專利名稱：圓片級發(fā)光二極管芯片檢測方法、檢測裝置及透明探針卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片檢測方法、檢測裝置及其探針卡，且特別涉及一種圓片級發(fā)光二極管(Light emitting diode, LED)芯片檢測方法、檢測裝置及其透明探針卡。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的LED芯片檢測方式是利用點測裝置，逐一點測圓片上每一顆LED芯片的發(fā)光特性。若以2英寸圓片中約有2000顆LED芯片計算，逐一點測方式測試每一顆LED芯片， 測試時間冗長，且效率不佳?，F(xiàn)有的點測裝置，如中國臺灣專利第M382577號“點測裝置”及中國臺灣專利第 M260860號“應(yīng)用切割后晶粒點測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)”中所揭露的點測結(jié)構(gòu)。上述專利的點測裝置皆針對單顆LED芯片進行檢測，且檢測單顆LED芯片的電性及發(fā)光特性的系統(tǒng)成本高、速度較慢，不符合市場所期望的快速、簡化檢測系統(tǒng)的需求。為了提高檢測的速度及質(zhì)量，開發(fā)新的LED芯片自動化檢測方法及檢測裝置，并能針對每一顆LED芯片的發(fā)光特性、分析其發(fā)光的光譜及發(fā)光強度，以快速地進行分類，實為業(yè)界所倚重的關(guān)鍵技術(shù)及方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種圓片級發(fā)光二極管芯片檢測方法、檢測裝置及其透明探針卡，具有提高檢測的速度及快速分類的優(yōu)點，可解決現(xiàn)有點測裝置僅能單顆LED芯片進行檢測，無法提高效能的缺點。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種圓片級發(fā)光二極管芯片檢測方法，用于一圓片。圓片包括一基材以及位于基材上的多個LED芯片，各個LED芯片包括至少一測試墊，檢測方法包括提供一透明探針卡，透明探針卡包括多個接點，此多個接點對應(yīng)于此多個測試墊。以透明探針卡覆蓋于圓片的上方，并以透明探針卡的此多個接點電性連接此多個測試墊，以對此多個LED芯片進行一點亮測試。當此多個LED芯片發(fā)光后，對此多個LED芯片的光信號進行一成像處理，以形成一影像于一感測元件上。擷取影像，并將影像的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各個LED芯片的一光場信息及一位置信息；根據(jù)各個LED芯片的光場信息，得到各個 LED芯片的光譜及發(fā)光強度。根據(jù)各個LED芯片的光譜及發(fā)光強度，以對此多個LED芯片進行分類。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提出一種圓片級發(fā)光二極管芯片檢測裝置，用于一圓片。圓片包括一基材以及位于基材上的多個LED芯片，各個LED芯片包括至少一測試墊， 檢測裝置包括一透明探針卡、一成像模塊、一影像處理模塊、一分析模塊以及一分類模塊。 透明探針卡包括多個接點，此多個接點分別對應(yīng)于此多個測試墊，透明探針卡覆蓋于圓片的上方，并以透明探針卡的此多個接點電性連接此多個測試墊，以對此多個LED芯片進行一點亮測試。成像模塊用以使此多個LED芯片發(fā)光后的光信號形成一影像。影像處理模塊用以擷取影像，并將影像的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各個LED芯片的一光場信息及一位置信息。 分析模塊耦接至影像處理模塊，并根據(jù)各個LED芯片的光場信息及位置信息，得到各個LED芯片的光譜及發(fā)光強度。分類模塊耦接分析模塊以及影像處理模塊，以取得各個LED芯片的位置信息，并根據(jù)各個LED芯片的光譜及發(fā)光強度，以對此多個LED芯片進行分類。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提出一種透明探針卡，用于一圓片。圓片包括一基材以及位于基材上的多個LED芯片，各個LED芯片包括一第一測試墊以及一第二測試墊。