專利名稱：顯示基板和測(cè)試該顯示基板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例涉及顯示基板和測(cè)試該顯示基板的方法。尤其，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例涉及由簡(jiǎn)單的過程測(cè)試的顯示基板以及測(cè)試該顯示基板的方法，該簡(jiǎn)單的過程具有改進(jìn)的檢查程度。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示裝置(“LCD”)包括LCD板以及電連接到該LCD板用于驅(qū)動(dòng)該LCD板的驅(qū)動(dòng)單元。
LCD板包括陣列基板，面對(duì)該陣列基板的濾色器基板，以及置于陣列基板和濾色器基板之間的液晶(LC)層。在制造LCD板的過程中，諸如微粒的缺陷導(dǎo)致產(chǎn)量的減少。尤其，由于微粒導(dǎo)致的導(dǎo)線的斷路和短路直接減少了LCD板的產(chǎn)量。
在檢測(cè)導(dǎo)線故障的方法中，在制造陣列基板的過程中將電信號(hào)施加于導(dǎo)線用于測(cè)試陣列基板。然后LC被注入到包括陣列基板和濾色器基板的LCD板中。電信號(hào)和背光源(或正面光)被提供給LCD板以執(zhí)行關(guān)于LCD板的視覺檢測(cè)。
為了測(cè)試陣列基板，陣列測(cè)試線形成在底部基板中的顯示單元外側(cè)。電信號(hào)通過陣列測(cè)試線被施加到陣列基板上。在測(cè)試該陣列基板之后，底部基板被各個(gè)顯示單元隔開。
為了執(zhí)行視覺測(cè)試，必須在顯示單元中形成額外的視覺測(cè)試線。電信號(hào)和背光通過該視覺測(cè)試線被提供到該LCD板以檢測(cè)LCD板的導(dǎo)線故障和像素故障。此外，不同的電信號(hào)分別被施加到導(dǎo)線以檢測(cè)顯示器故障以及導(dǎo)線故障。
根據(jù)常用的測(cè)試方法，為了測(cè)試陣列基板，必須在底部基板(basesubstrate)上形成額外的陣列測(cè)試線。此外，為了執(zhí)行視覺測(cè)試，還必須在顯示單元中形成額外的視覺測(cè)試線。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例提供一種由簡(jiǎn)單的過程測(cè)試的顯示基板，該簡(jiǎn)單的過程具有改進(jìn)的檢查程度。
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例還提供一種測(cè)試上述顯示基板的方法。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的顯示基板包括多條柵極線、多條數(shù)據(jù)線、柵極信號(hào)輸入單元、第一測(cè)試單元和第一偽開關(guān)單元。該柵極線沿第一方向延伸。數(shù)據(jù)線沿與第一方向交叉的第二方向延伸。柵極信號(hào)輸入單元形成在各條柵極線的第一端以將柵極信號(hào)施加于柵極線。第一測(cè)試單元形成在各柵極線相對(duì)第一端的第二端以將第一測(cè)試信號(hào)施加于柵極線。第一偽開關(guān)單元形成在柵極信號(hào)輸入單元和第一測(cè)試單元之間以將第一測(cè)試信號(hào)傳遞給柵極線。
在測(cè)試根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的顯示基板的方法中，其中顯示基板包括形成在各條數(shù)據(jù)線的一端以將數(shù)據(jù)信號(hào)施加于數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)輸入焊盤，形成在各條柵極線的第一端以將柵極信號(hào)施加于柵極線的柵極信號(hào)輸入單元，形成在各條柵極線相對(duì)的第二端的第一測(cè)試單元，以及形成在柵極信號(hào)輸入單元和第一測(cè)試單元之間的第一偽開關(guān)單元，該方法包括將第一控制信號(hào)施加于第一偽開關(guān)單元以接通第一偽開關(guān)單元。將第一測(cè)試信號(hào)施加于第一測(cè)試單元以激活柵極線。然后將第二測(cè)試信號(hào)施加于數(shù)據(jù)輸入焊盤。
在測(cè)試根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的顯示基板的方法中，該方法包括將第一控制信號(hào)施加于形成在柵極線的端部和第一測(cè)試單元之間的第一偽開關(guān)單元，接通第一偽開關(guān)單元，將第一測(cè)試信號(hào)施加于第一測(cè)試單元，通過第一偽開關(guān)單元將第一測(cè)試信號(hào)傳遞到柵極線，將第二控制信號(hào)施加于形成在數(shù)據(jù)線末端和第二測(cè)試單元之間的第二偽開關(guān)單元，接通第二偽開關(guān)單元，并將第二測(cè)試信號(hào)施加于第二測(cè)試單元，通過第二偽開關(guān)單元將第二測(cè)試信號(hào)傳遞到數(shù)據(jù)線。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，陣列基板的測(cè)試和顯示基板的視覺測(cè)試可以僅利用單個(gè)的測(cè)試線執(zhí)行，從而可以簡(jiǎn)化測(cè)試過程且還可具有改進(jìn)的檢查程度。


參考附圖通過詳細(xì)描述其優(yōu)選的實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)勢(shì)將變得更明顯，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例說明優(yōu)選的顯示基板的平面圖；圖2是說明圖1中優(yōu)選的柵極信號(hào)輸入單元的原理圖；圖3是說明圖1中優(yōu)選的陣列基板的一部分的局部放大平面圖；圖4是沿圖3的I-I’線截開的截面圖；圖5是說明圖1中優(yōu)選的陣列基板的另一部分的局部放大平面圖；圖6是沿圖5中II-II’線截開的截面圖；圖7是說明圖1中優(yōu)選的陣列基板的等效電路圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施例說明優(yōu)選顯示面板的平面圖；圖9是說明圖8中優(yōu)選的陣列基板的局部放大平面圖；圖10是說明圖8中優(yōu)選的陣列基板的等效電路圖；和圖11是根據(jù)本發(fā)明又一優(yōu)選實(shí)施例說明優(yōu)選顯示面板的平面圖。
具體實(shí)施例方式
下文參考附圖更完整地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以不同的形式實(shí)施，且本發(fā)明不應(yīng)該構(gòu)造為受到這里提出的實(shí)施例的限制。相反地，這些實(shí)施例被提供以使得該公開徹底并完整，且對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說完全覆蓋本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚起見，各層和區(qū)域的尺寸以及相對(duì)尺寸將被放大。
