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殼體及其制備方法、電子裝置與流程

文檔序號:11507421閱讀:188來源:國知局

本發(fā)明涉及電子裝置技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種殼體,該殼體的制備方法及應(yīng)用該殼體的電子裝置。



背景技術(shù):

目前,手機等電子裝置通常采用鋁合金殼體,通過對鋁合金殼體進行陽極氧化處理,來提高鋁合金殼體的硬度。由于大部分的電子裝置外殼均采用陽極氧化處理,導(dǎo)致現(xiàn)有的電子裝置外殼的外觀同質(zhì)化嚴重,不能提升電子裝置的品牌屬性。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的主要目的在于提供一種殼體的制備方法,旨在提供一種可制得具有黑亮外觀、陶瓷質(zhì)感的殼體的制備方法。

為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供的殼體的制備方法包括以下步驟:

提供鋁基材;

對鋁基材進行硬質(zhì)陽極氧化處理,于所述鋁基材的表面形成第一氧化鋁層,所述第一氧化鋁層具有微孔,所述硬質(zhì)陽極氧化處理自動調(diào)節(jié)硬質(zhì)陽極氧化處理過程中的電壓和電流;

對鋁基材進行染色處理;

對經(jīng)染色處理后的鋁基材進行拋光處理,得到所述殼體。

優(yōu)選地,對鋁基材進行硬質(zhì)陽極氧化處理包括以下步驟:

提供一陽極氧化裝置,所述陽極氧化裝置包括可編程邏輯控制器和電解槽;

提供電解液,所述電解液包括濃度為100~150g/l的硫酸;

將所述電解液置于所述電解槽;

將所述鋁基材置入所述電解槽,對所述鋁基材進行硬質(zhì)陽極氧化處理,其中,所述陽極氧化時間為55~75min,所述電解液的溫度為13~17℃,初始電壓為9~11v,初始電流為1.4~1.7a/dm2;15~25min后,所述可編程邏輯控制器控制電壓為6~8v,電流為0.7~0.9a/dm2;40~50min后,所述可編程邏輯控制器控制電壓為6~8v,電流為0.4~0.6a/dm2

優(yōu)選地,所述染色處理為吸附著色,或于所述硬質(zhì)陽極氧化處理過程中進行電解著色。

優(yōu)選地,所述拋光處理包括:采用布輪對第一氧化鋁層進行粗拋處理;采用拋光液對經(jīng)布輪拋光后的第一氧化鋁層進行精拋處理。

優(yōu)選地,所述染色處理后,所述拋光處理前,還包括對第一氧化鋁層進行封孔處理的步驟。

優(yōu)選地,對鋁基材進行拋光處理后,還包括:去除部分第一氧化鋁層,露出部分鋁基材;對所述露出的鋁基材進行鐳雕處理,形成顯示區(qū),所述顯示區(qū)具有標(biāo)簽;對顯示區(qū)依次進行另一硬質(zhì)陽極氧化處理、另一染色處理、及另一拋光處理。

本發(fā)明還提供一種殼體,所述殼體包括鋁基材、形成于所述鋁基材表面的第一氧化鋁層、及著色件,所述第一氧化鋁層形成有若干第一微孔,所述著色件容納于所述第一微孔,所述第一氧化鋁層呈現(xiàn)鏡面、黑色。

優(yōu)選地,所述第一氧化鋁層的厚度為20~30微米,所述第一微孔的直徑為20~30nm。

優(yōu)選地,所述殼體還包括顯示區(qū),所述顯示區(qū)覆蓋有第二氧化鋁層,所述第二氧化鋁層形成有若干第二微孔,所述第二微孔內(nèi)容納有著色件,所述第二氧化鋁層呈現(xiàn)鏡面、黑色。

