拉曼散射增強(qiáng)基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種拉曼散射增強(qiáng)基板，包括：拉曼散射增強(qiáng)活化基板(SERS-active substrate)；以及圖案化親水區(qū)域與圖案化疏水區(qū)域設(shè)置于該拉曼散射增強(qiáng)活化基板之上，其中該圖案化親水區(qū)域與該圖案化疏水區(qū)域的水接觸角差異為約29～90度。
【專利說明】拉曼散射增強(qiáng)基板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明有關(guān)于一種基板，且特別有關(guān)于一種拉曼散射增強(qiáng)基板。 現(xiàn)有技術(shù)
[0002] 生活中的毒化物無所不在，每一種毒化物也有其法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)值（例如苯（5. Ippb)、 鉛（50ppb)、鎘（5ppb)、巴拉松（20ppb)、1，1，1-三氯乙燒（0. 2ppm)),然而，由于分析儀器檢 測昂貴且費(fèi)時(shí)，限制了微量分析（trace analysis)的時(shí)效性與檢驗(yàn)的普及性。為此，研究 單位致力于開發(fā)高靈敏度、快速且低成本的生化傳 感器。
[0003] 拉曼振動(dòng)光譜（Raman Scattering Spectrum)具有指紋專一性（specificity) 與多領(lǐng)域（multi-domain)應(yīng)用的優(yōu)點(diǎn)，近年來已廣泛地應(yīng)用于微量分析領(lǐng)域中。然 而，拉曼射散的強(qiáng)度非常微弱，為此，科學(xué)家利用金屬表面結(jié)構(gòu)產(chǎn)生拉曼散射增強(qiáng)效應(yīng) (surface-Enhanced Raman Scattering, SERS)，以將拉曼信號(hào)放大 IO4-IO12 倍。
[0004] 然而，當(dāng)待測物放置于拉曼散射增強(qiáng)基板時(shí)且其干燥后，會(huì)因?yàn)槿苜|(zhì)（solute)分 布不均勻而導(dǎo)致檢測信號(hào)再現(xiàn)性（Reproducibility)不佳，進(jìn)而影響檢測極限（limit of detection, LOD) 〇
[0005] 因此，業(yè)界亟需發(fā)展一種拉曼散射增強(qiáng)基板，此基板能提高檢測信號(hào)之再現(xiàn)性 (Reproducibility)〇


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明提供一種拉曼散射增強(qiáng)基板，包括：拉曼散射增強(qiáng)活化基板（SERS-active substrate);以及圖案化親水區(qū)域與圖案化疏水區(qū)域設(shè)置于該拉曼散射增強(qiáng)活化基板之 上，其中該圖案化親水區(qū)域與該圖案化疏水區(qū)域的水接觸角差異為約29?90度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 圖IA為剖面圖，用以顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的拉曼散射增強(qiáng)基板。
[0008] 圖IB顯示圖IA的俯視圖。
[0009] 圖2A為剖面圖，用以顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的拉曼散射增強(qiáng)基板。
[0010] 圖2B顯示圖2A的俯視圖。
[0011] 圖3A為剖面圖，用以顯示本發(fā)明第三實(shí)施例的拉曼散射增強(qiáng)基板。
[0012] 圖3B顯示圖3A的俯視圖。
[0013] 圖4A-4C顯示本發(fā)明制作拉曼散射增強(qiáng)（SERS)基板的制作方法。
[0014] 圖5A-5B為一系列剖面圖，用以顯示本發(fā)明的拉曼散射增強(qiáng)（SERS)基板上具有多 個(gè)圖案化親水區(qū)域與多個(gè)圖案化疏水區(qū)域。
[0015] 圖6顯示實(shí)施例1與比較例1的濃度與拉曼信號(hào)的關(guān)系圖。

【具體實(shí)施方式】