透明探針卡包括一透明基板、多條第一透明導(dǎo)電線以及多條第二透明導(dǎo)電線。此多個第一透明導(dǎo)電線配置于透明基板上，各個第一透明導(dǎo)電線包括多個第一接點，其位置對應(yīng)于此多個第一測試墊的位置。此多個第二透明導(dǎo)電線配置于透明基板上，并與此多個第一透明導(dǎo)電線交叉且電性絕緣，各個第二透明導(dǎo)電線包括多個第二接點，其位置對應(yīng)于此多個第二測試墊的位置。本發(fā)明的功效在于，本發(fā)明所揭露的圓片級LED芯片檢測方法、檢測裝置及其透明探針卡，是利用透明探針卡導(dǎo)通基材上的LED芯片，以對一部分或所有的LED芯片進行點亮測試。在LED芯片點亮后，利用成像模塊及影像處理模塊進行一次或多次取像，如此可一次獲得所有LED芯片的光場信息以及位置信息，有別于現(xiàn)有點測裝置僅能對單顆LED芯片進行檢測。之后，再利用分析模塊得到各LED芯片的光譜及發(fā)光強度，并進行分類。因此， 本發(fā)明的圓片級LED芯片檢測方法、檢測裝置及其透明探針卡，符合市場所期望的快速、重現(xiàn)性佳、感旋旋旋光性高且檢測系統(tǒng)簡化的需求，同時具有提高檢測的速度及快速分類的優(yōu)點。以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖1為本發(fā)明較佳實施例的圓片級LED芯片檢測方法的流程示意圖
圖2為本發(fā)明較佳實施例的圓片級LED芯片檢測裝置的示意圖3A為本發(fā)明較佳實施例的透明探針卡的俯視圖3B為配置于基材上的LED芯片的俯視圖3C為配置于圓片上的透明探針卡的俯視圖3C-1為圖3C中區(qū)域A的局部放大圖4為本發(fā)明較佳實施例的濾光處理的流程示意圖5為本發(fā)明較佳實施例的影像處理模塊的示意圖。
其中，附圖標記
300 圓片
302 =LED 芯片
304 基材
310 透明探針卡
312 透明基板
314,316 第一、第二透明導(dǎo)電線
320 成像模塊
322 鏡頭
330 影像處理模塊
332 感測元件3/6頁333第一處理單元
334第二處理單元
335第三處理單元
336合并單元
340分析模塊
350分類模塊
360濾光模塊
362旋轉(zhuǎn)盤
PUP2 第一、第二接點
Tl、T2 第一、第二測試墊
Fl 第一濾光片
F2 第二濾光片
F3 第三濾光片
L 光信號
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述本發(fā)明較佳實施例的圓片級LED芯片檢測方法、檢測裝置及其透明探針卡，是針對基材上的LED芯片進行電性分析測試以及點亮測試。以下所舉的本發(fā)明較佳實施例的檢測方法及裝置是以一透明探針卡配合影像處理模塊作為LED芯片的電性檢測單元及光學(xué)檢測單元，并根據(jù)所得到的光譜及發(fā)光強度的信息，對此多個LED芯片進行分類。請參照圖1，其為繪示依照本發(fā)明較佳實施例的圓片級LED芯片檢測方法的流程示意圖。此檢測方法包括以下各個步驟SllO S160。首先，執(zhí)行步驟S110，提供一透明探針卡。接著，進入步驟S120，以透明探針卡覆蓋于圓片的上方，并以透明探針卡的接點電性連接各個LED芯片的測試墊，以對此多個LED芯片進行一點亮測試。于步驟S130中，對此多個LED芯片的光信號進行一成像處理，以形成一影像于一感測元件上。于步驟S140中， 擷取影像，并將影像的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各個LED芯片的一光場信息以及一位置信息。于步驟S150中，根據(jù)各個LED芯片的光場信息，得到各個LED芯片的光譜及發(fā)光強度。于步驟S160中，根據(jù)各個LED芯片的光譜及發(fā)光強度，以對此多個LED芯片進行分類。此外，在進行步驟S140的影像擷取之前，本檢測方法也可包括進行一濾光處理的步驟(未繪示于圖中)。較佳地，此步驟的濾光處理是于步驟S130的成像處理之后執(zhí)行，但本發(fā)明不以此為限，此步驟的濾光處理也可于步驟S130的成像處理之前執(zhí)行。請參考圖2，其為繪示依照本發(fā)明較佳實施例的圓片級LED芯片檢測裝置的示意圖。此檢測裝置包括一透明探針卡310(參見圖3A)、一成像模塊320、一影像處理模塊330、 一分析模塊MO以及一分類模塊350。透明探針卡310覆蓋于圓片300的上方，并以透明探針卡310的電性測試接點P1、P2 (繪示于圖3C中)供電給基材304上的各個LED芯片302， 以對LED芯片302進行一點亮測試。此外，成像模塊320為一個或多個鏡頭322所組成的成像模塊320，其可將此多個 LED芯片302發(fā)光后所形成的光信號L成像在影像處理模塊330上，以使光信號L成為可
