專利名稱：銅電鍍液、銅電鍍用前處理液以及銅電鍍方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于在半導(dǎo)體晶片上形成銅配線的銅電鍍液，特別是涉及能夠在不產(chǎn)生空隙、裂縫等缺陷的情況下，填充半導(dǎo)體晶片上形成的微細(xì)的通路或溝道的適當(dāng)?shù)你~電鍍液、銅電鍍用前處理液以及銅電鍍方法。
銅配線的形成可以采用下述工藝使用Damascene法在硅晶片上形成配線圖案后，用CVD法或濺射法使阻擋層和籽晶層(seed layer)成膜，之后通過電鍍填充配線圖案，再用CMP(化學(xué)-機械拋光)法除去過剩的淀積銅。
如上所述，為了在半導(dǎo)體晶片上形成銅配線，需要填充通路或溝道，但是最近由于所述配線圖案更加細(xì)微，因而用濺射法等成膜的通路或溝道內(nèi)的銅籽晶層的覆蓋度變差，經(jīng)常產(chǎn)生銅膜極薄的部分。
上述銅電鍍通常使用基于含硫酸銅的硫酸酸性水溶液的電鍍液，但是如果使用這種硫酸酸性電鍍液，則會發(fā)生電鍍液中所含的硫酸容易地將銅籽晶層溶解的現(xiàn)象。
這樣，就發(fā)生下述問題在由所述溶解引起的籽晶層缺失部分必然不發(fā)生銅的淀積，會產(chǎn)生空隙、裂縫等缺陷。
一直以來都沒有可以在不溶解銅籽晶層的情況下進(jìn)行填充的銅電鍍液、電鍍方法等，正在尋求這一問題的解決方法。
鑒于上述問題點，本發(fā)明提供1.銅電鍍液，其特征在于含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑；2.上述1的銅電鍍液，其特征在于含有1-10000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑；3.上述1的銅電鍍液，其特征在于含有10-5000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑；4.上述1-3中任一項的銅電鍍液，其特征在于所述電鍍液是含有硫酸銅、硫酸、氯和添加劑作為主要成分的硫酸銅電鍍液；5.銅電鍍用前處理液，其特征在于含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑；6.上述5的銅電鍍用前處理液，其特征在于含有1-10000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑；7.上述5的銅電鍍用前處理液，其特征在于含有10-5000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑。
本發(fā)明還提供8.銅電鍍方法，其特征在于在含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑、并含有硫酸銅、硫酸、氯和添加劑作為主要成分的硫酸銅電鍍液中浸漬1-60秒；9.上述8的銅電鍍方法，其特征在于浸漬3-10秒；10.上述8或9的銅電鍍方法，其特征在于含有1-10000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑；
11.上述8或9的銅電鍍方法，其特征在于含有10-5000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑；12.銅電鍍方法，其特征在于在含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的水溶液中浸漬之后，用含有硫酸銅、硫酸、氯和添加劑作為主要成分的硫酸銅電鍍液進(jìn)行電鍍；13.上述12的銅電鍍方法，其特征在于在含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的水溶液中浸漬1-60秒；14.上述12的銅電鍍方法，其特征在于在含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的水溶液中浸漬3-10秒；15.上述12-14中任一項的銅電鍍方法，其特征在于含有1-10000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑；16.上述12-14中任一項的銅電鍍方法，其特征在于含有10-5000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑。實施發(fā)明的形態(tài)在半導(dǎo)體(硅等的)晶片表面，制作用于填充銅配線的通路·溝道，為了防止銅(Cu)向硅(Si)擴散，通過蒸鍍、濺射法、CVD法等用選自鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)或它們的氮化物等的阻擋金屬在上述通路·溝道的表面覆蓋0.01-0.1μm左右。
