專利名稱:酶標(biāo)儀倉(cāng)門檢測(cè)裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種酶標(biāo)儀倉(cāng)門檢測(cè)裝置，包括安裝在酶標(biāo)儀倉(cāng)門上的磁場(chǎng)源、報(bào)警裝置、控制器和霍爾開關(guān)，所述霍爾開關(guān)設(shè)置在酶標(biāo)儀內(nèi)殼上與磁場(chǎng)源垂直的位置，且該霍爾開關(guān)與控制器電連接，所述控制器的輸出端與報(bào)警裝置電連接。避免了因倉(cāng)門未關(guān)閉而造成的檢測(cè)錯(cuò)誤。
【專利說(shuō)明】酶標(biāo)儀倉(cāng)門檢測(cè)裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及智能檢測(cè)領(lǐng)域，具體地，涉及一種酶標(biāo)儀倉(cāng)門檢測(cè)裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]酶標(biāo)儀的光源燈發(fā)出的光波經(jīng)過濾光片變成一束單色光，進(jìn)入塑料微孔板中的待測(cè)標(biāo)本，該單色光一部分被標(biāo)本吸收，另一部分則透過標(biāo)本照射到光電檢測(cè)器上。光電檢測(cè)器將透射過待測(cè)標(biāo)本后強(qiáng)弱不同的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電信號(hào)，經(jīng)過處理，轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的濃度。酶標(biāo)儀的倉(cāng)門如果未關(guān)閉，外部的光線會(huì)照射或折射到光電檢測(cè)器上，從而影響儀器的檢測(cè)結(jié)果。而現(xiàn)有酶標(biāo)儀沒有倉(cāng)門關(guān)閉檢測(cè)裝置，故很容易造成結(jié)果錯(cuò)誤。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的在于，針對(duì)上述問題，提出一種酶標(biāo)儀倉(cāng)門檢測(cè)裝置，以避免倉(cāng)門未關(guān)閉而造成的檢測(cè)錯(cuò)誤。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:
[0005]一種酶標(biāo)儀倉(cāng)門檢測(cè)裝置，包括安裝在酶標(biāo)儀倉(cāng)門上的磁場(chǎng)源、報(bào)警裝置、控制器和霍爾開關(guān)，所述霍爾開關(guān)設(shè)置在酶標(biāo)儀內(nèi)殼上與磁場(chǎng)源垂直的位置，且該霍爾開關(guān)與控制器電連接，所述控制器的輸出端與報(bào)警裝置電連接。
[0006]進(jìn)一步的，還包括線性穩(wěn)壓器電路，該線性穩(wěn)壓器電路為裝置提供直流電源，所述線性穩(wěn)壓器電路包括線性穩(wěn)壓芯片AS1117、電容C19和電容C20，所述電容C19和電容C20并聯(lián)在線性穩(wěn)壓芯片ASl117的輸出端和接地端之間。
[0007]進(jìn)一步的，所述電容C19的電容值為22 μ F，電容C20的電容值為0.01 μ F。
[0008]進(jìn)一步的，所述霍爾開關(guān)采用MH-248ESO芯片。
[0009]進(jìn)一步的，所述控制器采用STM32F103VC芯片。
[0010]本實(shí)用新型的技術(shù)方案具有以下有益效果:
[0011]本實(shí)用新型的技術(shù)方案，通過在酶標(biāo)儀倉(cāng)門處設(shè)置檢測(cè)裝置，利用霍爾效應(yīng)，對(duì)倉(cāng)門的開閉進(jìn)行檢測(cè)，并通過報(bào)警裝置進(jìn)行提醒，從而避免了因倉(cāng)門未關(guān)閉而造成的檢測(cè)錯(cuò)誤。

【附圖說(shuō)明】

[0012]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的酶標(biāo)儀倉(cāng)門檢測(cè)裝置中霍爾開關(guān)截止時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的酶標(biāo)儀倉(cāng)門檢測(cè)裝置中霍爾開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的線性穩(wěn)壓器電路的電子電路圖；
[0015]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的霍爾開關(guān)芯片的電子電路圖；
[0016]圖5至圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例所述的控制器的電子電路圖。
[0017]結(jié)合附圖，本實(shí)用新型實(shí)施例中附圖標(biāo)記如下:
[0018]1-磁場(chǎng)源；2_霍爾開關(guān)；3_倉(cāng)門；4_上殼。