[0016] 圖IA顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的拉曼散射增強(qiáng)基板（Surface-enhanced Raman scattering substrate, SERS substate) 10,包括：拉曼散射增強(qiáng)活化基板（SERS-active substrate) 12 ;圖案化親水區(qū)域14與圖案化疏水區(qū)域16設(shè)置于拉曼散射增強(qiáng)活化基板12 之上。須注意的是，本案之拉曼散射增強(qiáng)活化基板12是一個(gè)連續(xù)式的拉曼散射增強(qiáng)活化基 板，此基板的所有表面上都具有拉曼散射增強(qiáng)效果。
[0017] 于圖IA中，圖案化親水區(qū)域14為一親水層，圖案化疏水區(qū)域16為具有一疏水表 面的拉曼散射增強(qiáng)活化（SERS-active)基板12。當(dāng)親水層之上放置待測物（未顯示于圖 中）時(shí)，親水層之厚度Tl為約0. Olnm?10nm。須注意的是，親水層的厚度會(huì)影響拉曼信 號(hào)，當(dāng)厚度大于IOnm時(shí)，會(huì)使得拉曼信號(hào)太低。
[0018] 圖案化親水區(qū)域14的材料包括有機(jī)材料或無機(jī)材料。有機(jī)材料包括聚硅 氧燒（polysiloxane)、四乙氧基娃燒（tetraethoxysilane, TEOS)、四甲氧基娃燒 (tetramethoxysilane)、六甲基二娃氧燒（hexamethyldisiloxane，HMDS0)、六甲基二 娃氮燒（HMDS)、丁醇錯(cuò)（Aluminum butoxide)、二乙基鋒（Diethylzinc)、三乙基錯(cuò) (triethylaluminum)、三甲基錯(cuò)（trimethylaluminum)、金屬燒基化合物（metal alkyls) > 四異丙醇?xì)J（titanium tetraisopropoxide)、四丙醇?xì)J（titanium tetrapropoxide)、金屬 燒氧化物（metal alkoxides)、硝酸鋒（Zinc nitrate)、硝酸錯(cuò)（Aluminum nitrate)、金屬 硝酸物、醋酸鋅、醋酸鋁、醋酸錫、金屬醋酸物、硫酸鋅、硫酸鋁、硫酸亞錫、金屬硫酸物、氯化 鋅、氯化鋯、氯化鋁、氯化鈦、金屬氯化物的液體之蒸氣或霧狀物、或上述的組合。無機(jī)材料 包括二氧化硅（SiO 2)、金屬、金屬氧化物或上述的組合，其中金屬包括銀（Ag)、金（Au)、硅 (Si)、鋅（Zn)、鋯（Zr)、錫（Sn)、鈦（Ti)、鋇（Ba)、鉬（Pt)、鋁（Al)或上述之組合。
[0019] 于一較佳實(shí)施例中，可使用等離子體輔助鍍膜處理（plasma-assisted deposition)，以形成親水層于拉曼散射增強(qiáng)活化（SERS-active)基板12上，進(jìn)行等 離子體輔助鍍膜時(shí)，可使用之前驅(qū)物（precursor)例如：聚娃氧燒（polysiIoxane)、 四乙氧基娃燒（tetraethoxysilane, TE0S)、四甲氧基娃燒（tetramethoxysilane)、 六甲基二娃氧燒（hexamethyldisiloxane, HMDS0)、六甲基二娃氮燒（HMDS)、丁醇錯(cuò) (Aluminum butoxide)、二乙基鋒（Diethylzinc)、三乙基錯(cuò)（triethylaluminum)、三甲 基錯(cuò)（trimethylaluminum)、金屬燒基化合物（metal alkyls)、四異丙醇?xì)J（titanium tetraisopropoxide)、四丙醇?xì)J（titanium tetrapropoxide)、金屬燒氧化物（metal alkoxides)、金屬硝酸物（metal nitrate)、金屬醋酸物（metal acetate)、金屬硫酸物 (metal sulphate)、金屬氯化物（metal chloride)或上述的組合。
[0020] 于一實(shí)施例中，圖案化親水區(qū)域14與圖案化疏水區(qū)域16的水接觸角（water contact angle)差異為90度。于另一些實(shí)施例中，圖案化親水區(qū)域14與圖案化疏水區(qū)域 16的水接觸角（water contact angle)差異為約29?90度。