7辨識的一影像，例如是一光斑圖(Spot diagram)。光斑圖上所顯示的光點位置(即位置信息)代表各個LED芯片302于基材304上的實際位置，而不同位置的光點即蘊含了不同位置上的各個LED芯片302所發(fā)出的光譜及發(fā)光強度的信息(即光場信息)。影像處理模塊330例如包括高感光性的陣列式電荷耦合元件(charge coupled device, CCD)或是互補金屬氧化半導(dǎo)體(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)影像感測元件等高分辨率的感測元件332，影像處理模塊330用以擷取影像，并且影像處理模塊330可將影像的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各個LED芯片302的一光場信息及一位置信息，并將光場信息及對應(yīng)的位置信息輸出至分析模塊340。分析模塊340用以分析該多個LED芯片的光場信息及對應(yīng)的位置信息，其可利用類神經(jīng)影像分析技術(shù)來分析各個LED芯片302的光場信息，以回溯得到各個LED芯片302 的光譜及發(fā)光強度。分類模塊350耦接于分析模塊340以及影像處理模塊330，以取得各個LED芯片 302的位置信息，并可根據(jù)各個LED芯片302的光譜及發(fā)光強度進行分類。較佳地，分類模塊350具有一顯示單元(未繪示)，用以顯示不同類別的LED芯片302的位置分布，并以醒目的顏色或記號標記，以作為分類的依據(jù)。此外，檢測裝置還可包括一濾光模塊360，用以過濾光信號L，其配置于光信號L的成像路徑上。較佳地，濾光模塊360是配置于成像模塊320與影像處理模塊330之間，但本發(fā)明不以此為限，濾光模塊360也可配置于圓片300與成像模塊320之間。請同時參考圖3A、圖;3B及圖3C，其中圖3A為繪示依照本發(fā)明較佳實施例的透明探針卡的俯視圖，圖3B為繪示配置于基材上的LED芯片的俯視圖，圖3C為繪示配置于圓片上的透明探針卡的俯視圖及圖3C-1為圖3C中區(qū)域A的局部放大圖。透明探針卡310包括一透明基板312、多條第一透明導(dǎo)電線314及多條第二透明導(dǎo)電線316。透明基板312的材質(zhì)例如為玻璃，覆蓋于圓片300之上。這些第一及第二透明導(dǎo)電線314及316的材質(zhì)例如是銦錫氧化物(ITO)，形成于透明基板312上，且每一條第一透明導(dǎo)電線314與每一條第二透明導(dǎo)電線316彼此交叉且電性絕緣。如圖3C-1所示的局部放大圖所示，每一條第一透明導(dǎo)電線314包括多個第一接點Pl (例如是導(dǎo)電凸塊)，其位置分別對應(yīng)于LED芯片302的每個第一測試墊Tl的位置。此外，多條第二透明導(dǎo)電線316分別與第一透明導(dǎo)電線314彼此交叉，并且每一條第二透明導(dǎo)電線316包括多個第二接點P2 (例如是導(dǎo)電凸塊)，其位置分別對應(yīng)于LED芯片302的第二測試墊T2的位置。此外，第一透明導(dǎo)電線314與第二透明導(dǎo)電線316的交叉點例如以一絕緣物(未繪示)相互隔離，以使第一透明導(dǎo)電線314與第二透明導(dǎo)電線316于交叉點處電性絕緣。另外，第一透明導(dǎo)電線314與第二透明導(dǎo)電線316之間例如也可以一絕緣層(未繪示)完全分隔，第一透明導(dǎo)電線314位于絕緣層之上，而位于絕緣層下方的第二透明導(dǎo)電線316可藉由貫穿絕緣層的多個導(dǎo)電孔(未繪示)與對應(yīng)該多個導(dǎo)電孔的位于絕緣層上方的第二接點 P2電性連接。請參考圖2及圖3C，透明探針卡310覆蓋于圓片300的上方，其尺寸約略大于或等于圓片300的尺寸。