǎn)生的高壓危險(xiǎn)、無磁飽和及鐵磁共振現(xiàn)象、頻帶寬以及裝置結(jié)構(gòu)緊湊、重量輕、體積小、各個(gè)功能模塊相對(duì)獨(dú)立,具有便于安裝和維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)。光源質(zhì)量的好壞直接影響測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性與精度,然而,現(xiàn)有石榴石型光電式電流傳感器可以測(cè)試電流但測(cè)電流的同時(shí)無法對(duì)傳感器光源進(jìn)行評(píng)估,也不能實(shí)時(shí)顯示用來測(cè)電流的測(cè)試光的變化情況。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種測(cè)量電流的且實(shí)時(shí)觀察測(cè)試光的光斑變化情況同時(shí)對(duì)光源進(jìn)行評(píng)估的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置。
[0004]本發(fā)明提供了一種光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置,具有這樣的特征,包括:光源單兀,包含用于產(chǎn)生全偏振光的光源部;設(shè)置在全偏振光的光路上用于將全偏振光分為評(píng)估光和待測(cè)光的光源分束棱鏡以及設(shè)置在待測(cè)光的光路上用于將待測(cè)光進(jìn)行聚焦后發(fā)出聚焦全偏振光的第一透鏡;光路轉(zhuǎn)換單元,設(shè)置在聚焦全偏振光的光路上,包含用于改變聚焦全偏振光的旋轉(zhuǎn)角度得到旋轉(zhuǎn)偏振光的磁光晶體部和將旋轉(zhuǎn)偏振光分為測(cè)試偏振光和入射偏振光的偏振分光棱鏡;電流探測(cè)單元,設(shè)置在測(cè)試偏振光的光路上,用于根據(jù)測(cè)試偏振光探測(cè)到相應(yīng)的電流;光斑接收單元,設(shè)置在入射偏振光的光路上,用于觀察入射偏振光形成的光斑圖像,包含用于對(duì)入射偏振光進(jìn)行聚焦發(fā)出聚焦入射偏振光的第二透鏡;以45°角設(shè)置在聚焦入射偏振光的光路上用于將聚焦入射偏振光以45°角反射成為可顯現(xiàn)的成像光的反光鏡和用于接收成像光并顯示出成像光形成的光斑圖像的顯像部,其中,光源單元還包含用于接收評(píng)估光并顯示出評(píng)估光形成的光源圖像的全偏振光接收顯像部。
[0005]在本發(fā)明的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置中,還可以具有這樣的特征:其中,光源部是產(chǎn)生全偏振光的波長(zhǎng)范圍為900nm至1700nm的小功率半導(dǎo)體激光器。
[0006]在本發(fā)明的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置中,還可以具有這樣的特征:其中,顯像部包含可移動(dòng)的設(shè)置在成像光的光路上用于聚焦成像光形成聚焦成像光的第三透鏡和用于接收聚焦成像光后顯示出聚焦成像光的光斑圖像且可移動(dòng)的攝像頭,調(diào)節(jié)第三透鏡和攝像頭的位置用于改變光斑圖像的清晰度和大小。
[0007]在本發(fā)明的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置中,還可以具有這樣的特征:其中,電流探測(cè)單元是偏振儀。
[0008]在本發(fā)明的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置中,還可以具有這樣的特征:其中,磁光晶體部含有一側(cè)分布柵狀薄膜的磁光晶體,磁光晶體的薄膜之間寬度范圍是50nm到Imm,薄膜厚度范圍是5nm到Imm,通過磁控派射法、脈沖激光沉積法和分子束外延法中任意一種方法被生長(zhǎng)形成。
[0009]在本發(fā)明的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置中,還可以具有這樣的特征還包括:控溫單元,設(shè)置在靠近磁光晶體部處用于調(diào)節(jié)聚焦全偏振光由磁光晶體部射出時(shí)的溫度;磁場(chǎng)單元,用于產(chǎn)生磁場(chǎng),靠近磁光晶體部設(shè)置,包含直流導(dǎo)線部和調(diào)節(jié)直流導(dǎo)線部電流大小改變磁場(chǎng)強(qiáng)度大小的磁場(chǎng)調(diào)節(jié)部,其中,電流探測(cè)單元用于探測(cè)到直流導(dǎo)線部中直流導(dǎo)線的電流。
[0010]在本發(fā)明的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置中,還可以具有這樣的特征:其中,控溫單元包含用于發(fā)出熱量的發(fā)熱部和調(diào)節(jié)發(fā)熱部熱量的熱量調(diào)節(jié)部。
