專利名稱：微加工渦卷式壓縮機(jī)和相關(guān)技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子機(jī)械系統(tǒng)和微加工技術(shù)，具體涉及微渦卷壓縮機(jī)，其相關(guān)技術(shù)涉及步進(jìn)式靜電側(cè)面驅(qū)動，頂端方向和徑向柔量配合靜電防泄漏法和生物傳感器。
背景技術(shù)：
渦卷壓縮機(jī)的概念由Creux在1905年提出。由于需要幾近完美的共軛螺旋線設(shè)計、加工，誤差必須被控制在數(shù)個微米，因此，直到20世紀(jì)70年代計算機(jī)控制的精密加工應(yīng)用之前，在很長一段時間無法付諸實施。除了上述制造難度外，設(shè)計方面的問題，比如磨損和泄漏的預(yù)防也是一個原因。根據(jù)渦卷壓縮機(jī)的概念，兩個復(fù)雜的渦卷葉片必須保持時刻接觸，從而會導(dǎo)致磨損。
例如如圖1所示定渦卷1從起點(diǎn)到終點(diǎn)旋線的角度是1080度，并與動渦卷漩線4有三個相切點(diǎn)，由此形成了3段曲線，形成了3個新月形壓力區(qū)。當(dāng)動渦卷移動時，媒介從低壓區(qū)不斷連續(xù)地被擠壓到高壓區(qū)，新月形連續(xù)地變小，最終從中間排出。與此同時，流動媒體試圖從高壓泄流回到低壓區(qū)，見圖2之6和圖3之14，即頂部泄漏和側(cè)面泄漏。在兩個泄漏機(jī)理中，頂端泄漏對壓縮機(jī)的全部效率有更大的影響。在宏觀渦卷壓縮機(jī)的設(shè)計上，加入了潤滑劑以防止泄漏和磨損。
即使遇到上述困難，人們還是被渦卷壓縮機(jī)的固有優(yōu)點(diǎn)所吸引，現(xiàn)在該技術(shù)已經(jīng)獲得了大范圍的成功和廣泛認(rèn)可。其主要優(yōu)點(diǎn)中首先是移動部件數(shù)目較少因而更可靠。第二是機(jī)械效率更高，特別是在部分負(fù)載的情況下。第三較低的運(yùn)行噪音，由于是不斷連續(xù)地壓縮，所以壓力的跳動??；第四壓縮機(jī)不再需要入口和出口閥門，兩相接觸的葉片起到了閥門作用。
微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)是單晶硅IC制造技術(shù)的一個派生技術(shù)，較容易滿足渦卷壓縮機(jī)在復(fù)雜曲線條件下關(guān)于精度的誤差要求。過去，制造一個高且直的墻、或深且直的洞有困難，特別是洞口很小的時候。一個微機(jī)械加工技術(shù)LIGA，是一個好的候選技術(shù)來制造高縱深比洞，具有直而平滑的側(cè)邊輪廓。但是LIGA是一個昂貴的加工方法，需要好的X光同步加速器。在過去的十幾年間，深度反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)取得了長足的進(jìn)步，可以滿足以上要求，且成本較低。
設(shè)想中的MEMS壓縮機(jī)整體尺寸是很小的，在幾十到幾百微米左右。在各壓力區(qū)之間進(jìn)行適當(dāng)?shù)拿芊夂万?qū)動壓縮機(jī)是中心議題，這也是本發(fā)明設(shè)計所要解決的。人們不希望解決了一個壓縮機(jī)的問題而同時又產(chǎn)生另外一個同樣棘手的問題即設(shè)計微型馬達(dá)并把它和壓縮機(jī)裝配起來。在本發(fā)明中，驅(qū)動馬達(dá)和壓縮機(jī)是內(nèi)置一體的。
近年來，MEMS在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用引起很大的關(guān)注。大多數(shù)的MEMS材料是生物匹配的，但是潤滑劑就不確定了。生物流體非常容易在微壓縮機(jī)的狹窄通道里引起阻塞。自適應(yīng)的間隙控制和密閉又不使用潤滑劑對生物應(yīng)用是必需的。該發(fā)明解決了這一生物應(yīng)用的要求。各種MEMS泵和壓縮機(jī)的設(shè)想都已被提出過，卻未能涉及到渦卷式微壓縮機(jī)。