第一透明導(dǎo)電線314及第二透明導(dǎo)電線316上的各個第一接點Pl與各個第二接點P2分別電性連接各個LED芯片302的第一測試墊Tl (例如是P型電極)以及第二測試墊T2(例如是N型電極)。第一測試墊Tl用以接收第一電壓(例如是正電壓)，第二測試墊T2用以接收第二電壓(例如是負電壓、地電壓、或低于第一電壓的其它電壓)。 當透明探針卡310通電至各個LED芯片302的第一測試墊Tl及第二測試墊T2時，各個LED 芯片302的發(fā)光層因電致而發(fā)光。如此，即可對基材304上的LED芯片302進行點亮測試。 由于透明探針卡310的基板及導(dǎo)電線均為透明材質(zhì)，雖然覆蓋于圓片300的上方，但不會遮蔽LED芯片302所發(fā)出的光信號L，故不影響后續(xù)擷取LED芯片302所發(fā)出的光信號L所對應(yīng)的影像的動作。在本實施例中，透明探針卡310上的第一透明導(dǎo)電線314及第二透明導(dǎo)電線316 可選擇性地全部通電或局部通電，以使基材304上的一列LED芯片302、多列LED芯片302、 區(qū)域性分布的LED芯片302或所有的LED芯片302可經(jīng)由電路控制而循序或區(qū)域性供電， 以進行電性特性測試及點亮測試。例如，可由上而下逐列點亮LED芯片302，并同時對同一列的LED芯片302進行影像擷取，以得知各個LED芯片302的光場信息及位置信息。此外，透明探針卡310上的電性測試用的接點PI、P2所供給的電壓-電流值可經(jīng)由外部的自動檢測設(shè)備(Auto testing equipment,ATE)分別提供并控制其大小，以得知每一個LED芯片302的光強度與電壓-電流值之間的光電特性曲線。另外，經(jīng)由透明探針卡 310的測試接點PI、P2回傳至自動檢測設(shè)備中的電性測試值(例如工作電壓、反向擊穿電壓(Reverse breakdown voltage)等)也可儲存在自動檢測設(shè)備中，并可根據(jù)上述的測試數(shù)據(jù)對此多個LED芯片302進行規(guī)格化的分類。接著，請配合參照圖2及圖4，其中圖4繪示依照本發(fā)明較佳實施例的濾光處理的流程示意圖。首先，執(zhí)行步驟S210，提供一旋轉(zhuǎn)盤362。旋轉(zhuǎn)盤362上配置有一第一濾光片F(xiàn)1、一第二濾光片F(xiàn)2以及一第三濾光片F(xiàn)3。第一濾光片F(xiàn)1、第二濾光片F(xiàn)2及第三濾光片F(xiàn)3分別配置于旋轉(zhuǎn)盤362的圓周區(qū)域，并以旋轉(zhuǎn)盤362的圓心為中心點旋轉(zhuǎn)而改變其位置。接著，進行步驟S220及S222，旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)盤362，以使第一濾光片F(xiàn)l位于此多個LED芯片 302的光信號L的光路徑上，以形成一第一子影像于感測元件332上。第一濾光片F(xiàn)l例如是紅光濾光片，其可過濾紅光波長以外的其它光波，而使第一子影像僅具有對應(yīng)至光信號L 中紅光成分的影像。接著，執(zhí)行步驟S230及S232，再次旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)盤362，以使第二濾光片 F2位于此多個LED芯片302的光信號L的光路徑上，以形成一第二子影像于感測元件332 上。第二濾光片F(xiàn)2例如是綠光濾光片，其可過濾綠光波長以外的其它光波，而使第二子影像僅具有對應(yīng)至光信號L中綠光成分的影像。接著，進入步驟S240及S242，再次旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)盤362，以使第三濾光片F(xiàn)3位于此多個LED芯片302的光信號L的光路徑上，以形成一第三子影像于感測元件332上。第三濾光片F(xiàn)3例如是藍光濾光片，其可過濾藍光波長以外的其它光波，而使第三子影像中僅具有對應(yīng)至光信號L中藍光成分的影像。接著，請參照圖5，其繪示依照本發(fā)明較佳實施例的影像處理模塊的示意圖。影像處理模塊330例如是高階運算的影像處理器，其可包括第一處理單元333、第二處理單元334、第三處理單元335以及一合并單元336，而合并單元336電性連接至第一處理單元 333、第二處理單元3；34及第三處理單元335。