接下來與上述一樣，使用蒸鍍、濺射法、CVD法等覆蓋方法在所述阻擋金屬層上沉積薄的銅層(籽晶層)。
由于上述阻擋金屬通常電阻大，在后來覆蓋的電鍍銅上設(shè)置在晶片周圍部分的觸點周圍和中心部分的電流密度差變大，因而需預(yù)先賦與(薄層覆蓋)電阻小的銅。
上述銅層的膜厚為0.01-0.1μm。該膜厚可在半導(dǎo)體加工時任意設(shè)定，并不限于所述數(shù)值。
銅配線(LSI等)的形成通常是采用下述工藝使用Damascene法在硅晶片上形成配線圖案后，用CVD法或濺射法使阻擋層和籽晶層(銅薄層)成膜，之后通過電鍍填充配線圖案，再通過CMP(化學(xué)-機械拋光)除去過剩的淀積銅。
本發(fā)明使用含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的銅電鍍液代替過去用于填充的銅電鍍法。
向銅電鍍液中添加吡咯或硅烷偶聯(lián)劑是本發(fā)明的大的特征，可以有效抑制用濺射法等形成的籽晶層的溶解。
其結(jié)果是可以一舉解決過去在填充用銅電鍍中發(fā)生空隙、裂縫等缺陷的問題。
向上述電鍍液中添加的吡咯是具有五元雜環(huán)，環(huán)中有2個或2個以上雜原子，并且該雜原子中至少有1個是氮原子的物質(zhì)的總稱。
所述吡咯的代表例子有咪唑、噻唑、1，2，3-三唑、1，2，3-噻唑、1，2，3，4-四唑、1，2，3，4-噻三唑、地巴唑、苯并咪唑、1，2，3-苯并三唑、5-甲基-1-H-苯并三唑等。
這些吡咯通過氮原子的孤電子對與銅形成絡(luò)合物，從而可在銅的表面形成堅固的覆蓋膜，該膜具有抑制由酸引起的溶解的優(yōu)異效果。
硅烷偶聯(lián)劑是具有使有機材料和無機材料化學(xué)結(jié)合(偶聯(lián))的功能的有機硅化合物(硅烷)，其分子中具有與有機材料有親和性(或反應(yīng)性)的有機官能團(tuán)(X)和與無機材料有親和性(或反應(yīng)性)的水解基團(tuán)(OR)，其化學(xué)結(jié)構(gòu)可由式XSi(OR)3表示。
上述硅烷偶聯(lián)劑的代表例子有下式(1)、(2)或(3)表示的咪唑硅烷、氨基硅烷(γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三乙氧基硅烷等)、環(huán)氧硅烷(γ-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷、γ-環(huán)氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-環(huán)氧丙氧丙基三乙氧基硅烷等)、乙烯基硅烷(乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷等)、甲基丙烯?；柰?γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷等)、巰基硅烷(γ-巰基丙基三甲氧基硅烷等)等， (其中R1為氫、乙烯基或碳原子數(shù)1-5的烷基；R2為氫或碳原子數(shù)1-20的烷基；R3、R4為碳原子數(shù)1-3的烷基；n為1-3)。
上述硅烷偶聯(lián)劑是烷氧基甲硅烷基(Si-OR)通過水或濕氣水解成為硅烷醇基，硅烷醇基再與銅表面反應(yīng)，形成SiO-Cu鍵。
進(jìn)而未與銅結(jié)合的剩余的硅烷醇基之間通過水解形成硅氧烷鍵，結(jié)果在銅的表面形成覆蓋膜。該膜對于由酸引起的溶解具有優(yōu)異的保護(hù)效果。
