專利名稱：一種晶圓測(cè)試平臺(tái)的專用pib的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本新型涉及電子電路領(lǐng)域，尤指一種晶圓測(cè)試平臺(tái)的PIB結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
T2000是世界最大的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商愛德萬公司(AdvanTest)開發(fā)SOC測(cè)試機(jī)，J750是世界第二大半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商泰瑞達(dá)公司開發(fā)的SOC測(cè)試機(jī)。Probe(探針臺(tái))和Tester是Wafer (晶圓)測(cè)試時(shí)使用的主要兩個(gè)設(shè)備,簡(jiǎn)單地講，Probe是用以移動(dòng)Wafer的,其移動(dòng)精度在O. Ium ;而Tester則提供測(cè)試Wafer所需的電信號(hào)。在Prober與 Tester 之間有一部分機(jī)械接口部分，分別是PIB (Probe Interface Board)>PogoTower 和ProbeCard (探針卡)。正常情況J750和T2000測(cè)試平臺(tái)各需要獨(dú)立完整一套PIB、PogoTower和ProbeCard,這些配件設(shè)計(jì)難度大、機(jī)械加工工藝要求高、材料獨(dú)特,所以價(jià)格也非常昂貴，而持續(xù)投入于專業(yè)設(shè)備需要耗費(fèi)公司很多的資金。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型目的在于摒棄現(xiàn)有技術(shù)，提供一種可同時(shí)用于多個(gè)測(cè)試平臺(tái)的PIB結(jié)構(gòu)。為解決上述技術(shù)問題，本新型采用的技術(shù)方案如下一種晶圓測(cè)試平臺(tái)的專用PIB，包括信號(hào)帶、測(cè)試機(jī)信號(hào)接點(diǎn)和轉(zhuǎn)接接口，所述的信號(hào)帶包括以圓盤的中心為圓心的第一環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)及緊貼第一環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)外圈的第二環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)，所述的轉(zhuǎn)接接口分組并排列于第二環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)的外圍呈環(huán)形。所述的第一環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)分布密度比第二環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)分布密度大。進(jìn)一步地，每組轉(zhuǎn)接接口包括4個(gè)，各組之間留有空位。所述的測(cè)試機(jī)信號(hào)接點(diǎn)有4組，每組之間留有空位且空位間距大于每組轉(zhuǎn)接接口之間的間距。本新型的有益效果是從節(jié)約成本角度考慮，由一塊用于T2000的特別設(shè)計(jì)的PIB加上J750的PogoTower、ProbeCard,就可實(shí)現(xiàn)和Probe的連接,其既降低了配件的采購(gòu)成本，也可以使用靈活，其除了用于T2000的測(cè)試平臺(tái)，也可以用于J750平臺(tái)，實(shí)行一版多用。

圖I是本新型測(cè)試平臺(tái)的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本新型作進(jìn)一步詳述。如圖I所示，其揭示了本實(shí)施例中的較佳具體結(jié)構(gòu)，一種晶圓測(cè)試平臺(tái)的專用PIB，包括信號(hào)帶、測(cè)試機(jī)信號(hào)接點(diǎn)2和轉(zhuǎn)接接口 3，所述的信號(hào)帶包括以圓盤的中心為圓心的第一環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)11及緊貼第一環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)外圈的第二環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)12，所述的轉(zhuǎn)接接口分組并排列于第二環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)的外圍呈環(huán)形。所述的第一環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)分布密度比第二環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)分布密度大。進(jìn)一步地，每組轉(zhuǎn)接接口包括4個(gè)，各組之間留有空位。所述的測(cè)試機(jī)信號(hào)接點(diǎn)有4組，每組之間留有空位且空位間距大于每組轉(zhuǎn)接接口之間的間距。以上所述，僅是本新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)新型的技術(shù)范圍作任何限制，故 凡是依據(jù)本新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何細(xì)微修改、等同變化與修飾，均仍屬于本等同實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種晶圓測(cè)試平臺(tái)的專用PIB，包括信號(hào)帶、測(cè)試機(jī)信號(hào)接點(diǎn)和轉(zhuǎn)接接口，其特征在于所述的信號(hào)帶包括以圓盤的中心為圓心的第一環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)及緊貼第一環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)外圈的第二環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)，所述的轉(zhuǎn)接接口分組并排列于第二環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)的外圍呈環(huán)形。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種晶圓測(cè)試平臺(tái)的專用PIB，其特征在于所述的第一環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)分布密度比第二環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)分布密度大。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種晶圓測(cè)試平臺(tái)的專用PIB，其特征在于每組轉(zhuǎn)接接口包括4個(gè)，各組之間留有空位。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種晶圓測(cè)試平臺(tái)的專用PIB，其特征在于所述的測(cè)試機(jī)信號(hào)接點(diǎn)有4組，每組之間留有空位且空位間距大于每組轉(zhuǎn)接接口之間的間距。
專利摘要本新型提供了一種晶圓測(cè)試平臺(tái)的專用PIB，包括信號(hào)帶、測(cè)試機(jī)信號(hào)接點(diǎn)和轉(zhuǎn)接接口，所述的信號(hào)帶包括以圓盤的中心為圓心的第一環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)及緊貼第一環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)外圈的第二環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)，所述的轉(zhuǎn)接接口分組并排列于第二環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)的外圍呈環(huán)形。所述的第一環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)分布密度比第二環(huán)狀信號(hào)接點(diǎn)分布密度大。本實(shí)用新型從節(jié)約成本角度考慮，由一塊用于T2000的特別設(shè)計(jì)的PIB加上J750的PogoTower、ProbeCard，就可實(shí)現(xiàn)和Probe的連接，其既降低了配件的采購(gòu)成本，也可以使用靈活，其除了用于T2000的測(cè)試平臺(tái)，也可以用于J750平臺(tái)，實(shí)行一版多用。
文檔編號(hào)G01R1/02GK202693619SQ20122038061
公開日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月2日
發(fā)明者袁俊 申請(qǐng)人:東莞利揚(yáng)微電子有限公司