[0011]發(fā)明的作用和效果
[0012]根據(jù)本發(fā)明所涉及的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置,通過光路轉(zhuǎn)換單元和電流探測(cè)單元可以根據(jù)測(cè)量出電流,同時(shí),通過光路轉(zhuǎn)換單元和光斑接收單元將的組合實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)觀察旋轉(zhuǎn)偏振光的光斑變化情況,并且通過光源單元中的光源分束棱鏡和全偏振光接受顯像部可以實(shí)現(xiàn)對(duì)光源部發(fā)出的光束質(zhì)量進(jìn)行觀察和評(píng)估,本發(fā)明的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置對(duì)光源質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估后可以實(shí)現(xiàn)提高測(cè)量電流的準(zhǔn)確性與精度,并且可以在測(cè)得電流發(fā)生變化的同時(shí)可以觀察到光斑對(duì)應(yīng)變化的情況,本發(fā)明具有操作簡(jiǎn)單、精度高和穩(wěn)定性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一中光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;以及
[0014]圖2是本發(fā)明實(shí)施例二中光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解,以下實(shí)施例一結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明所涉及的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置作具體闡述。
[0016]〈實(shí)施例一〉
[0017]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一中光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]如圖1所示,在本實(shí)施例一中的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置100中,包含:光源單元10、光路轉(zhuǎn)換單元20、電流探測(cè)單元30和光斑接收單元40。光路轉(zhuǎn)換單元20設(shè)置在光源單兀10產(chǎn)生的聚焦全偏振光的光路上。
[0019]光源單元10含有光源部11、光源分束棱鏡12、第一透鏡13和全偏振光接收顯像部14。光源部11采用小功率半導(dǎo)體激光器,可以發(fā)出波長(zhǎng)范圍900nm-1700nm的紅外線的面全偏振光。光源分束棱鏡12設(shè)置在全偏振光的光路上,將全偏振光分為評(píng)估光和待測(cè)光。第一透鏡13設(shè)置在待測(cè)光的光路上,待測(cè)光穿過第一透鏡13的中心,第一透鏡13將待測(cè)光進(jìn)行聚焦后發(fā)出聚焦全偏振光。全偏振光接收顯像部14設(shè)置在評(píng)估光的光路上,接收到評(píng)估光后顯示出光源像。
[0020]光路轉(zhuǎn)換單元20含有磁光晶體部21和偏振分光棱鏡22。
[0021]磁光晶體部21將聚焦全偏振光進(jìn)行偏振調(diào)節(jié)得到旋轉(zhuǎn)偏振光,磁光晶體部21主要以磁光晶體(圖中未畫出)為主,磁光晶體的一側(cè)分布柵狀薄膜,薄膜之間寬度50nm?Imm,薄膜厚度5nm?1mm,通過分子束外延法生長(zhǎng)。
[0022]偏振分光棱鏡22設(shè)置在旋轉(zhuǎn)偏振光的光路上,將旋轉(zhuǎn)偏振光分成兩束,其中一束是用于測(cè)量電流的測(cè)試偏振光,另外一束是用于觀察光斑的入射偏振光。
[0023]電流探測(cè)單元30采用偏振儀,用于接收測(cè)試偏振光,并根據(jù)測(cè)試偏振光探測(cè)電流等參數(shù)的變化情況。
[0024]光斑接收單元40設(shè)置在入射偏振光的光路上,含有第二透鏡41、反光鏡42和顯像部43。
[0025]第二透鏡41用于聚焦入射偏振光從而發(fā)出聚焦入射偏振光并且位置是可調(diào)節(jié)的,聚焦入射偏振光穿過第二透鏡41中心。
[0026]反光鏡42以45°角設(shè)置在聚焦入射偏振光的光路上,用于將聚焦入射偏振光以45°角將不可見的紅外線反射成為可顯現(xiàn)的成像光。
[0027]顯像部43用于接收成像光,并顯示出成像光形成的光斑圖像。顯像部43含有第二透鏡43a和攝像頭43b。弟二透鏡43a和攝像頭43b構(gòu)成Iv顯微系統(tǒng)。
[0028]第三透鏡43a可移動(dòng)的設(shè)置在成像光的光路上,成像光穿過第三透鏡43a的中心,用于對(duì)成像光進(jìn)行聚焦后形成聚焦成像光。
