專(zhuān)利名稱(chēng):一種用于電子背散射衍射儀的樣品臺(tái)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)了一種用于電子背散射衍射儀的樣品臺(tái)，涉及巖石樣品分析測(cè)試領(lǐng)域，能夠在保證實(shí)驗(yàn)的安全性的同時(shí)滿(mǎn)足樣品尺寸大、導(dǎo)電性差的樣本進(jìn)行有標(biāo)樣的測(cè)試需求。本實(shí)用新型包括：樣品臺(tái)的固定面與底座呈70°夾角，固定面上開(kāi)有凹槽，凹槽用于安裝并固定薄片樣品，凹槽與薄片樣品的尺寸吻合；凹槽的深度與薄片樣品的厚度一致，當(dāng)薄片樣品安裝在凹槽中時(shí)，薄片樣品的待測(cè)表面與固定面的表面處于同一平面。固定面上開(kāi)有用于安裝單晶硅標(biāo)樣的標(biāo)樣凹槽，標(biāo)樣凹槽的深度與單晶硅標(biāo)樣的厚度一致，當(dāng)單晶硅標(biāo)樣安裝在標(biāo)樣凹槽中時(shí)，單晶硅標(biāo)樣的待測(cè)表面與固定面的表面處于同一平面。本實(shí)用新型適用于尺寸大、導(dǎo)電性差的樣本的有標(biāo)樣測(cè)試。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
_種用于電子背散射衍射儀的樣品臺(tái)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及巖石樣品分析測(cè)試領(lǐng)域，尤其涉及一種用于電子背散射衍射儀的樣品臺(tái)。
【背景技術(shù)】
[0002]電子背散射衍射(Electron backscatter diffract1n，EBSD)技術(shù)通過(guò)觀測(cè)反向散射電子的衍射圖像來(lái)提供微米級(jí)的晶體空間取向信息，能夠準(zhǔn)確快捷地確定礦物晶體的晶格優(yōu)選定向和多相巖石中各礦物的空間分布，因此在材料科學(xué)、地質(zhì)學(xué)、冶金學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
[0003]目前常用的EBSD以掃描電子顯微鏡為載體，由一個(gè)用以成像的熒光磷屏和一臺(tái)用來(lái)攝取衍射圖像的高靈敏度CCD數(shù)字相機(jī)組成，其中的背散射(BSE)探頭和EBSD探頭分別處于實(shí)驗(yàn)坐標(biāo)系的Z軸和Y軸。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，需要通過(guò)樣品臺(tái)將精細(xì)拋光的樣品以高角度逐步傾斜70°后進(jìn)一步靠近BSE探頭和EBSD探頭至實(shí)驗(yàn)距離，之后采用高能電子束轟擊呈70°樣品表面，之后將轟擊產(chǎn)生的衍射圖像傳輸至終端計(jì)算機(jī)，從而確定晶體類(lèi)型、取向、晶體間的夾角(位向差)、晶體粒度、晶界類(lèi)型以及重位點(diǎn)陣晶界分布等特征。
[0004]由于大部分地學(xué)類(lèi)的樣品，通常會(huì)制作成巖石薄片，或者是厚度較大的塊狀樣品。當(dāng)使用樣品臺(tái)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的五軸馬達(dá)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)時(shí)，樣品表面與BSE探頭和EBSD探頭之間的距離很短，尤其是針對(duì)樣品尺寸大、導(dǎo)電性差的樣品時(shí)，需要控制五軸馬達(dá)極度靠近BSE探頭和EBSD探頭，才能滿(mǎn)足實(shí)驗(yàn)測(cè)試的需求。樣品臺(tái)以高角度逐步傾斜時(shí)的移動(dòng)的空間非常有限，且樣品尺寸大時(shí)移動(dòng)位置較大，很容易碰撞BSE探頭或EBSD探頭，降低實(shí)驗(yàn)的安全性。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種用于電子背散射衍射儀的樣品臺(tái)，能夠在保證實(shí)驗(yàn)的安全性的同時(shí)滿(mǎn)足樣品尺寸大、導(dǎo)電性差的樣本進(jìn)行有標(biāo)樣的測(cè)試需求。
[0006]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]所述樣品臺(tái)的固定面與底座呈70°夾角，所述固定面上開(kāi)有凹槽，所述凹槽用于安裝并固定薄片樣品，所述凹槽與所述薄片樣品的尺寸吻合;所述凹槽的深度與所述薄片樣品的厚度一致，當(dāng)所述薄片樣品安裝在所述凹槽中時(shí)，所述薄片樣品的待測(cè)表面與所述固定面的表面處于同一平面。
[0008]所述固定面上開(kāi)有用于安裝單晶硅標(biāo)樣的標(biāo)樣凹槽，所述標(biāo)樣凹槽的深度與所述單晶硅標(biāo)樣的厚度一致，當(dāng)所述單晶硅標(biāo)樣安裝在所述標(biāo)樣凹槽中時(shí)，所述單晶硅標(biāo)樣的待測(cè)表面與所述固定面的表面處于同一平面。
[0009]所述樣品臺(tái)的中部，開(kāi)有一立方體孔洞，所述立方體孔洞用于安裝塊狀樣品。所述立方體孔洞的內(nèi)表面填充固體導(dǎo)電膠，當(dāng)所述塊狀樣品接觸所述固體導(dǎo)電膠并安裝在所述立方體。
