專利名稱：使用耗盡型晶體管的開路檢測器及其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體集成電路設計領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前，公知的汽車傳感器芯片無開路檢測電路。當芯片地斷開時，芯片的總體等效 阻抗與負載電阻串聯(lián)，使得芯片輸出處于一個高阻狀態(tài)，處于正常輸出電壓的范圍，系統(tǒng)便 會做出錯誤判斷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種使用耗盡型晶體管的開路檢測器，它可以 使得汽車傳感器芯片具有開路檢測功能，提高系統(tǒng)可靠性。 為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種使用耗盡型晶體管的開路檢測器；包 括電壓泵模塊，電壓泵模塊連接有耗盡型PM0S管，電壓泵模塊用于輸出一個高于芯片基準 電壓VDD的電平；耗盡型PMOS管連接有開路檢測模塊，開路檢測模塊連接基準電壓VDD。
本發(fā)明的有益效果在于當帶有上述開路檢測電路后，系統(tǒng)檢測到一個超過正常 輸出電壓范圍電壓，作出芯片異常的正確判斷，保證整個系統(tǒng)的安全運行。
該使用耗盡型晶體管的開路檢測器的使用方法，當在芯片地與外部地連接時，所 述耗盡型PMOS管處于關(guān)斷狀態(tài)，開路檢測模塊保持關(guān)斷；當芯片的地與外部的地斷開時， 電壓泵停止工作，開路檢測模塊把電壓泵上的電位下拉到基準電壓VDD，此時耗盡型PMOS 管打開，把芯片的輸出接至VDD，超過芯片正常輸出電壓，判斷出此時芯片處于開路狀態(tài)。


下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細說明。
圖1是本發(fā)明實施例的示意圖；
圖2是本發(fā)明應用時的波形圖。
具體實施例方式
如圖1所示，本發(fā)明提供了一種使用耗盡型晶體管的開路檢測器；包括電壓泵模 塊，電壓泵模塊連接有耗盡型PMOS管，電壓泵模塊用于輸出一個高于芯片基準電壓VDD的 電平；耗盡型PMOS管連接有開路檢測模塊，開路檢測模塊連接基準電壓VDD。
如圖1、圖2所示，芯片正常工作時，電壓泵模塊輸出一個高于VDD的電平 (2VDD-VTH)，控制一個的耗盡型PMOS管(圖中的PI)，這個特殊設計的耗盡型PMOS管的VT 是O. 3V左右，使得P1處于關(guān)斷狀態(tài)，開路檢測模塊關(guān)斷，不影響芯片的正常工作，當芯片的 地與外部的地斷開時，芯片的地被上拉，電壓泵電路停止工作，開路檢測模塊迅速把電壓泵 上的電位下拉到VDD，此時由于P1的VT為正，PI的VGS接近于O， PI打開，把芯片的輸出 接至接近VDD的水平，超過芯片正常輸出電壓，系統(tǒng)檢測到這一異常電平，便能判斷出此時芯片處于開路狀態(tài)。若無開路檢測電路。當芯片地斷開時，芯片的總體等效阻抗與負載電 阻串聯(lián)，使得芯片輸出處于一個高阻狀態(tài)，處于正常輸出電壓的范圍，系統(tǒng)便會做出錯誤判 斷。 在一款車用線性型的磁傳感器中VDD = 5V時，其正常輸出范圍為0. 5V到4. 5V， 當RL = IOK，如果芯片的地與外部斷開，此時芯片輸出為3. 6V，實際芯片已經(jīng)無法正常工作 了，但是系統(tǒng)接收的狀態(tài)卻是一個正常的工作電平，當我們在此芯片中加入上述的開路檢 測模塊后，當芯片地與外部部斷開時，輸出為4. 9V，超出了芯片的正常輸出范圍，系統(tǒng)判斷 芯片在非正常工作狀態(tài)。 當帶有上述開路檢測電路后，系統(tǒng)檢測到一個超過正常輸出電壓范圍電壓，作出 芯片異常的正確判斷，保證整個系統(tǒng)的安全運行。
權(quán)利要求
一種使用耗盡型晶體管的開路檢測器；其特征在于，包括電壓泵模塊，電壓泵模塊連接有耗盡型PMOS管，電壓泵模塊用于輸出一個高于芯片基準電壓VDD的電平；耗盡型PMOS管連接有開路檢測模塊，開路檢測模塊連接基準電壓VDD。
2. 如權(quán)利要求1所述的使用耗盡型晶體管的開路檢測器的使用方法；其特征在于，包括當在芯片地與外部地連接時，所述耗盡型PMOS管處于關(guān)斷狀態(tài)，開路檢測模塊保持關(guān)斷；當芯片的地與外部的地斷開時，電壓泵停止工作，開路檢測模塊把電壓泵上的電位下 拉到基準電壓VDD，此時耗盡型PMOS管打開，把芯片的輸出接至VDD，超過芯片正常輸出電 壓，判斷出此時芯片處于開路狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種使用耗盡型晶體管的開路檢測器及其使用方法；包括電壓泵模塊，電壓泵模塊連接有耗盡型PMOS管，電壓泵模塊用于輸出一個高于芯片基準電壓VDD的電平；耗盡型PMOS管連接有開路檢測模塊，開路檢測模塊連接基準電壓VDD。它可以使得汽車傳感器芯片具有開路檢測功能，提高系統(tǒng)可靠性。
文檔編號G01R31/02GK101738559SQ200810043958
公開日2010年6月16日 申請日期2008年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月20日
發(fā)明者古炯鈞, 周平, 王楠 申請人:上海華虹Nec電子有限公司