優(yōu)選地,所述第二氧化鋁層的厚度為3~5微米,所述第二微孔的直徑為20~30nm。

本發(fā)明還提供一種電子裝置,上述電子裝置包括所述殼體。

本發(fā)明提出的殼體的制備方法先對鋁基材進行硬質(zhì)陽極氧化處理,于所述鋁基材的表面形成第一氧化鋁層,所述第一氧化鋁層具有第一微孔,所述第一氧化鋁層由硬質(zhì)陽極氧化處理制得,使得所述第一微孔的密度和硬度均增加,再通過染色處理于所述第一微孔內(nèi)形成著色件,以使第一氧化鋁層具有黑色外觀;進一步對第一氧化鋁層進行拋光處理,以使鋁基材具有陶瓷、鏡面的外觀,使得獲得的殼體具有亮黑、陶瓷外觀。

進一步地,由于硬質(zhì)陽極氧化處理可自動調(diào)節(jié)硬質(zhì)陽極氧化處理過程中的電壓和電流,使得第一氧化鋁層的厚度均勻、致密、微孔密度大。

具體實施方式

下面將對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。

需要說明,本發(fā)明實施例中所有方向性指示(諸如上、下、左、右、前、后……)僅用于解釋在某一特定姿態(tài)下各部件之間的相對位置關(guān)系、運動情況等,如果該特定姿態(tài)發(fā)生改變時,則該方向性指示也相應(yīng)地隨之改變。

另外,在本發(fā)明中涉及“第一”、“第二”等的描述僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示其相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。另外,各個實施例之間的技術(shù)方案可以相互結(jié)合,但是必須是以本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)為基礎(chǔ),當(dāng)技術(shù)方案的結(jié)合出現(xiàn)相互矛盾或無法實現(xiàn)時應(yīng)當(dāng)認為這種技術(shù)方案的結(jié)合不存在,也不在本發(fā)明要求的保護范圍之內(nèi)。

本發(fā)明提供一種殼體的制備方法,包括以下步驟:

通過鋁擠的方式制備鋁基材;

對鋁基材進行硬質(zhì)陽極氧化處理,于所述鋁基材的表面形成第一氧化鋁層,所述第一氧化鋁層具有第一微孔,所述硬質(zhì)陽極氧化處理自動調(diào)節(jié)硬質(zhì)陽極氧化處理過程中的電壓和電流;

對鋁基材進行染色處理;

對經(jīng)染色處理后的鋁基材進行拋光處理,得到所述殼體。

所述染色處理為吸附著色,或于所述硬質(zhì)陽極氧化處理過程中進行電解著色。

可以理解的,于所述硬質(zhì)陽極氧化處理過程中進行電解著色為:于硬質(zhì)陽極氧化的電解液中加入色料,色料進入第一微孔,使得第一氧化鋁層呈現(xiàn)黑色。

可以理解的,所述吸附著色為:將經(jīng)硬質(zhì)陽極氧化后的鋁基材置于一染色劑中,以使第一氧化鋁層呈黑色。

對鋁基材進行硬質(zhì)陽極氧化處理前,所述殼體的制備方法還包括以下步驟:

對鋁基材的外表面進行自動拋光處理,以除去鋁基材外表面的雜質(zhì)和氧化層;

于拋光后的鋁基材的外表面貼覆保護膜,優(yōu)選為聚乙烯膜;

對鋁基材的另一表面進行cnc處理,從而形成電子裝置殼體的內(nèi)部結(jié)構(gòu);

去除保護膜;

對鋁基材進行清洗處理,以除去cnc處理時帶來的雜質(zhì);

對鋁基材進行自動化鏡面拋光處理,所述自動化鏡面拋光處理可為分別用型號為400#的布輪粗拋,型號為800#的拋光液中拋,型號為1200#的拋光液鏡面拋;

對鋁基材進行超聲清洗。

對鋁基材進行染色處理后,對經(jīng)染色處理后的鋁基材進行拋光處理前,還包括采用cnc的方式于鋁基材的側(cè)壁開孔的步驟,獲得音量孔、開關(guān)孔等必要結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明技術(shù)方案的殼體的制備方法先對鋁基材進行硬質(zhì)陽極氧化處理,于所述鋁基材的表面形成第一氧化鋁層,所述第一氧化鋁層具有第一微孔,所述第一氧化鋁層由硬質(zhì)陽極氧化處理制得,使得所述第一氧化鋁層的第一微孔密度和硬度均增加,再通過染色處理于所述第一微孔內(nèi)形成著色件,以使第一氧化鋁層具有黑色外觀;進一步對第一氧化鋁層進行拋光處理,以使鋁基材具有陶瓷、鏡面的外觀,使得獲得的殼體具有亮黑、陶瓷外觀。