第一處理單元333用以處理第一子影像，并將第一子影像內(nèi)的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各個LED芯片302的一第一色光信息。第一色光信息例如包括紅光光譜及紅光發(fā)光強度的信息。第二處理單元334用以處理第二子影像，并將第二子影像內(nèi)的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各個LED芯片302的一第二色光信息。第二色光信息例如包括綠光光譜及綠光發(fā)光強度的信息。第三處理單元335用以處理第三子影像，并將第三子影像內(nèi)的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各個LED芯片302的一第三色光信息。第三色光信息例如包括藍光光譜及藍光發(fā)光強度的信息。合并單元336用以合并第一色、第二色及第三色光信息，以重現(xiàn)光場信息中對應(yīng)于各個LED芯片302的可見光全光譜與可見光的發(fā)光強度。由此可知，本發(fā)明上述實施例所揭露的圓片級LED芯片檢測方法、檢測裝置及其透明探針卡，是利用透明探針卡導(dǎo)通基材上的LED芯片，以對一部分或所有的LED芯片進行點亮測試。在LED芯片點亮后，利用成像模塊及影像處理模塊進行一次或多次取像，如此可一次獲得所有LED芯片的光場信息以及位置信息，有別于現(xiàn)有點測裝置僅能對單顆LED芯片進行檢測。之后，再利用分析模塊得到各LED芯片的光譜及發(fā)光強度，并進行分類。因此， 本發(fā)明的圓片級LED芯片檢測方法、檢測裝置及其透明探針卡，符合市場所期望的快速、重現(xiàn)性佳、感旋旋旋光性高且檢測系統(tǒng)簡化的需求，同時具有提高檢測的速度及快速分類的優(yōu)點。當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
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權(quán)利要求
1.一種圓片級發(fā)光二極管芯片檢測方法，用于一圓片，該圓片包括一基材以及位于該基材上的多個LED芯片，各該LED芯片包括至少一測試墊，其特征在于，該檢測方法包括提供一透明探針卡，該透明探針卡包括多個接點，該多個接點對應(yīng)于該多個測試墊；以該透明探針卡覆蓋于該圓片的上方，并以該透明探針卡的該多個接點電性連接該多個測試墊，以對該多個LED芯片進行一點亮測試；當該多個LED芯片發(fā)光后，對該多個LED芯片的光信號進行一成像處理，以形成一影像于一感測元件上；擷取該影像，并將該影像的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各該LED芯片的一光場信息及一位置信息；根據(jù)各該LED芯片的該光場信息，得到各該LED芯片的光譜及發(fā)光強度；以及根據(jù)各該LED芯片的光譜及發(fā)光強度，以對該多個LED芯片進行分類。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓片級發(fā)光二極管芯片檢測方法，其特征在于，擷取該多個 LED芯片的光信號所形成的該影像之前，還包括進行一濾光處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圓片級發(fā)光二極管芯片檢測方法，其特征在于，該濾光處理包括提供一旋轉(zhuǎn)盤，該旋轉(zhuǎn)盤上配置有一第一濾光片、一第二濾光片以及一第三濾光片；旋轉(zhuǎn)該旋轉(zhuǎn)盤，以使該第一濾光片位于該多個LED芯片的光信號的光路徑上，以形成一第一子影像于該感測元件上；旋轉(zhuǎn)該旋轉(zhuǎn)盤，以使該第二濾光片位于該多個LED芯片的光信號的光路徑上，以形成一第二子影像于該感測元件上；以及旋轉(zhuǎn)該旋轉(zhuǎn)盤，以使該第三濾光片位于該多個LED芯片的光信號的光路徑上，以形成一第三子影像于該感測元件上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圓片級發(fā)光二極管芯片檢測方法，其特征在于，進行該濾光處理后，還包括擷取該第一子影像，并將該第一子影像的