專利名稱：：電解錫鍍液及電解錫電鍍法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及錫鍍液及電解錫電鍍法；更詳細(xì)地說，涉及電解錫鍍液及用于鍍敷芯片元件如陶瓷電容器的電解錫電鍍法。
背景技術(shù)：
：芯片元件是鍍敷了錫、銅、銀、金、鎳、鈀或其合金等的金屬，其使用電鍍法如滾鍍、用流動(dòng)鍍敷裝置(flow-throughplater)的電鍍等進(jìn)行鍍敷，取決于芯片的形狀和要鍍敷區(qū)域的構(gòu)造。錫鍍的目的是向芯片元件的電極部分提供可焊性。但是，使用錫鍍，尤其是滾鍍，會產(chǎn)生芯片元件相互粘結(jié)(下文中也稱為聚結(jié)、粘著和聯(lián)結(jié))的問題。粘結(jié)在一起的芯片成為次品，降低了產(chǎn)品的產(chǎn)率。粘結(jié)在一起的芯片元件占芯片元件總數(shù)的比例稱為聯(lián)結(jié)率(couplingrate)，在嚴(yán)重的情況下，聯(lián)結(jié)率可超過90%。已知當(dāng)芯片元件在使用含有硫酸或甲磺酸作為基料的常規(guī)鍍浴的桶內(nèi)進(jìn)行鍍敷時(shí)會發(fā)生聯(lián)結(jié)。為了解決這一問題，日本未審查專利申請2003-82492公開了一種在芯片型陶瓷電子元件上形成電極的方法，該方法使用含有磺酸亞錫作為亞錫鹽，絡(luò)合劑如檸檬酸、葡糖酸或焦磷酸等，以及光澤劑的錫電鍍浴。何是，日本未審查專利申請2003-82492的鍍液包括絡(luò)合劑，所以鍍液的廢水處理和洗水難以進(jìn)行。因此，從保護(hù)環(huán)境的角度出發(fā)，不含絡(luò)合劑的低pH錫鍍浴是優(yōu)選的。此外，具有極好焊接濕潤性的錫鍍浴對于向芯片元件提供可焊性等的錫鍍而言是重要的。本發(fā)明的發(fā)明人早先就改進(jìn)了這一點(diǎn)，并發(fā)現(xiàn)了特定的萘酚化合物可用作用于屯解錫鍍的添加劑，所述電解錫鍍可形成具有均勻外觀的錫膜，并且沉積的錫膜具有有利的焊接濕潤性，還發(fā)現(xiàn)了該可焊性可使用特定的萘酚化合物來改善。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的是提供用于芯片元件的鍍液以及用于芯片元件的電鍍法，其不使用絡(luò)合劑，并在進(jìn)行電解錫鍍，尤其是在使用滾鍍法進(jìn)行電解錫鍍時(shí)，提供有利的焊接濕潤性和極低的聯(lián)結(jié)率。作為為達(dá)到上述目的而進(jìn)行的刻苦研究的結(jié)果，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了比常規(guī)的膜具有更高的膜表面硬度的平滑的錫鍍膜，其可通過在強(qiáng)酸(pH為1或更小)錫鍍浴，尤其是不含絡(luò)合劑的桶錫鍍浴中使用特定的化合物來將鍍敷的基材之間的粘結(jié)最小化。換句話說，本發(fā)明一方面提供了一種用于芯片元件的電解錫鍍液，其包含(A)亞錫離子，(B)酸，(C)N,N-二聚氧化烯-N-烷基胺、氧化胺或其混合物，以及(D)抗粘結(jié)劑，其中，pH為l或更小。此外，本發(fā)明一方面提供了一種用于芯片元件的電解錫鍍液，除了組分(A)-(D)之外，其還包含(E)電鍍均勻性改進(jìn)劑。此外，本發(fā)明一方面提供了一種用于芯片元件的電解錫鍍液，除了組分(A)-(E)之外，其還包含(F)由以下通式(1)表示的丙烯酸或丙烯酸衍生物，以及(G)抗氧化劑<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>式中，R表示氫原子或含有l(wèi)-3個(gè)碳原子的烷基。