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并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈的制作方法

文檔序號(hào):5874075閱讀:232來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及磁共振高場(chǎng)和超高場(chǎng)成像系統(tǒng),特別是指一種適用于磁共振高場(chǎng)和超高場(chǎng)成像系統(tǒng)中的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈。
背景技術(shù)
磁共振成像技術(shù)在過(guò)去十余年間的發(fā)展速度迅速,它不僅成為臨床醫(yī)學(xué)診斷不可 缺少的工具,更成為直接觀測(cè)大腦認(rèn)知活動(dòng)的“天文望遠(yuǎn)鏡”或“顯微鏡”,徹底改變了腦與 認(rèn)知科學(xué)領(lǐng)域的研究面貌。制約磁共振技術(shù)發(fā)展的主要瓶頸是圖像的信噪比、分辨率和成 像速度。目前解決這一問(wèn)題的主要途徑是提高主磁場(chǎng)強(qiáng)度,改進(jìn)線圈的發(fā)射與接收功能,實(shí) 現(xiàn)多通道并行成像,提高成像速度。當(dāng)前高場(chǎng)(一般為3T)和超高場(chǎng)(7T及以上)磁共振 成像系統(tǒng)與并行成像技術(shù)是磁共振成像領(lǐng)域最令人注目的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。同現(xiàn)有的臨床主流1. 5T磁共振系統(tǒng)比較,高場(chǎng)和超高場(chǎng)全身磁共振系統(tǒng)在信噪 比、功能信號(hào)強(qiáng)度和頻譜分辨率等幾個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)上都有大幅度提高。7T磁共振成像系統(tǒng)目 前可以達(dá)到0. 1毫米以下的分辨率,為觀測(cè)更加細(xì)微的機(jī)體組織結(jié)構(gòu)及其功能活動(dòng)提供了 可能。高場(chǎng)和超高場(chǎng)全身磁共振系統(tǒng)盡管有如此突出的能力,要充分發(fā)揮其作用,還有許多 技術(shù)難題需要解決,如超高場(chǎng)系統(tǒng)中存在由于人體的介電共振效應(yīng)引起射頻場(chǎng)發(fā)射的不均 勻性,影響磁共振成像系統(tǒng)的圖像信噪比,人體對(duì)電磁能量的過(guò)度吸收,即高SAR值,靜磁 場(chǎng)勻場(chǎng)的高難度等問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問(wèn)題,本發(fā)明的目的是提供一種射頻場(chǎng)發(fā)射均勻,圖像信噪比高,電磁能 量發(fā)射低的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取以下技術(shù)方案一種并行發(fā)射接收射頻接口電路和 相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征在于所述相控陣發(fā)射接收頭線圈包括兩端通透的一內(nèi)殼 和一外殼,所述內(nèi)殼和外殼對(duì)應(yīng)測(cè)試者眼部的位置均開(kāi)設(shè)有一全開(kāi)的視窗,所述內(nèi)殼的外 表面上設(shè)置有上、下兩圈共八個(gè)相控陣表面回路,其中一個(gè)所述相控陣表面回路圍繞所述 視窗設(shè)置;所述并行發(fā)射接收射頻接口電路包括一功分器,將輸入的單通道射頻信號(hào)分成 八路射頻信號(hào);所述功分器連接八個(gè)移相器,每一所述移相器將輸入的每一路射頻信號(hào)進(jìn) 行線性相移,經(jīng)相移后的每一路射頻信號(hào)通過(guò)一發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)的輸入/輸出端發(fā)射至 所述相控陣發(fā)射接收頭線圈上的八個(gè)相控陣表面回路,使每圈中相鄰所述兩相控陣表面回 路之間的相移差為定值,上、下兩圈對(duì)應(yīng)的所述兩相控陣表面回路之間射頻信號(hào)的相位差 為定值;所述八個(gè)相控陣表面回路發(fā)射射頻信號(hào)并接受人體氫原子產(chǎn)生八路磁共振信號(hào), 所述八路磁共振信號(hào)分別通過(guò)每一所述發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)的輸入/輸出端輸入一前置放 大器;每一所述發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)的控制端均連接掃描儀的控制系統(tǒng),以接收所述控制系 統(tǒng)輸出的發(fā)射或接收的切換控制指令。所述移相器為同軸電纜,所述同軸電纜的長(zhǎng)度決定所述移相器的相移量。