可以理解當(dāng)一元件或?qū)颖硎緸樵诹硪辉吧戏健保斑B接到”或“耦合到”另一元件或?qū)?，它可以直接位于另一元件上方，連接或耦合到另一元件，或兩者之間可能存在中間元件。相比較，當(dāng)一元件表示為“直接”在另一元件“上方”，“直接連接到”或“直接耦合到”另一元件或?qū)?，則沒有中間元件或?qū)哟嬖?。在全文中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。正如這里所用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列術(shù)語(yǔ)的任何和所有的組合。
可以理解，盡管這里所用的術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語(yǔ)所限。這些術(shù)語(yǔ)僅用于區(qū)分一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分和另一元件、組件、區(qū)域、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明的宗旨的情況下，下面所述的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
如附圖所示為了方便地說明一個(gè)元件或特征與另一元件或特征之間的關(guān)系，空間相關(guān)的術(shù)語(yǔ)，例如“在…之下(beneath)”、“在…下方(below)”、“在…下部(lower)”、“在…之上(above)”、“在…上部(upper)”等類似用語(yǔ)可用于此處?？梢岳斫饪臻g相關(guān)的術(shù)語(yǔ)用于包括除附圖中所示的方向外使用或操作中裝置的不同方向。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，描述為在另一元件或特征的“下方”或“之下”的元件則翻轉(zhuǎn)為另一元件或特征的“上方”。因此，示例中術(shù)語(yǔ)“在…下方”可包括上下方向。另外轉(zhuǎn)動(dòng)該裝置(旋轉(zhuǎn)90度或其它方向)，且這里所用的空間相關(guān)術(shù)語(yǔ)可作相應(yīng)的解釋。
這里所用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述特定的實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明。如這里所用的，單數(shù)形式也用于包括復(fù)數(shù)形式，除非下文明確地指出。另外還可以理解當(dāng)說明書中所用的術(shù)語(yǔ)“包括”表示所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是不排除其中一個(gè)或更多其它的特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或組的存在或增加。
這里參考橫截面視圖描述本發(fā)明的實(shí)施例，該視圖是本發(fā)明理想化實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。同樣地，可以預(yù)期例如由于制造工藝和/或偏差導(dǎo)致的視圖形狀的不同。因此本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)該構(gòu)建為這里所示的區(qū)域的特定形狀的限制，但是包括例如由于制造導(dǎo)致的形狀上的差異。例如，所說明為矩形的插入?yún)^(qū)域可能典型地具有圓角和彎曲的特征，和/或在其邊緣具有插入濃度的梯度變化，而不是從插入?yún)^(qū)域到非插入?yún)^(qū)域的二值變化。同樣地，由插入形成的掩埋區(qū)域可能導(dǎo)致掩埋區(qū)域和插入發(fā)生的表面之間的區(qū)域中的某些插入。因此，另外，附圖中所示的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀旨在說明區(qū)域的實(shí)際形狀，不旨在限制本發(fā)明的范圍。
除非另外定義，這里所用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與一個(gè)本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的意義相同。進(jìn)一步可以理解，例如通常所用的字典中定義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)該解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的上下文和本發(fā)明公開的內(nèi)容一致的意義，但是不解釋為理想化的或過于正式的意義，除非下文特別定義。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例優(yōu)選的顯示基板的平面圖，圖2是說明圖1中優(yōu)選的柵極信號(hào)輸入單元的原理圖。
參考圖1和2，該優(yōu)選實(shí)施例的顯示基板包括陣列基板100、與陣列基板100組合的濾色器基板200、置于陣列基板100和濾色器基板200之間的液晶(“LC”)層(未示出)。陣列基板100與濾色器基板200面對(duì)。
陣列基板100被分為顯示區(qū)域DA、第一、第二、第三和第四外圍區(qū)域PA1、PA2、PA3和PA4。第一、第二、第三和第四外圍區(qū)域PA1、PA2、PA3和PA4圍繞該顯示區(qū)域DA。
以矩陣形狀排列的柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL以及多個(gè)像素P形成在顯示區(qū)域DA中。數(shù)據(jù)線GL沿第一方向延伸。數(shù)據(jù)線DL沿與第一方向基本垂直的第二方向延伸。像素P由柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL定義。開關(guān)元件TFT(例如薄膜晶體管)、LC電容CLC和存儲(chǔ)電容CST的像素電極形成在各個(gè)像素P中。
柵極信號(hào)輸入單元110形成在第一外圍區(qū)域PA1中。柵極信號(hào)輸入單元110與各條柵極線GL的一端(例如第一端)電連接以將柵極信號(hào)施加于柵極線GL。如圖2中所示，柵極信號(hào)輸入單元110對(duì)應(yīng)于多級(jí)依賴連接的移位寄存器。柵極信號(hào)輸入單元110被集成在第一外圍區(qū)域PA1中。柵極信號(hào)輸入單元110包括多個(gè)柵極控制信號(hào)輸入到其中的輸入終端111。
參考圖2，柵極信號(hào)輸入單元110的移位寄存器包括n級(jí)SRC1、SRC2、…SRCn和偽級(jí)SRCd。各級(jí)SRC1、SRC2、…SRCn和SRCd相互依賴地連接。各級(jí)SRC1、SRC2、…SRCn和SRCd通過集成多個(gè)薄膜晶體管(“TFT”)形成。各級(jí)SRC1、SRC2、…SRCn和SRCd包括輸入和輸出。輸入終端111提供輸入到各級(jí)SRC1、SRC2、…SRCn和SRCd的第一時(shí)鐘信號(hào)CKV、第二時(shí)鐘信號(hào)CKVB、關(guān)斷電壓和垂直起始信號(hào)STV。
各級(jí)的輸入包括輸入終端IN、控制終端CL、時(shí)鐘終端CK和電壓終端VSS，作為起始信號(hào)的垂直起始信號(hào)STV或前一級(jí)的輸出信號(hào)被輸入到輸入終端IN中，下一級(jí)的輸出信號(hào)或偽級(jí)SRCd的輸出信號(hào)被輸入到控制終端CL中，第一時(shí)鐘信號(hào)CKV或第二時(shí)鐘信號(hào)CKVB被輸入到時(shí)鐘終端CK中，關(guān)斷電壓被施加于電壓終端VSS。這里，第一時(shí)鐘信號(hào)CKV被提供給奇數(shù)級(jí)。相反地，第二時(shí)鐘信號(hào)CKVB被提供給偶數(shù)級(jí)。輸出被連接到相應(yīng)的柵極線GL以輸出柵極信號(hào)。