向銅電鍍液中添加的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的量(電鍍液中的含量)優(yōu)選1-10000mg/L。這是由于若小于1mg/L，則通過添加防止銅薄膜溶解的效果?。蝗舫^10000mg/L，則通過添加防止銅薄膜溶解的效果將飽和，過量的添加變成浪費，反而具有對填充性產(chǎn)生不良影響的傾向。
所以添加量為1-10000mg/L較好。有效防止銅薄膜溶解的優(yōu)選范圍是含量為10-5000mg/L。
銅電鍍液使用含硫酸銅、硫酸、氯以及添加劑作為主要成分的硫酸銅電鍍液。本發(fā)明的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的添加對所述硫酸銅電鍍液特別有效。
本發(fā)明的電鍍液浸漬時間為1-60秒較好。電鍍時間的更優(yōu)選范圍是3-10秒。但是，該浸漬時間可隨填充程度而變化，沒有必要對該時間特別限制。
上面對使銅電鍍液中含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行了說明，而通過在由含有所述吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的水溶液形成的前處理液中浸漬后，使用上述硫酸銅電鍍液進(jìn)行電鍍，同樣也可以有效抑制由酸引起的銅薄層的溶解。
在這種情況下，前處理液(水溶液)中吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的含量同樣是1-10000mg/L較好。這是由于若小于1mg/L，則通過添加防止銅薄膜溶解的效果??；若超過10000mg/L，則通過添加防止銅薄膜溶解的效果將飽和，過量的添加變成浪費。更優(yōu)選的范圍與向電鍍液中添加的情況一樣，含量為10-5000mg/L。
本發(fā)明的前處理液浸漬時間為1-60秒較好。這是由于小于1秒則沒有效果，而即使浸漬時間超過60秒，效果也幾乎沒什么改變。電鍍時間的更優(yōu)選范圍是3-10秒。
對電鍍銅的方法沒有特別限制，如下所述進(jìn)行電鍍。例如，將作為被鍍材料的半導(dǎo)體晶片和陽極對面放置在電鍍槽內(nèi)進(jìn)行電鍍。對半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行密封以使其不與電鍍液接觸，只將需要進(jìn)行電鍍的表面露在外面，用于給電的觸點設(shè)置在半導(dǎo)體晶片的邊緣附近。
陽極可以用含磷的銅陽極(P含量0.04-0.06％)或不溶性陽極。不溶性陽極使用Pt、鍍Pt的Ti較為適當(dāng)。也可以使用市場上銷售的尺寸不變陽極(DSA)等。當(dāng)使用含磷的銅陽極時，通過陽極的溶解自動地補給電鍍消耗掉的銅。
當(dāng)使用不溶性陽極時，由于電鍍使溶液中的銅濃度減少，為了維持銅濃度需要補給硫酸銅溶液。
銅電鍍液的具有代表性的組成(除去上面已說明的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑)如下所示。
·硫酸銅(作為銅)0.1-100g/L(優(yōu)選10-50g/L)、·硫酸0.1-500g/L(優(yōu)選10-300g/L)、·氯0.1-500mg/L(優(yōu)選30-100mg/L)、·有機硫化合物1-500μmol/L(優(yōu)選4-200μmol/L)、·聚醚化合物0.1-5000μmol/L(優(yōu)選0.5-500μmol/L)、·剩余部分水。
還可以根據(jù)需要按上述范圍加入由叔烷基胺和聚表氯醇形成的季銨鹽加成物以及聚烷基吖丙啶等。
以下是電鍍條件的例子。
·電流密度0.1-100A/dm2(優(yōu)選0.5-5A/dm2)·溶液溫度10-80℃(優(yōu)選15-30℃)在電鍍中，電流密度、溶液溫度和溶液流速(電鍍面與溶液體積(solution bulk)的相對速度)具有相互依存的關(guān)系，通過賦與在上述范圍內(nèi)的適當(dāng)?shù)娜芤毫魉?，可以得到所需的淀積速度和銅淀積(結(jié)晶狀態(tài))。
賦與溶液流速的方法可以采用使被電鍍的晶片搖動、旋轉(zhuǎn)的方法，在其附近進(jìn)行空氣攪拌的方法等。
