本發(fā)明涉及多晶硅的尾氣回收的，尤其涉及一種反吹系統(tǒng)的。

背景技術(shù)：

1、在多晶硅生產(chǎn)過程中，尾氣回收是一個(gè)重要的環(huán)節(jié)，旨在提高原料的利用率并減少環(huán)境污染。在現(xiàn)有技術(shù)中，吸附柱用于回收和凈化尾氣中的有用成分，如氫氣和氯硅烷。然而，隨著吸附劑使用時(shí)間的增長，其表面會(huì)積累一定量的雜質(zhì)，這會(huì)降低吸附效率，因此需要定期進(jìn)行反吹活化以恢復(fù)其性能。

2、現(xiàn)有的反吹技術(shù)中雖然出于能耗考慮和成本問題采用了熱氣反吹和冷氣的技術(shù)，但是現(xiàn)有技術(shù)中并未考慮到由于熱氣反吹和冷氣所造成的加熱組件損壞等現(xiàn)象發(fā)生。另外，相當(dāng)部分的反吹技術(shù)未充分考慮熱吹所造成的熱損傷問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何能快速高效地實(shí)現(xiàn)反吹效果，同時(shí)避免對(duì)吸附劑和加熱組件造成熱損傷，提高長期穩(wěn)定性和使用壽命。

2、為解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明提供一種反吹吸附柱的加熱組件，包括：

3、多個(gè)加熱單元，多個(gè)所述加熱單元串聯(lián)連接；

4、溫度傳感器，所述溫度傳感器設(shè)于所述加熱組件的出口處；

5、控制部，所述控制部電連接所述溫度傳感器和所有所述加熱單元。

6、進(jìn)一步地，所述控制部為plc控制器，所述plc控制通過脈寬調(diào)制信號(hào)控制所有所述加熱單元。

7、一種反吹系統(tǒng)，包括上述一種反吹吸附柱的加熱組件，包括：

8、吸附組件，所述吸附組件包括多個(gè)吸附柱；每個(gè)所述吸附柱的進(jìn)口端設(shè)有一個(gè)熱吹反吹出路；

9、氫氣罐，所述氫氣罐的進(jìn)口端和每個(gè)所述吸附柱的出口端之間設(shè)有冷氣出路；同時(shí)，所述氫氣罐的出口端和每個(gè)所述吸附柱的進(jìn)口端之間設(shè)有冷氣進(jìn)路；

10、所述加熱組件的進(jìn)口端連接至所述氫氣罐的出口端，所述加熱組件的出口端和每個(gè)所述吸附柱的出口端之間設(shè)有熱氣反吹進(jìn)路。

11、進(jìn)一步地，每個(gè)所述吸附柱的進(jìn)口端連接尾氣進(jìn)口，同一個(gè)所述吸附柱的出口端通過尾氣出口連接至所述氫氣罐。

12、進(jìn)一步地，所述尾氣進(jìn)口和所述尾氣出口處均設(shè)有第一開關(guān)閥；所述第一開關(guān)閥上均并聯(lián)有升壓閥。

13、進(jìn)一步地，所有所述熱吹反吹出路連接至排氣路，所述熱吹反吹出路和所述熱吹反吹進(jìn)路均設(shè)有第二開關(guān)閥，所述第二開關(guān)閥并聯(lián)有泄壓閥。

14、進(jìn)一步地，所述冷氣出路和所述冷氣進(jìn)路均設(shè)有第三開關(guān)閥。

15、進(jìn)一步地，所有所述吸附柱內(nèi)均設(shè)壓力傳感器。

16、一種反吹系統(tǒng)的控制方法，包括上述任意一種所述一種反吹系統(tǒng)，包括：

17、步驟1：控制部將其中一個(gè)所述吸附柱的所述第一開關(guān)閥打開，將該所述吸附柱的其余開關(guān)閥關(guān)閉；該所述吸附柱進(jìn)行吸附過程；

