專(zhuān)利名稱(chēng):一種無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明屬于納米材料領(lǐng)域,特別涉及一種無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料的制備方法。
背景技術(shù):
納米材料是指當(dāng)材料的尺寸在I-IOOnm維度時(shí),其性質(zhì)具有明顯不同于體相材料的特點(diǎn),如小尺寸效應(yīng),量子限域效應(yīng)等。因此,把材料做到納米尺度帶來(lái)了一場(chǎng)新材料領(lǐng)域的革命。在推動(dòng)基礎(chǔ)學(xué)科發(fā)展的同時(shí),也在光學(xué),電學(xué),磁學(xué)等領(lǐng)域得到了長(zhǎng)足發(fā)展,并創(chuàng)造了許多社會(huì)價(jià)值。同時(shí),手性物質(zhì)作為一種特殊的材料在醫(yī)藥,光學(xué),軍事均有非常重要的應(yīng)用。對(duì)于手性無(wú)機(jī)材料而言,由于其能夠選擇性的吸收電磁波(如光波),因而具有特殊的光學(xué),電學(xué),磁學(xué)并使其在光通訊,分子識(shí)別,記憶材料,催化等方面?zhèn)涫荜P(guān)注。目前已有研究人員合成出小尺寸手性金屬團(tuán)簇(Chem. Soc. Rev. 2009,38, 757-771),還有將手性分子與納米粒子配位用于手性分子檢測(cè)等(Nat Biotechl999,17, 371-374),但是這類(lèi)小尺寸金屬團(tuán)簇的光學(xué)特征和手性特征與其尺寸依賴(lài)性較小,因此限制了其應(yīng)用領(lǐng)域。相反,無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米粒子具有更明顯的“尺寸”依賴(lài)的光學(xué)及電學(xué)特征, 但目前還未有具有手性特征的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料。因此,需要一種制備具有手性特征的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米粒子的方法,使無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米粒子具有“本征的光學(xué)活性”。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的目的在于提供一種具有手性特征的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料的制備方法。本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供一種無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料的制備方法,包括以下步驟步驟1)將陽(yáng)離子配位劑和手性穩(wěn)定劑溶解于同一溶劑,調(diào)節(jié)PH值至9 12,使其生成手性金屬絡(luò)合物;步驟2、:加入陰離子配位劑,然后在60 120°C加熱使其成核。在上述技術(shù)方案中,在所述步驟幻中以溶液或氣態(tài)的方式加入所述陰離子配位劑。在上述技術(shù)方案中,所述手性穩(wěn)定劑為具有手性的分子。其中,所述手性穩(wěn)定劑選自半胱氨酸、盤(pán)尼西林胺、乙酰半胱氨酸、異丁基半胱氨酸、L-半胱氨酸甲酯、谷胱甘肽或雙巰基聯(lián)萘酚中的一種。在上述技術(shù)方案中,所述陽(yáng)離子配位劑為可溶性鹽。其中,所述陽(yáng)離子配位劑選自高氯酸鎘,氯化鎘,硝酸鎘,醋酸鎘,高氯酸汞,氯化汞,醋酸汞,硝酸汞,高氯酸鉛,氯化鉛, 醋酸鉛,硝酸鉛,高氯酸銀,硝酸銀或醋酸銀中的一種。在上述技術(shù)方案中,所述溶劑選自水溶液、二甲基亞砜,乙醇,甲醇,異丙醇或乙腈中的一種。
在上述技術(shù)方案中,所述陰離子配位劑選自碲,碲化氫,碲氫化鈉,硒,硒化氫,硒氫化鈉,硫或硫化氫中的一種。在上述技術(shù)方案中,還包括在步驟1)中加入輔助配位劑。在上述技術(shù)方案中,還包括步驟幻將步驟幻所得溶液離心,然后重新溶于溶劑中,同時(shí)加入手性穩(wěn)定劑,調(diào)節(jié)PH值至9 12,然后加入二甲基亞砜,靜置數(shù)天。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面,提供一種采用以上其中一種方法制成的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于1.使無(wú)機(jī)納米材料具有手性特征;2.方法簡(jiǎn)單,成本低。