再參考圖1，數(shù)據(jù)信號(hào)輸入單元120和靜電二極管單元130形成在第二外圍區(qū)域PA2中。數(shù)據(jù)信號(hào)輸入單元120包括將數(shù)據(jù)信號(hào)施加于數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)輸入焊盤121。數(shù)據(jù)輸入焊盤121與源極驅(qū)動(dòng)芯片的輸出終端電連接以接收從源極驅(qū)動(dòng)芯片輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)。靜電二極管單元130從數(shù)據(jù)輸入焊盤121分配靜電以防止由于靜電產(chǎn)生對(duì)像素P的損壞。
第一偽開關(guān)單元140與第一測(cè)試單元150形成在第三外圍區(qū)域PA3中。第一偽開關(guān)單元140與各條柵極線GL的另一端(例如與第一端相對(duì)的第二端)電連接。第一測(cè)試單元150與第一偽開關(guān)單元140電連接。
第一偽開關(guān)單元140包括多個(gè)第一偽開關(guān)以及第一控制焊盤147，控制第一偽開關(guān)的操作的第一控制信號(hào)被輸入到第一控制焊盤147中。各個(gè)第一偽開關(guān)與各個(gè)柵極線GL的第二端電連接。
第一測(cè)試單元150從外部接收第一測(cè)試信號(hào)并將第一測(cè)試信號(hào)傳遞給第一偽開關(guān)單元140。第一測(cè)試單元150包括將第一測(cè)試信號(hào)輸入其中的第一測(cè)試焊盤153，以及將第一測(cè)試焊盤153電連接到第一偽開關(guān)單元140的第一偽開關(guān)的第一測(cè)試線151。第一測(cè)試信號(hào)通過第一偽開關(guān)單元140被施加于柵極線GL。
第一偽開關(guān)單元140將第一測(cè)試信號(hào)傳遞給響應(yīng)施加于第一控制焊盤147的第一控制信號(hào)的柵極線GL，并同時(shí)防止顯示區(qū)域DA中的像素P受到制造過程中產(chǎn)生的靜電的損壞。
第二偽開關(guān)單元160和第二測(cè)試單元170形成在第四外圍區(qū)域PA4中。第二偽開關(guān)單元160與數(shù)據(jù)線DL的另一端(例如第二端)電連接。第二測(cè)試單元170與第二偽開關(guān)單元160電連接。
第二偽開關(guān)單元160包括多個(gè)第二偽開關(guān)和第二控制焊盤163，控制第二偽開關(guān)操作的第二控制信號(hào)被輸入到第二控制焊盤163中。第二偽開關(guān)單元160的各個(gè)第二偽開關(guān)與各條數(shù)據(jù)線DL的另一端(例如第二端)電連接。
第二測(cè)試單元170從外部接收第二測(cè)試信號(hào)并將第二測(cè)試信號(hào)傳遞給第二偽開關(guān)單元160。第二測(cè)試單元170包括將第二測(cè)試信號(hào)輸入其中的第二測(cè)試焊盤173，以及將第二測(cè)試焊盤173電連接到第二偽開關(guān)單元160的第二偽開關(guān)的第二測(cè)試線171。第二測(cè)試信號(hào)通過第二偽開關(guān)單元160被施加于數(shù)據(jù)線DL。
第二偽開關(guān)單元160響應(yīng)施加于第二控制焊盤163的第二控制信號(hào)，將第二測(cè)試信號(hào)傳遞給數(shù)據(jù)線DL，并同時(shí)防止顯示區(qū)域DA中的像素P受到制造過程中產(chǎn)生的靜電的損壞。
圖3是說明圖1中優(yōu)選的陣列基板的一部分的局部放大平面圖，圖4是沿圖3的I-I’線截開的截面圖。
參考圖1、3和4，陣列基板包括顯示區(qū)域DA，與顯示區(qū)域DA相鄰的第二和第三外圍區(qū)域PA2和PA3。
多條奇數(shù)柵極線GL-O和偶數(shù)柵極線GL-E以及多條奇數(shù)數(shù)據(jù)線DL-O和偶數(shù)數(shù)據(jù)線DL-E形成在顯示區(qū)域DA中。柵極線GL-O和GL-E以及數(shù)據(jù)線DL-O和DL-E定義像素P1。開關(guān)元件TFT1和連接于開關(guān)元件TFT1的像素電極PE1形成在各像素P1中。
特別地，開關(guān)元件TFT1包括柵電極102g、半導(dǎo)體層102a、源電極102s、漏電極102d。柵電極102g包括基本上與柵極線GL-O和GL-E相同的柵極金屬層。柵電極102g可以從柵極線GL-O和GL-E突出。柵極絕緣層103形成在柵電極102g和絕緣基板101的任意暴露的表面上。源電極102s和漏電極102d包括基本上與數(shù)據(jù)線DL-O和DL-E相同的源極金屬層。源電極102s可以從數(shù)據(jù)線DL-O和DL-E突出。鈍化層104形成在源電極102s和漏電極102d上方。在漏電極102d上的鈍化層104被部分移除以允許漏電極102d和像素電極PE1之間的連接。
數(shù)據(jù)信號(hào)輸入單元120和靜電二極管單元130形成在第二外圍區(qū)域PA2中。數(shù)據(jù)信號(hào)輸入單元120包括數(shù)據(jù)輸入焊盤121。靜電二極管單元130包括多個(gè)電連接于數(shù)據(jù)輸入焊盤121的靜電二極管131。靜電二極管131防止像素P受到由于來自數(shù)據(jù)輸入焊盤121產(chǎn)生的靜電的損壞。
各靜電二極管131對(duì)應(yīng)于包括柵電極、漏電極和源電極的開關(guān)元件。柵電極和漏電極通常連接于存儲(chǔ)公用線。所示的靜電二極管131的源電極電連接于數(shù)據(jù)線DL-E。
第一偽開關(guān)單元140和第一測(cè)試單元150形成在第三外圍區(qū)域PA3中。
第一偽開關(guān)單元140包括分別對(duì)應(yīng)于奇數(shù)柵極線GL-O和偶數(shù)柵極線GL-E的第一偽開關(guān)140-O和140-E以及用于控制第一偽開關(guān)140-O和140-E的第一控制信號(hào)施加于其中的第一控制焊盤147。第一偽開關(guān)140-O和140-E電連接于各條柵極線GL-O和GL-E的另一端，例如第二端。
第一測(cè)試單元150包括第一測(cè)試焊盤153-O，連接于第一測(cè)試焊盤153-O的第一測(cè)試線151-O，第二測(cè)試焊盤153-E，以及連接于第二測(cè)試焊盤153-E的第二測(cè)試線151-E。第一測(cè)試線151-O和第一測(cè)試焊盤153-O電連接于第一偽開關(guān)140-O，第二測(cè)試線151-E和第二測(cè)試焊盤153-E電連接于第一偽開關(guān)140-E。這里，第一和第二測(cè)試線151-O和151-E可以包括基本上與柵極金屬層相同的材料，且在制造過程中基本上可以與柵電極102g和柵極線GL-O和GL-E同時(shí)形成。此外，第一和第二測(cè)試焊盤153-O和153-E可以包括基本上與像素電極PE1相同的透明導(dǎo)電材料。
從第一測(cè)試焊盤153-O輸入的第一測(cè)試信號(hào)通過第一測(cè)試線151-O被傳遞到奇數(shù)第一偽開關(guān)140-O。從第二測(cè)試焊盤153-E輸入的第一測(cè)試信號(hào)通過第二測(cè)試線151-E被傳遞到偶數(shù)第一偽開關(guān)140-E。