進一步地,由于硬質(zhì)陽極氧化處理可自動調(diào)節(jié)硬質(zhì)陽極氧化處理過程中的電壓和電流,使得第一氧化鋁層的厚度均勻、致密、微孔密度大。

對鋁基材進行硬質(zhì)陽極氧化處理包括以下步驟:

提供一陽極氧化裝置,所述陽極氧化裝置包括可編程邏輯控制器和電解槽;

提供電解液,所述電解液包括濃度為100~150g/l的硫酸;

將所述電解液置于所述電解槽;

將所述鋁基材置入所述電解槽,對所述鋁基材進行硬質(zhì)陽極氧化處理,其中,所述陽極氧化時間為55~75min,所述電解液的溫度為13~17℃,初始電壓為9~11v,初始電流為1.4~1.7a/dm2;15~25min后,所述可編程邏輯控制器控制電壓為6~8v,電流為0.7~0.9a/dm2;40~50min后,所述可編程邏輯控制器控制電壓為6~8v,電流為0.4~0.6a/dm2

可以理解的,所述第一氧化鋁層形成后,該可編程邏輯控制器控制反應(yīng)終止。

本發(fā)明技術(shù)方案的陽極氧化裝置中設(shè)置有可編程邏輯控制器,可編程邏輯控制器可根據(jù)時間來控制電壓和電流,避免電流過大,局部第一氧化鋁層溶解。使得生產(chǎn)的第一氧化鋁層膜厚均勻、致密,且微孔均勻、密度大。

所述拋光處理包括:采用布輪對第一氧化鋁層進行粗拋處理;采用拋光液對經(jīng)布輪拋光后的第一氧化鋁層進行精拋處理。

布輪為型號2000#的布輪。

精拋處理中使用的精拋液包括水、剛玉顆粒和氫氧化鈉。也就是在水與剛玉粉形成的剛玉拋光懸濁液中加入化學(xué)侵蝕劑氫氧化鈉,不僅消除了機械拋光存在的擾動層、劃痕問題,也消除了電解、化學(xué)拋光中存在的部分相溶蝕消失或凸起問題,從而避免出現(xiàn)觀察假象的情況,同時還可以大幅縮短精拋光時間,實現(xiàn)快速制備高質(zhì)量的金相試樣。

進行精拋處理時,在機械拋光劑中添加化學(xué)浸蝕劑氫氧化鈉,利用產(chǎn)生的機械磨削與化學(xué)浸蝕作用,實現(xiàn)高質(zhì)量無擾動層金相試樣的制備。機械拋光劑是含有可有效切割鋁合金表面的剛玉懸濁液,利用剛玉顆粒對第一氧化鋁層表面的機械切割作用,起到機械拋光的作用;化學(xué)浸蝕劑氫氧化鈉的加入,對機械拋光表面產(chǎn)生輕微的腐蝕,起到去除表層擾動層和補充化學(xué)拋光的作用。

其中,剛玉顆粒的粒度為1.0μm,以實現(xiàn)更好的拋光效果。

本發(fā)明技術(shù)方案采用布輪和精拋液對鋁基材進行拋光處理,以使鋁基材呈鏡面。

所述染色處理后,所述拋光處理前,還包括對第一氧化鋁層進行封孔處理的步驟。

所述密封件容納于所述第一微孔,以將容納于所述第一微孔的著色件密封,防止著色件從所述第一微孔脫出。

本發(fā)明技術(shù)方案的殼體還包括密封件,密封件容納于所述第一微孔,使得殼體的顏色不會褪去。

對鋁基材進行拋光處理后,還包括:去除部分第一氧化鋁層,露出部分鋁基材;對所述露出的鋁基材進行鐳雕處理,形成顯示區(qū),所述顯示區(qū)具有標(biāo)簽;對顯示區(qū)依次進行另一硬質(zhì)陽極氧化處理、另一染色處理、及另一拋光處理。

