1.一種微織構(gòu)化三層復(fù)合潤滑薄膜的制備方法，所述的微織構(gòu)化三層復(fù)合潤滑薄膜是在單晶硅的微織構(gòu)化表面上依次包覆有(3-氨丙基)三甲氧基硅烷（APS）基底固定薄膜層、聚多巴胺（PDA）中間連接薄膜層和羧基咪唑類離子液體（IL-COOH）固定/流動兩相潤滑薄膜層；
其特征在于：制備方法包括如下步驟：
（1）采用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕技術(shù)在單晶硅片表面上刻蝕，得到微織構(gòu)化單晶硅片；
（2）將微織構(gòu)化單晶硅片依次用丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗5min，然后用氮?dú)獯蹈?，置入?8％硫酸和30％雙氧水按體積比7：3新鮮配制的Piranha溶液中，保持90℃反應(yīng)30min，用去離子水反復(fù)沖洗，氮?dú)獯蹈?，得到表面羥基化的微織構(gòu)化單晶硅片；
（3）配制(3-氨丙基)三甲氧基硅烷（APS）溶液，然后將表面羥基化的微織構(gòu)化單晶硅片浸沒到APS溶液中，30~60min后取出，依次在丙酮和去離子水中分別超聲清洗2~5min，用氮?dú)獯蹈桑玫奖砻娼M裝有APS分子膜的微織構(gòu)化單晶硅片；
（4）配制多巴胺聚合反應(yīng)溶液，將表面組裝有APS分子膜的微織構(gòu)化單晶硅片浸沒到多巴胺聚合反應(yīng)溶液中，室溫下靜置6~8h，使得APS分子膜表面通過聚合反應(yīng)附著上一層聚多巴胺（PDA）聚合物薄膜，然后在去離子水中超聲洗滌2~5min，用氮?dú)獯蹈桑玫奖砻娓采wAPS分子膜—PDA聚合物薄膜的微織構(gòu)化單晶硅片；
（5）配制羧基咪唑類離子液體（IL-COOH）溶液，將表面覆蓋APS分子膜—PDA聚合物薄膜的微織構(gòu)化單晶硅片浸沒到IL-COOH溶液中，控制浸漬時(shí)間為3~5min，提拉速度為60~80μm/s，在APS分子膜—PDA聚合物薄膜表面提拉一層離子液體薄膜，然后在氮?dú)庀?20~140℃熱處理30~60min，得到的依次包覆APS、PDA和IL-COOH三層復(fù)合膜的微織構(gòu)化單晶硅表面，即為一種微織構(gòu)化三層復(fù)合潤滑薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微織構(gòu)化三層復(fù)合潤滑薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）的微織構(gòu)化單晶硅片的表面形貌為方柱正六邊形陣列或凹坑正六邊形陣列；所述方柱正六邊形陣列或凹坑正六邊形陣列為一定數(shù)量的方柱正六邊形陣列單元或凹坑正六邊形陣列單元排列組合而成；所述方柱正六邊形陣列單元或凹坑正六邊形陣列單元為七個(gè)方柱或凹坑按等間距呈正六邊形分布；所述方柱邊長為10~20μm，高度為300nm~50μm，相鄰方柱間距為10~50μm；所述凹坑直徑為10~20μm，深度為300nm~50μm，相鄰凹坑的間距為10~50μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微織構(gòu)化三層復(fù)合潤滑薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟（3）的(3-氨丙基)三甲氧基硅烷（APS）溶液的配制方法為：按3~5mM的摩爾體積比將APS溶于丙酮與水的混合溶液中，所述丙酮與水的體積比為5:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微織構(gòu)化三層復(fù)合潤滑薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟（4）的多巴胺聚合反應(yīng)溶液的配制方法為：按0.2~0.3％的質(zhì)量體積比將鹽酸多巴胺溶于TRIS-HCl緩沖溶液中，所述TRIS-HCl緩沖溶液的摩爾體積比為10mM，pH值為8.5。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微織構(gòu)化三層復(fù)合潤滑薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟（5）的羧基咪唑類離子液體（IL-COOH）溶液的配制方法為：按0.3~3％的質(zhì)量體積比將IL-COOH溶于丙酮中，所述羧基咪唑類離子液體的陰離子為PF6-或Cl-，陽離子為羧基咪唑環(huán)類。