專利名稱：：金屬納米粒子及其制造方法、金屬納米粒子分散液及其制造方法、以及金屬細(xì)線和金屬薄...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及金屬納米粒子及其制造方法、金屬納米粒子分散液及其制造方法、以及金屬細(xì)線和金屬薄膜及其制造方法。
背景技術(shù)：
：迄今為止，作為由100nm或以下的金屬納米粒子形成的導(dǎo)電性金屬納米粒子的制造方法，通過還原貴金屬或銅的離子，得到貴金屬或銅的膠體的方法是已知的(參閱例如專利文獻(xiàn)1)。此外，包含具有至少1個(gè)氨基和羧基的化合物的金屬膠體液體是已知的(參閱例如專利文獻(xiàn)2)。但是，在上述任何一種情形中，都難以制造在高濃度下穩(wěn)定的金屬膠體。專利文獻(xiàn)1特開平11-319538號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求書)專利文獻(xiàn)2特開平2002-245854號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求書)
發(fā)明內(nèi)容在電氣電子工業(yè)領(lǐng)域所使用的配線的形成方法中，近年來，正在不斷低溫化。此外，作為涂布·干燥·焙燒金屬納米粒子的基材，一般使用玻璃、聚酰亞胺等各種材料，除了這些基材之外，最近，還要求即使對(duì)于在玻璃上搭載TFT(薄膜晶體管)的基板也適用金屬納米粒子、以及成膜溫度的低溫化。焙燒溫度根據(jù)該基材的性質(zhì)的不同而不同，較低的焙燒溫度一般要求為200℃下的焙燒。在這種情況下，對(duì)于通過低溫焙燒、且盡可能地減少涂布次數(shù)和成膜次數(shù)以形成具有所希望的厚度的配線的要求很強(qiáng)烈。因此，希望獲得即使通過低溫焙燒也能夠得到電阻率低的配線、且金屬濃度高的分散金屬納米粒子。迄今為止，為了形成由能夠用于這些用途的金屬納米粒子構(gòu)成的薄膜，卻存在如下問題雖然能夠?qū)崿F(xiàn)低電阻，但必需進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，雖然能夠進(jìn)行低溫處理，但涂布次數(shù)增多等。此外，為了減少涂布次數(shù)，還存在如下問題不管通過怎樣的方法增加涂布液的固體成分的濃度，所得到的液體都會(huì)變得不穩(wěn)定，引起2次凝聚并導(dǎo)致金屬粒子沉降等。本發(fā)明的目的在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，提供一種以能夠減少涂布次數(shù)或者成膜次數(shù)為目的實(shí)現(xiàn)金屬固體成分的高濃度化、同時(shí)能夠通過低溫焙燒處理實(shí)現(xiàn)充分的導(dǎo)電率的、穩(wěn)定的金屬納米粒子及其制造方法，金屬納米粒子分散液及其制造方法、以及使用該分散液得到的金屬細(xì)線和金屬薄膜及其制造方法。本發(fā)明的金屬納米粒子的特征在于在各個(gè)金屬的周圍附著有作為分散劑的有機(jī)金屬化合物。其特征在于該有機(jī)金屬化合物包含選自貴金屬和過渡金屬的至少1種的金屬或者由這些金屬的至少2種構(gòu)成的合金。其特征在于上述有機(jī)金屬化合物為脂肪酸的有機(jī)金屬化合物、胺的金屬配位化合物、脂肪酸的有機(jī)金屬化合物與胺的金屬配位化合物的混合物。