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金屬氧化物納米球的制備方法與流程

文檔序號:12817549閱讀:798來源:國知局
金屬氧化物納米球的制備方法與流程

本發(fā)明具體涉及一種金屬氧化物納米球的制備方法。



背景技術(shù):

納米技術(shù)是當(dāng)前人類前沿科學(xué)的熱點(diǎn),納米材料由于其小尺寸、高表面能和大比表面積等特點(diǎn),使得它們表現(xiàn)出常規(guī)塊體材料所不具備的一些特殊性質(zhì),比如小尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)、介電限域效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng)等。金屬氧化物納米材料可應(yīng)用于催化劑、精細(xì)陶瓷、復(fù)合材料、磁性材料、熒光材料、濕敏性傳感器及紅外吸收材料,在化工、電子、食品、生物、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。為此,金屬氧化物納米材料的制備技術(shù)成為研究熱點(diǎn)。當(dāng)前,科技工作者已研發(fā)出多種多樣的金屬氧化物納米材料制備方法,從生成環(huán)境上大體上可分為固相法、液相法和氣相法,具體到技術(shù)應(yīng)用,又包括溶膠-凝膠法、醇鹽水解法、強(qiáng)制水解法、溶液的氣相分解法、濕化學(xué)合成法、微乳液法、激光技術(shù)、微波輻射技術(shù)、超聲技術(shù)、交流電沉積技術(shù)、超臨界流體干燥技術(shù)、非水溶劑水熱技術(shù)等等。然而,現(xiàn)有技術(shù)存在反應(yīng)試劑有毒有害、成本高、操作工序復(fù)雜、生成物不穩(wěn)定等缺陷,限制其進(jìn)一步推廣應(yīng)用,特別是材料量產(chǎn)的使用。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題,在于提供一種金屬氧化物納米球的制備方法。

本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種金屬氧化物納米球的制備方法,包括以下內(nèi)容:在一電解槽中,陽極為pt片,陰極為金屬絲,電解液采用高導(dǎo)電性鹽溶液,陽極和陰極浸入電解液的面積比為陽極:陰極=20:1;

采用連續(xù)可調(diào)的大功率直流穩(wěn)壓電源,通過逐步加大電壓,在陰極形成等離子放電,同時在溶液中形成沉淀物,將沉淀物進(jìn)行提純,即得到金屬氧化物納米球。

進(jìn)一步地,所述陰極為所述金屬氧化物納米球所對應(yīng)的金屬材料。

進(jìn)一步地,所述電解液為3mol/l的nh4no3溶液。

進(jìn)一步地,所述直流穩(wěn)壓電源的電壓在0-200v之間可進(jìn)行連續(xù)調(diào)整,最大電流為10a。

進(jìn)一步地,所述通過逐步加大電壓,在陰極形成等離子放電,具體為:

電壓從開路電壓值開始,以1v/s的速率增加,最后將端電壓穩(wěn)定在100v進(jìn)行放電。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:無有毒有害化學(xué)試劑參與,成本低廉,操作簡單,材料產(chǎn)率高,可拓展性強(qiáng),在工業(yè)量產(chǎn)中應(yīng)用前景廣闊。

附圖說明

下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。

圖1是本發(fā)明中電解裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明中tio2納米球整體(a)和直徑為2.7μm單一顆粒(b)的sem圖。

圖3是本發(fā)明中tio2納米球的xrd圖。

圖4是本發(fā)明中tio2納米球的edx圖譜。

具體實(shí)施方式

請參閱圖1所示,一種鈦氧化物納米球的制備方法,由一個大功率直流穩(wěn)壓電源和一個電解槽組成電解裝置,電源的電壓可在0-200v之間進(jìn)行連續(xù)調(diào)整,最大可承受電流為10a。陽極采用pt片,防止陽極在放電過程中被溶解,陰極為制備鈦氧化物納米球所對應(yīng)的金屬絲即ti絲,純度為99.9%。陽極浸入電解液中的表面積應(yīng)盡可能大于陰極,兩極的表面積比約為20:1,電解液采用3m的nh4no3溶液。電解槽兩端的電壓從開路電壓值(約0v)開始,以1v/s的速率增加,常溫下,當(dāng)端電壓達(dá)到25v左右時,陰極開始放電,端電壓隨即跳變到一個較高值90v,通過調(diào)節(jié)電源將端電壓穩(wěn)定在100v左右進(jìn)行放電。隨著放電的進(jìn)行,電解液變得渾濁,電解槽底部出現(xiàn)明顯的沉淀,實(shí)驗(yàn)結(jié)束后,將沉淀進(jìn)行反復(fù)地離心提純,即得鈦氧化物納米球。