在電鍍中附加的電流不僅可以使用直流電，還可以使用脈沖電流、PR(周期反向)電流。
脈沖電流在一定的時間(導(dǎo)通時間(on time))內(nèi)流出電流使銅淀積后，通過一定時間(不導(dǎo)通時間(off time))內(nèi)的休止，解除在發(fā)生了淀積反應(yīng)的電極附近的銅離子的不足狀態(tài)，從而可以將導(dǎo)通時間的電流密度設(shè)定為高于通常的直流電流密度。
另一方面，PR電流則是通過附加一定時間的逆電流來溶解一定時間內(nèi)淀積的銅。由此可以抑制銅在溝道角落等電流易于集中部分的淀積。這通?？梢垣@得用直流電流無法得到的淀積物。
可以使銅電鍍液含有有機硫化合物。該有機硫化合物可以使用例如二硫化二磺基二鈉、二硫化二(1-磺甲基)二鈉、二硫化二(2-磺乙基)二鈉、二硫化二(3-磺丙基)二鈉、二硫化二(4-磺丁基)二鈉、二硫化四甲基秋蘭姆、二硫化四乙基秋蘭姆、3-巰基-1-丙磺酸鈉、2，3-二巰基-1-丙磺酸鈉等。
在電鍍的初期無論電鍍面的任何位置都可全面均一地吸附上述物質(zhì)，促進(jìn)反應(yīng)。但是，隨著反應(yīng)的進(jìn)行，通路·溝道內(nèi)凹陷部分的吸附密度變大，結(jié)果該部分的淀積速度變快。
反之，通路·溝道入口附近的凸出部分的吸附密度變低，結(jié)果該部分的淀積速度變慢。這樣，含有有機硫化合物的銅電鍍液對淀積膜膜厚的均一化具有顯著效果。有機硫化合物的量為1-500μmol/L較好。
可以向銅電鍍液中添加聚醚化合物。該聚醚化合物可以使用例如聚乙二醇(分子量100-50000)、聚丙二醇(分子量100-50000)等。
這些物質(zhì)通過在電鍍時優(yōu)先吸附在帶有通路或溝道的晶片表面(通路·溝道以外的部分)，抑制銅向表面部分的淀積。聚醚化合物的添加量為0.1-5000μmol/L比較適當(dāng)。
如上所述，可以根據(jù)需要使電鍍液含有由叔烷基胺和聚表氯醇形成的季銨鹽加成物。該物質(zhì)與聚醚化合物一樣，可有效抑制銅向晶片表面部分的淀積。該季銨鹽加成物的量為0.1-200μmol/L較好。
可以向銅電鍍液中添加聚烷基吖丙啶。該物質(zhì)與上述聚醚化合物一樣，抑制銅向晶片表面部分的淀積。該聚烷基吖丙啶的添加量為0.1-7μmol/L較適當(dāng)。
特別是當(dāng)有機硫化合物和聚醚化合物的濃度在最適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)時，雖然上述由叔烷基胺和聚表氯醇形成的季銨鹽加成物以及聚烷基吖丙啶不是電鍍液中必須含有的成分，但是按上述濃度范圍含有則對微細(xì)的通路·溝道的填充具有更穩(wěn)定的效果。
通過向銅電鍍液中添加以適當(dāng)范圍將上述各成分濃度組合而成的添加劑，對帶有微細(xì)通路·溝道的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行電鍍銅時，可以根據(jù)位置不同改變銅的淀積速度。
也就是說，特別是通過加快通路·溝道內(nèi)的凹陷部分的淀積速度，減慢通路·溝道入口附近凸出部分和晶片表面的淀積速度，可以改善向通路·溝道內(nèi)的填充特性。
電鍍銅的膜厚以半導(dǎo)體晶片表面的通路·溝道能被填充、通過由隨后的步驟即化學(xué)-機械拋光(CMP)進(jìn)行的平坦化能形成配線為宜。一般為0.5-2μm，但可以不限于這一范圍進(jìn)行任意設(shè)定。
用實施例1-7所示的電鍍液進(jìn)行電鍍。另外，用實施例8-9所示的前處理液進(jìn)行浸漬處理后，用電鍍液進(jìn)行電鍍。
用對照例1-3所示的電鍍液進(jìn)行電鍍。被鍍材料采用在帶有微細(xì)通路圖案的硅晶片上濺射了TaN(30nm)/Cu(100nm)的晶片。在溶液溫度為20℃、陰極電流密度為1A/dm2的條件下進(jìn)行大約1μm的電鍍。通路圖案的深度為1μm，孔徑為0.18μm。