其特征在于上述脂肪酸為選自具有直鏈或支鏈結(jié)構(gòu)的C6～C22的飽和脂肪酸和不飽和脂肪酸的至少1種脂肪酸，例如選自己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十一烷酸、十二烷酸、十四烷酸、二十烷酸、二十二烷酸、2-乙基己酸、油酸、亞油酸、亞麻酸的至少1種脂肪酸。其特征在于上述胺為具有直鏈或支鏈結(jié)構(gòu)的C6～C13脂肪胺，例如選自己胺、庚胺、辛胺、癸胺、十二烷胺、2-乙基己胺、1，3-二甲基正丁胺、1-胺基十一烷、1-胺基十三胺的至少1種胺。本發(fā)明的金屬納米粒子的制造方法的特征在于將上述脂肪酸的有機(jī)金屬化合物、上述胺的金屬配位化合物、或者該有機(jī)金屬化合物與金屬配位化合物的混合物溶解于非極性溶劑中，通過向該液體中加入還原劑進(jìn)行還原處理，得到金屬納米粒子。進(jìn)而，上述還原處理的特征在于通過導(dǎo)入氫氣一氧化碳?xì)?、含有氫氣的氣體、或者含有一氧化碳的氣體進(jìn)行還原處理。其特征在于在上述制造方法中，在還原處理后，進(jìn)一步加入去離子水，攪拌、靜置，將雜質(zhì)轉(zhuǎn)移到極性溶劑中，降低非極性溶劑中的雜質(zhì)濃度。本發(fā)明的金屬納米粒子分散液的特征在于濃縮含有通過上述制造方法得到的金屬納米粒子的分散液，并通過將該金屬納米粒子再分散，使得金屬納米粒子的濃度范圍達(dá)到5重量％～90重量％。本發(fā)明的金屬納米粒子分散液的制造方法的特征在于濃縮含有通過上述制造方法得到的金屬納米粒子的分散液，并通過將該金屬納米粒子再分散，得到金屬納米粒子的濃度范圍為5重量％～90重量％的金屬納米粒子分散液。其特征在于上述金屬納米粒子的大小為1nm～100nm。本發(fā)明的金屬細(xì)線或金屬薄膜的形成方法的特征在于將上述包含金屬納米粒子的分散液、通過上述制造方法得到的包含金屬納米粒子的分散液、上述分散液、或者通過上述制造方法得到的金屬納米粒子分散液涂布在基材上，干燥后焙燒，形成具有導(dǎo)電性的金屬細(xì)線或金屬薄膜。本發(fā)明的金屬細(xì)線或金屬薄膜是通過上述方法得到的。其特征在于上述焙燒溫度為140～300℃，優(yōu)選為140～220℃。根據(jù)本發(fā)明，可以提供高濃度的穩(wěn)定的金屬納米粒子分散液，因此能夠減少其涂布次數(shù)、成膜次數(shù)，并且能夠通過在220℃左右的低溫下的焙燒處理，實(shí)現(xiàn)充分實(shí)用的導(dǎo)電率。實(shí)施例5制造的本發(fā)明的銀納米粒子的TOF-SIMS分析結(jié)果圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的金屬納米粒子的構(gòu)成金屬選自Ag、Au、Cu、Pt、Pd、W、Ni、Ta、In、Sn、Zn、Cr、Fe、Co、和Si等構(gòu)成的組的至少1種或2種或多種金屬或者由這些金屬的至少2種形成的合金，并且可以根據(jù)目的·用途適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇，在這些金屬中，優(yōu)選選自Ag、Au等貴金屬、以及Cu的至少1種金屬，或者由這些金屬的至少2種形成的合金。也可以混有來源于還原劑的B、N、P等。通過上述金屬構(gòu)成的金屬納米粒子具有在該金屬的周圍附著有作為分散劑的有機(jī)金屬化合物的結(jié)構(gòu)。其中所謂的“附著”是指有機(jī)酸金屬鹽、金屬胺配位化合物處于通過金屬離子吸附在金屬粒子表面、并有助于金屬粒子穩(wěn)定地分散于有機(jī)分散體中的狀態(tài)。