[0021] 須注意的是，本發(fā)明藉由改變拉曼散射增強(qiáng)活化基板12的表面特性，而形成圖案 化親水區(qū)域14與圖案化疏水區(qū)域16,使各區(qū)域之間產(chǎn)生水接觸角的差異，因此，當(dāng)待測物 干燥后，待測物能夠均勻地分布于圖案化親水區(qū)域14或圖案化疏水區(qū)域16上，以達(dá)到濃縮 的效果，進(jìn)而提升檢測信號(hào)的再現(xiàn)性。
[0022] 此外，于一實(shí)施例中，本發(fā)明的圖案化疏水區(qū)域16與圖案化親水區(qū)域14的面積比 為0. 1?0. 9。于另一實(shí)施例中，本發(fā)明的圖案化疏水區(qū)域16與圖案化親水區(qū)域14的面積 比為(λ 4?0· 7。
[0023] 圖IB顯示圖IA的俯視圖。由圖IB可知，圖案化親水區(qū)域14為圓形。然而，圖案 化親水區(qū)域14的圖案包括規(guī)則形狀或不規(guī)則形狀，其中規(guī)則形狀并不限于圓形，其它規(guī)則 形狀，例如矩形、三角形亦在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0024] 請?jiān)俅螀⒁妶D1Β，圖案化親水區(qū)域14與圖案化疏水區(qū)域16組成一個(gè)結(jié)構(gòu)單位，此 結(jié)構(gòu)單位的單位長度P為0. 05 μ m?500 μ m。此處所謂之「結(jié)構(gòu)單位」為待測物干燥后均 勻分布的范圍，此范圍等于或小于雷射光之聚焦光點(diǎn)，一般攜帶式拉曼光譜儀光點(diǎn)約小于 500 μ m。
[0025] 圖2A顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的拉曼散射增強(qiáng)基板（Surface-enhanced Raman scattering substrate, SERS substrate) 20,包括：拉曼散射增強(qiáng)活化基板（SERS-active substrate) 22 ;圖案化親水區(qū)域24與圖案化疏水區(qū)域26設(shè)置于拉曼散射增強(qiáng)活化基板22 之上。
[0026] 于圖2A中，圖案化疏水區(qū)域26為一疏水層，圖案化親水區(qū)域24為具有一親水性 表面之拉曼散射增強(qiáng)活化（SERS-active)基板22。圖案化疏水區(qū)域26的材質(zhì)包括聚四氟 乙烯（Polytetrafluoroethene)、1H, 1H, 2H, 2H-全氟辛基三氯娃燒（1H, 1H, 2H, 2H_Perfluo rooctyltrichlorosilane)及上述的組合。
[0027] 須注意的是，只有位于待測物正下方區(qū)域的厚度會(huì)影響待測物的拉曼檢測信號(hào)， 因此，于圖2A中，當(dāng)待測物（未顯示于圖中）放置于親水性表面的拉曼散射增強(qiáng)基板之上 時(shí)，圖案化疏水性區(qū)域26之厚度T2不限于小于10nm。當(dāng)待測物放置于疏水層之上時(shí)，圖案 化疏水性區(qū)域26之厚度T2為約0· Olnm?10nm。
[0028] 圖2B顯示圖2A的俯視圖。由圖2B可知，圖案化親水區(qū)域24為矩形。然而，圖案 化親水區(qū)域24之圖案包括規(guī)則形狀或不規(guī)則形狀，其中規(guī)則形狀并不限于矩形，其它規(guī)則 形狀，例如圓形、三角形亦在本發(fā)明之保護(hù)范圍內(nèi)。
[0029] 請?jiān)俅螀⒁妶D2B，圖案化親水區(qū)域14與圖案化疏水區(qū)域16組成一個(gè)檢測單位，此 檢測單位的單位長度P為〇. 05 μ m?500 μ m。
[0030] 圖3A顯示本發(fā)明第三實(shí)施例的拉曼散射增強(qiáng)基板（Surface-enhanced Raman scattering substrate, SERS substrate) 30,包括：拉曼散射增強(qiáng)活化基板（SERS-active substrate) 32 ;圖案化親水區(qū)域34與圖案化疏水區(qū)域36設(shè)置于拉曼散射增強(qiáng)活化基板32 之上。
[0031] 于圖3A中，圖案化親水區(qū)域34為親水層，圖案化疏水區(qū)域36為疏水層。親水層 之材料如同第一實(shí)施例所述，疏水層之材料如同第二實(shí)施例所述，在此不再贅述。
