提高碳納米管膜異向性的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種提高碳納米管膜異向性的方法，該方法包括以下步驟：提供一基底；在該基底表面設(shè)置一碳納米管膜，該碳納米管膜中大多數(shù)碳納米管沿著同一方向延伸排列從而形成多個(gè)基本平行設(shè)置的碳納米管線，且該該碳納米管膜中的少數(shù)碳納米管分散在該碳納米管膜表面，并與該多個(gè)碳納米管線搭接設(shè)置；以及采用等離子體處理該碳納米管膜的表面。
【專利說(shuō)明】提高碳納米管膜異向性的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種提高碳納米管膜異向性的方法及一種應(yīng)用該方法制備觸摸屏面板的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]碳納米管(Carbon Nanotube, CNT)是一種新型碳材料，1991年由日本研究人員 Ii jima 在實(shí)驗(yàn)室制備獲得(請(qǐng)參見(jiàn)，Helical Microtubules of Graphitic Carbon,Nature, V354, P56~58 (1991))。碳納米管膜因具有良好的導(dǎo)電性和透光性而備受關(guān)注。
[0003]Baughma 等人 2005 于文獻(xiàn)“Strong, Transparent, Multifunctional, CarbonNanotube Sheets，，Mei Zhang, Shaoli Fang, Anvar A.Zakhidov, Ray H.Baughman,etc..Science, Vol.309, P1215-1219 (2005)中揭示了一種透明導(dǎo)電的碳納米管膜的制備方法。所述碳納米管膜可從一碳納米管陣列中拉取制備。該碳納米管陣列為一生長(zhǎng)在一基底上的碳納米管陣列。由于碳納米管的軸向?qū)щ娦赃h(yuǎn)優(yōu)于徑向?qū)щ娦?，且該碳納米管膜中的大部分碳納米管基本沿著該碳納米管膜的拉取方向延伸排列，因此該碳納米管膜具有良好的導(dǎo)電異向性。所謂導(dǎo)電異向性指該碳納米管膜非沿著碳納米管延伸方向的電阻與該碳納米管膜沿著碳納米管延伸方向的電阻之比值。該具有導(dǎo)電異向性的碳納米管膜在電子器件，如觸摸屏，中具有重要的應(yīng)用。
[0004]然而，直接 從碳納米管陣列中拉取制備的碳納米管膜的導(dǎo)電異向性不夠好，無(wú)法滿足電子器件未來(lái)發(fā)展的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，確有必要提供一種可以提高碳納米管膜異向性的方法。
[0006]一種提高碳納米管膜異向性的方法，該方法包括以下步驟:提供一基底；在該基底表面設(shè)置一碳納米管膜，該碳納米管膜中大多數(shù)碳納米管沿著同一方向延伸排列從而形成多個(gè)基本平行設(shè)置的碳納米管線，且該該碳納米管膜中的少數(shù)碳納米管分散在該碳納米管膜表面，并與該多個(gè)碳納米管線搭接設(shè)置；以及采用等離子體處理該碳納米管膜的表面。
[0007]一種提高碳納米管膜異向性的方法，該方法包括以下步驟:從一碳納米管陣列中拉取一碳納米管膜；以及向該碳納米管膜的表面提供一個(gè)等離子體能量，對(duì)該碳納米管膜的表面進(jìn)行處理以提高該碳納米管膜的導(dǎo)電異向性。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可以有效地提高碳納米管膜異向性的方法。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一的碳納米管膜的掃描電鏡照片。
[0010]圖2為圖1中的碳納米管膜中的碳納米管片段的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一的碳納米管膜在等離子體處理前的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖4是圖3中的局部放大結(jié)構(gòu)示意圖。[0013]圖5為本發(fā)明實(shí)施例一的碳納米管膜在等離子體處理后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的提高碳納米管膜異向性的方法的工藝流程圖。