構(gòu)成作為上述有機(jī)金屬化合物的脂肪酸的有機(jī)金屬化合物的脂肪酸選自C6～C22的飽和脂肪酸和不飽和脂肪酸的至少1種脂肪酸，例如選自下述至少1種脂肪酸己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十一烷酸、十二烷酸、十四烷酸、二十烷酸、二十二烷酸、2-乙基己酸、油酸、亞油酸、亞麻酸。此外，構(gòu)成作為上述有機(jī)金屬化合物的胺的金屬配位化合物的胺只要是選自例如烷基胺的至少1種即可。作為可以用于本發(fā)明的烷基胺，并沒有特別的限制，可以是伯～叔胺，并且可以是單胺、二胺、三胺等多元胺。特別優(yōu)選具有碳原子數(shù)為4～20的主骨架的烷基胺，從穩(wěn)定性、操作性的觀點(diǎn)出發(fā)，更優(yōu)選具有碳原子數(shù)為8～18的主骨架的烷基胺。此外，雖然伯、仲、叔烷基胺均能有效發(fā)揮作為分散劑的作用，但從穩(wěn)定性、操作性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用伯烷基胺。如果烷基胺的主鏈碳原子數(shù)少于4，則胺的堿性過強(qiáng)，存在腐蝕金屬納米粒子的傾向，并存在最終溶解該納米粒子的問題。此外，如果烷基胺的主鏈的碳原子數(shù)大約20，則當(dāng)提高金屬納米分散液的濃度時(shí)，分散液的粘度上升，操作性變差，并且，還存在焙燒后的金屬細(xì)線或薄膜中容易殘留碳、電阻率上升等問題。作為可以用于本發(fā)明的烷基胺的具體實(shí)例，包括例如丁胺、己胺、辛胺、壬胺、十二烷基胺、十六烷基胺、十八烷基胺、椰油胺、牛脂胺、氫化牛脂胺、油胺、月桂胺、以及硬脂胺等伯胺；二椰油胺、雙氫化牛脂胺、以及二硬脂基胺等仲胺；以及十二烷基二甲基胺、雙十二烷基一甲基胺、十四烷基二甲基胺、十八烷基二甲基胺、椰油基二甲基胺、十二烷基十四烷基二甲基胺、以及三辛基胺等叔胺；此外，還包括萘二胺、硬脂基丙二胺、辛二胺、以及壬二胺等二胺。在這些胺中，優(yōu)選己胺、庚胺、辛胺、癸胺、十二烷基胺、2-乙基己基胺、1，3-二甲基正丁基胺、1-氨基十一烷、1-氨基十三烷。根據(jù)本發(fā)明，包含金屬納米粒子的分散液中的烷基胺的含量，以金屬納米粒子金屬重量為基準(zhǔn)，為0.1重量％～10重量％，優(yōu)選為1重量％～5重量％。當(dāng)不足0.1重量％時(shí)，脂肪酸金屬化合物之間出現(xiàn)結(jié)合或增粘作用，還原后的分散性惡化，另一方面，如果超過10重量％，則會(huì)開始出現(xiàn)由于氮與金屬之間的牢固結(jié)合所產(chǎn)生的效果、即使在焙燒熱分解過程中氮也不會(huì)除去從而妨礙低溫焙燒特性。根據(jù)本發(fā)明，上述有機(jī)金屬化合物還可以是任意比例的脂肪酸的有機(jī)金屬化合物與胺金屬配位化合物的混合物。通過本發(fā)明的金屬納米粒子的制造方法，通過使脂肪酸的有機(jī)金屬化合物和/或胺的金屬配位化合物溶于非極性溶劑中，并向該溶液中加入還原劑進(jìn)行還原處理，得到金屬納米粒子。作為上述還原劑，優(yōu)選使用例如硼氫化鈉、二甲基胺基硼烷、叔丁基胺基硼烷等。作為還原劑，并不限于這些，只要是具有相同的還原作用的即可，可以使用其他的已知的還原劑。優(yōu)選通過向反應(yīng)體系中導(dǎo)入氫氣、一氧化碳?xì)?、含有氫氣的氣體、含有一氧化碳的氣體進(jìn)行該還原反應(yīng)。上述還原處理是在攪拌處理中進(jìn)行鼓泡，在諸如室溫或加熱回流等條件下進(jìn)行的。