[0032] 須注意的是，只有位于待測物正下方區(qū)域的厚度會(huì)影響待測物之拉曼檢測信號(hào)， 因此，于圖3A中，當(dāng)親水層之上放置待測物（未顯示于圖中）時(shí)，圖案化親水性區(qū)域34的 厚度T3為約0. Olnm?10nm。當(dāng)疏水層之上放置待測物時(shí)，圖案化疏水性區(qū)域36的厚度 T3 為約 0· Olnm ?10nm。
[0033] 圖3B顯示圖3A的俯視圖。由圖3B可知，圖案化親水區(qū)域34為矩形，而圖案化疏 水區(qū)域36為矩形。然而，規(guī)則形狀并不限于矩形，其它規(guī)則形狀，例如圓形、三角形，甚至不 規(guī)則形狀亦在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0034] 請參見圖4A-4C，該些圖顯示本發(fā)明制作拉曼散射增強(qiáng)（SERS)基板的制作方法。
[0035] 請參見圖4A，基板42之上依序設(shè)置反射層44、介電材料層46與金屬薄膜層48。 基板42具有周期性納米結(jié)構(gòu)，周期性納米結(jié)構(gòu)之深寬比（aspect ratio)為0. 1?3。基板 42、反射層44、介電材料層46與金屬薄膜層48組成一拉曼散射增強(qiáng)活化基板。
[0036] 反射層44系順應(yīng)性地（conformal)設(shè)置于具有周期性納米結(jié)構(gòu)的基板42之上， 其作用在于遮蔽基板42,避免基板42的材料本質(zhì)吸收與避免基板42拉曼背景信號(hào)的影響， 因此，反射層44的厚度需大于反射層44材料于操作波長下的集膚深度（skin depth)。
[0037] 反射層44的反射率大于約70%，較佳為大于85%，反射層44的材料包括金屬、上述 的合金或介電材料，金屬例如銀（Ag)、鋁（Al)、金（Au)、銅（Cu)、銠（Rh)、鉬（Pt)，金屬合金 例如銅鋁合金或金鎳合金，而介電材料例如硅或鍺等。
[0038] 介電材料層46的作用在于調(diào)整Fabry-Perot共振腔（resonator)長度，亦即調(diào)整 干涉共振模態(tài)（Fabry-Perot resonant mode)波長，介電材料層46由折射率L 3-5. 0的材 料所組成，例如二氧化娃（n=l. 5)、氧化錯(cuò)（n=l. 77)、氮化娃（n=2)、二氧化鈦（n=2. 9)或娃 (n=4)。
[0039] 金屬薄膜層48材料包括金、銀、鉬、鐵、鈷、鎳、銅、鋁、鉻或上述的合金。作用為激 發(fā)表面等離子體，提升拉曼光譜強(qiáng)度。本實(shí)施例以銀為金屬薄膜材質(zhì)鍍膜于納米結(jié)構(gòu)上，形 成疏水性的表面。
[0040] 之后，形成光阻50于部份的金屬薄膜層48之上，藉由光罩52的輔助進(jìn)行微影制 程（lithography process)61，以得到圖案化光阻。
[0041] 請參見圖4B，進(jìn)行等離子體輔助鍍膜制程62,以形成親水層54于金屬薄膜 層48之上。進(jìn)行等離子體輔助鍍膜制程62時(shí)，可使用之前驅(qū)物（precursor)例如： 四乙氧基娃燒（tetraethoxysilane, TE0S)、四甲氧基娃燒（tetramethoxysilane)、 六甲基二娃氧燒（hexamethyldisiloxane, HMDS0)、六甲基二娃氮燒（HMDS)、丁醇錯(cuò) (Aluminum butoxide)、二乙基鋒（Diethylzinc)、三乙基錯(cuò)（triethylaluminum)、三甲 基錯(cuò)（trimethylaluminum)、金屬燒基化合物（metal alkyls)、四異丙醇?xì)J（titanium tetraisopropoxide)、四丙醇?xì)J（titanium tetrapropoxide)、金屬燒氧化物（metal alkoxides)、金屬硝酸物（metal nitrate)、金屬醋酸物（metal acetate)、金屬硫酸物 (metal sulphate)、金屬氯化物（metal chloride)或上述的組合。
[0042] 請參見圖4C，移除光阻50,其中一部份的金屬薄膜層48之上具有親水層54, 一部 份的金屬薄膜層48之上不具有親水層54,因此，制作出具有圖案化親水區(qū)域（有親水層54 的區(qū)域）與圖案化疏水區(qū)域（無親水層54的區(qū)域）的拉曼散射增強(qiáng)基板40。