此外，本發(fā)明一方面提供了一種用于芯片元件的電解錫鍍液，其中，前述N,N-::聚氧化烯-N-烷基胺是由以下通式(2)表示的一種或多種化合物Z(CH2CHCH20),(CH2CH20)zHRNf(2)、(CH2CHCH20)Y(CH2CH2。)wH式中，R表示具有6-28個(gè)碳原子的烷基，w、x、y和z各自表示O-30之間的整數(shù)。但是，w、x、y和z之和不為0。此外，本發(fā)明一方面提供了一種用于芯片元件的電解錫鍍液，其中，前述氧化胺是由以下通式(3)表示的一種或多種化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>(3)式中，R表示垸基、環(huán)烷基或芳基，R'表示氫原子、垸基或環(huán)垸基。此外，本發(fā)明一方面提供了一種用于芯片元件的電解錫鍍液，其中，前述(D)抗粘結(jié)劑是一種或多種選自芳族醛和芳族酮的化合物。此外，本發(fā)明一方面提供了一種電鍍芯片元件的方法，其包括使用電解錫鍍液對芯片元件進(jìn)行電解錫鍍，所述電解錫鍍液包含(A)亞錫離子，(B)酸，(C)N,N-二聚氧化烯-N-烷基胺、氧化胺或其混合物，以及(D)抗粘結(jié)劑，其中，pH為1或更小。本發(fā)明的鍍液對于防止基材粘結(jié)在一起非常有效，并且能將電鍍?nèi)毕轀p至最少，從而在許多基材如芯片元件等電解錫鍍時(shí)，尤其是在使用滾鍍法電解錫鍍時(shí)，提高產(chǎn)品產(chǎn)率。換句話說，使得錫鍍膜平滑能在基材相互接觸時(shí)減少粘結(jié)現(xiàn)象(此時(shí)基材互鎖在一起，不能物理地剝離，與不光滑電鍍類似)的發(fā)生。此外，增加膜的表面硬度能在基材相互接觸時(shí)防止錫鍍膜變形(該變形是由膜表面變軟導(dǎo)致的，例如使用不光滑的電鍍)，并能將發(fā)生錫鍍膜粘結(jié)在一起的情況減至最少。此外，本發(fā)明的鍍液不包括絡(luò)合劑，所以對于滾鍍，廢水處理要比常規(guī)的鍍液容易。具體實(shí)施例方式除非另有說明，本說明書中使用的縮寫具有以下含義g二克，mg二毫克，匸=攝氏度，min二分鐘，m二米，cm二厘米，L二升，mL二毫升，A二安培，(11112=平方分米。所有的數(shù)值范圍包括邊界點(diǎn)，并可以任意順序組合。本說明書中使用的術(shù)語"鍍液"和"鍍浴"具有完全相同的含義，可互換使用。本發(fā)明的電解錫鍍液是一種用于芯片元件的電解錫鍍液，其包含(A)亞錫離子，(B)酸，(C)N，N-二聚氧化烯-N-烷基胺、氧化胺或其混合物，以及(D)抗粘結(jié)劑，其中，pH為l或更小。以下按序描述這些組分。(A)亞錫離子本發(fā)明的鍍浴含有亞錫離子作為必要成分。亞錫離子是二價(jià)錫離子?？墒褂媚芟蝈冊√峁﹣嗗a離子的任何化合物。通常，優(yōu)選無機(jī)酸或有機(jī)酸的錫鹽。無機(jī)酸的錫鹽的例子包括硫酸或鹽酸的亞錫鹽；有機(jī)酸的錫鹽的例子包括取代的或未取代的垸烴磺酸或垸醇磺酸(如甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、2-羥基乙垸-l-磺酸、2-羥基丙垸-l-磺酸和l-羥基丙垸-2-磺酸等)的亞錫鹽。特別優(yōu)選的亞錫離子源是屬于無機(jī)酸的鹽的硫酸亞錫和屬于有機(jī)酸的鹽的甲磺酸亞錫。能提供這些離子的化合物可單獨(dú)使用，或者以兩種或更多種的混合物使用。加入鍍浴的亞錫離子的量是，例如l-150g/L，較佳的是5-50g/L，更好是8-20g/L。(B)酸所述酸可以是能將pH調(diào)節(jié)至1或更小并能向鍍浴提供導(dǎo)電性的任意酸。該酸可以是任何無機(jī)酸或有機(jī)酸。