如上所述，通過在非極性溶劑中進(jìn)行還原處理形成金屬膠體，但是在反應(yīng)液中卻存在雜質(zhì)(例如還原劑中的硼等)。因此，向反應(yīng)液中添加去離子水，攪拌后，靜置規(guī)定的時(shí)間，回收上清液。這時(shí)，由于存在于反應(yīng)液中的雜質(zhì)中的親水性的雜質(zhì)向水層方向移動(dòng)，因而可以減少雜質(zhì)。也可以使用碳原子數(shù)少的極性溶劑代替去離子水。進(jìn)而，為了除去過剩的脂肪酸或脂肪酸酯或氨等，提高純度和金屬濃度，可以通過超濾等過濾進(jìn)行濃縮，其結(jié)果是，可以得到含有5重量％～90重量％的金屬納米粒子的分散液。根據(jù)本發(fā)明，在如上所述制造的金屬納米粒子分散液的情形中，即使是90重量％的高濃度，也不會(huì)引起納米粒子之間的凝聚，此外，分散液的流動(dòng)性也不會(huì)喪失。當(dāng)將90重量％的金屬納米粒子分散液用于例如用于IC基板等的多層配線或用于IC的內(nèi)部配線中時(shí)，該分散液不會(huì)喪失流動(dòng)性，此外，也不會(huì)引起金屬納米粒子的凝聚，因而能夠形成導(dǎo)電性均勻無缺陷的細(xì)微配線圖型。本發(fā)明所使用的非極性溶劑為例如弱極性溶劑，并優(yōu)選使用主鏈的碳原子數(shù)為6～18的有機(jī)溶劑。如果碳原子數(shù)不足6，溶劑極性強(qiáng)不會(huì)分散，或者過早干燥，在分散液制品的操作性方面存在問題。如果碳原子超過18，則存在粘度上升和焙燒時(shí)碳原子容易殘留的問題。作為這些溶劑，可以使用例如己烷、庚烷、辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷、三甲基戊烷等長(zhǎng)鏈烷烴；或環(huán)己烷、環(huán)庚烷、環(huán)辛烷等環(huán)烷烴；苯、甲苯、二甲苯、三甲苯、十二烷基苯等芳香烴；己醇、庚醇、辛醇、癸醇、環(huán)己醇、萜品醇等的醇。這些溶劑可以單獨(dú)使用，也可以混合溶劑的形式使用。例如，可以是作為長(zhǎng)鏈烷烴的混合物的礦物油精。此外，極性溶劑優(yōu)選為碳原子數(shù)少的溶劑，例如甲醇、乙醇、丙酮等?？梢酝ㄟ^本發(fā)明提供的金屬納米粒子的大小為100nm或更小。在IC基板等的多層配線或半導(dǎo)體的內(nèi)部配線等情形中，近年來越來越向精細(xì)化發(fā)展，并要求為1μm或更小的配線，因此，希望金屬納米粒子的大小為所要求的配線的線寬的1/10或更小，即，1nm～100nm，優(yōu)選1nm～10nm。本發(fā)明的金屬納米粒子充分滿足該要求。此外，大于100nm的粒子由于自重而產(chǎn)生沉降現(xiàn)象，不能得到良好的分散性。通過本發(fā)明的具有導(dǎo)電性的金屬細(xì)線或金屬薄膜的形成方法，使用例如旋轉(zhuǎn)涂布法等涂布法將上述金屬納米粒子分散液涂布在各種基材上，干燥后焙燒。這時(shí)的干燥溫度只要是涂布液不能流動(dòng)的溫度即可，例如在50～100℃下是足夠的。此外，焙燒溫度為例如140～300℃，優(yōu)選140℃～220℃，能夠?qū)崿F(xiàn)充分實(shí)用的導(dǎo)電率。實(shí)施例1選擇油酸銀作為有機(jī)酸鹽、辛胺的銀配位化合物作為胺配位化合物。首先，將28g油酸銀、12g辛胺的銀配位化合物加入到非極性溶劑中，得到均勻的液體。