本發(fā)明涉及覆銅板加工，尤其涉及封裝載板用超薄銅箔制備方法及利用超薄銅箔制備覆銅板的方法。

背景技術(shù)：

1、超薄銅箔生產(chǎn)制造過程中，由于其輕薄特性導(dǎo)致超薄銅箔在生產(chǎn)應(yīng)用過程中極易發(fā)生卷曲褶皺等現(xiàn)象，增大后端應(yīng)用難度。因此，目前超薄銅箔基本以可剝離附載體銅箔方式進(jìn)行生產(chǎn)，即利用18微米或35微米等較厚規(guī)格的銅箔作為載體，通過在其表面精準(zhǔn)構(gòu)建一層分離層（化學(xué)處理或物理鍍膜形成的特殊界面層），隨后在這一界面層上沉積一層僅1~5?μ厚的超薄銅箔。在后續(xù)的覆銅板或封裝載板制作過程中，將這一面帶有超薄銅箔的復(fù)合材料與半固化片進(jìn)行平整層壓，通過熱壓工藝使兩者緊密結(jié)合。隨后，利用機(jī)械或化學(xué)方法輕松剝離掉原始的銅箔載體，僅留下附著在半固化片上的超薄銅箔層，作為后續(xù)線路制作的基礎(chǔ)。載體銅箔的使用、分離層的制備以及兩者之間的精確結(jié)合，顯著增加了超薄銅箔的制備成本和運輸成本。因此，在推動封裝載板技術(shù)發(fā)展的同時，如何優(yōu)化超薄銅箔的制備工藝并且降低成本，成為了一個亟待解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了封裝載板用超薄銅箔制備方法及利用超薄銅箔制備覆銅板的方法，以解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，優(yōu)化超薄銅箔的制備工藝并且降低成本。

2、為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的，擬采用以下技術(shù)：

3、一種封裝載板用超薄銅箔制備方法，包括步驟：

4、步驟1，通過乙醇或丙酮對載體基底進(jìn)行浸泡；

5、步驟2，步驟1所得的載體基底置于改性液a中浸泡；

6、步驟3，通過氣相沉積的方式對步驟2所得的載體基底表面制備導(dǎo)電層；

7、步驟4，將步驟3所得的載體基底浸泡于改性液b中，以使導(dǎo)電層的表面制備出厚度為700~10000?的有機(jī)涂層；

8、步驟5，通過步驟4處理后的載體基底置于電鍍銅液中并通過電沉積的方式在有機(jī)涂層制備出超薄銅箔；

9、電流密度為1～20?a/dm2，電解液溫度為40～75℃，電鍍時間10~80s。

10、進(jìn)一步地，步驟1中載體基底浸泡時間為10~15min，浸泡溫度為20~40℃。

11、進(jìn)一步地，載體基底材質(zhì)為聚苯并咪唑類、磺化聚酰亞胺類、磺化聚芳醚酮類、磺化聚芳醚類、磺化聚酯類以及磺化聚酯共混聚烯烴類中的一種；

12、載體基底的厚度為6~18μm。

13、進(jìn)一步地，步驟2中，浸泡溫度為20~80℃，浸泡時間為30~150s。

14、進(jìn)一步地，步驟2中的改性液a的溶質(zhì)為含有單氨基/巰基/羥基/羧基/磺酸基的噻唑/噻二唑/咪唑/吡啶/嘧啶/三氮唑/哌嗪類小分子（mw≤200?g/mol）化合物中的一種或兩種；