參考文獻(xiàn)(1)E·Morishita，M·Sugihara and T·Nakamura，“Scroll CompressorDynamics，”Bulletin of JSME，Vol.·29，No·248，1986(2)Duli Yu，T.Ameel，R.Warrington，“Thermal and Statics Finite Element Analysisof Fixed Scroll Deformation，”13th International Compressor EngineeringConference at Purdue，C-13，July 23-26，1996發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的，在于提供一種微加工渦卷式壓縮機(jī)和相關(guān)加工技術(shù)，包括一個微機(jī)械加工的器件，微渦卷壓縮機(jī)裝配件含動渦卷和定渦卷，完整的內(nèi)置微馬達(dá)驅(qū)動動渦卷，由靜電力側(cè)面驅(qū)動，以及微器件的加工方法。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下。
一個微加工裝置，包含一個定渦卷部件，該定渦卷部件包括底板、電傳導(dǎo)線、底板邊緣的圓形外殼和渦卷壁，包括定渦卷壁中的電極；動渦卷包括底板和渦卷壁，構(gòu)成一個完整的微結(jié)構(gòu)——微渦卷裝置，其壓縮機(jī)和微馬達(dá)為一體，提供雙功能同時進(jìn)行驅(qū)動和壓縮。
所述的微渦卷裝置，通過使用差分電壓產(chǎn)生側(cè)吸引力以驅(qū)動動渦卷的方法，包括a)在瞬時接觸點(diǎn)施加靜電力以防止泄露和運(yùn)動組件的滑脫；b)在與瞬時接觸點(diǎn)相鄰的節(jié)點(diǎn)上施加更高的電壓并在渦卷的運(yùn)動方向上提供一個扭矩；c)連續(xù)交替使用a)和b)的力量，并將氣體或液體驅(qū)向出口的方法；上述方法中，反向驅(qū)動可以把壓縮機(jī)變成真空機(jī)。
一個制造渦卷和金屬電極和將金屬電極連接到控制電路上的一個方法。
一種通過在外殼和動渦卷板之間應(yīng)用靜電力以防止液體從外殼泄漏的密封方法。
處理由磨損件導(dǎo)致磨損的方法，通過在靜渦卷和動渦卷蓋板中的電極之間施加電壓，所提到的蓋板和頂端被互相吸引從而防止泄露；頂端和底板可能的磨損仍然會使該裝置以同樣的機(jī)理有效，并且不會減弱它的功能，稱為頂端進(jìn)動磨合機(jī)理；同樣，在靜渦卷底板和動渦卷頂端之間施加電壓以防止另外一端的泄漏。
側(cè)向進(jìn)動磨合機(jī)理在電極和動渦卷壁的接觸點(diǎn)上施加電壓，動渦卷壁被吸引向靜渦卷壁，可以防止兩個壓力袋之間的側(cè)壁的泄漏；進(jìn)一步的磨損仍然將會使該機(jī)理有效。
將微渦卷壓縮機(jī)和其他微通道如硅片上的微通道鍵合在一起，特別是微渦卷壓縮機(jī)的出口和微通道的多通道入口交合一體的方法。
該微渦卷結(jié)構(gòu)可以變成一個純粹的微步進(jìn)式馬達(dá)，每一步的尺寸由電極間格尺寸決定；在馬達(dá)功能中，其中一個渦卷葉片的高度短于其它葉片，不形成壓力口袋；因此，通過側(cè)靜電驅(qū)動法，動渦卷本質(zhì)上變成了一個旋轉(zhuǎn)體，通過將動渦卷底板硅片和其他硅片連接在一起，可以將許多的微結(jié)構(gòu)附著在動渦卷上，發(fā)揮曲軸的作用；在馬達(dá)功能中，微渦卷結(jié)構(gòu)可以被真空封裝；在馬達(dá)功能中，微渦卷結(jié)構(gòu)可以被潤滑氣體或液體填充。