然后，向上述油酸銀與辛胺銀配位化合物的溶液中加入0.1g還原劑溶液(其中，該還原劑溶液是通過在甲醇中溶解10％的二甲基胺基硼烷得到的)，使其發(fā)生反應(yīng)。在添加還原劑溶液后，液體的顏色從透明變成茶色，確認(rèn)形成了金屬膠體。由于此時(shí)存在硼等雜質(zhì)，因而向該反應(yīng)液中加入去離子水，激烈攪拌后靜置一晚，僅回收上清液。進(jìn)而，為了除去對(duì)熱分解產(chǎn)生影響的過量的油酸或辛胺，通過超濾進(jìn)行濃縮，使用甲苯作為非極性溶劑進(jìn)行濃度調(diào)整，制備成濃度為35重量％的Ag的分散液。該Ag納米粒子的粒徑為5nm。通過旋轉(zhuǎn)涂布法將該分散液涂布在基板(玻璃)上，通過100℃干燥、250℃焙燒，制成銀的薄膜。測(cè)定該薄膜的表面電阻，在0.3μm的膜厚下得到電阻率為3.6×10-6Ω·cm。實(shí)施例2除了使用亞油酸銀作為有機(jī)酸鹽、并且使用辛胺的銀配位化合物作為胺配位化合物之外，通過與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行銀納米粒子的合成、成膜、評(píng)價(jià)。這時(shí)的電阻值在0.3μm的膜厚下的電阻率為3.6×10-6Ω·cm。使用下表1所示的原料，通過與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行金屬納米粒子的合成、成膜，評(píng)價(jià)。(表1)<tablesid="table1"num="001"><tablewidth="828">實(shí)施例有機(jī)酸鹽胺還原劑金屬濃度(％)膜厚(μm)電阻值(Ω·cm)3癸酸銀己胺-銀叔丁基胺基硼烷350.303.2×10-64癸烯酸銀辛胺-銀硼氫化鈉350.354.8×10-65油酸銀十二烷基胺-銀二甲基胺基硼烷350.354.2×10-66庚酸銀庚胺-銀二甲基胺基硼烷350.353.5×10-67辛酸銀己胺-銀叔丁基胺基硼烷350.254.0×10-68壬酸銀癸胺-銀硼氫化鈉350.303.3×10-69油酸銀2-乙基己基胺-銀CO氣體350.253.6×10-610癸酸銀1-氨基十一烷-銀H2氣體350.304.0×10-611癸烯酸銀己胺-銀CO+N2氣體350.253.8×10-612亞油酸銀辛胺-銀H2+N2氣體350.253.5×10-613亞麻酸銀庚胺-銀叔丁基胺基硼烷350.303.2×10-614己酸銀己胺-銀硼氫化鈉350.303.8×10-615十二烷酸銀癸胺-銀二甲基胺基硼烷350.253.5×10-616油酸銀庚胺-銀叔丁基胺基硼烷350.253.9×10-617癸酸金己胺-金CO+N2氣體350.304.0×10-618癸烯酸金1-氨基十一烷-金H2氣體350.253.4×10-619亞油酸金庚胺-金二甲基胺基硼烷350.253.6×10-620亞麻酸金辛胺-金叔丁基胺基硼烷350.303.9×10-621己酸金癸胺-金叔丁基胺基硼烷350.303.5×10-622十二烷酸金己胺-金H2+N2氣體350.253.8×10-623油酸金庚胺-金硼氫化鈉350.253.2×10-6</table></tables>使用實(shí)施例5所示的油酸銀、十二烷基胺銀配位化合物制造的銀納米粒子的TOF-SIMS分析的結(jié)果如圖1所示。從該結(jié)果可以確認(rèn)在金屬表面附著了油酸銀(Oleicacid+Ag)或十二烷基胺銀(Dodecylamine+Ag)。