1.一種制備具有擇優(yōu)取向生長結(jié)構(gòu)的電鍍銅層的方法，采用直流電鍍的工藝，其特征在于：
電鍍液的組成為硫酸銅120～200g/L，硫酸50～150g/L，潤濕劑100～1000ppm，光亮劑5～50ppm，非染料系整平劑40～100ppm，其余為水；
電鍍陽極板采用磷銅板，所述磷銅板中P元素含量為0.03～150wt.%；
電流密度為1～18A/dm2；
電鍍過程中采用機(jī)械攪拌的方式保證鍍液中濃度均勻一致并增加傳質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備具有擇優(yōu)取向生長結(jié)構(gòu)的電鍍銅層的方法，其特征在于：所述潤濕劑為聚乙二醇或聚乙烯亞胺，所述光亮劑為聚二硫二丙烷磺酸鈉，所述非染料系整平劑為含氮的有機(jī)雜環(huán)化合物。
3.通過權(quán)利要求1所述的制備方法所獲得的具有Z軸方向擇優(yōu)取向生長結(jié)構(gòu)的銅層，依次包括晶圓基底（1）、粘附層（2）、銅籽晶層（3）和電鍍銅層（4），其特征在于：所述電鍍銅層（4）內(nèi)部含有Z軸方向擇優(yōu)取向生長的近似柱狀晶結(jié)構(gòu)，所述Z軸方向擇優(yōu)取向生長的近似柱狀晶結(jié)構(gòu)在Z軸方向上晶粒尺寸大，晶界少，在X軸方向上晶粒尺寸小，晶界多。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有Z軸方向擇優(yōu)取向生長結(jié)構(gòu)的銅層，其特征在于：所述晶圓基底（1）為硅或硅鍺半導(dǎo)體材料，或者含有硅或硅鍺的芯片或器件，所述粘附層（2）為鈦層。