以下參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步說(shuō)明,其中圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的D-碲化鎘和L-碲化鎘手性納米粒子的圓二色光譜圖;圖2為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的D-碲化鎘和L-碲化鎘手性納米粒子的紫外-可見(jiàn)吸收光譜;圖3為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的L-碲化鎘手性納米粒子的透射電鏡照片;圖4為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的L-碲化鎘手性納米粒子的能譜照片(EDX);圖5為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的手性碲硫化鎘的圓二色光譜和紫外光譜;圖6為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的手性碲硫化鎘的XRD圖譜;圖7為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例3的碲化鎘手性納米棒的TEM照片;圖8為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例3的碲化鎘手性納米棒的圓二色光譜;圖9為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的CdS手性納米片的圓二色光譜圖;圖10為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的CdS手性納米片的紫外-可見(jiàn)吸收光譜;圖11為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的CdS手性納米片的透射電鏡照片和電子衍射;圖12為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的CdS手性納米片的能譜照片(EDX)。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步解釋和說(shuō)明。在本發(fā)明中,術(shù)語(yǔ)“手性絡(luò)合物”指的是陽(yáng)離子配位劑和手性分子配位而生成的絡(luò)合物。[實(shí)施例1]手性碲化鎘納米粒子的制備1)將0.5g高氯酸鎘(即陽(yáng)離子配位劑)分別和0. Ig的D-半胱氨酸及L-半胱氨酸(即手性穩(wěn)定劑)溶于水,調(diào)節(jié)PH值至11 (具體方法可參見(jiàn)J. Phys. Chem. B 2002,106, 7177-7185);2)然后在惰性氣氛下分別導(dǎo)入碲化氫氣體(即陰離子配位劑),在80 100°C下加熱,使CdTe生長(zhǎng),即可分別得到D-半胱氨酸穩(wěn)定的碲化鎘納米顆粒和L-半胱氨酸穩(wěn)定的碲化鎘納米顆粒。
通過(guò)圓二色光譜測(cè)量手性物質(zhì)對(duì)左旋偏振光和右旋偏振光的吸收率不同來(lái)表征材料的手性特征。圖1為D-碲化鎘和L-碲化鎘手性納米粒子的圓二色光譜圖。由此圖可以看出不同手性的碲化鎘圓二色光譜呈鏡像關(guān)系,具有明顯的手性特征。圖2為D-碲化鎘和L-碲化鎘手性納米粒子的紫外可見(jiàn)光譜,結(jié)合圖1可以看出,碲化鎘納米粒子圓二色光譜對(duì)應(yīng)碲化鎘納米粒子的特征吸收,由此說(shuō)明,納米粒子的手性來(lái)自碲化鎘本身。圖3 為L(zhǎng)-碲化鎘手性納米粒子的透射電鏡照片,從中可以看出所制備的手性納米粒子的近似為球形,尺寸大約為4nm,如圖中畫(huà)圈區(qū)域所示。圖4為L(zhǎng)-碲化鎘手性納米粒子的能譜照片 (EDX),其說(shuō)明手性納米粒子的組分。[實(shí)施例2]手性碲硫化鎘合金納米粒子的制備1)稱(chēng)取0.5g高氯酸鎘(即陽(yáng)離子配位劑)和0.6g L-谷胱甘肽(即手性穩(wěn)定劑),將上述兩物質(zhì)溶于水,調(diào)節(jié)PH值至11. 3 ;2)然后在惰性氣氛下導(dǎo)入碲化氫氣體(即陰離子配位劑),在100°C下加熱,即可得到手性碲硫化鎘合金納米顆粒。圖5為手性碲硫化鎘的圓二色光譜和紫外-可見(jiàn)光譜,紫外-可見(jiàn)光譜兩個(gè)吸收峰歸屬為CdS和CdTe,同時(shí)這兩者均在圓二色光譜上有光學(xué)吸收。圖6的XRD圖譜反映了產(chǎn)品為碲硫化鎘的閃鋅礦結(jié)構(gòu)特征。