[0043] 須注意的是，于圖4C中，因?yàn)榛?2具有周期性納米結(jié)構(gòu)，因此，最后圖案化疏水 區(qū)域?yàn)榫哂屑{米結(jié)構(gòu)的疏水性表面。而于另一實(shí)施例中，圖案化親水區(qū)域?yàn)榫哂屑{米結(jié)構(gòu) 的親水性表面。
[0044] 請參見圖5A-5B，這些圖顯示本發(fā)明的拉曼散射增強(qiáng)（SERS)基板上具有多個(gè)圖案 化親水區(qū)域14與多個(gè)圖案化疏水區(qū)域16。于圖5A中，圖案化親水區(qū)域14為規(guī)則排列，且 每一個(gè)圓形的圖案化親水區(qū)域14與其周圍的圖案化疏水區(qū)域16組成一個(gè)檢測單位，此檢 測單位之單位長度P為0. 05 μ m?500 μ m。須注意的是，圖5A中的圖案化親水區(qū)域14為 一親水層，其具有厚度為約0. Olnm?10nm，而圖案化疏水區(qū)域16為具有疏水表面之拉曼散 射增強(qiáng)活化（SERS-active)基板12。
[0045] 于圖5B中，圖案化親水區(qū)域14為不規(guī)則排列。
[0046] 相較于不具有圖案化親水區(qū)域與圖案化疏水區(qū)域的比較例，本發(fā)明實(shí)施例的拉曼 散射增強(qiáng)基板能使待測物均勻地分布于圖案化親水區(qū)域或圖案化疏水區(qū)域，因此能提升定 量量測的準(zhǔn)確性并提高信號(hào)強(qiáng)度以降低檢測極限。
[0047] 綜上所述，本發(fā)明所提供之拉曼散射增強(qiáng)基板，藉由圖案化親水性區(qū)域與圖案化 疏水區(qū)域具有水接觸角之差異為約29?90度，使待測物可均勻地分布于特定區(qū)域中而達(dá) 到濃縮的效果，進(jìn)而提高檢測信號(hào)且降低檢測極限（LOD)。
[0048] 實(shí)施例
[0049] 實(shí)施例1制作拉曼散射增強(qiáng)（SERS)基板
[0050] 請參見圖4A-4C，這些圖顯示制作拉曼散射增強(qiáng)（SERS)基板的制作方法。于圖4A 中，基板42之上依序形成35nm的金44, IOOnm的二氧化娃作為介電材料層46、15nm的銀作 為金屬薄膜層48,最上層的銀納米結(jié)構(gòu)會(huì)形成疏水性的表面。之后進(jìn)行微影制程，以形成圖 案化光阻于部份的（疏水性）金屬薄膜層48上。
[0051] 請參見圖4B，進(jìn)行等離子體輔助鍍膜制程，以形成親水層54于（疏水 性）金屬薄膜層48之上。等離子體輔助鍍膜制程的條件為通入四乙氧基硅烷 (tetraethoxysilane, TE0S)的前驅(qū)物，于室溫，一大氣壓力，30度。C加熱六甲基二娃氧燒 (hexamethyldisiloxane, HMDS0)單體 6 秒，鍛上 IOnm 的二氧化娃。
[0052] 請參見圖4C，移除光阻50,其中一部份的（疏水性）金屬薄膜層48之上具有親水 層54, 一部份的（疏水性）金屬薄膜層48之上不具有親水層54,因此，制作出具有圖案化 親疏水區(qū)域的拉曼散射增強(qiáng)基板40。
[0053] 表1顯示圖案化親水區(qū)域與圖案化疏水區(qū)域的水接觸角。
[0054] 表 1
[0055]

【權(quán)利要求】
1. 一種拉曼散射增強(qiáng)基板，包括： 拉曼散射增強(qiáng)活化基板；以及 圖案化親水區(qū)域與圖案化疏水區(qū)域設(shè)置于該拉曼散射增強(qiáng)活化基板之上，其中該圖案 化親水區(qū)域與該圖案化疏水區(qū)域的水接觸角差異為29?90度。
2. 如權(quán)利要求1所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中該圖案化親水區(qū)域的材料包括有機(jī)材 料或無機(jī)材料。
3. 如權(quán)利要求2所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中該有機(jī)材料包括聚硅氧烷、四乙氧基 娃燒、四甲氧基娃燒、7K甲基-娃氧燒、7K甲基-娃氣燒0、丁醇錯(cuò)0、-乙基鋒、二乙基 鋁、三甲基鋁、金屬烷基化合物、四異丙醇鈦、四丙醇鈦、金屬烷氧化物、硝酸鋅、硝酸鋁、金 屬硝酸物、醋酸鋅、醋酸鋁、醋酸錫、金屬醋酸物、硫酸鋅、硫酸鋁、硫酸亞錫、金屬硫酸物、氯 化鋅、氯化鋯、氯化鋁、氯化鈦、金屬氯化物的液體的蒸氣或霧狀物、或上述之組合。
4. 如權(quán)利要求2所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中該無機(jī)材料包括二氧化硅（Si02)、金 屬、金屬氧化物或上述的組合。