本發(fā)明技術(shù)方案對鋁基材進行拋光處理后,還于鋁基材的表面形成顯示區(qū),顯示區(qū)形成logo,同時,對顯示區(qū)依次進行另一硬質(zhì)陽極氧化處理、另一染色處理、及另一拋光處理后,于顯示區(qū)形成第二氧化鋁層,該第二氧化鋁層形成有第二微孔,所述第二氧化鋁層具有冰涼觸感、硬度高、陶瓷質(zhì)感、黑亮外觀、厚度均勻、及致密等優(yōu)點。

可以理解的,所述第二氧化鋁層形成后,該可編程邏輯控制器控制反應(yīng)終止。

可以理解的,所述第二微孔內(nèi)也容納有著色件和密封件。

可采用鐳雕的方式形成logo。

可對鋁基材進行全檢,以找出不良品,再對鋁基材進行鐳雕處理,獲得外觀佳的殼體。

本發(fā)明還提供一種殼體,所述殼體包括鋁基材、形成于所述鋁基材表面的第一氧化鋁層、及著色件,所述第一氧化鋁層形成有若干第一微孔,所述著色件容納于所述第一微孔,所述第一氧化鋁層呈現(xiàn)鏡面、黑色。

所述殼體表面的光潔度達到0.2nm。粗糙度小于ra0.1。

本發(fā)明技術(shù)方案的第一氧化鋁層通過硬質(zhì)陽極氧化處理制得,使得所述第一氧化鋁層的厚度較厚,且第一微孔的密度較大,該第一氧化鋁層經(jīng)拋光處理后,呈透亮、光滑外觀,具有陶瓷質(zhì)感,同時,還呈現(xiàn)出表面陽極金屬的紋理、材質(zhì),使得殼體不僅具有五金的冰涼觸感、硬度高,還具有陶瓷質(zhì)感。同時,該第一氧化鋁層還有黑亮外觀。

所述第一氧化鋁層的厚度為20~30微米,所述第一微孔的直徑為20~30nm。

本發(fā)明技術(shù)方案的第一氧化鋁層的厚度較大且均勻,使得殼體的硬度較高。第一微孔的直徑為20-~30nm,且第一微孔的密度較大,使得第一氧化鋁層致密。

所述殼體還包括顯示區(qū),所述顯示區(qū)覆蓋有第二氧化鋁層,所述第二氧化鋁層形成有若干第二微孔,所述微孔內(nèi)容納有著色件,所述第二氧化鋁層呈現(xiàn)鏡面、黑色。

所述第二氧化鋁層的厚度為3~5微米,所述第二微孔的直徑為20~30nm。

本發(fā)明技術(shù)方案的殼體還包括顯示區(qū),顯示區(qū)可包括logo。該顯示區(qū)的第二氧化鋁層也由硬質(zhì)陽極氧化的方式制得,所述第二氧化鋁層具有冰涼觸感、硬度高、陶瓷質(zhì)感、黑亮外觀、厚度均勻、及致密等優(yōu)點。

所述殼體還包括密封件,所述密封件容納于所述第一微孔和所述第二微孔,以將容納于所述第一微孔和所述第二微孔內(nèi)的著色件密封,防止著色件從所述第一微孔和所述第二微孔脫出。

本發(fā)明技術(shù)方案的殼體還包括密封件,密封件容納于所述第一微孔和所述第二微孔,使得殼體的顏色不會褪去。

本發(fā)明還提供一種電子裝置,上述電子裝置包括所述殼體。由于該電子裝置采用了上述所有實施例的全部技術(shù)方案,因此至少具有上述實施例的技術(shù)方案所帶來的所有有益效果,在此不再一一贅述。

以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是在本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思下,利用本發(fā)明說明書所作的等效結(jié)構(gòu)變換,或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域均包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。

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