每圈中相鄰所述兩相控陣表面回路之間的相移差為90°,上、下兩圈對(duì)應(yīng)的所述 兩相控陣表面回路之間射頻信號(hào)的相位差為180°。所述內(nèi)殼的外表面上的其中三對(duì)所述上、下相控陣表面回路為對(duì)稱(chēng)設(shè)置。所述并行發(fā)射接收射頻接口電路還包括連接在每一所述移相器與發(fā)射接收轉(zhuǎn)換 開(kāi)關(guān)之間的、調(diào)節(jié)各路射頻信號(hào)幅值用的八個(gè)衰減器。所述相控陣發(fā)射接收頭線圈上每一所述相控陣表面回路包括三固定電容、三可調(diào) 電容和電感,其中的三固定電容、二可調(diào)電容和電感串聯(lián)成一諧振回路。所述諧振回路中的一可調(diào)電容的兩端通過(guò)另一所述可調(diào)電容連接所述射頻接口 電路中的發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān);所述固定電容為無(wú)磁耐高壓固定電容,所述可調(diào)電容為無(wú)磁 耐高壓可調(diào)電容;所述相控陣表面回路中電感由四段銅皮構(gòu)成。本發(fā)明由于采取以上技術(shù)方案,其具有以下優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明采用的射頻接口電路 從單通道功率放大器輸出的單通道射頻信號(hào)均勻地分成八路射頻信號(hào),并對(duì)每一路的射頻 信號(hào)進(jìn)行線性相移獲得均勻的發(fā)射場(chǎng);射頻接口電路接收掃描儀的控制系統(tǒng)發(fā)出的發(fā)射或 接收的開(kāi)關(guān)控制信號(hào),當(dāng)射頻接口電路處于發(fā)射狀態(tài)時(shí),其向頭線圈發(fā)射相位不同的均勻 的八路射頻信號(hào),對(duì)處于頭線圈中的人腦軟組織中的氫原子進(jìn)行激勵(lì),使人體氫原子產(chǎn)生 核磁共振信號(hào),當(dāng)射頻接口電路處于接收狀態(tài)時(shí),頭線圈分別接收人體氫原子受激勵(lì)產(chǎn)生 的八路磁共振信號(hào),并將八路磁共振信號(hào)放大后,輸送給磁共振成像系統(tǒng)進(jìn)行圖像的重建 和后處理。2、由于本發(fā)明采用功分器將單通道射頻信號(hào)分成八路射頻信號(hào),再通過(guò)八移相 器對(duì)功分器分出的八路射頻信號(hào)分別進(jìn)行線性相移,通過(guò)對(duì)每一射頻信號(hào)進(jìn)行相移,直至 獲得射頻場(chǎng)的勻場(chǎng),本發(fā)明相對(duì)于使用多個(gè)功率放大器的多通道并行發(fā)射系統(tǒng),采用功分 方式省去了購(gòu)買(mǎi)或研制昂貴的磁共振功率放大器的費(fèi)用,可使用較低的造價(jià)達(dá)到多通道并 行發(fā)射及射頻場(chǎng)勻場(chǎng)的效果。3、由于本發(fā)明的頭線圈上開(kāi)設(shè)有一全開(kāi)的視窗,與傳統(tǒng)的視 窗相比,全開(kāi)的視窗能夠使左右眼的視野完全打開(kāi),有利于對(duì)實(shí)驗(yàn)被試進(jìn)行清晰的視覺(jué)刺 激。4、由于本發(fā)明的發(fā)射接收頭線圈采用了相控陣表面回路,每一相控陣表面回路的諧振 頻率滿足123. 2MHz,同時(shí)使每一諧振回路具有高品質(zhì)因子,從而為提高圖像信噪比提供了 有利的條件。5、由于本發(fā)明的兩相鄰相控陣表面回路之間具有重疊面積,通過(guò)適當(dāng)?shù)闹丿B 面積以去除相互間的耦合;相鄰對(duì)角線的兩相控陣表面回路之間則通過(guò)公用電容,達(dá)到去 耦合的作用,保證了圖像的高信噪比。6、由于本發(fā)明的每一相控陣表面回路中諧振回路的 一可調(diào)電容的兩端通過(guò)另一可調(diào)電容連接射頻接口電路中的發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān),因此可以 將相控陣頭線圈調(diào)節(jié)至與前置放大器的相位和阻抗相匹配,進(jìn)一步提高了圖像的信噪比。 7、由于本發(fā)明的線圈構(gòu)架,銅皮電感,固定電容和可調(diào)電容均是無(wú)磁性的機(jī)械材料和電子 元器件,且機(jī)械材料在磁共振實(shí)驗(yàn)中不成像,因此可以進(jìn)一步提高圖像信噪比。本發(fā)明可以 廣泛應(yīng)用于各種磁共振高場(chǎng)成像系統(tǒng),尤其是超高場(chǎng)成像系統(tǒng)。