一種微渦卷葉片的制造方法，包括SOI晶片作為起始材料；各向異性的蝕刻晶片形成曲線和渦卷葉片；蝕刻在硅的二氧化硅層停止。
微渦卷葉片制造電極的方法，方法一a)SOI晶片作為出發(fā)材料，和b)各向異性的從反面刻蝕，并停留在二氧化硅層c)各向異性的刻蝕二氧化硅層d)各向異性硅蝕刻到指定深度形成深洞e)洞里絕緣層等厚度沉積，二氧化硅為首選f)洞內(nèi)金屬電鍍工藝，首選金；方法二a)SOI晶片作為出發(fā)材料，和b)layer；各向異性的從反面(后方)刻蝕，并停留在二氧化硅層c)各向異性的從正面蝕刻，并停留在二氧化硅層d)各向異性的刻蝕二氧化硅層打通深洞e)洞內(nèi)壁面絕緣層等厚度沉積，二氧化硅首選f)洞內(nèi)金屬電鍍，首選金g)平面氮化硅物沉淀在正面。
一個開縫電極設(shè)計是a)電極的內(nèi)側(cè)面是暴露于流動工質(zhì)的。
b)這些電極被特意交替放置于常規(guī)的電極之間
c)低電壓被引至開縫電極，以測量工質(zhì)電化學(xué)性質(zhì)的變化，如生物流體。


圖1為平面開放狀態(tài)渦卷圖。
圖2為三維渦卷圖。
圖3為關(guān)閉狀態(tài)渦卷圖。
圖4(1)為步驟1，是以SOI晶片作為出發(fā)材料，各向異性的從反面(后方)刻蝕，并停留在二氧化硅層，各向異性的刻蝕二氧化硅層繼續(xù)各向異性硅蝕刻到指定深度形成深洞；圖4(2)為步驟2，系去掉于正面頂部的二氧化硅，洞里絕緣層等厚度沉積，二氧化硅為首選；圖4(3)為步驟3；步驟3為洞內(nèi)金屬電鍍工藝，首選金，表面涂層于正面頂部。
圖5為定渦卷卷壁的電極工藝設(shè)計1示意圖。
圖6(1)為步驟1，各向異性的從反面刻蝕，并停留在二氧化硅層；各向異性的從正面蝕刻，并停留在二氧化硅層；各向異性的刻蝕二氧化硅層打通深洞；圖6(2)為步驟2，洞內(nèi)壁面絕緣層等厚度沉積，二氧化硅首選；圖6(3)為步驟3，洞內(nèi)金屬電鍍；圖6(4)為步驟4；平面氮化硅物沉淀在正面。
圖7為SOI硅片微加工動渦卷葉片，DRIE刻蝕停留在二氧化硅層。
圖8為頂端軸向柔量配合防泄漏的示意圖。
圖9為徑向柔量配合防泄漏的示意圖。
圖9a為基于電極工藝設(shè)計1的開縫電極設(shè)計。
圖9b為基于電極工藝設(shè)計2的開縫電極設(shè)計。
圖中箭頭的標(biāo)號示意1.定渦卷，2.定渦卷蓋板，3.出口，4.動渦卷，5.動渦卷側(cè)壁，6.葉片頂端和頂端泄漏，7.在定渦卷葉片里的電極，8.電壓V1，9.電壓V2，10.電壓V3，11.壓力區(qū)I，12.壓力區(qū)II，13.壓力區(qū)III，14.側(cè)泄漏，15.硅，16.絕緣層，17.金屬導(dǎo)體，18.表面涂層氮化硅，19.葉片，20.基板，21.二氧化硅層，22.軸向泄漏，23.吸引力，24.徑向泄漏，25.吸引力。
具體實施例方式
在常規(guī)的大尺寸壓縮機(jī)應(yīng)用中，渦卷和馬達(dá)是兩個分離的部件，驅(qū)動扭矩的遞送是通過曲軸或其他連接機(jī)構(gòu)來實現(xiàn)的。為了防止動渦卷的自轉(zhuǎn)又加上了歐丹環(huán)。用于計算力、扭矩和功率等的通用公式，已經(jīng)在參考文獻(xiàn)1中列出。而更詳細(xì)的計算方法如采用有限元方法已在文獻(xiàn)2中介紹。這些公式和方法可以提供優(yōu)化的設(shè)計參數(shù)。由于本發(fā)明獨(dú)特的驅(qū)動方法不需要加入歐丹環(huán)(必要時，可以非常容易地加入歐丹環(huán))。去掉歐丹環(huán)可以減少摩擦。
