專利名稱：一種去除芯片陶瓷封裝體的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路測試領(lǐng)域，特別涉及一種去除芯片陶瓷封裝體的方法。
背景技術(shù)：
電遷移通常是指在電場的作用下導(dǎo)電離子運動造成元件或電路失效的現(xiàn)象。金 屬互連線的電遷移是微電子芯片中的主要失效原因之一。電遷移可能造成金屬互連線的 開路或短路，使芯片的漏電流增加。在芯片尺寸向亞微米、深亞微米發(fā)展后，金屬互連 線的寬度也不斷減少，電流密度不斷增加，使得芯片更加易于因發(fā)生電遷移而失效。因 此，對芯片實施金屬互連線的電遷移測試便非常重要。通常對芯片進行電遷移測試時， 需將其進行封裝后放置于提供高溫環(huán)境的烘箱內(nèi)，同時對芯片通入電流進行測試。進行 電遷移測試的芯片通常采用陶瓷封裝，芯片通過導(dǎo)電膠粘貼于陶瓷基板上，芯片的焊點 與陶瓷基板上的引腳間通過引線鍵合。對上述封裝后的芯片進行電遷移測試時，對陶瓷 基板上的引腳通入電流，電流通過鍵合芯片焊點與陶瓷基板引腳的引線傳導(dǎo)進入芯片， 從而進行測試。對于完成了電遷移測試而確認(rèn)具有電遷移失效問題的芯片，通常還需要對其具 體的失效部位和失效原因進行進一步的分析，這時就需要將芯片從上述陶瓷封裝體上完 整的分離出來?，F(xiàn)有的芯片分離方法是將芯片連同陶瓷封裝體不經(jīng)任何處理直接放入到 熱的發(fā)煙硝酸中，從而使芯片與陶瓷基板分離，但這樣的處理會對芯片本身產(chǎn)生比較嚴(yán) 重的損傷。請參閱圖1，圖1為一種芯片內(nèi)部的金屬互連線結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，第 一金屬層8與第二金屬層9之間通過通孔10互連，由于熱的發(fā)煙硝酸的溫度較高，高溫 通過陶瓷基板的引腳傳導(dǎo)至鍵合芯片焊點與陶瓷基板引腳的引線，高溫通過引線進而傳 導(dǎo)至芯片內(nèi)部的第一金屬層8和第二金屬層9以及通孔10，從而很容易導(dǎo)致圖中虛線框 11范圍內(nèi)的通孔10及其附近的第一金屬層8和第二金屬層9發(fā)生熔化，破壞了第一金屬 層8和第二金屬層9因電遷移而造成的開路或短路的現(xiàn)場，這樣再對分離出的芯片進行進 一步的電測試失效分析時便無法得出準(zhǔn)確結(jié)論，無法判斷出芯片因電遷移而導(dǎo)致失效的 具體位置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種去除芯片陶瓷封裝體的方法，以解決使用 現(xiàn)有方法去除芯片陶瓷封裝體時會對芯片本身造成損傷的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種去除芯片陶瓷封裝體的方法，所述芯片 粘貼在所述陶瓷封裝體上，所述芯片表面的焊點與所述陶瓷封裝體上的引腳之間通過引 線鍵合，包括以下步驟去除所述連接芯片表面焊點與陶瓷封裝體上的引腳的引線；對所述芯片及所述陶瓷封裝體進行加熱；使用去離子水對所述芯片進行沖洗，使所述芯片從所述陶瓷封裝體上脫落。
可選的，對所述芯片及所述陶瓷封裝體進行加熱的步驟包括將所述芯片及所述整個陶瓷封裝體放入到熱的硝酸溶液中進行加熱。可選的，所述加熱時間為3-4分鐘?？蛇x的，所述硝酸溶液的濃度范圍為70% 98%?？蛇x的，所述硝酸溶液的溫度為100°C 122°C。本發(fā)明提供的去除芯片陶瓷封裝體的方法不會損害芯片內(nèi)部的金屬互連線，保 證了利用完成了電遷移測試的芯片進行進一步失效分析時可得到準(zhǔn)確的失效分析結(jié)果。 該方法易操作，且可取得明顯的有益效果。


圖1為一種芯片內(nèi)部的金屬互連線結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為一種陶瓷封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā) 明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。本發(fā)明所述的去除芯片陶瓷封裝體的方法可利用多種替換方式實現(xiàn)，下面是通 過較佳的實施例來加以說明，當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實施例，本領(lǐng)域內(nèi)的普通技 術(shù)人員所熟知的一般的替換無疑涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。