因此，第一測(cè)試單元150將從外部接收的第一測(cè)試信號(hào)傳遞到第一偽開關(guān)單元140。第一偽開關(guān)單元140響應(yīng)于從第一控制焊盤147施加的控制信號(hào)將第一測(cè)試信號(hào)施加于柵極線GL-O和GL-E。
每個(gè)奇數(shù)第一偽開關(guān)140-O包括連接于第一控制焊盤147的柵電極141、連接于第一測(cè)試線151-O的源電極143和連接于奇數(shù)柵極線GL-O的漏電極144。柵電極141在基本上與柵極線GL-O和GL-E、柵電極102g、測(cè)試線151-O和151-E相同的制造過程期間形成在絕緣基板101上。偶數(shù)第一偽開關(guān)140-E包括連接于第一控制焊盤147的柵電極141、連接于第二測(cè)試線151-E的源電極145和連接于偶數(shù)柵極線GL-E的漏電極146。
例如，奇數(shù)第一偽開關(guān)140-O的柵電極141包括基本上與柵極金屬層相同的材料。此外，源電極143和漏電極144可包括基本上與源極金屬層相同的材料。半導(dǎo)體層142可形成在柵電極141上。
由柵極金屬層形成的奇數(shù)柵極線GL-O通過接點(diǎn)106電連接于由源極金屬層形成的漏電極144。此外，由源極金屬層形成的源電極143通過接點(diǎn)107電連接于由柵極金屬層形成的第一測(cè)試線151-O。
第一偽開關(guān)單元140和第一測(cè)試單元150通過兩組測(cè)試將第一測(cè)試信號(hào)施加于柵極線GL-O和GL-E以檢測(cè)線路和像素的故障。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，為了測(cè)試柵極線，柵極線被劃分為包括奇數(shù)柵極線GL-O和偶數(shù)柵極線GL-E的兩組。可替換地，柵極線GL可劃分為在第三外圍區(qū)域PA3允許的區(qū)域范圍之內(nèi)的至少三組。
圖5是說明圖1中優(yōu)選的陣列基板的另一部分的局部放大平面圖，圖6是沿圖5中II-II’線截開的截面圖。
參考圖1、5和6，陣列基板包括顯示區(qū)域DA以及與顯示區(qū)域DA相鄰的第一和第四外圍區(qū)域PA1和PA4。
多條奇數(shù)柵極線GL-O和偶數(shù)柵極線GL-E以及多條奇數(shù)數(shù)據(jù)線DL-O和偶數(shù)數(shù)據(jù)線DL-E形成在顯示區(qū)域DA中。柵極線GL-O和GL-E以及數(shù)據(jù)線DL-O和DL-E定義像素P2。開關(guān)元件TFT2和連接于開關(guān)元件TFT2的像素電極PE2形成在各個(gè)像素P2中。
作為移位寄存器的柵極信號(hào)輸入單元110形成在第一外圍區(qū)域PA1中。移位寄存器順序地將柵極信號(hào)輸出到柵極線GL。
第二偽開關(guān)單元160和第二測(cè)試單元170形成在第四外圍區(qū)域PA4中。
第二偽開關(guān)單元160包括分別對(duì)應(yīng)于奇數(shù)數(shù)據(jù)線DL-O和偶數(shù)數(shù)據(jù)線DL-E的第二偽開關(guān)160-O和160-E以及將用于控制第二偽開關(guān)160-O和160-E的第二控制信號(hào)施加于其中的第二控制焊盤167。第二偽開關(guān)160-O和160-E電連接于各條數(shù)據(jù)線DL-O和DL-E的另-端，例如第二端。
第二測(cè)試單元170包括第三測(cè)試焊盤173-O，連接于第三測(cè)試焊盤173-O的第三測(cè)試線171-O，第四測(cè)試焊盤173-E，以及連接于第四測(cè)試焊盤173-E的第四測(cè)試測(cè)試線171-E。這里，第三和第四測(cè)試線171-O和171-E可以包括基本上與柵極金屬層相同的材料，因此，測(cè)試線171-O和171-E可以在與柵極線GL-O和GL-E相同的制造過程期間形成在絕緣基板101上。此外，第三和第四測(cè)試焊盤173-O和173-E可以包括基本上與像素電極PE2相同的透明導(dǎo)電材料。
從第三測(cè)試焊盤173-O輸入的第二測(cè)試信號(hào)通過第三測(cè)試線171-O被傳遞到奇數(shù)第二偽開關(guān)160-O。從第四測(cè)試焊盤173-E輸入的第二測(cè)試信號(hào)通過第四測(cè)試線171-E被傳遞到偶數(shù)第二偽開關(guān)160-E。
因此，第二測(cè)試單元170將從外部接收的第二測(cè)試信號(hào)傳遞到第二偽開關(guān)單元160。第二偽開關(guān)單元160響應(yīng)從第二控制焊盤167施加于第二偽開關(guān)單元160的控制信號(hào)，將第二測(cè)試信號(hào)施加于數(shù)據(jù)線DL-O和DL-E。
奇數(shù)第二偽開關(guān)160-O包括連接于第二控制焊盤167的柵電極161、連接于第三測(cè)試線171-O的源電極163和連接于奇數(shù)數(shù)據(jù)線DL-O的漏電極164。柵電極161與柵極線GL-O和GL-E和測(cè)試線171形成在絕緣基板101上。偶數(shù)第二偽開關(guān)160-E包括連接于第二控制焊盤167的柵電極161、連接于第四測(cè)試線171-E的源電極165和連接于偶數(shù)數(shù)據(jù)線DL-E的漏電極166。
例如，奇數(shù)第二偽開關(guān)160-O的柵電極161包括基本上與柵極金屬層相同的材料。此外，源電極163和漏電極164可包括基本上與形成數(shù)據(jù)線DL-O和DL-E的源極金屬層相同的材料。半導(dǎo)體層162可形成在柵電極161上。
由柵極金屬層形成的奇數(shù)第二偽開關(guān)160-O的漏電極164通過接點(diǎn)108與柵極金屬層形成的第三測(cè)試線171-O電連接。
第二偽開關(guān)單元160和第二測(cè)試單元170通過兩組測(cè)試將第二測(cè)試信號(hào)施加于數(shù)據(jù)線DL-O和DL-E以檢測(cè)線路和像素的故障。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，為了測(cè)試數(shù)據(jù)線DL，數(shù)據(jù)線DL被劃分為包括奇數(shù)數(shù)據(jù)線DL-O和偶數(shù)數(shù)據(jù)線DL-E的兩組?？商鎿Q地，數(shù)據(jù)線DL可劃分為第四外圍區(qū)域PA4允許的區(qū)域范圍之內(nèi)的至少三組。
圖7是說明圖1中優(yōu)選的陣列基板的等效電路圖。在下文中，參考圖7說明包括分別被分為兩組的柵極線和數(shù)據(jù)線的顯示基板的測(cè)試。
參考圖1和7，顯示基板包括第一偽開關(guān)單元140、第一測(cè)試單元150、第二偽開關(guān)單元160和第二測(cè)試單元170。
第一偽開關(guān)單元140包括第一偽開關(guān)140-1、140-2、…140-(n-1)和140-n。各個(gè)第一偽開關(guān)140-1、140-2、…140-(n-1)和140-n的柵電極電連接于第一控制焊盤147。
第一測(cè)試單元150包括第一測(cè)試焊盤153-O、連接于第一測(cè)試焊盤153-O的第一測(cè)試線151-O、第二測(cè)試焊盤153-E和連接于第二測(cè)試焊盤153-E第二測(cè)試線151-E。第一測(cè)試線151-O連接于奇數(shù)柵極線GL1、…GLn-1，其中n是偶數(shù)。第二測(cè)試線151-E連接于偶數(shù)柵極線GL2、…GLn。