5. 如權(quán)利要求4所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中該金屬包括銀（Ag)、金（Au)、硅（Si)、 鋅（Zn)、鋯（Zr)、錫（Sn)、鈦（Ti)、鋇（Ba)、鉬（Pt)、鋁（A1)或上述的組合。
6. 如權(quán)利要求1所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中該圖案化疏水區(qū)域的材質(zhì)包括聚四氟 乙烯、1H，1H，2H，2H-全氟辛基三氯硅烷及上述的組合。
7. 如權(quán)利要求1所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中該圖案化親水區(qū)域與該圖案化疏水區(qū) 域的圖案各自包括規(guī)則形狀或不規(guī)則形狀。
8. 如權(quán)利要求7所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中該規(guī)則形狀包括圓形、矩形或三角形。
9. 如權(quán)利要求7所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中該圖案化親水區(qū)域或該圖案化疏水區(qū) 域的圖案為規(guī)則形狀時(shí)，該圖案化親水區(qū)域或該圖案化疏水區(qū)域的單位長度為〇. 05 μ m? 500 μ m。
10. 如權(quán)利要求1所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中該圖案化疏水區(qū)域與該圖案化親水 區(qū)域的面積比為0. 1?0. 9。
11. 如權(quán)利要求1所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中該圖案化親水區(qū)域?yàn)橛H水層，該圖案 化疏水區(qū)域?yàn)榫哂惺杷砻娴脑摾⑸湓鰪?qiáng)活化基板。
12. 如權(quán)利要求11所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中當(dāng)該親水層之上放置待測物時(shí)，該 親水層的厚度為約〇· Olnm?10nm。
13. 如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中該圖案化疏水區(qū)域?yàn)槭杷畬?，該圖 案化親水區(qū)域?yàn)榫哂杏H水表面的拉曼散射增強(qiáng)活化基板。
14. 如權(quán)利要求13所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中當(dāng)該疏水層之上放置待測物時(shí)，該 疏水層的厚度為約〇· Olnm?10nm。
15. 如權(quán)利要求1所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中該圖案化親水區(qū)域?yàn)橛H水層，該圖案 化疏水區(qū)域?yàn)槭杷畬印?br> 16. 如權(quán)利要求1所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中該圖案化親水區(qū)域或該圖案化疏水 區(qū)域?yàn)橐?guī)則排列或不規(guī)則排列。
17. 如權(quán)利要求1所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中該圖案化親水區(qū)域?yàn)榫哂屑{米結(jié)構(gòu) 的親水性表面。
18.如權(quán)利要求1所述的拉曼散射增強(qiáng)基板，其中該圖案化疏水區(qū)域?yàn)榫哂屑{米結(jié)構(gòu) 的疏水性表面。
【文檔編號(hào)】G01N21/65GK104237195SQ201310283627
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年7月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月5日
【發(fā)明者】林鼎晸, 鄭琮達(dá), 黃曉鳳, 陳品誠 申請人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院