[0029]攝像頭43b用于接收聚焦成像光,接收到聚焦成像光后在屏幕顯示出光斑,攝像頭43b位置是可調(diào)節(jié)的。通過改變第三透鏡43a和攝像頭43b之間的距離可以改變攝像頭43b顯示的光斑的清晰程度和大小。
[0030]在本實(shí)施例一中,光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置100被應(yīng)用在對(duì)高壓導(dǎo)線中電流的測(cè)量。將光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置100中的磁光晶體部靠近高壓導(dǎo)線。
[0031]首先,光源部11發(fā)出全偏振光,全偏振光被光源分束棱鏡12分成評(píng)估光和待測(cè)光,評(píng)估光被全偏振光接收顯像部14接收后顯示出光源像,通過評(píng)估光源像的質(zhì)量來對(duì)光源部11的光源質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估,進(jìn)而對(duì)光源部11進(jìn)行調(diào)節(jié)得到發(fā)出的全偏振光質(zhì)量更好的光源。光源單元的第一透鏡13將對(duì)待測(cè)光進(jìn)行聚焦后發(fā)出聚焦全偏振光。
[0032]沿著聚焦全偏振光的光路設(shè)置有磁光晶體部21,磁光晶體將聚焦全偏振光轉(zhuǎn)換后成為旋轉(zhuǎn)偏振光。旋轉(zhuǎn)偏振光被偏振分光棱鏡22分為測(cè)試偏振光和入射偏振光。
[0033]然后,測(cè)試偏振光被電流探測(cè)單元30接收,電流探測(cè)單元30根據(jù)測(cè)試偏振光探測(cè)到高壓導(dǎo)線的電流。
[0034]同時(shí),入射偏振光經(jīng)過第二透鏡41后發(fā)出聚焦入射偏振光。聚焦入射偏振光被反光鏡42以45°角反射后的得到成像光。成像光被第三透鏡43a聚焦后射入攝像頭43b中,攝像頭43b實(shí)時(shí)呈現(xiàn)成像光形成的光斑。
[0035]實(shí)施例一的作用與效果
[0036]根據(jù)本實(shí)施例一所涉及的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置通過光路轉(zhuǎn)換單元和電流探測(cè)單元可以根據(jù)旋轉(zhuǎn)偏振光測(cè)量出電流同時(shí)通過光路轉(zhuǎn)換單元和光斑接收單元將的組合實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)觀察旋轉(zhuǎn)偏振光的光斑變化情況,并且通過光源單元中的光源分束棱鏡和全偏振光接受現(xiàn)象部可以實(shí)現(xiàn)對(duì)光源部發(fā)出的光束質(zhì)量進(jìn)行觀察和評(píng)估,本發(fā)明的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置對(duì)光源質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估后可以實(shí)現(xiàn)提高測(cè)量電流的準(zhǔn)確性與精度,同時(shí),可以在測(cè)得電流發(fā)生變化時(shí)可以觀察到光斑對(duì)應(yīng)變化的情況,本發(fā)明具有操作簡(jiǎn)單、精度高和穩(wěn)定性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。[0037]本實(shí)施例中的光源部產(chǎn)生的紅外線,使得本裝置靈敏度高,提高測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確性。
[0038]本實(shí)施例中通過顯像部含有的第三透鏡和攝像頭,調(diào)節(jié)第三透鏡和攝像頭的位置可以實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)光斑的清晰程度和大小,從而方便實(shí)時(shí)觀察光斑的變化情況。
[0039]上述實(shí)施方式為本發(fā)明的優(yōu)選案例,并不用來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0040]光源部也不僅限于小功率半導(dǎo)體激光器,也可采用He-Ne激光器,或者采用固體激光器。
[0041]電流探測(cè)單元也不僅限于偏振儀,也可采用四項(xiàng)限探測(cè)器。
[0042]<實(shí)施例二 >
[0043]以下是對(duì)實(shí)施例二的說明。
[0044]在實(shí)施例二中,對(duì)于和實(shí)施例一中相同的結(jié)構(gòu),給予相同的符號(hào),并省略相同的說明。
