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鋁電解電容器陽極箔二級腐蝕液配方的制作方法

文檔序號:5281244閱讀:419來源:國知局

專利名稱::鋁電解電容器陽極箔二級腐蝕液配方的制作方法
技術(shù)領域
:本發(fā)明涉及金屬鋁箔的電化學腐蝕液,具體是鋁電解電容器陽極箔二級腐蝕液配方。
背景技術(shù)
:鋁電解電容器陽極箔腐蝕工藝的主要作用是在保證鋁箔投影面積不變的情況下,擴大鋁箔的比表面積,再經(jīng)下道賦能工序后達到提高電解電容器用陽極箔(下稱化成箔)靜電容量的目的。目前的腐蝕工藝流程一般為前處理一一級腐蝕一二級腐蝕一后處理。前處理的作用是清除鋁箔表面的油污及自然氧化膜、使鋁光箔均勻活化,以利于一級腐蝕時形成初始蝕孔。一級腐蝕是在酸、堿、鹽或其混合液中,通過電解在鋁箔表面生成具有一定大小、深度的初始蝕孔。二級腐蝕是在酸、堿、鹽或其混合液中,通過電解使一級腐蝕形成的初始蝕孔擴大變深,進一步擴大鋁箔的比表面積,二級腐蝕的液的配方和其它參數(shù)均與一級腐蝕條件有較大的差異。后處理的作用是清洗經(jīng)過一二級腐蝕后殘留在鋁箔表面及蝕孔中的陰、陽離子及其它雜質(zhì)。從已有的文獻記載及實際的情況看,合理的二級腐蝕條件,能在極少的表面溶解腐蝕情況下,恰當?shù)目刂莆g孔的深淺和大小,大幅度的擴大鋁箔的比表面積,目前一般的二級腐蝕工藝是把經(jīng)一級腐蝕后的鋁箔放在高濃度的鹽酸(或加入添加劑)溶液中,經(jīng)過一段時間的電解來達到擴孔的目的,由于氯離子對鋁有極強的侵蝕作用且濃度較高,容易使鋁箔表面形成溶解、減薄,從而使已形成的孔深變淺,箔的靜電容量和折彎強度變小,無法得到更高容量和強度的陽極箔。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,而提供四種鋁電解電容器陽極箔二級腐蝕液配方,這種配方均能解決現(xiàn)有二級腐蝕工藝配方對鋁箔表面溶解度太大的缺點,大幅度提高陽極箔的比容和強度。實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是本發(fā)明配方采用對鋁箔腐蝕能力較小的硝酸直接作主腐蝕液或以硝酸作為主要原料,添加少量含氯離子的化合物或少量的聚丙稀酸陰離子電解質(zhì),或者氯離子化合物與聚丙稀酸陰離子電解質(zhì)兩種物質(zhì)的混合物;各配方中各組份用量為(1)直接用硝酸作腐蝕液,硝酸的濃度為0.11.0N;(2)以硝酸作主要原料,添加少量聚丙稀酸陰離子電解質(zhì),每升腐蝕液中含有(U1.0N的HN03和0.2~2.0g的聚丙烯酸;(3)以硝酸作主要原料,添加少量含氯離子的化合物,每升腐蝕液里含有0.1~1.0N的HNO3和0.11.0N的HCl;(4)以硝酸作主要原料,添加少量含氯離子的化合物和少量聚丙稀酸陰離子電解質(zhì),每升腐蝕液里含有0.1~1.0N的HN03和0.1~1.0N的HC1和0.2~2.0g的聚丙烯酸。本發(fā)明配方經(jīng)試驗表明,二級電化學腐蝕的電流密度為0.02~0.2A/cm2,腐蝕液的溫度為50卯。C,電化學腐蝕時間為3001200S。如果硝酸濃度低于0.IN或鹽酸濃度低于0.IN都達不到理想的擴孔效果,如果硝酸濃度大于2.ON會造成過程控制難度加大和費用增加,如果鹽酸濃度大于2.5N則會使鋁箔形成表面全面溶解。如果聚丙烯酸的濃度低于0.2g/L時,起不到緩蝕效果,如果大于2.0g/l時,鋁箔的容量急劇下降。腐蝕電流密度太大、腐蝕時間太長或腐蝕液溫度太高均容易使鋁箔產(chǎn)生表面全面溶解,反之,腐蝕電流太小、腐蝕時間太短或腐蝕液溫度太低,則擴孔效果不佳,達不到提高容量的目的。本發(fā)明的優(yōu)點是由于采用了對鋁箔腐蝕能力較小的硝酸作腐蝕液,或在硝酸中添加少量含氯離子的化合物或少量的聚丙稀酸陰離子電解質(zhì)或者兩種物質(zhì)的混合物作為二級腐蝕液,解決了現(xiàn)有二級腐蝕工藝配方對鋁箔表面溶解度太大的缺點,使之既能夠提高鋁箔的靜電容量,又能提高鋁箔的折曲強度。具體實施例方式下面結(jié)合實施例對本