18、同時(shí)，相鄰的所述吸附柱的相應(yīng)的所述升壓閥打開，該吸附柱的所述第三開關(guān)閥打開；該吸附柱進(jìn)行升壓冷卻過程；

19、同時(shí)，剩余的所述吸附柱的相應(yīng)的所述減壓閥打開，該吸附柱的所述第二開關(guān)閥打開；該所述吸附柱進(jìn)行熱氣反吹過程。

20、步驟2：將控制部首先控制的所述吸附柱向右移動(dòng)一位，其余重復(fù)上一步驟操作；

21、步驟3：重復(fù)步驟2，直至停止操作。

22、一種反吹吸附柱的加熱組件的控制方法，適用于上述任意一種所述一種反吹系統(tǒng)，包括：

23、步驟一、當(dāng)所述第三開關(guān)閥打開時(shí)，所述控制部將所有所述加熱單元的加熱頻率降低至下位預(yù)設(shè)值；

24、步驟二、當(dāng)所述溫度傳感器感應(yīng)到所述第三開關(guān)閥打開時(shí)起計(jì)算的預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)，溫度變化梯度趨平時(shí)，再將所有所述加熱單元的加熱頻率調(diào)高至正常加熱頻率；

25、步驟三、所述控制部檢測加熱頻率是否超出上位預(yù)設(shè)值，若超出則停止加熱操作。

26、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的實(shí)施例所提供的技術(shù)方案至少可實(shí)現(xiàn)如下有益效果：

27、第一、本發(fā)明通過熱氣反吹和冷氣正吹的結(jié)合使用，可以更有效地清除吸附柱中的殘留物，從而提高吸附柱的吸附效率。

28、第二、本發(fā)明通過控制加熱組件的加熱頻率和溫度，可以避免對(duì)吸附劑和加熱單元等造成熱損傷，從而提高其長期穩(wěn)定性和使用壽命。

29、第三、本發(fā)明通過自動(dòng)控制加熱組件和吸附柱的開關(guān)閥，可以確保系統(tǒng)在不同的操作階段都能穩(wěn)定運(yùn)行

30、第四、本發(fā)明通過設(shè)置上位預(yù)設(shè)值來保護(hù)加熱組件，避免加熱單元已經(jīng)損壞后所造成的更大損失，能及時(shí)修理，延長了設(shè)備的使用壽命。

技術(shù)特征：

1.一種反吹吸附柱的加熱組件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種反吹吸附柱的加熱組件，其特征在于，所述控制部為plc控制器，所述plc控制通過脈寬調(diào)制信號(hào)控制所有所述加熱單元。

3.一種反吹系統(tǒng)，包括權(quán)利要求1至2所述一種反吹吸附柱的加熱組件，其特征在于，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種反吹系統(tǒng)，其特征在于，每個(gè)所述吸附柱的進(jìn)口端連接尾氣進(jìn)口，同一個(gè)所述吸附柱的出口端通過尾氣出口連接至所述氫氣罐。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種反吹系統(tǒng)，其特征在于，所述尾氣進(jìn)口和所述尾氣出口處均設(shè)有第一開關(guān)閥；所述第一開關(guān)閥上均并聯(lián)有升壓閥。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種反吹系統(tǒng)，其特征在于，所有所述熱吹反吹出路連接至排氣路，所述熱吹反吹出路和所述熱吹反吹進(jìn)路均設(shè)有第二開關(guān)閥，所述第二開關(guān)閥并聯(lián)有泄壓閥。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種反吹系統(tǒng)，其特征在于，所述冷氣出路和所述冷氣進(jìn)路均設(shè)有第三開關(guān)閥。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種反吹系統(tǒng)，其特征在于，所有所述吸附柱內(nèi)均設(shè)壓力傳感器。

9.一種反吹系統(tǒng)的控制方法，包括權(quán)利要求1至8任意一種所述一種反吹系統(tǒng)，包括：

10.一種反吹吸附柱的加熱組件的控制方法，適用于權(quán)利要求1至8任意一種所述一種反吹系統(tǒng)，包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種加熱組件和其反吹系統(tǒng)，包括：吸附組件包括多個(gè)吸附柱；每個(gè)吸附柱的進(jìn)口端設(shè)有一個(gè)熱吹反吹出路；氫氣罐的進(jìn)口端和每個(gè)吸附柱的出口端之間設(shè)有冷氣出路；同時(shí)，氫氣罐的出口端和每個(gè)吸附柱的進(jìn)口端之間設(shè)有冷氣進(jìn)路；加熱組件的進(jìn)口端連接至氫氣罐的出口端，加熱組件的出口端和每個(gè)吸附柱的出口端之間設(shè)有熱氣反吹進(jìn)路。本發(fā)明通過控制加熱組件的加熱頻率和溫度，可以避免對(duì)吸附劑和加熱單元等造成熱損傷，從而提高其長期穩(wěn)定性和使用壽命。

技術(shù)研發(fā)人員：謝勇剛,董瑞斌,彭冬壽,孫飛,宋筱江,徐寶寶,杜彥杰,葉梅,任剛剛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新疆東方希望新能源有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19