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各該LED芯片的一第一色光信息；擷取該第二子影像，并將該第二子影像的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各該LED芯片的一第二色光信息；擷取該第三子影像，并將該第三子影像內(nèi)的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各該LED芯片的一第三色光信息；以及合并該第一色、第二色及第三色光信息，以得到對應(yīng)于各該LED芯片的該光場信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圓片級發(fā)光二極管芯片檢測方法，其特征在于，該第一色光信息包括紅光光譜及紅光發(fā)光強度的信息。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圓片級發(fā)光二極管芯片檢測方法，其特征在于，該第二色光信息包括綠光光譜及綠光發(fā)光強度的信息。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圓片級發(fā)光二極管芯片檢測方法，其特征在于，該第三色光信息包括藍光光譜及藍光發(fā)光強度的信息。
8.一種圓片級發(fā)光二極管芯片檢測裝置，用于一圓片，該圓片包括一基材以及位于該基材上的多個LED芯片，該多個LED芯片包括多個測試墊，其特征在于，該檢測裝置包括一透明探針卡，包括多個接點，該多個接點分別對應(yīng)于該多個測試墊，該透明探針卡用以覆蓋于該圓片的上方，并以該透明探針卡的該多個接點電性連接該多個測試墊，以對該多個LED芯片進行一點亮測試；一成像模塊，用以使該多個LED芯片發(fā)光后的光信號形成一影像； 一影像處理模塊，用以擷取該影像，并將該影像的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各該LED芯片的一光場信息及一位置信息；一分析模塊，耦接至該影像處理模塊，并根據(jù)各該LED芯片的該光場信息及該位置信息，得到各該LED芯片的光譜及發(fā)光強度；以及一分類模塊，耦接該分析模塊以及該影像處理模塊，以取得各該LED芯片的該位置信息，并根據(jù)各該LED芯片的光譜及發(fā)光強度，以對該多個LED芯片進行分類。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圓片級發(fā)光二極管芯片檢測裝置，其特征在于，還包括一濾光模塊，用以過濾該多個LED芯片的光信號。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測裝置，其特征在于，影像處理模塊包括一感測元件，而該濾光模塊包括一旋轉(zhuǎn)盤；一第一濾光片，配置于該旋轉(zhuǎn)盤上，用以隨著該旋轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)至該多個LED芯片的光信號的光路徑上，以形成一第一子影像于該感測元件上；一第二濾光片，配置于該旋轉(zhuǎn)盤上，用以隨著該旋轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)至該多個LED芯片的光信號的光路徑上，以形成一第二子影像于該感測元件上；一第三濾光片，配置于該旋轉(zhuǎn)盤上，用以隨著該旋轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)至該多個LED芯片的光信號的光路徑上，以形成一第三子影像于該感測元件上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圓片級發(fā)光二極管芯片檢測裝置，其特征在于，該影像處理模塊還包括一第一處理單元，用以處理該第一子影像，并將該第一子影像的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各該LED芯片的一第一色光信息；一第二處理單元，用以處理該第二子影像，并將該第二子影像的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各該LED芯片的一第二色光信息；一第三處理單元，用以處理該第三子影像，并將該第三子影像內(nèi)的光信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各該LED芯片的一第三色光信息；以及一合并單元，電性連接至該第一處理單元、第二處理單元及第三處理單元，用以合并該第一色、第二色及第三色光信息，以重現(xiàn)對應(yīng)于各該LED芯片的該光場信息。