(實施例1)銅15g/L、硫酸180g/L、氯70mg/L、聚乙二醇(分子量3350)50μmol/L、二硫化二(3磺丙基)二鈉30μmol/L、季表氯醇(由叔烷基胺和聚表氯醇形成的季銨鹽加成物)6μmol/L、聚芐基吖丙啶2μmol/L、咪唑硅烷水溶液(通過咪唑硅烷與γ-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷的等摩爾反應(yīng)得到的硅烷偶聯(lián)劑20g/L和甲醇20mL/L的混合水溶液)50mL/L(實施例2)銅20g/L、硫酸200g/L、氯50mg/L、聚乙二醇(分子量10000)10μmol/L、3-巰基-1-丙磺酸鈉30μmol/L、季表氯醇30μmol/L、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷2g/L(實施例3)銅30g/L、硫酸180g/L、氯100mg/L、聚乙二醇(分子量15000)10μmol/L、二硫化二(2磺乙基)二鈉20μmol/L、季表氯醇15μmol/L、聚烯丙基吖丙啶1μmol/L、γ-環(huán)氧丙氧丙基三乙氧基硅烷500mg/L(實施例4)銅10g/L、硫酸240g/L、氯50mg/L、聚乙二醇(分子量1000)250μmol/L、二硫化四甲基秋蘭姆60μmol/L、季表氯醇45μmol/L、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷1g/L(實施例5)銅25g/L、硫酸200g/L、氯70mg/L、聚丙二醇(分子量8000)15μmol/L、
2，3-二巰基-1-丙磺酸鈉30μmol/L、季表氯醇25μmol/L、聚芐基吖丙啶2μmol/L、γ-巰基丙基三甲氧基硅烷2g/L(實施例6)銅15g/L、硫酸300g/L、氯50mg/L、聚丙二醇(分子量20000)2.5μmol/L、二硫化二(3磺丙基)二鈉45μmol/L、季表氯醇60μmol/L、聚烯丙基吖丙啶1μmol/L、5甲基-1H-苯并三唑200mg/L(實施例7)銅25g/L、硫酸200g/L、氯60mg/L、聚乙二醇(分子量5000)40μmol/L、二硫化二(2磺乙基)二鈉15μmol/L、季表氯醇20μmol/L、1，2，3-苯并三唑100mg/L(實施例8)前處理液咪唑硅烷水溶液(通過咪唑硅烷與γ-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷的等摩爾反應(yīng)得到的硅烷偶聯(lián)劑20g/L和甲醇20mL/L的混合水溶液)100mL/L(浸漬10秒)電鍍液銅20g/L、硫酸300g/L、氯80mg/L、聚丙二醇(分子量10000)5μmol/L、二硫化二(3磺丙基)二鈉30μmol/L、季表氯醇25μmol/L、
聚烯丙基吖丙啶1μmol/L(實施例9)前處理液1，2，3-苯并三唑200mg/L(浸漬10秒)電鍍液銅25g/L、硫酸200g/L、氯100mg/L、聚乙二醇(分子量5000)30μmol/L、二硫化二(2磺乙基)二鈉15μmol/L、季表氯醇15μmol/L(對照例1)銅25g/L、硫酸150g/L、氯50mg/L、聚乙二醇(分子量10000)10μmol/L、二硫化二(3磺丙基)二鈉60μmol/L、季表氯醇15μmol/L、聚芐基吖丙啶2μmol/L(對照例2)銅10g/L、硫酸300g/L、氯100mg/L、聚乙二醇(分子量20000)2.5μmol/L、3-巰基-1-丙磺酸鈉60μmol/L、季表氯醇30μmol/L(對照例3)銅30g/L、硫酸200g/L、氯80mg/L、聚乙二醇(分子量5000)30μmol/L、二硫化四甲基秋蘭姆20μmol/L、季表氯醇60μmol/L聚烯丙基吖丙啶1μmol/L
對于所得到的淀積物，通過劈開斷面SEM觀察確認(rèn)向微細(xì)的通路圖案的填充性，結(jié)果如表1所示。
從表1可知，實施例1-9的任何例中都沒有發(fā)生空隙和裂縫。但是在用不含本發(fā)明的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的電鍍液進(jìn)行處理的對照例1-3中，產(chǎn)生了空隙和裂縫。
雖然舉出了上面具有代表性的實施例和對照例，但可以確認(rèn)在本權(quán)利要求中所示的全部組成都有效果。
表1

發(fā)明的效果對于過去銅膜在微細(xì)通路或溝道的孔、底部形成不充分的情況，通過使用本發(fā)明的銅電鍍液和前處理液，使電鍍液中所含硫酸容易地將銅的籽晶層溶解的現(xiàn)象消失，可以在不發(fā)生空隙、裂縫等缺陷的情況下，在半導(dǎo)體晶片上形成的微細(xì)通路或溝道中填充銅，具有優(yōu)異的效果。