制得的tio2納米球,其形貌的掃描電子顯微鏡(sem)照片如圖2所示,sem圖顯示這些球形顆粒的直徑從100nm以下到幾百個微米不等,其中納米級的顆粒占據(jù)絕大多數(shù),平均尺寸約在500nm左右。

本發(fā)明使用x射線衍射譜(xrd)和x射線能譜儀(edx)對顆粒tio2納米球的成分進(jìn)行表征,結(jié)果如圖3、圖4所示。圖3的xrd圖譜顯示納米球由三種類型的tio2相組成,分別為金紅石相,銳鈦礦相,以及缺氧相。其中,缺氧相的成分可能為ti10o19,ti5o9或者ti3o5這類相比于常規(guī)化學(xué)計(jì)量的tio2存在氧原子空缺的物相。圖4的edx圖譜分別給出了顆粒樣品置于洗凈硅片上(標(biāo)識a所指代的曲線)和無樣品存在情況下的洗凈硅片(標(biāo)識b所指代的曲線)的基底圖譜。通過兩者的對比可以發(fā)現(xiàn),球形顆粒主要由ti和o兩種元素組成,從而證實(shí)所得到的產(chǎn)物為tio2納米球。

其他實(shí)驗(yàn)條件與上述制備tio2納米球相同,采用不同的陰極材料,可以得到不同的金屬氧化物納米球,如以al絲作為陰極,可得到以al2o3為主要成分的納米球,以cu絲作為陰極,可得到cu2(oh)3no3納米球,以fe絲作為陰極,可得到feo、fe2o3、fe3o4混合成分的鐵氧化物納米球。由此可知,本發(fā)明對制備金屬氧化物納米球具有普遍的適用性和可擴(kuò)展性。

本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):

1、方法簡單、便捷、環(huán)保,所采用的裝置結(jié)構(gòu)簡單,成本低廉,制備操作過程方便,未使用有毒有害化學(xué)試劑;

2、納米球制備產(chǎn)量大,如上述實(shí)驗(yàn)中tio2納米球的制備產(chǎn)量可達(dá)到50mg/min;

3、本發(fā)明對熔點(diǎn)不高的金屬具有普遍適用性,可擴(kuò)展性強(qiáng),采用ti、al、cu、fe等不同的金屬陰極材料,可以得到不同的金屬氧化物納米球。

4、本發(fā)明是一種行之有效的金屬氧化物納米球制備及摻雜改性手段,實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),等離子放電高溫所溶解形成的金屬顆粒進(jìn)入到電解液時的淬火作用,對于納米球的最終成分和結(jié)構(gòu)起到了重要的改性和摻雜作用。溶液中的成分,易于在淬火過程中被結(jié)合到納米球中,比如cu絲作為陰極,nh4no3作為電解液時,生成的納米球成分為cu2(oh)3no3而非cuo。通過改變電解液成分,可以對生成的金屬氧化物成分和結(jié)構(gòu)進(jìn)行摻雜改性,這種摻雜改性可提高金屬氧化物納米球的光響應(yīng)特性、催化特性等。



技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種金屬氧化物納米球的制備方法,包括以下內(nèi)容:在一電解槽中,陽極為Pt片,陰極為金屬絲,電解液采用高導(dǎo)電性鹽溶液,陽極和陰極浸入電解液的面積比為陽極:陰極=20:1;采用連續(xù)可調(diào)的大功率直流穩(wěn)壓電源,通過逐步加大電壓,在陰極形成等離子放電,同時在溶液中形成沉淀物,將沉淀物進(jìn)行提純,即得到金屬氧化物納米球。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:無有毒有害化學(xué)試劑參與,成本低廉,操作簡單,材料產(chǎn)率高,可拓展性強(qiáng),在工業(yè)量產(chǎn)中應(yīng)用前景廣闊。

技術(shù)研發(fā)人員:張志昆
受保護(hù)的技術(shù)使用者:福建省建筑科學(xué)研究院
技術(shù)研發(fā)日:2017.05.02
技術(shù)公布日:2017.07.07
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