[0010]所述樣品臺(tái)由純銅材料制成，或者由導(dǎo)電性大于等于純銅的材料制成。
[0011]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的用于電子背散射衍射儀的樣品臺(tái)，固定面與底座固定設(shè)置且角度為70°，實(shí)現(xiàn)了在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中樣品臺(tái)的Z軸的固定不變，而只移動(dòng)X和Y軸，從而避免通過(guò)五軸馬達(dá)旋轉(zhuǎn)固定面時(shí)樣品表面與BSE探頭碰撞問(wèn)題并減小與EBSD探頭的碰撞問(wèn)題，尤其能夠在保證實(shí)驗(yàn)的安全性的同時(shí)滿(mǎn)足樣品尺寸大、導(dǎo)電性差的樣本進(jìn)行有標(biāo)樣的測(cè)試需求。
【附圖說(shuō)明】

[0012]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0013]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的樣品臺(tái)的俯視圖；
[0014]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的樣品臺(tái)的側(cè)視圖；
[0015]附圖中的各標(biāo)號(hào)表示:樣品臺(tái)-1、固定面-2、底座-3、凹槽-4、薄片樣品-5、單晶硅標(biāo)樣-6、標(biāo)樣凹槽_7、立方體孔洞-8、塊狀樣品-9、固體導(dǎo)電膠-10。
【具體實(shí)施方式】
[0016]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。下文中將詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施方式，所述實(shí)施方式的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施方式是示例性的，僅用于解釋本實(shí)用新型，而不能解釋為對(duì)本實(shí)用新型的限制。本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除非特意聲明，這里使用的單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”、“所述”和“該”也可包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)該進(jìn)一步理解的是，本實(shí)用新型的說(shuō)明書(shū)中使用的措辭“包括”是指存在所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件，但是并不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。這里使用的措辭“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)聯(lián)的列出項(xiàng)的任一單元和全部組合。本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除非另外定義，這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本實(shí)用新型所屬領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員的一般理解相同的意義。還應(yīng)該理解的是，諸如通用字典中定義的那些術(shù)語(yǔ)應(yīng)該被理解為具有與現(xiàn)有技術(shù)的上下文中的意義一致的意義，并且除非像這里一樣定義，不會(huì)用理想化或過(guò)于正式的含義來(lái)解釋。
[0017]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種用于電子背散射衍射儀的樣品臺(tái)，如圖1所示的樣品臺(tái)的結(jié)構(gòu)狀態(tài)，或圖2所示的樣品臺(tái)在實(shí)驗(yàn)狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)狀態(tài)，其中:
[0018]樣品臺(tái)I的固定面2與底座3呈70°夾角，固定面2上開(kāi)有凹槽4，凹槽4用于安裝并固定薄片樣品5，凹槽4與薄片樣品5的尺寸吻合。其中，樣品臺(tái)I的底座3形狀與掃描電鏡樣品室內(nèi)樣品槽的形狀完全匹配，從而在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，樣品臺(tái)I能夠牢靠地固定在樣品槽上。
[0019]凹槽4的深度與薄片樣品5的厚度一致，當(dāng)薄片樣品5安裝在凹槽4中時(shí)，薄片樣品5的待測(cè)表面與固定面2的表面處于同一平面。
[0020]進(jìn)一步的，固定面2上開(kāi)有用于安裝單晶硅標(biāo)樣6的標(biāo)樣凹槽7，標(biāo)樣凹槽7的深度與單晶硅標(biāo)樣6的厚度一致，當(dāng)單晶硅標(biāo)樣6安裝在標(biāo)樣凹槽7中時(shí)，單晶硅標(biāo)樣6的待測(cè)表面與固定面2的表面處于同一平面。
