梯度線圈組件以及磁共振設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種梯度線圈組件，其包括主梯度線圈及與主梯段線圈熱連接的第一阻尼機(jī)構(gòu)，第一阻尼機(jī)構(gòu)包括填充有導(dǎo)熱材料的第一塑膠基體和固定于第一塑膠基體內(nèi)的第一冷卻管。本發(fā)明還涉及一種包括上述梯度線圈的磁共振設(shè)備。本發(fā)明的梯度線圈組件具有噪音小的技術(shù)效果。
【專利說明】
梯度線圈組件以及磁共振設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種梯度線圈組件，尤其涉及一種用于磁共振設(shè)備、且可降低噪音的梯度線圈組件。
【【背景技術(shù)】】
[0002]在磁共振成像技術(shù)中，梯度線圈為磁共振系統(tǒng)中的一個(gè)重要部件。梯度線圈安裝在磁共振系統(tǒng)的磁體的內(nèi)部，緊貼磁體的內(nèi)表面固定。在磁共振系統(tǒng)的工作過程中，由于洛倫茲力對(duì)梯度線圈的作用，導(dǎo)致梯度線圈產(chǎn)生位移，振動(dòng)和噪聲。因此將梯度線圈固定在磁體上時(shí)，要考慮減小振動(dòng)和噪聲。
[0003]中國(guó)專利申請(qǐng)公開第CN146858號(hào)公開了一種在梯度線圈端面使用楔塊的固定裝置。此固定裝置的缺陷在于，楔塊結(jié)構(gòu)僅能實(shí)現(xiàn)軸向位置兩端的固定，梯度線圈和磁體中間的空隙懸空，減振降噪效果差。同時(shí)，安裝復(fù)雜。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供了一種降噪效果好的梯度線圈組件。
[0005]本發(fā)明解決現(xiàn)有技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種梯度線圈組件，其包括主梯度線圈及與主梯段線圈熱連接的第一阻尼機(jī)構(gòu)，所述第一阻尼機(jī)構(gòu)包括填充有導(dǎo)熱材料的第一塑膠基體和固定于第一塑膠基體內(nèi)的第一冷卻管。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案:其還包括屏蔽梯度線圈以及與屏蔽梯段線圈熱連接的第二阻尼機(jī)構(gòu)，所述第二阻尼機(jī)構(gòu)包括填充有導(dǎo)熱材料的第二塑膠基體和固定于第二塑膠基體內(nèi)的第二冷卻管。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案:其還包括設(shè)于主梯度線圈和屏蔽梯度線圈之間的勻場(chǎng)組件。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案:所述屏蔽梯度線圈包括第一橫向屏蔽梯度線圈、位于第一橫向屏蔽梯度線圈外側(cè)的第二橫向屏蔽梯度線圈以及位于第二橫向屏蔽梯度線圈外側(cè)的軸向屏蔽梯度線圈，所述第二阻尼機(jī)構(gòu)位于第一橫向屏蔽梯度線圈的內(nèi)側(cè)。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案:所述主梯度線圈包括第一橫向梯度線圈、位于第一橫向梯度線圈外側(cè)的第二橫向梯度線圈以及位于第二橫向梯度線圈外側(cè)的軸向梯度線圈，所述第一阻尼機(jī)構(gòu)位于第一橫向梯段線圈和第二橫向梯度線圈之間。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案:所述第一塑膠基體為環(huán)氧樹脂或者聚氨酯材料制成。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案:所述導(dǎo)熱材料為石英、氧化鎂鋁或者氮化硼。
[0012]本發(fā)明解決現(xiàn)有技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種包括上述梯度線圈組件的磁共振設(shè)備。
[0013]本發(fā)明的用于磁共振設(shè)備的梯度線圈組件具有噪音小的技術(shù)效果?！尽靖綀D說明】】
[0014]圖1為本發(fā)明用于磁共振設(shè)備的梯度線圈的橫向剖視示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0015]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明:
[0016]請(qǐng)參閱圖1所示，本發(fā)明為一種用于磁共振設(shè)備的梯度線圈組件，其包括主梯度線圈以及與主梯段線圈熱連接的第一阻尼機(jī)構(gòu)23。第一阻尼機(jī)構(gòu)23包括填充有導(dǎo)熱材料的第一塑膠基體21和固定于第一塑膠基體21內(nèi)的第一冷卻管22。第一冷卻管22內(nèi)可以裝有水或者其它冷卻介質(zhì)，以用于對(duì)主梯度線圈的冷卻。本發(fā)明通過第一冷卻管22內(nèi)的冷卻介質(zhì)，通過第一阻尼機(jī)構(gòu)23內(nèi)的導(dǎo)熱材料，將主梯度線圈在工作時(shí)產(chǎn)生的熱量帶走。同時(shí)，第一阻尼機(jī)構(gòu)23可以降低主梯度線圈工作時(shí)震動(dòng)產(chǎn)生的噪音。