在圖3中，靜電力將動渦卷吸向定渦卷，形成初始接觸點(diǎn)V1，在V1點(diǎn)上施加一個較低的電壓V1。在V1點(diǎn)的附近，間隙仍然很小，如施加一個高電壓V2、V3、甚至V4，可以形成一個很強(qiáng)的吸引力，因此，接觸點(diǎn)依次滾動到V2、V3、V4直至出口。整個驅(qū)動原理類似無滑動摩擦驅(qū)動，當(dāng)接觸點(diǎn)變成V2時，電壓下降。以這種方式有序前進(jìn)，工質(zhì)被連續(xù)壓縮至出口。同樣的驅(qū)動方法也適用于多卷數(shù)的壓縮機(jī)同時形成的多個接觸點(diǎn)上。請注意高電壓V2和V3也可以施加在逆方向上。如果這樣，壓縮機(jī)就會不斷地增加工質(zhì)的體積，使微結(jié)構(gòu)變成了真空泵。假如出現(xiàn)阻塞，施加更低的電壓V1可以越過阻塞點(diǎn)。
MEMS渦卷壓縮機(jī)其基板的直徑尺寸一般在100-1000微米，它的渦卷數(shù)目一般在2-3圈。在微加工中，卷數(shù)并不受到很大限制。葉片高度一般在100-1000微米，遞送流體的尺寸可小至1-100皮升(10-12升)。
在定渦卷的基板上可以開多個出口，而不僅僅是一個在中央的出口，而且每個出口的孔徑也可以大小不一。與此同時，這些出口可以和另一硅片上的微流道鍵合在一起，鍵合方法可以是熱壓鍵合或者是陽極鍵合，如此一來，渦卷壓縮機(jī)可以成為一個多流道系統(tǒng)的開關(guān)。
靠不產(chǎn)生壓力區(qū)，這個微裝置也可以變成一個微步進(jìn)電機(jī)，其步長由電極的間隔控制。當(dāng)一個葉片的高度被有意設(shè)計成低于另外一個葉片時，就不能形成壓力區(qū)；但與此同時，動渦卷還是被驅(qū)動了，并可以傳遞扭矩。假如有一個微結(jié)構(gòu)與動渦卷的基板鍵合在一起，那么它就變成了一個鏈接機(jī)構(gòu)去驅(qū)動其他的微裝置。作為一個微型馬達(dá)，潤滑劑可以被添加進(jìn)來，因為無需考慮可能引起的污染問題。
在設(shè)計中，SOI硅片被優(yōu)選成起始材料，渦線的二維特征可被很自如的印在模板上，然后從正面深度刻蝕在硅片上形成葉片，該單向刻蝕將停止在二氧化硅膜層上，如圖6所示。這樣動渦卷的葉片就制成了，定渦卷也同樣。再從背面刻蝕，由深度反應(yīng)等離子刻蝕，可以制成基板，刻蝕將同樣停止在上面提到的二氧化硅層上，至此該微結(jié)構(gòu)已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，由DRIE法刻蝕二氧化硅膜層，最后脫體釋放。深度反應(yīng)等離子刻蝕步驟的遮光模板可以是氧化層或較厚的感光材料光刻膠。
由于氮化硅誘人的抗磨損特性，在硅片的正面首先沉積氮化硅以保護(hù)頂端。其他抗磨損材料如碳化硅、特氟綸等，親水性、厭水性材料也可以考慮。一般兩個葉片的高度是一致的，當(dāng)磨損發(fā)生時就會產(chǎn)生葉片的高度不均勻一致，當(dāng)此現(xiàn)象發(fā)生時，由于渦卷底板相對于葉片軸向較柔軟，靜電力就會將底板吸至葉片頂端并使底板發(fā)生微小的彈性變形，致密地緊壓在葉片頂端從而阻止泄漏。這就被稱為頂端柔量配合防泄漏法，如圖8所示。同理，動渦卷會被吸向定渦卷葉片，葉片在徑向相對柔軟，靜電力可使其在徑向彈性變形，這樣就可以防止側(cè)向的泄漏，其機(jī)理被稱為側(cè)向柔量配合防泄漏法，如圖9所示。由于其獨(dú)特的驅(qū)動和密封方發(fā)，沒有初始磨合期。
至少有兩個方法制造導(dǎo)電電極，電極制造方法之一(見圖4)，其工藝可以分為3個主要步驟
步驟一a)SOI晶片作為出發(fā)材料，和b)各向異性的從反面(后方)刻蝕，并停留在二氧化硅層c)各向異性的刻蝕二氧化硅層d)各向異性硅蝕刻到指定深度形成深洞步驟二e)洞里絕緣層等厚度沉積，二氧化硅為首選步驟三f)洞內(nèi)金屬電鍍工藝，首選金。加工完成的電極示意圖見圖5。電極制造方法之二，以SOI晶片作為出發(fā)材料，主要分為以下四個步驟步驟一a)各向異性的從反面(后方)刻蝕，并停留在二氧化硅層b)各向異性的從正面蝕刻，并停留在二氧化硅層c)各向異性的刻蝕二氧化硅層打通深洞步驟二d)洞內(nèi)壁面絕緣層等厚度沉積，二氧化硅首選步驟三e)洞內(nèi)金屬電鍍，首選金步驟四f)平面氮化硅物沉淀在正面。