[0021]其中，標(biāo)樣凹槽7接近凹槽4的邊緣，使得單晶硅標(biāo)樣6與薄片樣品5處于在同一平面，以便于在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中樣品能夠在同一個(gè)工作距離下通過(guò)單晶硅標(biāo)樣6進(jìn)行校準(zhǔn)。
[0022]在本實(shí)施例中，在樣品臺(tái)I的中部，開(kāi)有一立方體孔洞8，立方體孔洞8用于安裝塊狀樣品9。
[0023]進(jìn)一步的，在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，立方體孔洞8的內(nèi)表面填充固體導(dǎo)電膠10，當(dāng)塊狀樣品9接觸固體導(dǎo)電膠10并安裝在立方體孔洞8中時(shí)，塊狀樣品9的待測(cè)表面與單晶硅標(biāo)樣6的表面處于同一平面。
[0024]在本實(shí)施例中，樣品臺(tái)I由純銅材料制成，或者由導(dǎo)電性大于等于純銅的材料制成，以增加樣品與儀器之間的導(dǎo)電性，尤其是能夠滿(mǎn)足樣品尺寸大、導(dǎo)電性差的薄片進(jìn)行有標(biāo)樣的測(cè)試需求。
[0025]可選的，樣品臺(tái)I的底座3由純銅材料制成，或者由導(dǎo)電性大于等于純銅的材料制成。樣品臺(tái)I中除了底座3以外的部分由導(dǎo)電材料制成。
[0026]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的用于電子背散射衍射儀的樣品臺(tái)，固定面與底座固定設(shè)置且角度為70°，實(shí)現(xiàn)了在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中樣品臺(tái)的Z軸的固定不變，而只移動(dòng)X和Y軸，從而避免通過(guò)五軸馬達(dá)旋轉(zhuǎn)固定面時(shí)樣品表面與BSE探頭或EBSD探頭的碰撞問(wèn)題，尤其能夠在保證實(shí)驗(yàn)的安全性的同時(shí)滿(mǎn)足樣品尺寸大、導(dǎo)電性差的樣本進(jìn)行有標(biāo)樣的測(cè)試需求。
[0027]本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處。尤其，對(duì)于設(shè)備實(shí)施例而言，由于其基本相似于方法實(shí)施例，所以描述得比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見(jiàn)方法實(shí)施例的部分說(shuō)明即可。以上所述，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于電子背散射衍射儀的樣品臺(tái)，其特征在于，包括: 所述樣品臺(tái)的固定面與底座呈70°夾角，所述固定面上開(kāi)有凹槽，所述凹槽用于安裝并固定薄片樣品，所述凹槽與所述薄片樣品的尺寸吻合； 所述凹槽的深度與所述薄片樣品的厚度一致，當(dāng)所述薄片樣品安裝在所述凹槽中時(shí)，所述薄片樣品的待測(cè)表面與所述固定面的表面處于同一平面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的樣品臺(tái)，其特征在于，所述固定面上開(kāi)有用于安裝單晶硅標(biāo)樣的標(biāo)樣凹槽，所述標(biāo)樣凹槽的深度與所述單晶硅標(biāo)樣的厚度一致，當(dāng)所述單晶硅標(biāo)樣安裝在所述標(biāo)樣凹槽中時(shí)，所述單晶硅標(biāo)樣的待測(cè)表面與所述固定面的表面處于同一平面。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的樣品臺(tái)，其特征在于，所述樣品臺(tái)的中部，開(kāi)有一立方體孔洞，所述立方體孔洞用于安裝塊狀樣品。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的樣品臺(tái)，其特征在于，所述立方體孔洞的內(nèi)表面填充固體導(dǎo)電膠，當(dāng)所述塊狀樣品接觸所述固體導(dǎo)電膠并安裝在所述立方體孔洞中時(shí)，所述塊狀樣品的待測(cè)表面與所述單晶硅標(biāo)樣的表面處于同一平面。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的樣品臺(tái)，其特征在于，所述樣品臺(tái)由純銅材料制成，或者由導(dǎo)電性大于等于純銅的材料制成。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的樣品臺(tái)，其特征在于，所述樣品臺(tái)的底座由純銅材料制成，或者由導(dǎo)電性大于等于純銅的材料制成； 所述樣品臺(tái)中除了底座以外的部分由導(dǎo)電材料制成。
【文檔編號(hào)】H01J37/28GK205720060SQ201620321716
【公開(kāi)日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年4月15日
【發(fā)明人】李娟 , 王勤, 陸現(xiàn)彩, 陸建軍
【申請(qǐng)人】南京大學(xué)