第二偽開關(guān)單元160包括第二偽開關(guān)160-1、160-2、…、160-(m-1)、160-m，各個(gè)第二偽開關(guān)160-1、160-2、…、160-(m-1)、160-m的柵電極電連接于第二控制焊盤167。
第二測(cè)試單元170包括第三測(cè)試焊盤173-O、連接于第三測(cè)試焊盤173-O的第三測(cè)試線171-O、第四測(cè)試焊盤173-E和連接于第四測(cè)試焊盤173-E第四測(cè)試線171-E。第三測(cè)試線171-O連接于偶數(shù)數(shù)據(jù)線DL1、…DLm-1，其中m是偶數(shù)。第四測(cè)試線171-E連接于偶數(shù)數(shù)據(jù)線DL2、…DLm。
如下測(cè)試陣列基板。
將第一控制信號(hào)施加于第一控制焊盤147以接通第一偽開關(guān)單元140。將與激活柵極線GL1、…GLn的柵極信號(hào)相對(duì)應(yīng)的第一測(cè)試信號(hào)施加于第一測(cè)試單元150的第一和第二測(cè)試焊盤153-O和153-E。例如，第一測(cè)試信號(hào)的電壓為大約-7V到大約25V。
將第二控制信號(hào)施加于第二控制焊盤167以接通第二偽開關(guān)單元160。將與施加于數(shù)據(jù)線DL1、…DLn的數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的第二測(cè)試信號(hào)施加于第二測(cè)試單元170的第三和第四測(cè)試焊盤173-O和173-E。例如，第二測(cè)試信號(hào)的電壓為大約0V到大約10V。
這里，施加于第三和第四測(cè)試焊盤173-O和173-E的第二測(cè)試信號(hào)具有基本上相同的灰度電平或不同的灰度電平。當(dāng)具有不同灰度電平的第二測(cè)試信號(hào)施加于第三和第四測(cè)試焊盤173-O和173-E時(shí)，連接于奇數(shù)數(shù)據(jù)線DL-O的像素P展示出與連接于偶數(shù)數(shù)據(jù)線DL-E的像素P不同的灰度級(jí)，因此可以檢測(cè)出陣列基板的顯示故障。
因此，陣列測(cè)試可以通過上述方式在底部基板上執(zhí)行。此外，視覺測(cè)試可以利用同一測(cè)試線通過上述方式在顯示基板上執(zhí)行。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施例說明優(yōu)選顯示面板的平面圖。
參考圖8，優(yōu)選實(shí)施例的顯示基板包括陣列基板300、與陣列基板300結(jié)合的濾色器基板200以及置于陣列基板300和濾色器基板200之間的LC層(未示出)。陣列基板300與濾色器基板200面對(duì)。
陣列基板300被劃分為顯示區(qū)域DA以及第一、第二和第三外圍區(qū)域PA1、PA2和PA3。第一、第二和第三外圍區(qū)域PA1、PA2和PA3圍繞顯示區(qū)域DA。
柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和多個(gè)像素P形成在顯示區(qū)域DA中。柵極線GL沿第一方向延伸。數(shù)據(jù)線DL沿基本上與第一方向垂直的第二方向延伸。像素P由柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL定義。開關(guān)元件TFT(例如薄膜晶體管)LC電容CLC和存儲(chǔ)電容CST的像素電極形成在各像素P中。
柵極信號(hào)輸入單元310形成在第一外圍區(qū)域PA1中。柵極信號(hào)輸入單元310電連接于各條柵極線GL的一端(例如第一端)，以將柵極信號(hào)施加于柵極線GL。柵極信號(hào)輸入單元310對(duì)應(yīng)于例如圖2中所示的移位寄存器，多級(jí)依賴地連接成移位寄存器。柵極信號(hào)輸入單元310集成在第一外圍區(qū)域PA1中。柵極信號(hào)輸入單元310包括多個(gè)柵極控制信號(hào)被輸入其中的輸入終端311。
數(shù)據(jù)信號(hào)輸入單元320和靜電二極管單元330形成在第二外圍區(qū)域PA2中。數(shù)據(jù)信號(hào)輸入單元320包括將數(shù)據(jù)信號(hào)施加于數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)輸入焊盤321。數(shù)據(jù)輸入焊盤321電連接于源極驅(qū)動(dòng)芯片的輸出終端以接收從源極驅(qū)動(dòng)芯片輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)。靜電二極管單元330分布來自數(shù)據(jù)輸入焊盤321的靜電以防止像素P受到靜電的損壞。
偽開關(guān)單元340和測(cè)試單元350形成在第三外圍區(qū)域PA3中。偽開關(guān)單元340電連接于各條柵極線GL的另一端，例如第二端。測(cè)試單元350電連接于偽開關(guān)單元340。
偽開關(guān)單元340包括多個(gè)偽開關(guān)和控制焊盤347，控制偽開關(guān)的操作的控制信號(hào)被輸入到控制焊盤347中。各個(gè)偽開關(guān)電連接于各條柵極線GL的另一端，例如第二端。
測(cè)試單元350從外部接收測(cè)試信號(hào)并將該測(cè)試信號(hào)傳遞到偽開關(guān)單元340。測(cè)試單元350包括測(cè)試信號(hào)輸入其中的測(cè)試焊盤353以及電連接于偽開關(guān)的測(cè)試線351。測(cè)試信號(hào)通過偽開關(guān)單元340施加于柵極線GL。
偽開關(guān)單元340響應(yīng)施加于控制焊盤347的控制信號(hào)，將測(cè)試信號(hào)傳遞到柵極線GL，并防止由于在制造過程中可能產(chǎn)生靜電效應(yīng)對(duì)像素的損壞。
圖9是說明圖8中優(yōu)選的陣列基板的局部放大平面圖。
參考圖8和9，陣列基板包括顯示區(qū)域DA以及與顯示區(qū)域DA相鄰的第二和第三外圍區(qū)域PA2和PA3。
多條奇數(shù)柵極線GL-O和偶數(shù)柵極線GL-E以及多條奇數(shù)數(shù)據(jù)線DL-O和偶數(shù)數(shù)據(jù)線DL-E形成在顯示區(qū)域DA中。柵極線GL-O和GL-E以及數(shù)據(jù)線DL-O和DL-E定義像素P。開關(guān)元件TFT和連接于開關(guān)元件TFT的像素電極PE形成在各像索P中。
數(shù)據(jù)信號(hào)輸入單元320和靜電二極管單元330形成在第二外圍區(qū)域PA2中。數(shù)據(jù)信號(hào)輸入單元320包括數(shù)據(jù)輸入焊盤321。靜電二極管單元330包括電連接于數(shù)據(jù)輸入焊盤321的多個(gè)靜電二極管331。靜電二極管332對(duì)應(yīng)于包括柵電極、漏電極和源電極的開關(guān)元件。柵電極和漏電極通常連接于存儲(chǔ)公用線。在圖9所示的靜電二極管331中，源電極電連接于數(shù)據(jù)線DL-E。
偽開關(guān)單元340和測(cè)試單元350形成在第三外圍區(qū)域PA3中。偽開關(guān)單元340包括分別對(duì)應(yīng)于奇數(shù)柵極線GL-O和偶數(shù)柵極線GL-E的偽開關(guān)340-O和340-E，以及將用于控制偽開關(guān)340-O和340-E的操作的控制信號(hào)輸入其中的控制焊盤347。偽開關(guān)單元340-O和340-E電連接于各條柵極線GL-O和GL-E的另一端，例如第二端。