其它類型的起始材料也可以用來制造微渦卷壓縮機(jī)，本發(fā)明并不試圖羅列所有的可能性，詳解所有的工藝細(xì)節(jié)。SOI硅片只不過是更方便用來制造微渦卷壓縮機(jī)。其他類型的硅片功能可以變成如同SOI硅片。定渦卷電極的填充材料也可以是多晶體硅，因為多晶體硅可以導(dǎo)電。動渦卷基板的材料可以是玻璃或其他光學(xué)透明材料。
在基板的背面已經(jīng)有絕緣體存在，如二氧化硅。最后金屬線將從電極引出至基板的邊緣地帶以便和控制電路相聯(lián)接。其他的連接方法齊插針法，球點(diǎn)柵格焊接法也同樣可以采用。
在另外一個電極外形設(shè)計中，電極是單側(cè)開縫而不是一個深洞，具體設(shè)計見圖9a和9b。感應(yīng)開縫電極被特意放在兩個常規(guī)的驅(qū)動電極之間，以交替順序出現(xiàn)常規(guī)的深洞電極——更改過的開縫電極。設(shè)計開縫電極的目的是把低電壓(0.1 to 10伏)引導(dǎo)至開縫電極，使其暴露表面與工質(zhì)相互作用，其應(yīng)用可以是DNA識別和DNA排序，以及其他生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域如定點(diǎn)定時定量藥物遞送系統(tǒng)。其優(yōu)點(diǎn)是1.生物流體的驅(qū)動和感應(yīng)是一體的；幾乎沒有死體積，且樣品流體體積很小，只需要潤濕表面即可；2.快速待試驗物樣品和流體被擠壓至測試電極表面，形成極小的流體薄膜；3.成本低。
在單側(cè)開縫電極表面上生長碳納米管是可能的。
在關(guān)鍵零部件微渦卷壓縮機(jī)的幫助下，制造一個完整的微制冷系統(tǒng)是順理成章的。其他的零部件如熱交換器，膨脹閥，管路系統(tǒng)相對而言是較易設(shè)計和制造的。
隨著MEMS低溫工藝的發(fā)展，把控制和信號處理電路集成在同一SOI硅片上是完全可能的。特別是MEMS微渦卷式壓縮機(jī)制造工藝并不需要鍵合工藝，因此更利于設(shè)計一個和集成電路工藝完全相容的干法工藝。本發(fā)明使得硅片實驗室和微完整分析系統(tǒng)成為切實可行的設(shè)計。
以上是本發(fā)明的全部介紹，但很大范圍的改變和替換是可預(yù)期的，特別在本發(fā)明公開后。在某些情況下，使用人可能只需使用本發(fā)明的一些要點(diǎn)而不必應(yīng)用其他的要點(diǎn)就可實現(xiàn)功能應(yīng)用。因此，只要任何方式方法和本發(fā)明的范圍一致的話，應(yīng)該在廣義上來理解所有專利聲明的權(quán)益。
權(quán)利要求
1.一個微加工裝置，包含一個定渦卷部件，該定渦卷部件包括底板、電傳導(dǎo)線、底板邊緣的圓形外殼和渦卷壁，包括定渦卷壁中的電極；動渦卷包括底板和渦卷壁，構(gòu)成一個完整的微結(jié)構(gòu)——微渦卷裝置，其壓縮機(jī)和微馬達(dá)為一體，提供雙功能同時進(jìn)行驅(qū)動和壓縮。
2.權(quán)利要求1中的微渦卷裝置，通過使用差分電壓產(chǎn)生側(cè)吸引力以驅(qū)動動渦卷的方法，包括a)在瞬時接觸點(diǎn)施加靜電力以防止泄露和運(yùn)動組件的滑脫；b)在與瞬時接觸點(diǎn)相鄰的節(jié)點(diǎn)上施加更高的電壓并在渦卷的運(yùn)動方向上提供一個扭矩；c)連續(xù)交替使用a)和b)的力量，并將氣體或液體驅(qū)向出口的方法；上述方法中，反向驅(qū)動可以把壓縮機(jī)變成真空機(jī)。