圖1是本發(fā)明的并行發(fā)射接收射頻接口電路方框示意2是本發(fā)明的發(fā)射接收頭線圈的結(jié)構(gòu)示意3是本發(fā)明的發(fā)射接收頭線圈的外殼上相控陣表面回路的分布示意4是本發(fā)明的發(fā)射接收頭線圈的外殼上相控陣表面回路的電路連接示意圖具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。如圖1所示,本發(fā)明包括一并行發(fā)射接收射頻接口電路1和一套設(shè)在人體頭部的 相控陣發(fā)射接收頭線圈2。并行發(fā)射接收射頻接口電路1將從單通道功率放大器輸出的單 通道射頻信號(hào)A分成八路相同的射頻信號(hào)后,對(duì)八路射頻信號(hào)分別進(jìn)行線性相移,并使八 路射頻信號(hào)的相移依次相差一定的數(shù)值,直至發(fā)射的射頻場(chǎng)達(dá)到均勻。同時(shí),并行發(fā)射接收 射頻接口電路1給相控陣發(fā)射接收頭線圈2發(fā)送八路射頻信號(hào),以對(duì)處于相控陣發(fā)射接收 頭線圈2中的人腦軟組織中的氫原子進(jìn)行激勵(lì),使人體氫原子產(chǎn)生磁共振信號(hào)。相控陣發(fā) 射接收頭線圈2再將所產(chǎn)生的八路磁共振信號(hào)反饋回并行發(fā)射接收射頻接口電路1,由并 行發(fā)射接收射頻接口電路1將八路磁共振信號(hào)放大為B后,輸送給磁共振成像系統(tǒng)進(jìn)行圖 像的重建和后處理。本發(fā)明的并行發(fā)射接收射頻接口電路1包括一功分器11、八個(gè)移相器12、八個(gè)衰 減器13、八個(gè)發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)14和八個(gè)前置放大器15。其中功分器11的輸入端連接單通道功率放大器的輸出端,以將從單通道功率放大器 輸出的單通道射頻信號(hào)A均等地分成八路相同的射頻信號(hào)。本實(shí)施例中,功分器11采用的 是八等分威爾金森功分電路,該功分電路由高頻無(wú)磁的分立元器件構(gòu)成,其工作的中心頻 率為123.2MHz。8個(gè)輸出端口分別連接了大功率散熱隔離電阻,以避免在輸出端阻抗失配 時(shí),信號(hào)被反射耦合到其它通道,影響功分結(jié)果。每一移相器12的輸入端均連接相對(duì)應(yīng)的功分器11的輸出端,以對(duì)功分器11分出 的八路射頻信號(hào)分別進(jìn)行線性相移,獲得均勻分布的射頻場(chǎng)。本實(shí)施例中,移相器12采用 的是同軸電纜,每根同軸電纜的相移量由其長(zhǎng)度決定,比如在西門(mén)子3T系統(tǒng)中每90°相 移量的電纜長(zhǎng)度大約為41cm(該長(zhǎng)度包括同軸電纜的連接器轉(zhuǎn)接頭)。每一移相器12輸出 的射頻信號(hào)經(jīng)過(guò)一衰減器13調(diào)節(jié)幅值后輸入一發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)14。本發(fā)明相對(duì)于使用 多個(gè)功率放大器的多通道并行發(fā)射系統(tǒng),采用功分方式省去了購(gòu)買(mǎi)或研制昂貴的磁共振功 率放大器的費(fèi)用,可使用較低的造價(jià)達(dá)到多通道并行發(fā)射及射頻場(chǎng)勻場(chǎng)的效果。每一發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)14的控制端均連接掃描儀的控制系統(tǒng)(圖中未示出),用 于接收控制系統(tǒng)輸出的發(fā)射或接收的切換控制指令U。每一發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)14的輸入/ 輸出端連接相控陣發(fā)射接收頭線圈2,且各發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)14的輸出端分別與一前置放 大器15的輸入端連接,每一前置放大器15的輸出端分別連接磁共振成像系統(tǒng),用于將相控 陣發(fā)射接收頭線圈2產(chǎn)生磁共振信號(hào)B放大后輸入磁共振成像系統(tǒng)。前置放大器15還具 有去耦功能,從而可以提高磁共振成像系統(tǒng)輸出的圖像的信噪比。本實(shí)施例中,發(fā)射接收轉(zhuǎn) 換開(kāi)關(guān)14的工作頻率為123. 2MHz,通過(guò)磁共振系統(tǒng)的高低電平控制并行發(fā)射接收射頻接 口電路1的時(shí)序。