[0015]圖7為本發(fā)明實(shí)施例五提供的觸摸屏面板的制備方法的工藝流程圖。
[0016]圖8為本發(fā)明實(shí)施例六提供的觸摸屏面板的制備方法的工藝流程圖。
[0017]圖9為本發(fā)明實(shí)施例五或六提供的觸摸屏面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]主要元件符號(hào)說(shuō)明
【權(quán)利要求】
1.一種提高碳納米管膜異向性的方法，該方法包括以下步驟: 提供一基底； 在該基底表面設(shè)置一碳納米管膜，該碳納米管膜中大多數(shù)碳納米管沿著同一方向延伸排列從而形成多個(gè)基本平行設(shè)置的碳納米管線，且該該碳納米管膜中的少數(shù)碳納米管分散在該碳納米管膜表面，并與該多個(gè)碳納米管線搭接設(shè)置；以及 采用等離子體處理該碳納米管膜的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的提高碳納米管膜異向性的方法，其特征在于，所述基底的材料為玻璃、陶瓷、石英、金剛石、聚合物、半導(dǎo)體、氧化硅、金屬氧化物或木質(zhì)材料。
3.如權(quán)利要求1所述的提高碳納米管膜異向性的方法，其特征在于，所述碳納米管膜是從一碳納米管陣列中拉取獲得，且所述該碳納米管膜為由若干碳納米管緊密結(jié)合組成的純結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的提高碳納米管膜異向性的方法，其特征在于，所述碳納米管線中在該碳納米管線的長(zhǎng)度方向相鄰的碳納米管首尾相連。
5.如權(quán)利要求1所述的提高碳納米管膜異向性的方法，其特征在于，所述采用等離子體處理該碳納米管膜的表面的具體方法為通過(guò)一等離子體表面處理儀向該碳納米管膜的整個(gè)表面提供一個(gè)等離子體能量，所述等離子體表面處理儀的功率為50瓦~1000瓦，所述等離子體氣體為氬氣、氦氣、氫氣、氧氣、四氟化碳、氨氣、或空氣，所述等離子體的流量為5sccm-100sccm,所述等離子體的工作氣壓為40mTorr~150mTorr,所述等離子體的處理時(shí)間為30秒~150秒。
6.如權(quán)利要求1所述的提高碳納米管膜異向性的方法，其特征在于，進(jìn)一步，在該碳納米管膜表面設(shè)置一掩膜，從而使得該碳納米管膜的部分表面暴露，該等離子體僅處理該碳納米管膜暴露的表面。
7.如權(quán)利要求6所述的提高碳納米管膜異向性的方法，其特征在于，所述掩膜具有多個(gè)平行且間隔設(shè)置的條形開(kāi)口，且該條形開(kāi)口的延伸方向與所述多個(gè)碳納米管線的延伸方向相同。
8.如權(quán)利要求6所述的提高碳納米管膜異向性的方法，其特征在于，所述掩膜與該碳納米管膜間隔設(shè)置。
9.如權(quán)利要求1所述的提高碳納米管膜異向性的方法，其特征在于，所述采用等離子體處理該碳納米管膜的表面的步驟為利用高頻率高電壓在該碳納米管膜表面進(jìn)行電暈放電。
10.如權(quán)利要求9所述的提高碳納米管膜異向性的方法，其特征在于，所述碳納米管膜作為高頻率高電壓電暈放電的電極。
11.一種提高碳納米管膜異向性的方法，該方法包括以下步驟: 從一碳納米管陣列中拉取一碳納米管膜；以及 向該碳納米管膜的表面提供一個(gè)等離子體能量，對(duì)該碳納米管膜的表面進(jìn)行處理以提高該碳納米管膜的導(dǎo)電異向性。
12.如權(quán)利要求11所述的提高碳納米管膜異向性的方法，其特征在于，經(jīng)過(guò)等離子體處理后，該碳納米管膜的導(dǎo)電異向性提升至原來(lái)的至少5倍。
【文檔編號(hào)】B82Y30/00GK103896242SQ201210582279
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月28日
【發(fā)明者】趙志涵, 張智桀, 施博盛 申請(qǐng)人:天津富納源創(chuàng)科技有限公司