測(cè)試單元350包括第一測(cè)試焊盤353-O、連接于第一測(cè)試焊盤353-O的第一測(cè)試線351-O，第二測(cè)試焊盤353-O和連接于第二測(cè)試焊盤353-E的第二測(cè)試線351-E。
從第一測(cè)試焊盤353-O輸入的測(cè)試信號(hào)通過第一測(cè)試線351-O被傳遞到奇數(shù)偽開關(guān)340-O。從第二測(cè)試焊盤353-E輸入的測(cè)試信號(hào)通過第二測(cè)試線351-E被傳遞到奇數(shù)偽開關(guān)340-E。
因此，測(cè)試單元350將從外部接收的測(cè)試信號(hào)傳遞到偽開關(guān)單元340。偽開關(guān)單元340響應(yīng)于從控制焊盤347施加的控制信號(hào)，將測(cè)試信號(hào)施加到柵極線GL-O和GL-E。
各個(gè)奇數(shù)偽開關(guān)340-O包括連接于控制焊盤347的柵電極341、連接于第一測(cè)試線351-O的源電極343以及連接于奇數(shù)柵極線GL-O的漏電極344。柵電極341可由與柵極線GL-O和GL-E相同的柵極金屬層形成。偶數(shù)偽開關(guān)340-E包括連接于控制焊盤347的柵電極341、連接于第二測(cè)試線351-E的源電極345以及連接于偶數(shù)柵極線GL-E的漏電極346。
偽開關(guān)單元340和測(cè)試單元350將測(cè)試信號(hào)施加于被分成兩組的柵極線GL-O和GL-E以檢測(cè)柵極線GL-O和GL-E和像素P的故障。
在該優(yōu)選的實(shí)施例中，為了測(cè)試柵極線GL，柵極線GL被劃分為包括奇數(shù)柵極線GL-O和偶數(shù)柵極線GL-E的兩組?？商鎿Q地，柵極線GL可分成在第三外圍區(qū)域PA3的允許區(qū)域范圍內(nèi)的至少三組。
此外，在優(yōu)選的實(shí)施例中，為了將測(cè)試信號(hào)施加于數(shù)據(jù)線DL-O和DL-E，測(cè)試儀的探針分別與數(shù)據(jù)輸入焊盤121接觸。
圖10是說明圖8中優(yōu)選的陣列基板的等效電路圖。在下文中，優(yōu)選的顯示基板參考圖10進(jìn)行說明。
參考圖8至10，顯示基板包括數(shù)據(jù)輸入單元320、靜電二極管單元330、偽開關(guān)單元340和測(cè)試單元350。
數(shù)據(jù)輸入單元320包括形成在數(shù)據(jù)線DL1、DL2、…DLm-1和DLm的端部的多個(gè)數(shù)據(jù)輸入焊盤321-1、321-2、…、321-(m-1)和321-m。
靜電二極管單元330包括多個(gè)靜電二極管331-1、331-2、…、331-(m-1)和331-m。各個(gè)靜電二極管331-1、331-2、…、331-(m-1)和331-m的柵電極和漏電極電連接于電壓焊盤VCOM，電壓焊盤VCOM電連接于存儲(chǔ)公用線。各個(gè)靜電二極管331-1、331-2、…、331-(m-1)和331-m的源電極電連接于數(shù)據(jù)輸入焊盤321-1、321-2、…、321-(m-1)和321-m。
偽開關(guān)單元340包括偽開關(guān)340-1、340-2、…、340-(n-1)和340-n。各個(gè)偽開關(guān)340-1、340-2、…、340-(n-1)和340-n的柵電極電連接于控制焊盤347。
測(cè)試單元350包括第一測(cè)試焊盤353-O、連接于第一測(cè)試焊盤353-O的第一測(cè)試線351-O、第二測(cè)試焊盤353-E和連接于第二測(cè)試焊盤353-E和第二測(cè)試線351-E。第一測(cè)試線351-O連接于奇數(shù)柵極線GL1、…GLn-1，其中n是偶數(shù)。第二測(cè)試線351-E連接于偶數(shù)柵極線GL2、…GLn。
如下測(cè)試陣列基板。
將控制信號(hào)施加于控制焊盤347以接通偽開關(guān)單元340。將與激活柵極線GL1、…GLn的柵極信號(hào)相對(duì)應(yīng)的第一測(cè)試信號(hào)施加于測(cè)試單元350的第一和第二測(cè)試焊盤353-O和353-E。例如，第一測(cè)試信號(hào)的電壓為大約-7V到大約25V。
將存儲(chǔ)公共電壓施加于電壓焊盤VCOM。將第二控制信號(hào)施加于數(shù)據(jù)輸入焊盤321-1、321-2、…、321-(m-1)和321-m。測(cè)試儀的探針分別接觸數(shù)據(jù)輸入焊盤321-1、321-2、…、321-(m-1)、321-m以將第二測(cè)試信號(hào)施加于數(shù)據(jù)輸入焊盤321-1、321-2、…、321-(m-1)和321-m。例如，第二測(cè)試信號(hào)的電壓為大約0V到大約10V。
這里，施加于數(shù)據(jù)輸入焊盤321-1、321-2、…、321-(m-1)和321-m的第二測(cè)試信號(hào)可以具有不同的灰度電平。當(dāng)施加具有不同灰度電平的第二測(cè)試信號(hào)時(shí)，可以檢測(cè)到陣列基板的顯示故障。
因此，陣列測(cè)試可以通過上述方式在底部基板上執(zhí)行。此外，視覺測(cè)試可以通過上述方式在顯示基板上執(zhí)行。
圖11是根據(jù)本發(fā)明又一優(yōu)選實(shí)施例說明優(yōu)選顯示面板的平面圖。
參考圖11，優(yōu)選實(shí)施例的顯示基板包括陣列基板400、與陣列基板400組合的濾色器基板200、置于陣列基板400和濾色器基板200之間的LC層(未示出)。陣列基板400與濾色器基板200面對(duì)。
陣列基板400被分為顯示區(qū)域DA、第一、第二、第三和第四外圍區(qū)域PA1、PA2、PA3和PA4。第一、第二、第三和第四外圍區(qū)域PA1、PA2、PA3和PA4圍繞該顯示區(qū)域DA。
柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL以及多個(gè)像素P以矩陣形狀排列形成在顯示區(qū)域DA中。數(shù)據(jù)線GL沿第一方向延伸。數(shù)據(jù)線DL沿與第一方向基本垂直的第二方向延伸。像素P由柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL定義。開關(guān)元件TFT(例如薄膜晶體管)、LC電容CLC和存儲(chǔ)電容CST的像素電極形成在各個(gè)像素P中。
柵極信號(hào)輸入單元410和第一靜電二極管單元480形成在第一外圍區(qū)域PA1中。
柵極信號(hào)輸入單元410包括形成在柵極線GL的端部(例如第一端)的柵極輸入焊盤411。柵極輸入焊盤411電連接于柵極驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端以將柵極信號(hào)施加于柵極驅(qū)動(dòng)芯片。
第一電極二極管單元480電連接于柵極輸入焊盤411。第一靜電二極管單元480分布來自柵極輸入焊盤411的靜電以防止像素P受到靜電的損壞。
數(shù)據(jù)信號(hào)輸入單元420和第二靜電二極管單元430形成在第二外圍區(qū)域PA2中。
數(shù)據(jù)信號(hào)輸入單元420包括形成在數(shù)據(jù)線DL的端部(例如第一端)的數(shù)據(jù)輸入焊盤421。數(shù)據(jù)輸入焊盤421與源極驅(qū)動(dòng)芯片的輸出終端電連接以接收從源極驅(qū)動(dòng)芯片輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)。