比較例1相對(duì)于10％的硝酸鹽水溶液，使用高分子類的Sorsperse24000(ソルスパ一ス，商品名，Zeneka公司制造)作為分散劑，使用二乙醇胺作為還原劑，通過與實(shí)施例1相同的方法制成銀納米粒子分散液。在反應(yīng)后，將最終的濃度調(diào)整到35％。通過旋轉(zhuǎn)涂布法將該分散液涂布在基板上，通過100℃干燥、250℃焙燒，制成銀的薄膜。測(cè)定該薄膜的表面電阻，在0.3μm的膜厚下電阻率為7×10-2Ω·cm。比較例2將0.44g合成甘氨酸和3.2g硫酸亞鐵七水合物溶于90mL離子交換水中，使用氫氧化鈉水溶液(和光純藥工業(yè)公司制，使用離子交換水將特級(jí)試劑調(diào)整到適當(dāng)濃度的溶液)將pH調(diào)整為7后，加入離子交換水使得總量達(dá)到128mL。接著，在室溫下使用磁力攪拌器攪拌，同時(shí)向其中滴加2mL包含1g硝酸銀的水溶液，制成金屬含量為大約5g/L的銀膠體液。這時(shí)，相對(duì)于1g銀的甘氨酸的量為0.69g。為了降低上述銀膠體液的濃度，通過超濾進(jìn)行高濃度化，在此過程中發(fā)生凝聚。此外，為了得到充分的導(dǎo)電性，必須獲得必要的膜厚，在該濃度下，必須進(jìn)行10次或更多次的涂布。工業(yè)實(shí)用性包含本發(fā)明的金屬納米粒子的分散液的金屬濃度非常高，因此能夠減少成膜次數(shù)，同時(shí)通過低溫焙燒處理可實(shí)現(xiàn)充分實(shí)用的導(dǎo)電率。該金屬納米粒子分散液，例如，可以用于電氣電子工業(yè)等領(lǐng)域的平板顯示器等顯示設(shè)備或印刷線路領(lǐng)域的金屬配線等的制造。權(quán)利要求1.金屬納米粒子，其特征在于在各個(gè)金屬的周圍附著有作為分散劑的有機(jī)金屬化合物。2.如權(quán)利要求1所述的金屬納米粒子，其特征在于該金屬有機(jī)化合物包含選自貴金屬和過渡金屬的至少1種的金屬或者由這些金屬的至少2種構(gòu)成的合金。3.如權(quán)利要求1或2所述的金屬納米粒子，其特征在于上述有機(jī)金屬化合物為脂肪酸的有機(jī)金屬化合物、胺的金屬配位化合物、或脂肪酸的有機(jī)金屬化合物與胺的金屬配位化合物的混合物。4.如權(quán)利要求3所述的金屬納米粒子，其特征在于上述脂肪酸為選自具有直鏈或支鏈結(jié)構(gòu)的C6～C22的飽和脂肪酸和不飽和脂肪酸的至少1種脂肪酸。5.如權(quán)利要求4所述的金屬納米粒子，其特征在于上述脂肪酸為選自己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十一烷酸、十二烷酸、十四烷酸、二十烷酸、二十二烷酸、2-乙基己酸、油酸、亞油酸、亞麻酸的至少1種脂肪酸。6.如權(quán)利要求3所述的金屬納米粒子，其特征在于上述胺為具有直鏈或支鏈結(jié)構(gòu)的脂肪胺。7.如權(quán)利要求6所述的金屬納米粒子，其特征在于上述胺為選自己胺、庚胺、辛胺、癸胺、十二烷胺、2-乙基己胺、1，3-二甲基正丁胺、1-氨基十一烷、1-氨基十三烷的至少1種胺。8.如權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述的金屬納米粒子，其特征在于上述金屬納米粒子的大小為1nm～100nm。9.金屬納米粒子的制造方法，其特征在于將權(quán)利要求4或5所述的脂肪酸的有機(jī)金屬化合物、權(quán)利要求6或7所述的胺的金屬配位化合物、或者該有機(jī)金屬化合物與該金屬配位化合物的混合物溶解于非極性溶劑中，通過向該液體中加入還原劑進(jìn)行還原處理，得到金屬納米粒子。