3.權(quán)利要求1的微渦卷裝置，一個制造渦卷和金屬電極和將金屬電極連接到控制電路上的一個方法。
4.權(quán)利要求1的微渦卷裝置，一種通過在外殼和動渦卷板之間應(yīng)用靜電力以防止液體從外殼泄漏的密封方法。
5.權(quán)利要求1的微渦卷裝置，處理由磨損件導(dǎo)致磨損的方法，通過在靜渦卷和動渦卷蓋板中的電極之間施加電壓，所提到的蓋板和頂端被互相吸引從而防止泄露；頂端和底板可能的磨損仍然會使該裝置以同樣的機(jī)理有效，并且不會減弱它的功能，稱為頂端進(jìn)動磨合機(jī)理；同樣，在靜渦卷底板和動渦卷頂端之間施加電壓以防止另外一端的泄漏。
6.權(quán)利要求1的微渦卷裝置，在電極和動渦卷壁的接觸點(diǎn)上施加電壓，動渦卷壁被吸引向靜渦卷壁，可以防止兩個壓力袋之間的側(cè)壁的泄漏；進(jìn)一步的磨損仍然將會使該機(jī)理有效，被稱為側(cè)向進(jìn)動磨合機(jī)理。
7.權(quán)利要求1的微渦卷裝置，將微渦卷壓縮機(jī)和其他微通道如硅片上的微通道鍵合在一起，特別是微渦卷壓縮機(jī)的出口和微通道的多通道入口交合一體的方法。
8.權(quán)利要求1的微渦卷裝置，該微渦卷結(jié)構(gòu)可以變成一個純粹的微步進(jìn)式馬達(dá)，每一步的尺寸由電極間格尺寸決定。
9.權(quán)利要求1的微渦卷裝置，在馬達(dá)功能中，其中一個渦卷葉片的高度短于其它葉片，不形成壓力口袋；因此，通過側(cè)靜電驅(qū)動法，動渦卷本質(zhì)上變成了一個旋轉(zhuǎn)體，通過將動渦卷底板硅片和其他硅片連接在一起，可以將許多的微結(jié)構(gòu)附著在動渦卷上，發(fā)揮曲軸的作用。
10.權(quán)利要求1的微渦卷裝置，在馬達(dá)功能中，微渦卷結(jié)構(gòu)可以被真空封裝。
11.權(quán)利要求1的微渦卷裝置，在馬達(dá)功能中，微渦卷結(jié)構(gòu)可以被潤滑氣體或液體填充。
12.一種微渦卷葉片的制造方法，包括SOI晶片作為起始材料；各向異性的蝕刻晶片形成曲線和渦卷葉片；蝕刻在硅的二氧化硅層停止。
13.微定渦卷葉片內(nèi)制造電極的方法之一，包括a)SOI晶片作為出發(fā)材料，和b)各向異性的從反面刻蝕，并停留在二氧化硅層c)各向異性的刻蝕二氧化硅層d)各向異性硅蝕刻到指定深度形成深洞e)洞里絕緣層等厚度沉積，二氧化硅為首選f)洞內(nèi)金屬電鍍工藝，首選金。
14.微定渦卷葉片內(nèi)制造電極的方法之二，包括a)SOI晶片作為出發(fā)材料，和b)各向異性的從反面(后方)刻蝕，并停留在二氧化硅層c)各向異性的從正面蝕刻，并停留在二氧化硅層d)各向異性的刻蝕二氧化硅層打通深洞e)洞內(nèi)壁面絕緣層等厚度沉積，二氧化硅首選f)洞內(nèi)金屬電鍍，首選金g)平面氮化硅物沉淀在正面。
15.另一個開縫電極的設(shè)計是a)電極的內(nèi)側(cè)面是暴露于流動工質(zhì)的b)這些電極被特意交替放置于常規(guī)的電極之間c)低電壓被引至開縫電極，以測量工質(zhì)電化學(xué)性質(zhì)的變化，如生物流體。
全文摘要
本發(fā)明涉及一個微機(jī)械加工的器件，微渦卷壓縮機(jī)裝配件含動渦卷和定渦卷，完整的內(nèi)置微馬達(dá)驅(qū)動動渦卷，由靜電力側(cè)面驅(qū)動。微器件的加工方法。該微裝置可以用作為微步進(jìn)馬達(dá)，也可用作為生物傳感器。
文檔編號F04C27/00GK1740570SQ20051008019
公開日2006年3月1日 申請日期2005年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月4日
發(fā)明者俞度立 申請人:俞度立