第二靜電二極管單元430電連接于數(shù)據(jù)輸入焊盤421。第二靜電二極管單元430分布來自數(shù)據(jù)輸入焊盤421的靜電以防止像素P受到靜電的損壞。
第一偽開關(guān)單元440和第一測(cè)試單元450形成在第三外圍區(qū)域PA3中。第一偽開關(guān)單元440電連接于各條柵極線GL的另一端，例如第二端。第一測(cè)試單元450電連接于第一偽開關(guān)單元440。
第一偽開關(guān)單元440包括多個(gè)第一偽開關(guān)以及第一控制焊盤447，用于控制第一偽開關(guān)單元440的第一偽開關(guān)的操作的第一控制信號(hào)被輸入第一控制焊盤447中。第一測(cè)試單元450接收來自外部的第一測(cè)試信號(hào)并將該第一測(cè)試信號(hào)傳遞給第一偽開關(guān)單元440。第一測(cè)試單元450包括將第一測(cè)試信號(hào)輸入其中的第一測(cè)試焊盤453、電連接于第一偽開關(guān)單元440的第一偽開關(guān)的第一測(cè)試線451。這里，第一偽開關(guān)單元440和第一測(cè)試單元450基本上與參考圖3和4所述的相同。因此，為了簡(jiǎn)略起見，省略關(guān)于第一偽開關(guān)單元440和第一測(cè)試單元450的任何進(jìn)一步的解釋。
第二偽開關(guān)單元460和第二測(cè)試單元470形成在第四外圍區(qū)域PA4中。第二偽開關(guān)單元460電連接于數(shù)據(jù)線DL的另一端，例如第二端。第二測(cè)試單元470電連接于第二偽開關(guān)單元460。
第二偽開關(guān)單元460包括多個(gè)第二偽開關(guān)以及第二控制焊盤463，用于控制第二偽開關(guān)單元460的第二偽開關(guān)的操作的第二控制信號(hào)被輸入第二控制焊盤463中。第二測(cè)試單元470從外部接收第二測(cè)試信號(hào)并將該第二測(cè)試信號(hào)傳遞給第二偽開關(guān)單元460。第二測(cè)試單元470包括將第二測(cè)試信號(hào)輸入其中的第二測(cè)試焊盤473、電連接于第二偽開關(guān)單元460的第二偽開關(guān)的第二測(cè)試線471。這里，第二偽開關(guān)單元460和第二測(cè)試單元470基本上與參考圖5和6所述的相同。因此，為了簡(jiǎn)略起見，省略關(guān)于第二偽開關(guān)單元460和第二測(cè)試單元470的任何進(jìn)一步的解釋。
此外，根據(jù)本優(yōu)選實(shí)施例中陣列基板的測(cè)試基本上與參考圖7所述的相同。因此，為了簡(jiǎn)略起見，省略關(guān)于測(cè)試的任何進(jìn)一步的解釋。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，第一測(cè)試單元被設(shè)置在柵極線的一端，該端與將柵極信號(hào)輸入其中的柵極線的另一端相反，從而測(cè)試信號(hào)通過第一測(cè)試單元施加于柵極線。因此，可以精確地檢測(cè)到線路和像素的故障。
此外，第二測(cè)試單元被設(shè)置在數(shù)據(jù)線的一端，該端與將數(shù)據(jù)信號(hào)輸入其中的數(shù)據(jù)線的另一端相反，從而測(cè)試信號(hào)通過第二測(cè)試單元施加于數(shù)據(jù)線。因此，可以精確地檢測(cè)到線路和像素的故障。
此外，第一和第二測(cè)試單元設(shè)置在顯示單元中，因此可以容易地執(zhí)行陣列測(cè)試和視覺測(cè)試。
本發(fā)明的上述內(nèi)容是說明性的，而不是對(duì)其的限制。盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明幾個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解優(yōu)選實(shí)施例中可能的多種修改實(shí)質(zhì)上沒有脫離本發(fā)明新穎性的宗旨和優(yōu)勢(shì)。因此，所有的這些修改都包括在權(quán)利要求定義的本發(fā)明的范圍之內(nèi)。在權(quán)利要求中，裝置加功能條款旨在覆蓋這里所述的執(zhí)行所述功能的結(jié)構(gòu)，不僅是結(jié)構(gòu)等價(jià)物而且包括等價(jià)的結(jié)構(gòu)。因此，可以理解本發(fā)明的上述內(nèi)容是說明性的，而不受到所公開的特定的實(shí)施例的限制，可以理解對(duì)所公開的實(shí)施例的修改以及其它實(shí)施例包括在所附權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。本發(fā)明由所附權(quán)利要求以及包括在其中的權(quán)利要求的等價(jià)物來限定。
權(quán)利要求
1.一種顯示基板，其包括沿第一方向延伸的多條柵極線；沿與第一方向交叉的第二方向延伸的多條數(shù)據(jù)線；形成在柵極線的第一端以將柵極信號(hào)施加于柵極線的柵極信號(hào)輸入單元；形成在與第一端相反的柵極線的第二端并接收第一測(cè)試信號(hào)的第一測(cè)試單元；以及形成在柵極信號(hào)輸入單元和第一測(cè)試單元之間并將第一測(cè)試信號(hào)傳遞到柵極線的第一偽開關(guān)單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示基板，其中第一偽開關(guān)單元包括分別電連接于柵極線的多個(gè)第一偽開關(guān)；以及將控制信號(hào)施加于第一偽開關(guān)的第一控制焊盤。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示基板，其中各第一偽開關(guān)包括電連接于第一控制焊盤的柵電極；電連接于第一測(cè)試單元的源電極；以及電連接于一條柵極線的漏電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示基板，其中第一測(cè)試單元包括多條測(cè)試線，各條測(cè)試線將第一測(cè)試信號(hào)施加于第一偽開關(guān)的組；以及分別電連接于多條測(cè)試線的多個(gè)測(cè)試焊盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示基板，其中第一測(cè)試單元包括將第一測(cè)試信號(hào)施加于第一偽開關(guān)中的奇數(shù)第一偽開關(guān)的第一測(cè)試線；電連接于第一測(cè)試線的第一測(cè)試焊盤；將第一測(cè)試信號(hào)施加于偶數(shù)第一偽開關(guān)的第二測(cè)試線；以及電連接于第二測(cè)試線的第二測(cè)試焊盤。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示基板，其中柵極信號(hào)輸入單元包括電連接于柵極驅(qū)動(dòng)芯片的輸出的柵極輸入焊盤。