其次，本發(fā)明利用示意圖進行了詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為了便于 說明，示意圖不依一般比例局部放大，不應(yīng)以此作為對本發(fā)明的限定。請參閱圖1，圖1為一種陶瓷封裝結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該陶瓷封裝結(jié)構(gòu)包 括芯片1和陶瓷封裝體3，該陶瓷封裝體3為一種具有引腳的陶瓷基板。芯片1通過導(dǎo)電 膠2粘貼在陶瓷封裝體3上，導(dǎo)電膠2—般為環(huán)氧樹脂或環(huán)氧樹脂加銀粉，銀粉的作用是 提高導(dǎo)電膠的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能，有利于使芯片產(chǎn)生的熱量通過陶瓷封裝體3散布到周圍 環(huán)境中去。芯片1表面的焊點4與陶瓷封裝體3上的引腳7的內(nèi)端焊點5之間通過引線 6鍵合。為了將芯片1與陶瓷封裝體3分離且不對芯片1本身造成損傷，本發(fā)明的去除芯 片陶瓷封裝體的方法包括以下步驟首先，去除連接芯片1表面的焊點4與陶瓷封裝體3上的引腳7的內(nèi)端焊點5的 引線6;其次，對芯片1及陶瓷封裝體3進行加熱。加熱方式可采用將芯片1及整個陶瓷 封裝體3放入到熱的濃硝酸溶液中加熱3-4分鐘，通過高溫將粘貼芯片1和陶瓷封裝體3 的導(dǎo)電膠2熔化。所述硝酸溶液的濃度范圍為70% 98%，溫度為100°C 122°C。由 于將芯片1連同其陶瓷基板3放入濃硝酸溶液之前已經(jīng)將連接芯片1表面的焊點4與陶瓷 封裝體3上的引腳7內(nèi)端焊點5的引線6去除，故而濃硝酸溶液的高溫不會通過陶瓷封裝 體3的引腳7傳導(dǎo)至連引線6，因而芯片1內(nèi)部的金屬互連線不會因為高溫而發(fā)生熔化。最后，將芯片1及陶瓷封裝體3從硝酸溶液中取出，使用去離子水對芯片1進行 沖洗，使芯片1從陶瓷封裝體3上脫落，并且通過去離子水對芯片1的表面進行清潔，去除芯片1表面附著的濃硝酸溶液及熔化的導(dǎo)電膠2。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的 精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的 范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種去除芯片陶瓷封裝體的方法，所述芯片粘貼在所述陶瓷封裝體上，所述芯 片表面的焊點與所述陶瓷封裝體上的引腳之間通過引線鍵合，其特征在于，包括以下步 驟去除所述連接芯片表面焊點與陶瓷封裝體上的引腳的引線；對所述芯片及所述陶瓷封裝體進行加熱；使用去離子水對所述芯片進行沖洗，使所述芯片從所述陶瓷封裝體上脫落。
2.如權(quán)利要求1所述的去除芯片陶瓷封裝體的方法，其特征在于，對所述芯片及所述 陶瓷封裝體進行加熱的步驟包括將所述芯片及所述整個陶瓷封裝體放入到熱的硝酸溶 液中進行加熱。
3.如權(quán)利要求2所述的去除芯片陶瓷封裝體的方法，其特征在于，所述加熱時間為 3-4分鐘。
4.如權(quán)利要求2所述的去除芯片陶瓷封裝體的方法，其特征在于，所述硝酸溶液的濃 度范圍為70% 98%。
5.如權(quán)利要求2所述的去除芯片陶瓷封裝體的方法，其特征在于，所述硝酸溶液的溫 度為 100°C 122°C。
全文摘要
本發(fā)明提供一種去除芯片陶瓷封裝體的方法，所述芯片粘貼在所述陶瓷封裝體上，所述芯片表面的焊點與所述陶瓷封裝體上的引腳之間通過引線鍵合，包括以下步驟去除所述連接芯片表面焊點與陶瓷封裝體上的引腳的引線；對所述芯片及所述陶瓷封裝體進行加熱；使用去離子水對所述芯片進行沖洗，使所述芯片從所述陶瓷封裝體上脫落。本發(fā)明提供的去除芯片陶瓷封裝體的方法不會損害芯片內(nèi)部的金屬互連線，保證了利用完成了電遷移測試的芯片進行進一步失效分析時可得到準(zhǔn)確的失效分析結(jié)果。該方法易操作，且可取得明顯的有益效果。
文檔編號G01R31/02GK102023274SQ20091019557
公開日2011年4月20日 申請日期2009年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月11日
發(fā)明者于建姝, 劉冰冰, 李愛民, 段曉博 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司