發(fā)明內(nèi)容作進一步的描述,但不是對本發(fā)明的限定。實施例中使用的光箔為國產(chǎn)光箔,純度大于或等于99.99%、(100)面占有率大于或等于95%、厚度110pm的軟態(tài)箔,腐蝕箔的各項性能測試方法按國家電子工業(yè)部頒布的SJ/T11140-1997標準執(zhí)行。對比例是將經(jīng)過前處理、一級腐蝕后的鋁箔,放到84.5'C、1.6N的HC1溶液中、施加電流密度為0.080A/cn^進行10min二級腐蝕,然后進行正常的后正理。鋁箔的520Vf容量及折彎強度見表一。實施例1一種以硝酸作鋁電解電容器陽極箔二級腐蝕液配方,是將經(jīng)過前處理、一級腐蝕后的鋁箔,放到70.0'C、0.8N的HN03溶液中、施加電流密度為0.085A/cm2進行12min二級腐蝕,然后進行正常的后正理。鋁箔的520Vf容量及折曲強度見表一。實施例2一種以硝酸為主添加少量聚丙稀酸陰離子電解質(zhì)的配方,是將經(jīng)過前處理、一級腐蝕后的鋁箔,放到70.0°C、0.8N的HN03與0.7g/L的聚丙烯酸的混合溶液中、施加電流密度為0.085A/cn^進行12min二級腐蝕,然后進行正常的后正理。鋁箔的520Vf容量及折曲強度見表一。實施例3一種以硝酸為主要原料,添加少量含氯離子的化合物的配方,是將經(jīng)過前處理、一級腐蝕后的鋁箔,放到70.0°C、0.8N的HN03與0.2N的HC1混合溶液中、施加電流密度為0.085A/cm2進行12min二級腐蝕,然后進行正常的后正理。鋁箔的520Vf容量及折曲強度見表一。實施例4將經(jīng)過前處理、一級腐蝕后的鋁箔,放到84.5°C、0.8N的HN03與0.2N的HC1混合溶液中、施加電流密度為0.080A/cm"進行10min二級腐蝕,然后進行正常的后正理。鋁箔的520Vf容量及折曲強度見表一。實施例5將經(jīng)過前處理、一級腐蝕后的鋁箔,放到70.(TC、0.8N的HN03與0.2N的NaCl混合溶液中、施加電流密度為0.085A/cr^進行12min二級腐蝕,然后進行正常的后正理。鋁箔的520Vf容量及折曲強度見表一。實施例6一種以硝酸為主要原料,添加少量含氯離子的化合物和少量的聚丙稀酸陰離子電解質(zhì)的配方,是將經(jīng)過前處理、一級腐蝕后的鋁箔,放到70.(TC、0.8N的HNO3+0.2N的HCl+0.7g/L的聚丙烯酸混合溶液中、施加電流密度為0.085A/ci^進行12min二級腐蝕,然后進行正常的后正理。鋁箔的520Vf容量及折曲強度見表一。表一不同的二級腐蝕液、不同的工藝參數(shù)對鋁箔性能的影響<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>從表中可以看到實施例2、實施例5、實施例6的容量分別比對比例高出7.8%、12.5%和10.9%,且所有實施例的折曲強度均比對比例有了明顯的提高。權(quán)利要求1、一種鋁電解電容器陽極箔二級腐蝕液配方,其特征在于以0.1~1.0N的HNO3溶液直接作鋁電解電容器陽極箔二級腐蝕液。2、一種鋁電解電容器陽極箔二級腐蝕液配方,其特征在于以HN03溶液為主,添加少量含氯離子的化合物組成,各組份用量為每升腐蝕液里含有0.11.0N的HNO3和0.11.0N的含氯離子的化合物。3、一種鋁電解電容器陽極箔二級腐蝕液配方,其特征在于以HN03溶液為主,添加少量聚丙稀酸陰離子電解質(zhì)組成,各組份用量為每升腐蝕液中含有0.1~1.0N的HN03和0.22.Og的聚丙稀酸。4、一種鋁電解電容器陽極箔二級腐蝕液配方,其特征在于以HN03溶液為主,添加少量含氯離子的化合物和少量聚丙稀酸陰離子電解質(zhì)組成,各組份用量為每升腐蝕液里含有0.1~1.0N的HN03和0.1~1.0N的HC1和0.2~2.0g的聚丙烯酸。全文摘要本發(fā)明提供了一種鋁電解電容器陽極箔二級腐蝕液配方,其特征是以對鋁箔腐蝕能力較小的硝酸作腐蝕液,或以硝酸作為主腐蝕液,添加少量含氯離子的化合物,或少量的聚丙稀酸陰離子電解質(zhì),或含氯離子的化合物和少量的聚丙稀酸陰離子電解質(zhì)的混合物為二級腐蝕液。本發(fā)明的優(yōu)點是由于采用了對鋁箔腐蝕能力較小的硝酸作腐蝕液,或在硝酸中添加少量含氯離子的化合物或少量的聚丙稀酸陰離子電解質(zhì)或者兩種物質(zhì)的混合物作為二級腐蝕液,解決了現(xiàn)有二級腐蝕工藝配方對鋁箔表面溶解度太大的缺點,使之既能夠提高鋁箔的靜電容量,又能提高鋁箔的折曲強度。文檔編號C25F3/04GK101532163SQ20091012756公開日2009年9月16日申請日期2009年3月14日優(yōu)先權(quán)日2008年12月31日發(fā)明者宋洪洲,蔡小宇申請人:廣西賀州市桂東電子科技有限責任公司
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