有機(jī)酸的例子包括取代的或未取代的烷烴磺酸或烷醇磺酸，如甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、2-羥基乙垸-l-磺酸、2-羥基丙烷-l-磺酸和1-羥基丙烷-2-磺酸。優(yōu)選甲磺酸。無機(jī)酸的例子包括硫酸和鹽酸，優(yōu)選硫酸。可以將pH調(diào)節(jié)至1或更小并向鍍浴提供導(dǎo)電性的這些酸可以單獨(dú)使用，或者以兩種或更多種的混合物使用。所述鍍浴液中酸的含量優(yōu)選與鍍浴中二價(jià)錫離子的量至少化學(xué)計(jì)量地等量。鍍浴中游離酸的量是，例如10-500g/L，優(yōu)選30-300g/L，更好是50-200g/L。(C)N,N-二聚氧化烯-N-烷基胺或氧化胺本發(fā)明的鍍浴含有N,N-二聚氧化烯-N-烷基胺、氧化胺或其混合物作為必要成分。本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)評估了各種非離子表面活性劑，并發(fā)現(xiàn)了，通過使用特定的陰離子表面活性劑N,N-二聚氧化烯-N-烷基胺或氧化胺，能實(shí)現(xiàn)在所需的鍍膜厚度處的均勻電鍍。N,N-二聚氧化烯-N-烷基胺優(yōu)選為由以下通式(2)表示的聚氧丙烯聚氧乙烯垸基胺<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>式中，R表示具有6-26個(gè)碳原子的直鏈或支鏈垸基，w、x、y和z各自表示0-30之間的整數(shù)。但是，w、x、y和z之和不為O。較佳地，R表示具有8-18個(gè)碳原子的直鏈烷基，w、x、y和z之和為10-20。所述氧化胺是由以下通式(4)表示的一種或多種化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(4)式中，R1、112和113各自表示垸基、環(huán)烷基或芳基，其可具有取代基。其例子包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、苯基、甲苯基、二甲苯基和萘基等。具體地說，本發(fā)明的氧化胺優(yōu)選為一種或多種具有由通式(3)表示的結(jié)構(gòu)的氧化胺<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(3)式中，R表示烷基、環(huán)垸基或芳基，R'表示垸基或環(huán)烷基。N,N-二聚氧化烯-N-垸基胺或氧化胺可用作本發(fā)明的鍍浴中的膜改性劑。換句話說，用N,N-二聚氧化烯-N-烷基胺或氧化胺使鍍膜平滑能將粘結(jié)現(xiàn)象(在基材相互接觸時(shí)發(fā)生，此時(shí)基材互鎖在一起，不能物理地剝離，與不光滑電鍍類似)減至最少。所述鍍浴中N,N-二聚氧化烯-N-垸基胺或氧化胺的濃度宜為0.01-100g/L，較佳的是0.1-50g/L，更好是l-25g/L。(D)抗粘結(jié)劑本發(fā)明的鍍浴含有抗粘結(jié)劑作為必要成分。所述抗粘結(jié)劑用于防止鍍敷的芯片元件在本發(fā)明的鍍浴中聚結(jié)(粘結(jié))在一起。所述抗粘結(jié)劑可用于防止芯片元件聚結(jié)在一起，換句話說，用于防止芯片元件粘結(jié)在一起，尤其是在滾鍍過程中?？拐辰Y(jié)劑的例子包括芳族醛和芳族酮。優(yōu)選的抗粘結(jié)劑的例子包括苯甲醛和亞芐基丙酮。這些化合物具體用于增加膜的表面硬度。換句話說，增加膜的表面硬度能在基材相互接觸時(shí)防止錫鍍膜變形(該變形是由膜表面變軟導(dǎo)致的，例如使用不光滑的電鍍)，并能將發(fā)生錫鍍膜粘結(jié)在一起的情況減至最少。前述優(yōu)選的抗粘結(jié)劑在與前述(C)N,N-二聚氧化烯-N-烷基胺或氧化胺結(jié)合使用時(shí)特別有效。