結(jié)合圖5,圖6可以看出,所得到的納米粒子為手性硫碲化鎘納米粒子。[實(shí)施例3]手性碲化鎘納米棒的制備1)先稱(chēng)取0. 5g高氯酸鎘(即陽(yáng)離子配位劑),分別和0. 05g的D-半胱氨酸和 0. 05g的L-半胱氨酸(即手性穩(wěn)定劑)溶于水,并加入0. Iml巰基乙酸作為輔助配位劑,調(diào)節(jié)PH值至11 ;2)然后在惰性氣氛下分別導(dǎo)入碲化氫氣體,在100°C下加熱,即可得到(D,L)半胱氨酸穩(wěn)定的碲化鎘納米棒。圖7為碲化鎘手性納米棒的TEM照片,由此圖可以看出所制備的碲化鎘納米棒寬度約5nm,長(zhǎng)度大于lOOnm。圖8為碲化鎘手性納米棒的圓二色光譜,由此圖可以看出以 (D-和L-)碲化鎘納米棒的圓二色光譜呈鏡面對(duì)稱(chēng),具有明顯的手性特征。在本實(shí)施中,加入TGA的目的是更有利于制備得到一維的納米棒。[實(shí)施例4]手性硫化鎘納米片的制備首先按照實(shí)施例2的方法制備手性納米粒子,然后取5ml離心,將手性納米粒子重新溶于水,同時(shí)加入5ug手性半胱氨酸,調(diào)節(jié)PH值至9. 0,然后加入Iml不良溶劑(二甲基亞砜),調(diào)節(jié)其介電常數(shù),靜置數(shù)天,即可得到二維的手性納米片。圖9為CdS手性納米片的圓二色光譜圖,由此圖可以看出不同手性的硫化鎘納米片圓二色光譜呈鏡像關(guān)系,具有明顯的手性特征。圖10為CdS手性納米片的紫外-可見(jiàn)吸收光譜,由此圖可以看出所制備的納米片為硫化鎘。圖11為CdS手性納米片的透射電鏡照片和電子衍射,由此圖可以看納米片尺度有幾百個(gè)納米,甚至達(dá)到微米。電子衍射反映了所制備的納米片為閃鋅礦結(jié)構(gòu)的硫化鎘。圖12為CdS手性納米片的能譜照片(EDX),由此圖也可以看出納米片為硫化鎘。通常在制備納米線(xiàn)和納米片時(shí)需要加入二甲基亞砜,調(diào)節(jié)溶劑極性,增強(qiáng)組裝效果。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中,還可以通過(guò)加入溶液的方法在步驟幻中引入陰離子配位劑,例如將NaBH4和1Te按1 1混合,得到NaBH4,然后將NaBH4注入到步驟1)的溶液中。以上實(shí)施例僅作為舉例說(shuō)明,在本發(fā)明的其他實(shí)施例中,步驟1)中的手性穩(wěn)定劑的例子包括但不限于半胱氨酸、盤(pán)尼西林胺、乙酰半胱氨酸、異丁基半胱氨酸、L-半胱氨酸甲酯、谷胱甘肽、雙巰基聯(lián)萘酚等的具有手性的分子;所述陽(yáng)離子配位劑的例子包括但不限于高氯酸鎘,氯化鎘,硝酸鎘,醋酸鎘,高氯酸汞,氯化汞,醋酸汞,硝酸汞,高氯酸鉛,氯化鉛, 醋酸鉛,硝酸鉛,高氯酸銀,硝酸銀或醋酸銀等的可溶性鹽,并且陽(yáng)離子配位劑的質(zhì)量?jī)?yōu)選為0. 4-2. 50g ;所述PH值的范圍在9 12之間;所述溶劑為水溶液或其它極性比較大的溶劑,包括但不限于二甲基亞砜,乙醇,甲醇,異丙醇,乙腈,優(yōu)選為40-100ml。在步驟幻中,所述陰離子配位劑的例子包括但不限于碲,碲化氫,碲氫化鈉,硒,硒化氫,硒氫化鈉,硫或硫化氫;所述加熱溫度在60 120°C之間。在本發(fā)明中,按上述實(shí)施例1和2能夠?qū)崿F(xiàn)具有手性的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米粒子的制備,然而對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解,為了獲得二維的納米棒、線(xiàn)、片,還可以加入其它穩(wěn)定劑作為誘導(dǎo)劑,通過(guò)改變不同穩(wěn)定劑在不同晶面的吸附,改變晶體生長(zhǎng)方式,使其生成一維或二維納米材料。如實(shí)施例3所示,通過(guò)引入諸如巰基乙酸的輔助穩(wěn)定劑,得到手性納米棒;或者還可以通過(guò)改變反應(yīng)溶劑的介電常數(shù),加入不良溶劑(如二甲亞砜),通過(guò)自組裝的方式,得到手性納米片,如實(shí)施例4所示。本發(fā)明通過(guò)在原料中加入手性穩(wěn)定劑使得到的無(wú)機(jī)納米材料具有手性特征,并且所采用的方法簡(jiǎn)單,成本低,所制備的手性納米材料組成、性質(zhì)多樣,應(yīng)用范圍廣,有著較大的發(fā)展空間。制備出的手性納米粒子,納米線(xiàn),納米棒等手性納米材料的吸收光譜和熒光光譜覆蓋了紫外區(qū)、可見(jiàn)區(qū)、近紅外區(qū),因此在生物,醫(yī)藥,化學(xué),催化,光學(xué),電學(xué),磁學(xué)等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。