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示基板，其中柵極信號(hào)輸入單元包括依賴地連接成多級(jí)以輸出柵極信號(hào)的移位寄存器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示基板，還包括形成在數(shù)據(jù)線的第一端以將數(shù)據(jù)信號(hào)施加于數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)輸入單元；形成在與第一端相反的數(shù)據(jù)線的第二端并將第二測(cè)試信號(hào)輸出到數(shù)據(jù)線的第二測(cè)試單元；以及形成在數(shù)據(jù)信號(hào)輸入單元和第二測(cè)試單元之間并將第二測(cè)試信號(hào)傳遞到數(shù)據(jù)線的第二偽開關(guān)單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的顯示基板，其中第二偽開關(guān)單元包括分別電連接于數(shù)據(jù)線的多個(gè)偽開關(guān)；以及將控制信號(hào)施加于偽開關(guān)的控制焊盤。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的顯示基板，其中各個(gè)偽開關(guān)包括電連接于控制焊盤的柵電極；電連接于第二測(cè)試單元的源電極；以及電連接于一條數(shù)據(jù)線的漏電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的顯示基板，其中第二測(cè)試單元包括多條測(cè)試線，各條測(cè)試線將第二測(cè)試信號(hào)施加于偽開關(guān)組；以及分別電連接于多條測(cè)試線的多個(gè)測(cè)試焊盤。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的顯示基板，其中第二測(cè)試單元包括將第二測(cè)試信號(hào)施加于偽開關(guān)中的奇數(shù)偽開關(guān)的第一測(cè)試線；電連接于第一測(cè)試線的第一測(cè)試焊盤；將第二測(cè)試信號(hào)施加于偶數(shù)偽開關(guān)的第二測(cè)試線；以及電連接于第二測(cè)試線的第二測(cè)試焊盤。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的顯示基板，其中施加于第一測(cè)試焊盤的第二測(cè)試信號(hào)具有與施加于第二測(cè)試焊盤的第二測(cè)試信號(hào)不同的電壓電平。
14.根據(jù)權(quán)利要求8的顯示基板，其中數(shù)據(jù)信號(hào)輸入單元包括電連接于源極驅(qū)動(dòng)芯片的輸出的數(shù)據(jù)輸入焊盤。
15.一種測(cè)試顯示基板的方法，該顯示基板包括形成在數(shù)據(jù)線的端部以將數(shù)據(jù)信號(hào)施加于數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)輸入焊盤，形成在柵極線的第一端以將柵極信號(hào)施加于柵極線的柵極信號(hào)輸入單元，形成在與第一端相反的柵極線的第二端的第一測(cè)試單元，以及形成在柵極信號(hào)輸入單元和第一測(cè)試單元之間的第一偽開關(guān)單元，該方法包括將第一控制信號(hào)施加于第一偽開關(guān)單元以接通第一偽開關(guān)單元；將第一測(cè)試信號(hào)施加于第一測(cè)試單元以激活柵極線；以及將第二測(cè)試信號(hào)施加于數(shù)據(jù)輸入焊盤。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中柵極信號(hào)輸入單元包括依賴地連接成多級(jí)并輸出柵極信號(hào)的移位寄存器。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中第一偽開關(guān)單元包括分別電連接于柵極線的多個(gè)第一偽開關(guān)，以及施加第一測(cè)試信號(hào)包括第一測(cè)試單元的第一測(cè)試線將第一測(cè)試信號(hào)施加于第一偽開關(guān)中的奇數(shù)第一偽開關(guān)，第一測(cè)試焊盤電連接于第一測(cè)試線，第一測(cè)試單元的第二測(cè)試線將第一測(cè)試信號(hào)施加于偶數(shù)第一偽開關(guān)，以及第二測(cè)試焊盤電連接于第二測(cè)試線。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中陣列基板還包括電連接于數(shù)據(jù)輸入焊盤的第二偽開關(guān)單元，以及電連接于第二偽開關(guān)單元的第二測(cè)試單元，以及施加第二測(cè)試信號(hào)包括將第二控制信號(hào)施加于第二偽開關(guān)單元以接通第二偽開關(guān)單元，并將施加于數(shù)據(jù)線的第二測(cè)試信號(hào)施加于第二測(cè)試單元。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中第二偽開關(guān)單元包括分別電連接于數(shù)據(jù)線的多個(gè)偽開關(guān)，以及施加第二測(cè)試信號(hào)還包括第二測(cè)試單元的第一測(cè)試線將第二測(cè)試信號(hào)施加于偽開關(guān)中的奇數(shù)偽開關(guān)，第一測(cè)試焊盤電連接于第一測(cè)試線，第二測(cè)試單元的第二測(cè)試線將第二測(cè)試信號(hào)施加于偶數(shù)偽開關(guān)，以及第二測(cè)試焊盤電連接于第二測(cè)試線。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中施加于第一測(cè)試焊盤的第二測(cè)試信號(hào)具有與施加于第二測(cè)試焊盤的第二測(cè)試信號(hào)不同的電壓電平。
21.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中將第二測(cè)試信號(hào)施加于數(shù)據(jù)輸入焊盤包括將測(cè)試儀的探針接觸數(shù)據(jù)輸入焊盤。
22.一種測(cè)試顯示基板的方法，該方法包括將第一控制信號(hào)施加于形成在柵極線端部和第一測(cè)試單元之間的第一偽開關(guān)單元，并接通第一偽開關(guān)單元；將第一測(cè)試信號(hào)施加于第一測(cè)試單元，并將該第一測(cè)試信號(hào)通過第一偽開關(guān)單元傳遞到柵極線；將第二控制信號(hào)施加于形成在數(shù)據(jù)線端部和第二測(cè)試單元之間的第二偽開關(guān)單元，并接通第二偽開關(guān)單元；和將第二測(cè)試信號(hào)施加于第二測(cè)試單元，并將該第二測(cè)試信號(hào)通過第二偽開關(guān)單元傳遞到數(shù)據(jù)線。
全文摘要
一種顯示基板包括多條柵極線、多條數(shù)據(jù)線、柵極信號(hào)輸入單元、第一測(cè)試單元以及第一偽開關(guān)單元。柵極線沿第一方向延伸。數(shù)據(jù)線沿與第一方向交叉的第二方向延伸。柵極信號(hào)輸入單元形成在各條柵極線的第一端以將柵極信號(hào)施加于柵極線。第一測(cè)試單元形成在各條柵極線與第一端相反的第二端以將第一測(cè)試信號(hào)施加于柵極線。第一偽開關(guān)單元形成在柵極信號(hào)輸入單元和第一測(cè)試單元之間并將第一測(cè)試信號(hào)傳遞到柵極線。
文檔編號(hào)G01R31/00GK1982952SQ20061017296
公開日2007年6月20日 申請(qǐng)日期2006年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月29日
發(fā)明者全相鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社