權(quán)利要求
1.銅電鍍液，其特征在于含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑。
2.權(quán)利要求1的銅電鍍液，其特征在于含有1-10000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑。
3.權(quán)利要求1的同電鍍液，其特征在于含有10-5000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑。
4.權(quán)利要求1-3中任一項的銅電鍍液，其特征在于所述電鍍液是含有硫酸銅、硫酸、氯和添加劑作為主要成分的硫酸銅電鍍液。
5.銅電鍍用前處理液，其特征在于含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑。
6.權(quán)利要求5的銅電鍍用前處理液，其特征在于含有1-10000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑。
7.權(quán)利要求5的銅電鍍用前處理液，其特征在于含有10-5000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑。
8.銅電鍍方法，其特征在于在含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑，并含有硫酸銅、硫酸、氯和添加劑作為主要成分的硫酸銅電鍍液中浸漬1-60秒。
9.權(quán)利要求8的銅電鍍方法，其特征在于浸漬3-10秒。
10.權(quán)利要求8或9的銅電鍍方法，其特征在于含有1-10000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑。
11.權(quán)利要求8或9的銅電鍍方法，其特征在于含有10-5000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑。
12.銅電鍍方法，其特征在于在含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的水溶液中浸漬之后，用含有硫酸銅、硫酸、氯和添加劑作為主要成分的硫酸銅電鍍液進(jìn)行電鍍。
13.權(quán)利要求12的銅電鍍方法，其特征在于在含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的水溶液中浸漬1-60秒。
14.權(quán)利要求12的銅電鍍方法，其特征在于在含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的水溶液中浸漬3-10秒。
15.權(quán)利要求12-14中任一項的銅電鍍方法，其特征在于含有1-10000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑。
16.權(quán)利要求12-14中任一項的銅電鍍方法，其特征在于含有10-5000mg/L的吡咯或硅烷偶聯(lián)劑。
全文摘要
在填充在半導(dǎo)體晶片上形成的配線(LSI)圖案的微細(xì)通路或溝道時,用含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的銅電鍍液進(jìn)行電鍍,或者用含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的銅電鍍用前處理液浸漬之后進(jìn)行電鍍。這樣,通過向電鍍液中添加銅溶解抑制成分,或者用含銅溶解抑制成分的溶液進(jìn)行前處理,可以抑制覆蓋度差的銅籽晶層的溶解,防止空隙、裂縫等缺陷的發(fā)生。
文檔編號C25D7/12GK1370245SQ00811809
公開日2002年9月18日 申請日期2000年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2000年1月20日
發(fā)明者關(guān)口淳之輔, 山口俊一郎 申請人:株式會社日礦材料