所述鍍浴中抗粘結(jié)劑的濃度宜為lmg/L-50g/L，較佳的是5mg/L-10g/L，更好是10mg/L-5g/L。(E)電鍍均勻性改進(jìn)劑除了前述成分(A)-(D)之外，本發(fā)明的鍍浴優(yōu)選含有電鍍均勻性改進(jìn)劑作為任選的成分。本發(fā)明的電鍍均勻性改進(jìn)劑是改善電鍍均勻性，尤其是在低電流密度區(qū)域中改善電鍍均勻性的化合物。尤其是在使用滾鍍的情況下，要鍍敷的物體放置在桶中并進(jìn)行電鍍，同時(shí)用浸在鍍液中的部件旋轉(zhuǎn)桶，從而發(fā)生電流密度的改變，使得要電鍍的物體的電流密度范圍從高電流密度區(qū)域至低電流密度區(qū)域?qū)挿秶馗淖?，并且在低電流密度區(qū)域中，會產(chǎn)生電鍍均勻性較低的問題，從而鍍膜會發(fā)生變化。通過加入電鍍均勻性改進(jìn)劑，即使在低電流密度區(qū)域中，所述電鍍也可均勻地進(jìn)行。電鍍均勻性改進(jìn)劑的例子包括2-萘酚-7-磺酸和具有下示結(jié)構(gòu)式的化合物(I)。2-萘酚-7-磺酸可呈游離酸或鹽的形式。合適的2-萘酚-7-磺酸的鹽包括水溶性鹽如鉀鹽、鈉鹽、銨鹽和錫鹽等，但是優(yōu)選鉀鹽和鈉鹽，更優(yōu)選2-萘酚-7-磺酸鈉。這些鹽可單獨(dú)使用，或者以兩種或更多種的混合物使用。如專利文獻(xiàn)2所示，特定的萘酚磺酸，其中磺酸基團(tuán)連接到在萘環(huán)上的特定位置上的羥基上，具體是2-萘酚-7-磺酸或其堿金屬鹽，要比其它萘酚磺酸或其鹽顯著有效。其它的位置異構(gòu)體如2-萘酚-6-磺酸和l-萘酚-4-磺酸幾乎沒有效果，并且不是優(yōu)選的加入所述鍍浴的2-萘酚-7-磺酸或其鹽的量為0.01-20g/L，較佳的是0.1-10g/L，更好是0.2-5g/L。另一方面，如果使用前述化合物(I)，其在鍍浴中的濃度宜為0.1mg/L-10g/L，較佳的是lmg/L-lg/L，更好是5mg/L-100mg/L。這些電鍍均勻性改進(jìn)劑可單獨(dú)使用或混合使用。(F)丙烯酸或丙烯酸衍生物本發(fā)明的鍍浴優(yōu)選含有一種或多種由以下通式(1)表示的丙烯酸或丙烯酸衍生物作為任選的成分。具體地說，優(yōu)選丙烯酸和甲基丙烯酸CH2=C-COOH(1)R式中，R表示氫原子或含有l(wèi)-3個(gè)碳原子的烷基。所述甲基丙烯酸或丙烯酸優(yōu)選加入本發(fā)明的鍍液中作為輔助抗粘結(jié)劑以支持前述(D)抗粘結(jié)劑。通過與(D)抗粘結(jié)劑結(jié)合使用，所述甲基丙烯酸或丙烯酸可進(jìn)一步增加(D)抗粘結(jié)劑的抗粘結(jié)效果，具體是具有增加膜表面硬度的效果，并能提高抗粘結(jié)效果的持續(xù)性。由前述通式(1)表示的丙烯酸或丙烯酸衍生物在所述鍍液中的量宜使得其濃度為0.1-100g/L，較佳的是0.1-50g/L，更好是0.5-10g/L。(G)抗氧化劑抗氧化劑可任選地用在本發(fā)明的鍍液中。所述抗氧化劑用于防止二價(jià)錫離子氧化為三價(jià)錫離子，其例子包括對苯二酚、兒茶酚、間苯二酚、間苯三酚、連苯三酚、對苯二酚磺酸及其鹽。所述鍍浴中抗氧化劑的濃度宜為10mg/L-100g/L，較佳的是100mg/L-50g/L，更好是0.5g/L-5g/L。此外，如果需要，可將其它公知的添加劑加入本發(fā)明的鍍浴中，這些添加劑例如光澤劑、平滑劑、導(dǎo)電劑和陽極溶解劑等。在制造所述鍍浴時(shí)添加各種成分的順序沒有特別的限制，但是從安全性的角度出發(fā)，在加入水后加酸；在充分混合后加入錫鹽；并且在充分混合后，按序加入其它所需的化學(xué)物質(zhì)?？