本實(shí)用新型涉及一種墊片，具體涉及一種環(huán)狀超軟墊片。

背景技術(shù)：

在電子產(chǎn)品中，計(jì)算機(jī)中央處理器（CPU）、晶體管和發(fā)光二極管（LED）等電子元件在工作中會(huì)大量發(fā)熱，若散熱措施不當(dāng)會(huì)使元件溫度過(guò)高，導(dǎo)致其工作性能下降甚至損壞。 因此，需要在發(fā)熱的元件上安裝散熱裝置，如散熱風(fēng)扇或銅塊等，散熱裝置與發(fā)熱元件之間通常會(huì)填充塑性導(dǎo)熱體，如硅膠墊片等，用于促進(jìn)發(fā)熱元件與散熱裝置之間的熱量傳遞。通常，為了獲得更好的導(dǎo)熱效果，需要降低導(dǎo)熱材料的硬度，以獲得更大的壓縮率、更小的導(dǎo)熱界面厚度以及對(duì)接觸界面更好的浸潤(rùn)和貼合。現(xiàn)有的墊片通常只有一層，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，功能單一，難以滿(mǎn)足電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種環(huán)狀超軟墊片。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種環(huán)狀超軟墊片，它的中部開(kāi)設(shè)有通孔，它由環(huán)形泡棉層、形成在所述泡棉層任一表面上的PET層以及形成在所述泡棉層另一表面的膠水層組成。

優(yōu)化地，所述泡棉層的厚度為0.1~5mm。

優(yōu)化地，所述膠水層的厚度為20~50微米。

優(yōu)化地，所述PET層的厚度為50~100微米。

由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：本實(shí)用新型環(huán)狀超軟墊片，它環(huán)形泡棉層、形成在所述泡棉層任一表面上的PET層以及形成在所述泡棉層另一表面的膠水層組成，這樣能夠借助膠水層粘結(jié)在電子產(chǎn)品上，提高連接強(qiáng)度；而且泡棉層具有很強(qiáng)的柔軟特性，被擠壓后能夠變得很薄并能夠及時(shí)恢復(fù)，PET則使其與其它部件絕緣。

附圖說(shuō)明

附圖1為本實(shí)用新型環(huán)狀超軟墊片的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2為附圖1的俯視圖；

其中，1、泡棉層；2、膠水層；3、PET層；4、通孔。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖所示的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。

如圖1和圖2所示的環(huán)狀超軟墊片，整體呈柱形，并且它的中部開(kāi)設(shè)有與其同心的通孔4，它由泡棉層1、膠水層2和PET層3組成；由于超軟墊片的中部開(kāi)設(shè)有通孔4，使得泡棉層1、膠水層2和PET層3均為環(huán)形。PET層3 形成在泡棉層1的任一表面上，膠水層2形成在泡棉層1的另一表面上，這樣PET層3、泡棉層1和膠水層2依次層疊設(shè)置。

在本實(shí)施例中，泡棉層1的厚度為0.1~5mm，膠水層2的厚度為20~50微米，PET層3的厚度為50~100微米。

上述實(shí)施例只為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。