[0045]圖2是本發(fā)明實(shí)施例二中光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0046]如圖2所示,在本實(shí)施例二中的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置200中,包含:光源單元10、光路轉(zhuǎn)換單元20、電流探測(cè)單元30、光斑接收單元40、控溫單元50和磁場(chǎng)單元60。光路轉(zhuǎn)換單元20設(shè)置在光源單元10產(chǎn)生的聚焦全偏振光的光路上。控溫單元50和磁場(chǎng)單元60都設(shè)置在光路轉(zhuǎn)換單元20附近。
[0047]控溫單元50設(shè)置在靠近磁光晶體部21處用于調(diào)節(jié)聚焦全偏振光由磁光晶體部21射出時(shí)的溫度,包含用于發(fā)出熱量的發(fā)熱部和調(diào)節(jié)發(fā)熱部熱量的熱量調(diào)節(jié)部。
[0048]磁場(chǎng)單兀60用于產(chǎn)生磁場(chǎng),磁場(chǎng)單兀60靠近磁光晶體部21設(shè)置,包含直流導(dǎo)線部和調(diào)節(jié)直流導(dǎo)線部電流大小并且改變磁場(chǎng)強(qiáng)度大小的磁場(chǎng)調(diào)節(jié)部(圖中未畫出)。
[0049]在本實(shí)施例中,光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置200被應(yīng)用于試驗(yàn)?zāi)M在測(cè)高壓導(dǎo)線時(shí)裝置可以觀察到的光斑的變化情況和測(cè)得電流值之間的關(guān)系。其中,控溫單元50和磁場(chǎng)單元60靠近磁光晶體部21設(shè)置,控溫單元50和磁場(chǎng)單元60分別模擬出高壓導(dǎo)線產(chǎn)生熱量和高壓導(dǎo)線產(chǎn)生的磁場(chǎng)。
[0050]首先,光源部11發(fā)出全偏振光,全偏振光被光源分束棱鏡12分成評(píng)估光和待測(cè)光,評(píng)估光被全偏振光接收顯像部14接收后顯示出光源像,通過評(píng)估光源像的質(zhì)量來對(duì)光源部11的光源質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估,進(jìn)而對(duì)光源部11進(jìn)行調(diào)節(jié)得到發(fā)出的全偏振光質(zhì)量更好的光源。光源單元的第一透鏡13將對(duì)待測(cè)光進(jìn)行聚焦后發(fā)出聚焦全偏振光。
[0051]磁光晶體將聚焦全偏振光轉(zhuǎn)換后成為旋轉(zhuǎn)偏振光。直流導(dǎo)線部產(chǎn)生的磁場(chǎng)會(huì)影響旋轉(zhuǎn)偏振光,調(diào)節(jié)磁場(chǎng)調(diào)節(jié)部改變磁場(chǎng)強(qiáng)度,同時(shí),控溫單元50調(diào)節(jié)熱量調(diào)節(jié)部使得發(fā)熱部發(fā)熱,調(diào)節(jié)磁光晶體部21射出的旋轉(zhuǎn)偏振光的溫度。然后,旋轉(zhuǎn)偏振光被偏振分光棱鏡22分為測(cè)試偏振光和入射偏振光。
[0052]然后,測(cè)試偏振光被電流探測(cè)單元30接收,電流探測(cè)單元30根據(jù)測(cè)試偏振光探測(cè)到直流導(dǎo)線的電流。
[0053]同時(shí),入射偏振光經(jīng)過第二透鏡41后發(fā)出聚焦入射偏振光。聚焦入射偏振光被反光鏡42以45°角反射后的得到成像光。成像光被第三透鏡43a聚焦后射入攝像頭43b中,攝像頭43b實(shí)時(shí)呈現(xiàn)成像光形成的光斑。
[0054]實(shí)施例二的作用與效果
[0055]根據(jù)本實(shí)施例二所涉及的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置通過光路轉(zhuǎn)換單元和電流探測(cè)單元可以根據(jù)旋轉(zhuǎn)偏振光測(cè)量出電流同時(shí)通過光路轉(zhuǎn)換單元和光斑接收單元將的組合實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)觀察旋轉(zhuǎn)偏振光的光斑變化情況,并且通過光源單元中的光源分束棱鏡和全偏振光接受現(xiàn)象部可以實(shí)現(xiàn)對(duì)光源部發(fā)出的光束質(zhì)量進(jìn)行觀察和評(píng)估,本發(fā)明的光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置對(duì)光源質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估后可以實(shí)現(xiàn)提高測(cè)量電流的準(zhǔn)確性與精度,同時(shí),可以在測(cè)得電流發(fā)生變化時(shí)可以觀察到光斑對(duì)應(yīng)變化的情況,本發(fā)明具有操作簡(jiǎn)單、精度高和穩(wěn)定性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。