[0017]梯度線圈組件還包括屏蔽梯度線圈以及與屏蔽梯段線圈熱連接的第二阻尼機(jī)構(gòu)43。第二阻尼機(jī)構(gòu)43包括填充有導(dǎo)熱材料的第二塑膠基體41和固定于第二塑膠基體41內(nèi)的第二冷卻管42 ο第二冷卻管42內(nèi)可以裝有水或者其它冷卻介質(zhì)，以用于對(duì)屏蔽梯度線圈的冷卻。本發(fā)明通過第二冷卻管42內(nèi)的冷卻介質(zhì)，通過第二阻尼機(jī)構(gòu)43內(nèi)的導(dǎo)熱材料，將屏蔽梯度線圈在工作時(shí)產(chǎn)生的熱量帶走。同時(shí)，第二阻尼機(jī)構(gòu)43可以降低屏蔽梯度線圈工作時(shí)震動(dòng)產(chǎn)生的噪音。
[0018]梯度線圈組件還包括設(shè)于主梯度線圈和屏蔽梯度線圈之間的勻場(chǎng)組件201。該勻場(chǎng)組件201用于調(diào)整磁共振設(shè)備中場(chǎng)強(qiáng)的均勻度。
[0019]屏蔽梯度線圈包括第一橫向屏蔽梯度線圈31、位于第一橫向屏蔽梯度線圈31外側(cè)的第二橫向屏蔽梯度線圈32以及位于第二橫向屏蔽梯度線圈32外側(cè)的軸向屏蔽梯度線圈33。第二阻尼機(jī)構(gòu)43位于第一橫向屏蔽梯度線圈31的內(nèi)側(cè)。
[0020]主梯度線圈包括第一橫向梯度線圈11、位于第一橫向梯度線圈11外側(cè)的第二橫向梯度線圈12以及位于第二橫向梯度線圈12外側(cè)的軸向梯度線圈13。第一阻尼機(jī)構(gòu)23位于第一橫向梯段線圈11和第二橫向梯度線圈12之間。
[0021 ]在本實(shí)施方式中，第一塑膠基體21和第二塑膠基體41可以為環(huán)氧樹脂或者聚氨酯材料制成。導(dǎo)熱材料可以為石英、氧化鎂鋁或者氮化硼。導(dǎo)熱材料為直徑在I微米到400微米之間的顆粒。
[0022]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選技術(shù)方案對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種梯度線圈組件，其包括主梯度線圈，其特征在于，其還包括與主梯段線圈熱連接的第一阻尼機(jī)構(gòu)(23)，所述第一阻尼機(jī)構(gòu)(23)包括填充有導(dǎo)熱材料的第一塑膠基體(21)和固定于第一塑膠基體(21)內(nèi)的第一冷卻管(22)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的梯度線圈組件，其特征在于:其還包括屏蔽梯度線圈以及與屏蔽梯段線圈熱連接的第二阻尼機(jī)構(gòu)(43)，所述第二阻尼機(jī)構(gòu)(43)包括填充有導(dǎo)熱材料的第二塑膠基體(41)和固定于第二塑膠基體(41)內(nèi)的第二冷卻管(42)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的梯度線圈組件，其特征在于:其還包括設(shè)于主梯度線圈和屏蔽梯度線圈之間的勻場(chǎng)組件(201)。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的梯度線圈組件，其特征在于:所述屏蔽梯度線圈包括第一橫向屏蔽梯度線圈(31)、位于第一橫向屏蔽梯度線圈(31)外側(cè)的第二橫向屏蔽梯度線圈(32)以及位于第二橫向屏蔽梯度線圈(32)外側(cè)的軸向屏蔽梯度線圈(33)，所述第二阻尼機(jī)構(gòu)(43)位于第一橫向屏蔽梯度線圈(31)的內(nèi)側(cè)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的梯度線圈組件，其特征在于:所述主梯度線圈包括第一橫向梯度線圈(11)、位于第一橫向梯度線圈(11)外側(cè)的第二橫向梯度線圈(12)以及位于第二橫向梯度線圈(12)外側(cè)的軸向梯度線圈(13)，所述第一阻尼機(jī)構(gòu)(23)位于第一橫向梯段線圈(11)和第二橫向梯度線圈(12)之間。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的梯度線圈組件，其特征在于:所述第一塑膠基體(21)為環(huán)氧樹脂或者聚氨酯材料制成。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的梯度線圈組件，其特征在于:所述導(dǎo)熱材料為石英、氧化鎂鋁或者氮化硼。8.—種磁共振設(shè)備，其包括如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的梯度線圈組件。
【文檔編號(hào)】G01R33/385GK105866717SQ201610378503
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年5月28日
【發(fā)明人】吳征天
【申請(qǐng)人】蘇州科技學(xué)院