【具體實(shí)施方式】
[0019]以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說(shuō)明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0020]本實(shí)用新型的技術(shù)方案的核心是霍爾效應(yīng)，霍爾效應(yīng)是如果對(duì)位于磁場(chǎng)(B)中的導(dǎo)體(d)施加一個(gè)電壓(Iv)，該磁場(chǎng)的方向垂直于所施加電壓的方向，那么則在與磁場(chǎng)垂直又和所施加電流方向垂直的方向上會(huì)產(chǎn)生另一個(gè)電壓(UH)，這個(gè)電壓即為霍爾電壓。
[0021]如圖1所示，一種酶標(biāo)儀倉(cāng)門檢測(cè)裝置，包括安裝在酶標(biāo)儀倉(cāng)門3上的磁場(chǎng)源1、報(bào)警裝置、控制器和霍爾開關(guān)2，霍爾開關(guān)2設(shè)置在酶標(biāo)儀內(nèi)殼上與磁場(chǎng)源I垂直的位置，且該霍爾開關(guān)2與控制器電連接，控制器的輸出端與報(bào)警裝置電連接。報(bào)警裝置可以為蜂鳴器或二極管等。
[0022]其中，還包括線性穩(wěn)壓器電路，該線性穩(wěn)壓器電路為裝置提供直流電源，線性穩(wěn)壓器電路如圖3所示，包括線性穩(wěn)壓芯片ASl 117、電容C19和電容C20，電容C19和電容C20并聯(lián)在線性穩(wěn)壓芯片ASl 117的輸出端和接地端之間。電容C19的電容值為22 μ F，電容C20的電容值為0.01 μ F?；魻栭_關(guān)如圖4所示，采用MH-248ESO芯片?？刂破鞑捎肧TM32F103VC芯片，如圖5至圖7所示。
[0023]在倉(cāng)門的末端嵌入磁場(chǎng)源，在垂直于磁場(chǎng)源的上蓋反面安裝一個(gè)霍爾開關(guān)，霍爾開關(guān)的工作距離為D如圖2所示，當(dāng)磁場(chǎng)源和霍爾開關(guān)的距離超過D時(shí)，霍爾開關(guān)為截止?fàn)顟B(tài)，反之，為導(dǎo)通狀態(tài)。故當(dāng)倉(cāng)門打開時(shí)，霍爾元件超出D，此時(shí)為斷開狀態(tài)如圖1所示，當(dāng)倉(cāng)門關(guān)閉時(shí)，霍爾元件在磁場(chǎng)感應(yīng)范圍，則為導(dǎo)通狀態(tài)如圖2，控制器通過判斷霍爾開關(guān)的兩種狀態(tài)，提示用戶是否關(guān)閉倉(cāng)門，避免因未關(guān)倉(cāng)門帶來(lái)的檢測(cè)錯(cuò)誤。
[0024]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種酶標(biāo)儀倉(cāng)門檢測(cè)裝置，其特征在于，包括安裝在酶標(biāo)儀倉(cāng)門上的磁場(chǎng)源、報(bào)警裝置、控制器和霍爾開關(guān)，所述霍爾開關(guān)設(shè)置在酶標(biāo)儀內(nèi)殼上與磁場(chǎng)源垂直的位置，且該霍爾開關(guān)與控制器電連接，所述控制器的輸出端與報(bào)警裝置電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的酶標(biāo)儀倉(cāng)門檢測(cè)裝置，其特征在于，還包括線性穩(wěn)壓器電路，該線性穩(wěn)壓器電路為裝置提供直流電源，所述線性穩(wěn)壓器電路包括線性穩(wěn)壓芯片AS1117、電容C19和電容C20，所述電容C19和電容C20并聯(lián)在線性穩(wěn)壓芯片AS1117的輸出端和接地端之間。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的酶標(biāo)儀倉(cāng)門檢測(cè)裝置，其特征在于，所述電容C19的電容值為22yF，igC20 的電容值為 0.0l μ F。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的酶標(biāo)儀倉(cāng)門檢測(cè)裝置，其特征在于，所述霍爾開關(guān)采用MH-248ESO 芯片。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的酶標(biāo)儀倉(cāng)門檢測(cè)裝置，其特征在于，所述控制器采用STM32F103VC 芯片。
【文檔編號(hào)】G01V3-08GK204287504SQ201420650572
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