本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，具體涉及一種通過攝像頭挑選不合格晶粒的儀器。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體芯片首先制作在晶圓(wafer)之上，之后會對芯片進(jìn)行切割，切割成為多個還未進(jìn)行封裝的晶粒(die)，并對晶粒初步測試，如果晶粒在初步測試中不合格，則在下一步封裝之前，就首先將不合格的晶粒挑選出來，不進(jìn)行封裝之前的移動。

在現(xiàn)有技術(shù)中，有一種對晶粒的測試方法是，在測試發(fā)現(xiàn)不合格晶粒后，在此不合格晶粒上點一個墨點作為不合格記號。則此測試完的晶圓可直接運(yùn)送至下游封裝廠家，封裝廠家需要把此不合格晶粒挑選出來。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上，本發(fā)明公開了一種通過攝像頭挑選不合格晶粒的儀器。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種通過攝像頭挑選不合格晶粒的儀器，包括主工作臺和副工作臺；所述主工作臺可沿橫向軌道左右移動；所述副工作臺下方固定有縱向軌道；所述縱向軌道可沿所述主工作臺上的軌道凹槽前后移動；所述主工作臺上設(shè)置有晶圓固定槽；還包括縱向支架；所述縱向支架上固定有垂直于所述縱向支架的橫向支架；所述橫向支架安裝有可上下移動的抓手部件；所述抓手部件的正下方設(shè)置有一攝像頭；所述抓手部件的下方側(cè)壁上固定有抓手。

本發(fā)明的有益技術(shù)效果是：

本發(fā)明公開了一種挑選不合格晶粒的儀器，可通過攝像頭，對晶圓上的每一個晶粒進(jìn)行拍攝，當(dāng)捕捉到有墨點的晶粒之后，就控制抓手部件，將不合格晶粒挑選出來。本發(fā)明原理簡單，挑選精確度高，可增加挑選速度，增加晶粒良率。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的示意圖。

具體實施方式

圖1是本發(fā)明的示意圖。如圖1所示，本發(fā)明包括主工作臺2和副工作臺4。主工作臺2可沿橫向軌道1左右移動。副工作臺4下方固定有縱向軌道2。縱向軌道2可沿主工作臺2上的軌道凹槽前后移動。主工作臺2上設(shè)置有晶圓固定槽5。還包括縱向支架6?？v向支架6上固定有垂直于縱向支架6的橫向支架7。橫向支架7安裝有可上下移動的抓手部件8。抓手部件8的正下方設(shè)置有一攝像頭10。抓手部件8的下方側(cè)壁上固定有抓手9。

本發(fā)明的使用方法為：

步驟1、對晶圓上未切割的晶粒進(jìn)行初步測試，在測試不合格的晶粒之上，點一墨點作為不合格標(biāo)記；

步驟2、將進(jìn)行完不合格標(biāo)記的晶圓放置在主工作臺2之上的晶圓固定槽5之上。

步驟3、第二步進(jìn)電機(jī)控制副工作臺4移動至第一行晶粒；

步驟4、第一步進(jìn)電機(jī)控制主工作臺2沿橫向軌道1由左向右逐個晶粒移動，每移動一個晶粒的位置，攝像頭10拍攝一圖像；并將圖像傳送至監(jiān)控機(jī)；監(jiān)控機(jī)進(jìn)行圖像二值化處理，如果圖像中出現(xiàn)大面積的黑色值，則第三電機(jī)控制抓手部件8向下移動，將此晶粒挑出移走；

步驟5、第二步進(jìn)電機(jī)控制副工作臺4由上至下移動一個晶粒的高度；

步驟6、重復(fù)步驟4和步驟5，直至檢查完此晶圓上的所有晶粒。

以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，本發(fā)明不限于以上實施例?？梢岳斫?，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和構(gòu)思的前提下直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的其他改進(jìn)和變化，均應(yīng)認(rèn)為包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。