前置放大器15采用的是西門(mén)子公司提供的低噪聲系數(shù),高增益的3T前 置放大器。如圖2所示,本發(fā)明的相控陣發(fā)射接收頭線圈2包括兩端通透的一內(nèi)殼21和一外 殼22,內(nèi)殼21和外殼22對(duì)應(yīng)測(cè)試者眼部的位置均開(kāi)設(shè)有一長(zhǎng)方形的視窗23,測(cè)試者可以 將相控陣發(fā)射接收頭線圈2套在頭上后,測(cè)試者的眼睛可以通過(guò)視窗23觀察視覺(jué)圖像,在 功能磁共振實(shí)驗(yàn)中測(cè)試者對(duì)應(yīng)的大腦功能區(qū)將得到刺激,產(chǎn)生興奮和相應(yīng)的功能磁共振信號(hào)。本發(fā)明的視窗23的結(jié)構(gòu)不同于傳統(tǒng)使用的視窗,傳統(tǒng)的視窗中間具有一隔板,將左右 眼的視野隔開(kāi)。而本發(fā)明去掉了中間的隔板,使左右眼的視野完全打開(kāi),有利于對(duì)實(shí)驗(yàn)被試 進(jìn)行清晰的視覺(jué)刺激。如圖3所示,本發(fā)明的相控陣發(fā)射接收頭線圈2中內(nèi)殼21的外表面上設(shè)置有上、 下兩圈共八個(gè)相控陣表面回路24,如圖3中的chl、2、3、4、5、6、7和8,即四對(duì)上、下相控陣 表面回路24,如圖3中的ch7與3、ch8與4、ch5與l、ch6與2。其中,三對(duì)上、下相控陣表 面回路24,如圖3中的ch7與3、ch8與4、ch6與2是對(duì)稱(chēng)設(shè)置,剩余的一對(duì)上、下相控陣表 面回路24,如圖3中的ch5與1中下部的相控陣表面回路24將視窗23包圍,從而使得該對(duì) 上、下相控陣表面回路24,如圖3中的ch5與1為非對(duì)稱(chēng)設(shè)置。 由于相鄰的兩相控陣表面回路24之間和相鄰對(duì)角線的兩相控陣表面回路24之間 均具有相互耦合作用,因此本發(fā)明將相鄰的兩相控陣表面回路24的部分面積重疊,但不相 互接觸,目的在于去除相互之間的互感,達(dá)到去耦合作用,進(jìn)而有效地提高磁共振圖像的信 噪比和成像范圍。對(duì)于相鄰對(duì)角線的兩相控陣表面回路24之間的耦合作用,本發(fā)明通過(guò)設(shè) 置若干公用電容Cl’、C2’、C3’、C4、C5、C6、C7和C8來(lái)實(shí)現(xiàn);同樣,其中包圍視窗23的相控 陣表面回路24與另一圈中對(duì)應(yīng)的非對(duì)稱(chēng)相控陣表面回路24之間是通過(guò)一公用電容C9達(dá) 到去耦作用,從而進(jìn)一步提高磁共振圖像的信噪比和成像范圍,更好地為功能磁共振實(shí)驗(yàn) 和認(rèn)知科學(xué)實(shí)驗(yàn)服務(wù)。如圖4所示,本發(fā)明的相控陣發(fā)射接收頭線圈2中每一相控陣表面回路24包括 三固定電容Cl、C2和C3,三可調(diào)電容Cf、Cp和Cs,以及一電感Li。其中,固定電容Cl、C2 和C3,可調(diào)電容Cf、Cp,以及電感Ll構(gòu)成一諧振回路,可調(diào)電容Cp的兩端通過(guò)可調(diào)電容Cs 連接并行發(fā)射接收射頻接口電路1中的發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)14,用于接收從并行發(fā)射接收射 頻接口電路1輸出的經(jīng)相移后的八路射頻信號(hào),八路射頻信號(hào)分為上下兩組,分別用以驅(qū) 動(dòng)上、下兩圈八個(gè)相控陣表面回路24,每圈中相鄰兩相控陣表面回路24之間的相移差是 90°,上、下兩圈對(duì)應(yīng)的兩相控陣表面回路24(比如圖3中的ch7與3、ch8與4、ch5與1、 ch6與2)之間射頻信號(hào)的相位差為180°。固定電容C1、C2和C3配合可調(diào)電容Cf來(lái)調(diào)諧 回路的頻率,Cp和Cs分別用來(lái)調(diào)諧相控陣表面回路24的阻抗匹配和相位。電感Ll是由 四段銅皮構(gòu)成的,此諧振回路的諧振頻率是123. 2MHz。本實(shí)施例中,Cl、C2和C3為無(wú)磁耐 高壓固定電容,Cf、Cp和Cs為無(wú)磁耐高壓可調(diào)電容。本發(fā)明的工作時(shí),并行發(fā)射接收射頻接口電路1中的功分器11將從單通道功率放 大器輸出的單通道射頻信號(hào)A分成八路射頻信號(hào),分別輸送給每一移相器12,每一移相器 12對(duì)輸入的每一路射頻信號(hào)進(jìn)行線性相移,獲得均勻的發(fā)射場(chǎng)。