15、改性液a的溶質(zhì)總濃度為1～5?g/l；

16、改性液a的溶劑由去離子水與有機(jī)溶劑混合而成；

17、且有機(jī)溶劑的沸點b.p.≤150℃，毒性為ld50≥2900?mg/kg；

18、改性液a的溶劑去離子水與有機(jī)溶劑的體積比為1：（0.25~4）。

19、進(jìn)一步地，步驟3中的導(dǎo)電層的厚度為800~2500??；

20、導(dǎo)電層的材質(zhì)為鐵基合金層、鈷基合金層、鈦基合金或?qū)щ娞肌?/p>

21、進(jìn)一步地，步驟4中的浸泡溫度為20~30℃，浸泡時間為30~70s。

22、進(jìn)一步地，步驟4中的改性液b的溶質(zhì)為三氮唑/噻唑/噻二唑/咪唑類小分子（mw≤200?g/mol）化合物中的一種或兩種；

23、改性液b的溶質(zhì)總濃度為1～5?g/l；

24、改性液b的溶劑由去離子水與有機(jī)溶劑混合而成；

25、改性液b的溶劑中水與有機(jī)溶劑體積比為1：（0.05~2）；

26、有機(jī)溶劑的沸點b.p.≤150℃，毒性為ld50≥2900?mg/kg。

27、進(jìn)一步地，步驟5中的電鍍銅液中銅鹽濃度為100～300?g/l；

28、硫酸濃度為50～120?g/l；

29、cl/br離子濃度為20～300?mg/l；

30、聚二硫二丙烷磺酸鈉濃度為0.2~1.2?g/l；

31、羥甲基纖維素濃度≤100?mg/l；

32、明膠濃度≤80?mg/l；

33、聚乙烯亞胺濃度≤1000?mg/l；

34、聚乙烯亞胺分子量mw≤10?kda。

35、一種覆銅板的制備方法，采用封裝載板用超薄銅箔制備方法制備所得的超薄銅箔，并通過熱壓合的方式將超薄銅箔壓合于半固化片上；

36、壓合時，溫度為30~320℃；

37、時間為2~6?h；

38、壓力為2~4.5?mpa；

39、半固化片的厚度為1~30mm；

40、半固化片為環(huán)氧樹脂類、酚醛樹脂類、聚酯類、聚四氟乙烯類中的其中一種；

41、壓合時，將具有超薄銅箔的載體基底的一側(cè)貼合于半固化片上，然后通過熱壓的方式進(jìn)行壓合，壓合后將載體基底、導(dǎo)電層及有機(jī)涂層剝離掉，以形成覆銅板。

42、上述技術(shù)方案的優(yōu)點在于：

43、（1）相較于傳統(tǒng)載體銅箔，本發(fā)明使用的易剝離載體基底制備成本更低。

44、（2）易剝離載體基底中的剝離層通過物理-化學(xué)吸附方式制得，剝離層與超薄銅箔之間具有適中的結(jié)合力，能夠保證負(fù)載體復(fù)合膜的超薄銅箔在儲存運輸中不發(fā)生起皺脫落。

45、（3）封裝載板用超薄銅箔與半固化片壓合后能夠完整、穩(wěn)定的與易剝離載體基底分離。

46、（4）相對于傳統(tǒng)可剝離載體銅箔，本發(fā)明提供的封裝載板用超薄銅箔在制備生產(chǎn)過程不涉及劇毒重金屬鎘（iv）鹽的使用，對環(huán)境更為溫和友好。

技術(shù)特征：

1.一種封裝載板用超薄銅箔制備方法，其特征在于，包括步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝載板用超薄銅箔制備方法，其特征在于，步驟1中載體基底（4）浸泡時間為10~15min，浸泡溫度為20~40℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝載板用超薄銅箔制備方法，其特征在于，載體基底（4）材質(zhì)為聚苯并咪唑類、磺化聚酰亞胺類、磺化聚芳醚酮類、磺化聚芳醚類、磺化聚酯類以及磺化聚酯共混聚烯烴類中的一種；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝載板用超薄銅箔制備方法，其特征在于，步驟2中，浸泡溫度為20~80℃，浸泡時間為30~150s。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝載板用超薄銅箔制備方法，其特征在于，步驟2中的改性液a的溶質(zhì)為含有單氨基/巰基/羥基/羧基/磺酸基的噻唑/噻二唑/咪唑/吡啶/嘧啶/三氮唑/哌嗪類小分子（mw≤200?g/mol）化合物中的一種或兩種；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝載板用超薄銅箔制備方法，其特征在于，步驟3中的導(dǎo)電層（3）的厚度為800~2500??；

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝載板用超薄銅箔制備方法，其特征在于，步驟4中的浸泡溫度為20~30℃，浸泡時間為30~70s。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝載板用超薄銅箔制備方法，其特征在于，步驟4中的改性液b的溶質(zhì)為三氮唑/噻唑/噻二唑/咪唑類小分子（mw≤200?g/mol）化合物中的一種或兩種；

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝載板用超薄銅箔制備方法，其特征在于，步驟5中的電鍍銅液中銅鹽濃度為100～300?g/l；

10.一種覆銅板的制備方法，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至9中任意一項所述的封裝載板用超薄銅箔制備方法制備所得的超薄銅箔（1），并通過熱壓合的方式將超薄銅箔（1）壓合于半固化片（5）上；

技術(shù)總結(jié)
封裝載板用超薄銅箔制備方法及利用超薄銅箔制備覆銅板的方法，包括步驟：步驟1，通過乙醇或丙酮對載體基底進(jìn)行浸泡；步驟2，步驟1所得的載體基底置于改性液A中浸泡；步驟3，通過氣相沉積的方式對步驟2所得的載體基底表面制備導(dǎo)電層；步驟4，將步驟3所得的載體基底浸泡于改性液B中，以使導(dǎo)電層的表面制備出厚度為700~10000?的有機(jī)涂層；步驟5，通過步驟4處理后的載體基底置于電鍍銅液中并通過電沉積的方式在有機(jī)涂層制備出超薄銅箔，優(yōu)化超薄銅箔的制備工藝并且降低成本。

技術(shù)研發(fā)人員：孔令勛,孔祥芳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：遂寧利和科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19