10.如權(quán)利要求9所述的金屬納米粒子的制造方法，其特征在于進(jìn)一步通過導(dǎo)入氫氣、一氧化碳?xì)?、含有氫氣的氣體、或者含有一氧化碳的氣體進(jìn)行還原處理。11.如權(quán)利要求9或10所述的金屬納米粒子的制造方法，其特征在于在上述還原處理后，進(jìn)一步加入去離子水，攪拌、靜置，將雜質(zhì)轉(zhuǎn)移到極性溶劑中，降低非極性溶劑中的雜質(zhì)濃度。12.如權(quán)利要求9～11任一項(xiàng)所述的金屬納米粒子的制造方法，其特征在于上述金屬納米粒子的大小為1nm～100nm。13.金屬納米粒子分散液，其特征在于濃縮含有通過如權(quán)利要求9～12任一項(xiàng)所述的制造方法得到的金屬納米粒子的分散液，并通過將該金屬納米粒子再分散，使得金屬納米粒子的濃度范圍達(dá)到5重量％～90重量％。14.如權(quán)利要求13所述的金屬納米粒子分散液，其特征在于上述金屬納米粒子的大小為1nm～100nm。15.金屬納米粒子分散液的制造方法，其特征在于濃縮含有通過如權(quán)利要求9～12任一項(xiàng)所述的制造方法得到的金屬納米粒子的分散液，并通過將該金屬納米粒子再分散，得到金屬納米粒子的濃度范圍為5重量％～90重量％的金屬納米粒子分散液。16.如權(quán)利要求15所述的金屬納米粒子分散液的制造方法，其特征在于上述金屬納米粒子的大小為1nm～100nm。17.金屬細(xì)線或金屬薄膜的形成方法，其特征在于將含有如權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的金屬納米粒子的分散液、含有通過如權(quán)利要求9～12任一項(xiàng)所述的制造方法得到的金屬納米粒子的分散液、如權(quán)利要求13或14所述的分散液、或者通過如權(quán)利要求15或16所述的制造方法得到的金屬納米粒子分散液涂布在基材上，干燥后焙燒，形成具有導(dǎo)電性的金屬細(xì)線或金屬薄膜。18.如權(quán)利要求17所述的金屬細(xì)線或金屬薄膜的形成方法，其特征在于上述焙燒溫度為140～300℃。19.通過如權(quán)利要求17或18所述的形成方法得到的金屬細(xì)線。20.通過如權(quán)利要求17或18所述的形成方法得到的金屬薄膜。全文摘要本發(fā)明涉及金屬納米粒子及其制造方法，金屬納米粒子分散液及其制造方法、以及金屬細(xì)線和金屬薄膜及其制造方法。該金屬納米粒子在各個(gè)金屬的周圍附著有作為分散劑的有機(jī)金屬化合物。該金屬有機(jī)化合物包含選自貴金屬和過渡金屬的至少1種的金屬或由這些金屬的至少2種形成的合金，是脂肪酸的有機(jī)金屬化合物、胺的金屬配位化合物或脂肪酸的有機(jī)金屬化合物與胺的金屬配位化合物的混合物。通過將該有機(jī)金屬化合物和胺的金屬配合物混合，接著進(jìn)行還原處理，得到包含5重量％～90重量％的濃度的金屬納米粒子的分散液。通過將該分散液涂布在基材上，并在干燥后低溫焙燒，形成具有導(dǎo)電性的金屬細(xì)線或金屬薄膜。文檔編號(hào)B01J19/00GK1849260SQ20048002595公開日2006年10月18日申請(qǐng)日期2004年9月7日優(yōu)先權(quán)日2003年9月9日發(fā)明者厚木勉,小田正明,林年治,清島禮子申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛發(fā)科,日本電材化成股份有限公司