墒褂帽景l(fā)明的鍍液鍍敷的芯片元件的例子包括電子元件如電阻器、電容器、感應(yīng)器、可變電阻器、可變電容器、以及其它無源元件、石英振蕩器、LC過濾器、陶瓷過濾器、延遲線、SAW過濾器、以及其它功能性元件、開關(guān)、連接器、繼電器保險(xiǎn)絲、光學(xué)元件、以及其它接觸元件。電鍍方法用于本發(fā)明的鍍液的電鍍法可以是公知的電鍍法如滾鍍、用流動(dòng)鍍敷裝置的電鍍等。鍍液中各種成分(A)-(F)的濃度可根據(jù)前述對各個(gè)成分的說明任意地選擇。用于本發(fā)明的鍍液的電鍍法可在10-50°C，較佳的是15-3(TC的鍍浴溫度下進(jìn)行。此外，陰極電流密度宜為0.01-5A/dm2，較佳的是0.05-3A/dm2。在電鍍過程中，所述鍍浴可靜置不攪拌，或者可以使用攪拌器等攪拌，或者使用泵再循環(huán)等。實(shí)施例1使用具有以下組成的錫鍍液形成鍍浴(A)甲磺酸亞錫(作為錫離子)12g/L(B)(A)甲磺酸(作為游離酸)50g/L(C)氧化胺得自環(huán)氧乙烷、甲基-、具有環(huán)氧乙烷的聚合物、具有2,2'-(氧化亞氨基)二[乙醇](2:1)N-[3-(C9-1l-異烷氧基)丙基]的醚(oxirane,methyl-,polymerwithoxirane,ether2，2，-(oxidoimino)bis[ethanol](2:1)N-[3-(C9-ll-isoalkyloxy)propyl]derives)lOg/L(D)亞芐基丙酮0.4g/L(E)甲基丙烯酸2g/L(F)2-萘酚-7-磺酸鈉0.5g/L(G)對苯二酚磺酸鉀2g/L(H)蒸餾水余量在下示條件下，在已鍍敷鎳的芯片電阻器上用1L錫鍍液進(jìn)行錫滾鍍，然后進(jìn)行各種評價(jià)。結(jié)果示于表1。滾鍍電鍍物體芯片電阻器；桶山本迷你桶(容積140mL)轉(zhuǎn)速20rpm鎳鍍2.4A—60分鐘錫鍍2A—90分鐘芯片R電阻器(1608型)4.7kQ15mL/桶鋼球lmm03OmL/桶評價(jià)項(xiàng)目鍍敷厚度在滾鍍后，使用熒光x-射線膜厚度計(jì)來測量前表面、后表面、以及左側(cè)和右側(cè)上的鍍敷厚度，評價(jià)各個(gè)點(diǎn)之間的厚度和鍍敷厚度變化。聯(lián)結(jié)率將滾鍍的芯片元件分為粘結(jié)在一起的芯片和不粘結(jié)在一起的芯片，并計(jì)算聯(lián)結(jié)率作為粘結(jié)在一起的芯片的重量(分子)與所有芯片的重量(分母)的比例(粘結(jié)的芯片/(粘結(jié)的芯片+未粘結(jié)的芯片)X100)。煶接濕潤測試制備實(shí)施例和對照例的各1升鍍液，在2A的電流和2(TC的鍍浴溫度下進(jìn)行錫'ti鍍90分鐘。在105"C和1(K)o^RH下，將各個(gè)所得的錫鍍膜進(jìn)行防潮性能(humidityresistance)測試，然后通過使用塔汝汀公司(TARUTIN)制造的多可焊性測試儀(MultiSolderabilityTester)SWET-2100，用焊膏平衡法測定零交叉時(shí)間(ZCT)，來評價(jià)經(jīng)防潮性能測試的鍍膜的焊接濕潤性。測定條件如下所示。零交叉時(shí)間測定條件燥膏Sn:Ag:Bi:Cu=96:2.5:1:0.5鍍浴溫度245°C浸漬深度0.25mm浸漬速度2亳米/秒浸漬時(shí)間8秒測定零交叉時(shí)間，3.0秒或更少的時(shí)間被認(rèn)為是合格。使用零交叉時(shí)間為3.0秒或更少的時(shí)間的試樣的量作為分子，進(jìn)行測定的試樣的總量(10個(gè)試樣)作為分母，計(jì)算合格率，為百分?jǐn)?shù)。實(shí)施例2-11和對照例1-7按與實(shí)施例1類似的方式，以表l-2所示的比例制造錫鍍浴，按與實(shí)施例1類似的方式進(jìn)行各種測試。