[0056]本實(shí)施例中的控溫單元和磁場(chǎng)單元的結(jié)合,模擬出高壓導(dǎo)線的磁場(chǎng)和溫場(chǎng)情況,在沒有高壓導(dǎo)線的情況下,通過控溫單元和磁場(chǎng)單元也能實(shí)現(xiàn)測(cè)電流的同時(shí)實(shí)時(shí)觀察光斑的變化情況。
[0057]上述實(shí)施方式為本發(fā)明的優(yōu)選案例,并不用來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種光電式電流傳感動(dòng)態(tài)測(cè)試裝置,其特征在于,包括: 光源單兀,包含用于產(chǎn)生全偏振光的光源部;設(shè)置在所述全偏振光的光路上用于將全偏振光分為評(píng)估光和待測(cè)光的光源分束棱鏡以及設(shè)置在所述待測(cè)光的光路上用于將所述待測(cè)光進(jìn)行聚焦后發(fā)出聚焦全偏振光的第一透鏡; 光路轉(zhuǎn)換單元,設(shè)置在所述聚焦全偏振光的光路上,包含用于改變所述聚焦全偏振光的旋轉(zhuǎn)角度得到旋轉(zhuǎn)偏振光的磁光晶體部和將所述旋轉(zhuǎn)偏振光分為測(cè)試偏振光和入射偏振光的偏振分光棱鏡; 電流探測(cè)單元,設(shè)置在所述測(cè)試偏振光的光路上,用于根據(jù)所述測(cè)試偏振光探測(cè)到相應(yīng)的電流; 光斑接收單元,設(shè)置在所述入射偏振光的光路上,用于觀察所述入射偏振光形成的光斑圖像,包含用于對(duì)所述入射偏振光進(jìn)行聚焦發(fā)出聚焦入射偏振光的第二透鏡;以45°角設(shè)置在所述聚焦入射偏振光的光路上用于將所述聚焦入射偏振光以45°角反射成為可顯現(xiàn)的成像光的反光鏡和用于接收所述成像光并顯示出所述成像光形成的所述光斑圖像的顯像部, 其中,所述光源單元還包含用于接收所述評(píng)估光并顯示出所述評(píng)估光形成的光源圖像的全偏振光接收顯像部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電式電流傳感測(cè)試裝置,其特征在于: 其中,所述光源部是產(chǎn)生所述全偏振光的波長(zhǎng)范圍為900nm至1700nm的小功率半導(dǎo)體激光器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電式電流傳感測(cè)試裝置,其特征在于: 其中,所述顯像部包含可移動(dòng)的設(shè)置在所述成像光的光路上用于聚焦所述成像光形成聚焦成像光的第三透鏡和用于接收所述聚焦成像光后顯示出所述聚焦成像光的所述光斑圖像且可移動(dòng)的攝像頭, 調(diào)節(jié)所述第三透鏡和所述攝像頭的位置用于改變所述光斑圖像的清晰度和大小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電式電流傳感測(cè)量裝置,其特征在于: 其中,所述電流探測(cè)單元是偏振儀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電式電流傳感測(cè)量裝置,其特征在于: 其中,所述磁光晶體部含有一側(cè)分布柵狀薄膜的磁光晶體, 所述磁光晶體的薄膜之間寬度范圍是50nm到Imm,薄膜厚度范圍是5nm到Imm,通過磁控濺射法、脈沖激光沉積法和分子束外延法中任意一種方法被生長(zhǎng)形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電式電流傳感測(cè)量裝置,其特征在于,還包括: 控溫單元,可移動(dòng)設(shè)置在靠近所述磁光晶體部處用于調(diào)節(jié)所述聚焦全偏振光由所述磁光晶體部射出時(shí)的溫度; 磁場(chǎng)單元,用于產(chǎn)生磁場(chǎng),靠近所述磁光晶體部設(shè)置,包含直流導(dǎo)線部和調(diào)節(jié)所述直流導(dǎo)線部電流大小改變所述磁場(chǎng)強(qiáng)度大小的磁場(chǎng)調(diào)節(jié)部, 其中,所述電流探測(cè)單元用于探測(cè)到所述直流導(dǎo)線部中直流導(dǎo)線的電流。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光電式電流傳感測(cè)量裝置,其特征在于: 其中,所述控溫單元包含用于發(fā)出熱量的發(fā)熱部和調(diào)節(jié)所述發(fā)熱部熱量的熱量調(diào)節(jié)部。
【文檔編號(hào)】G01M11/00GK104034944SQ201410290236
【公開日】2014年9月10日 申請(qǐng)日期:2014年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月25日
【發(fā)明者】焦新兵, 陳林, 高軍 申請(qǐng)人:上海理工大學(xué)
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