盡管參照上述的實(shí)施例已對(duì)本發(fā)明作出具體描述,但是對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),應(yīng)該理解可以在不脫離本發(fā)明的精神以及范圍之內(nèi)基于本發(fā)明公開(kāi)的內(nèi)容進(jìn)行修改或改進(jìn),這些修改和改進(jìn)都在本發(fā)明的精神以及范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料的制備方法,包括以下步驟步驟1)將陽(yáng)離子配位劑和手性穩(wěn)定劑溶解于同一溶劑,調(diào)節(jié)PH值至9 12,使其生成手性金屬絡(luò)合物;步驟幻加入陰離子配位劑,然后在60 120°C加熱使其成核。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料的制備方法,其特征在于,在所述步驟 2)中以溶液或氣態(tài)的方式加入所述陰離子配位劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料的制備方法,其特征在于,所述手性穩(wěn)定劑為具有手性的分子。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料的制備方法,其特征在于,所述手性穩(wěn)定劑選自半胱氨酸、盤(pán)尼西林胺、乙酰半胱氨酸、異丁基半胱氨酸、L-半胱氨酸甲酯、谷胱甘肽或雙巰基聯(lián)萘酚中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料的制備方法,其特征在于,所述陽(yáng)離子配位劑為可溶性鹽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料的制備方法,其特征在于,所述陽(yáng)離子配位劑選自高氯酸鎘,氯化鎘,硝酸鎘,醋酸鎘,高氯酸汞,氯化汞,醋酸汞,硝酸汞,高氯酸鉛,氯化鉛,醋酸鉛,硝酸鉛,高氯酸銀,硝酸銀或醋酸銀中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料的制備方法,其特征在于,所述溶劑選自水溶液、二甲基亞砜,乙醇,甲醇,異丙醇或乙腈中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料的制備方法,其特征在于,所述陰離子配位劑選自碲,碲化氫,碲氫化鈉,硒,硒化氫,硒氫化鈉,硫或硫化氫中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料的制備方法,其特征在于,還包括在步驟1)中加入輔助配位劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料的制備方法,其特征在于,還包括 步驟3)將步驟2)所得溶液離心,然后重新溶于溶劑中,同時(shí)加入手性穩(wěn)定劑,調(diào)節(jié)PH值至9 12,然后加入二甲基亞砜,靜置數(shù)天。
11.一種無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料,其特征在于,采用所述權(quán)利要求1至11之一的方法制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料,其特征在于,所述無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料為納米粒子、一維的納米線(xiàn)或納米棒、或二維納米片。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料及其制備方法,該方法包括以下步驟步驟1)將陽(yáng)離子配位劑和手性穩(wěn)定劑溶解于同一溶劑,調(diào)節(jié)pH值至9~12,使其生成手性金屬絡(luò)合物;步驟2)加入陰離子配位劑,然后在60~120℃加熱使其成核。本發(fā)明通過(guò)在原料中加入手性穩(wěn)定劑使得到的無(wú)機(jī)納米材料具有手性特征,所采用的方法簡(jiǎn)單,所制備的手性納米材料組成、性質(zhì)多樣,應(yīng)用范圍廣。
文檔編號(hào)B82B1/00GK102211756SQ20101014414
公開(kāi)日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2010年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月8日
發(fā)明者周云龍, 唐智勇 申請(qǐng)人:國(guó)家納米科學(xué)中心