結(jié)果也示于表1-2。注意，有關(guān)鍍敷厚度評價(jià)的符號如下所示鍍敷厚度在前表面、后表面、以及左側(cè)和右側(cè)上是均勻的O鍍敷是不均勻的△鍍敷未形成X<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>注1)N,N-二聚氧化烯-N-烷基胺由以下結(jié)構(gòu)式(2)表示，并且在該式中，w+x+y+z=16:(CH2CHCHA(CH2CH2。)zHRN((2)表2(在該表中，值以g/L表示)<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>沐1)表面活性劑1是:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>式中，XLxm約為13，Y'-ym約為11，分子量約為800。注2)表面活性劑2是<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>式中，R是聚氧化烯。注3)表面活性劑3:聚氧乙烯烯丙基苯基醚。注4)表面活性劑4:十二烷基二甲基甜菜堿。權(quán)利要求1.一種用于芯片元件的電解錫鍍液，其包含(A)亞錫離子，(B)酸，(C)N，N-二聚氧化烯-N-烷基胺、氧化胺或其混合物，以及(D)抗粘結(jié)劑，其中，pH為1或更小。2.如權(quán)利要求l所述的用于芯片元件的電解錫鍍液，其還包含(E)電鍍均勻性改進(jìn)劑。3.如權(quán)利要求1所述的用于芯片元件的電解錫鍍液，其還包含(F)—種或多種由以下通式(1)表示的丙烯酸或丙烯酸衍生物，以及(G)抗氧化劑CH2=C-COOHR式中，R表示氫原子或含有l(wèi)-3個(gè)碳原子的垸基。4.如權(quán)利要求1所述的用于芯片元件的電解錫鍍液，其特征在于，所述N,N-二聚氧化烯-N-烷基胺是一種或多種由以下通式(2)表示的化合物Z(Ch^CHClipVCHsCHsCOzH,〔(2)、(CH2CHCH20)v(CH2CH20)wH式中，R表示具有6-28個(gè)碳原子的烷基，w、x、y和z各自表示0-30之間的整數(shù)，但是，av、x、y禾口zt禾口不為0。5.如權(quán)利要求1所述的用于芯片元件的電解錫鍍液，其特征在于，所述氧化胺是一種或多種由以下通式(3)表示的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式中，R表示烷基、環(huán)垸基或芳基，R'表示氫原子、烷基或環(huán)烷基。6.如權(quán)利要求l所述的用于芯片元件的電解錫鍍液，其特征在于，所述(D)抗粘結(jié)劑是一種或多種選自芳族醛和芳族酮的化合物。7.—種電鍍芯片元件的方法，其包括使用電解錫鍍液對芯片元件進(jìn)行電解錫鍍，所述電解錫鍍液包含(A)亞錫離子，(B)酸，(C)N,N-二聚氧化烯-N-垸基胺、氧化胺或其混合物，以及(D)抗粘結(jié)劑，其中，pH為l或更小。全文摘要本發(fā)明涉及電解錫鍍液及電解錫電鍍法，提供了一種鍍液及電鍍方法，其不使用絡(luò)合劑，并在進(jìn)行電解錫鍍，尤其是在使用滾鍍法進(jìn)行電解錫鍍時(shí)，提供有利的焊接濕潤性和極低的聯(lián)結(jié)率。本發(fā)明提供了一種用于芯片元件的電解錫鍍液，其包含(A)亞錫離子，(B)酸，(C)N，N-二聚氧化烯-N-烷基胺、氧化胺或其混合物，以及(D)抗粘結(jié)劑，其中，pH為1或更小。文檔編號C25D3/32GK101619470SQ20091014620公開日2010年1月6日申請日期2009年6月12日優(yōu)先權(quán)日2008年6月12日發(fā)明者丁輝龍,今成真明,太田康夫,嶋津元矢申請人:羅門哈斯電子材料有限公司