同時(shí),并行發(fā)射接收射頻接 口電路1中的發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)14按照掃描儀的控制系統(tǒng)發(fā)出的發(fā)射或接收的開(kāi)關(guān)控制 信號(hào)U工作,當(dāng)發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)14接收到發(fā)射的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)U,并行發(fā)射接收射頻接口 電路1處于發(fā)射狀態(tài),通過(guò)發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)14向相控陣發(fā)射接收頭線圈2上相控陣表面 回路24中的諧振回路發(fā)射相位不同的均勻的八路射頻信號(hào),對(duì)處于相控陣發(fā)射接收頭線 圈2中的人腦軟組織中的氫原子進(jìn)行激勵(lì),使人體氫原子產(chǎn)生磁共振信號(hào);當(dāng)發(fā)射接收轉(zhuǎn) 換開(kāi)關(guān)14接收到接收的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)U,并行發(fā)射接收射頻接口電路1處于接收狀態(tài),相控 陣發(fā)射接收頭線圈2上每一相控陣表面回路24中的諧振回路分別向每一發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi) 關(guān)14發(fā)出人體氫原子受激勵(lì)產(chǎn)生的八路磁共振信號(hào),并通過(guò)并行發(fā)射接收射頻接口電路1中的八前置放大器15放大為B后,輸送給磁共振成像系統(tǒng)進(jìn)行圖像的重建和后處理。
上述各實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明,其中各部件的結(jié)構(gòu)、連接方式等都是可以有所 變化的,凡是在本發(fā)明技術(shù)方案的基礎(chǔ)上進(jìn)行的等同變換和改進(jìn),均不應(yīng)排除在本發(fā)明的 保護(hù)范圍之外。
權(quán)利要求
一種并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征在于所述相控陣發(fā)射接收頭線圈包括兩端通透的一內(nèi)殼和一外殼,所述內(nèi)殼和外殼對(duì)應(yīng)測(cè)試者眼部的位置均開(kāi)設(shè)有一全開(kāi)的視窗,所述內(nèi)殼的外表面上設(shè)置有上、下兩圈共八個(gè)相控陣表面回路,其中一個(gè)所述相控陣表面回路圍繞所述視窗設(shè)置;所述并行發(fā)射接收射頻接口電路包括一功分器,將輸入的單通道射頻信號(hào)分成八路射頻信號(hào);所述功分器連接八個(gè)移相器,每一所述移相器將輸入的每一路射頻信號(hào)進(jìn)行線性相移,經(jīng)相移后的每一路射頻信號(hào)通過(guò)一發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)的輸入/輸出端發(fā)射至所述相控陣發(fā)射接收頭線圈上的八個(gè)相控陣表面回路,使每圈中相鄰所述兩相控陣表面回路之間的相移差為定值,上、下兩圈對(duì)應(yīng)的所述兩相控陣表面回路之間射頻信號(hào)的相位差為定值;所述八個(gè)相控陣表面回路發(fā)射射頻信號(hào)并接受人體氫原子產(chǎn)生八路磁共振信號(hào),所述八路磁共振信號(hào)分別通過(guò)每一所述發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)的輸入/輸出端輸入一前置放大器;每一所述發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)的控制端均連接掃描儀的控制系統(tǒng),以接收所述控制系統(tǒng)輸出的發(fā)射或接收的切換控制指令。
2.如權(quán)利要求1所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征 在于所述移相器為同軸電纜,所述同軸電纜的長(zhǎng)度決定所述移相器的相移量。
3.如權(quán)利要求2所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征 在于每圈中相鄰所述兩相控陣表面回路之間的相移差為90°,上、下兩圈對(duì)應(yīng)的所述兩 相控陣表面回路之間射頻信號(hào)的相位差為180°。
4.如權(quán)利要求1所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征 在于所述內(nèi)殼的外表面上的其中三對(duì)所述上、下相控陣表面回路為對(duì)稱(chēng)設(shè)置。