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圓片級發(fā)光二極管芯片檢測裝置，其特征在于，該第一色光信息包括紅光光譜及紅光發(fā)光強度的信息。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圓片級發(fā)光二極管芯片檢測裝置，其特征在于，該第二色光信息包括綠光光譜及綠光發(fā)光強度的信息。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圓片級發(fā)光二極管芯片檢測裝置，其特征在于，該第三色光信息包括藍光光譜及藍光發(fā)光強度的信息。
15.一種透明探針卡，用于一圓片，該圓片包括一基材以及位于該基材上的多個LED芯片，各該LED芯片包括一第一測試墊以及一第二測試墊，其特征在于，該透明探針卡包括一透明基板；多條第一透明導(dǎo)電線，配置于該透明基板上，各該第一透明導(dǎo)電線包括多個第一接點， 其位置對應(yīng)于該多個第一測試墊的位置；以及多條第二透明導(dǎo)電線，配置于該透明基板上，并與該多個第一透明導(dǎo)電線交叉且電性絕緣，各該第二透明導(dǎo)電線包括多個第二接點，其位置對應(yīng)于該多個第二測試墊的位置。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的透明探針卡，其特征在于，該透明基板的材質(zhì)包括玻璃。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的透明探針卡，其特征在于，該多個第一透明導(dǎo)電線及第二透明導(dǎo)電線的材質(zhì)包括銦錫氧化物。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的透明探針卡，其特征在于，該多個第一接點及第二接點為導(dǎo)電凸塊。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的透明探針卡，其特征在于，該多個第一透明導(dǎo)電線與該多個第二透明導(dǎo)電線互相垂直，且分別用以接收相異的一第一電壓與一第二電壓。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的透明探針卡，其特征在于，各該第一測試墊與對應(yīng)的該第一接點電性連接，各該第二測試墊與對應(yīng)的該第二接點電性連接。
全文摘要
一種圓片級發(fā)光二極管芯片檢測方法、檢測裝置及其透明探針卡。此檢測方法包括提供一透明探針卡，且透明探針卡覆蓋于圓片的上方，并以透明探針卡的接點電性連接LED芯片的測試墊，以對LED芯片進行一點亮測試。當LED芯片發(fā)光后，對LED芯片的光信號進行一成像處理，以形成一影像于一感測元件上。擷取影像，并將影像的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于各個LED芯片的一光場信息及一位置信息。根據(jù)LED芯片的光場信息，得到LED芯片的光譜及發(fā)光強度。根據(jù)LED芯片的光譜及發(fā)光強度，以對LED芯片進行分類。本發(fā)明還揭露一種應(yīng)用上述檢測方法的圓片級發(fā)光二極管芯片檢測裝置及透明探針卡。上述的檢測方法、檢測裝置及其透明探針卡，具有提高檢測速度及快速分類的優(yōu)點。
文檔編號G01J1/42GK102445668SQ20101062174
公開日2012年5月9日 申請日期2010年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月11日
發(fā)明者彭耀祈, 林宏彛, 林建憲, 鄭佳申 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院