5.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭 線圈,其特征在于所述并行發(fā)射接收射頻接口電路還包括連接在每一所述移相器與發(fā)射 接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)之間的、調(diào)節(jié)各路射頻信號(hào)幅值用的八個(gè)衰減器。
6.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭 線圈,其特征在于所述相控陣發(fā)射接收頭線圈上每一所述相控陣表面回路包括三固定電 容、三可調(diào)電容和電感,其中的三固定電容、二可調(diào)電容和電感串聯(lián)成一諧振回路。
7.如權(quán)利要求5所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征 在于所述相控陣發(fā)射接收頭線圈上每一所述相控陣表面回路包括三固定電容、三可調(diào)電 容和電感,其中的三固定電容、二可調(diào)電容和電感串聯(lián)成一諧振回路。
8.如權(quán)利要求6所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征 在于所述諧振回路中的一可調(diào)電容的兩端通過(guò)另一所述可調(diào)電容連接所述射頻接口電路 中的發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān);所述固定電容為無(wú)磁耐高壓固定電容,所述可調(diào)電容為無(wú)磁耐高 壓可調(diào)電容;所述相控陣表面回路中電感由四段銅皮構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求7所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征 在于所述諧振回路中的一可調(diào)電容的兩端通過(guò)另一所述可調(diào)電容連接所述射頻接口電路 中的發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān);所述固定電容為無(wú)磁耐高壓固定電容,所述可調(diào)電容為無(wú)磁耐高 壓可調(diào)電容;所述相控陣表面回路中電感由四段銅皮構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,相控陣發(fā)射接收頭線圈包括兩端通透的一內(nèi)殼和一外殼,內(nèi)殼和外殼對(duì)應(yīng)測(cè)試者眼部的位置均開(kāi)設(shè)有一全開(kāi)的視窗,內(nèi)殼的外表面上設(shè)置有上、下兩圈共八個(gè)相控陣表面回路,其中一相控陣表面回路圍繞視窗設(shè)置;并行發(fā)射接收射頻接口電路包括一功分器,功分器連接八個(gè)移相器,每一移相器將輸入的每一路射頻信號(hào)進(jìn)行線性相移,經(jīng)相移后的每一路射頻信號(hào)通過(guò)一發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)的輸入/輸出端發(fā)射至相控陣發(fā)射接收頭線圈上的八個(gè)相控陣表面回路;八個(gè)相控陣表面回路發(fā)射射頻信號(hào)并接受人體氫原子產(chǎn)生八路磁共振信號(hào),八路磁共振信號(hào)分別通過(guò)每一發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)的輸入/輸出端輸入一前置放大器;每一發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)的控制端均連接掃描儀的控制系統(tǒng)。本發(fā)明可以廣泛應(yīng)用于各種磁共振高場(chǎng)成像系統(tǒng),尤其是超高場(chǎng)成像系統(tǒng)。
文檔編號(hào)G01R33/36GK101872001SQ201010215148
公開(kāi)日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2010年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月29日
發(fā)明者卓彥, 左真濤, 朱華彬, 李艷霞, 薛蓉, 馬昊立 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院生物物理研究所
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