專利名稱：全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于半導體制造輔助設備，特別是一種全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)。
背景技術：
半導體工業(yè)，包含微處理器、存儲器、集成電路等高科技電器元件儼然成為現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展中心，但半導體工業(yè)需大量用水、用電的需求及危險性、有害性化學品的使用。
尤其在制造過程中，需要使用大量有危險性及有害性化學藥劑，如甲基三乙氧基矽烷(TEOS)、氫氟酸(HF)、氮氧化物(NOX)、磷化氫(PH3)砷化氫(AsH3)及全氟化合物(PFC)等有害性物質(zhì)，而全氟化合物(Per FluorineCompound簡稱PFC)，如三氟化氮(NF3)、六氟化硫(SF6)、四氟化碳(CF4)、C3F8及C2F6等有毒物質(zhì)，若無妥善處理而直接排于大氣中，不僅對環(huán)境造成污染，更造成溫室效應的擴大。
因而，在制程中，必須利用廢氣處理設備對制造后所產(chǎn)生的有毒氣體進行處理。如圖1所示，傳統(tǒng)的廢氣處理設備概分為兩類一者為單一式的處理設備，一種為復合式的處理設備。
單一式處理設備包含電熱式、水洗式、觸媒式、電漿式、吸附式、燃燒式。
復合式處理設備主要將兩種以上單一式處理設備加以結合，如電熱加水洗及吸附加水洗等復合式處理設備。
然，不論單一式處理設備，如水洗式，或復合式，如電熱加水洗式處理設備，僅針對制程中所產(chǎn)生的廢氣進行處理，但卻無法有效地去除廢氣中夾帶的的全氟化合物(PFC)，而單用觸媒式卻無法有效處理除(PFC)以外其它半導體制程廢氣，而無法廣泛應用于半導體工業(yè)中廢氣的處理。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能去除廢氣中夾帶的全氟化合物、降低對環(huán)境污染、適用范圍廣的全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)。
本發(fā)明設置于廢氣處理設備的一側；其包含基臺本體及設置于基臺本體外部的進、排氣管；進氣管與廢氣處理設備連接；排氣管接設用以將基臺本體內(nèi)部的氣體排出的抽氣單元；基臺本體內(nèi)部設有集水箱、與基臺本體外部進氣管連接的前段冷凝管、觸媒處理單元、水處理單元及與基臺外部的排氣管連接的后段冷凝管；集水箱包括與前段冷凝管及觸媒單元連接連接的第一集水箱及與水處理單元及后段冷凝管連接的第二集水箱；觸媒單元與水處理單元之間以管路連接。
其中觸媒處理單元內(nèi)部設有觸媒管。
水處理單元內(nèi)部設有噴水管及吸附元件。
水處理單元區(qū)隔為上、下層，且各層中連接設有噴水管及吸附元件。
吸附元件為由陶瓷構成，第一集水箱及第二集水箱分別利用導接管與廢氣處理設備連接。
進氣管與排氣管之間連接設有氣動閥；進氣管與前段冷凝管、排氣管與后段冷凝管之間皆連接設有手動閥。
進氣管外側設置用以偵測進氣管內(nèi)部的壓力的壓力偵測器。
觸媒處理單元外側進一步設有用以感測觸媒處理單元內(nèi)部溫度的溫度感測器。
后段冷凝管外側進一步設有用以檢測是否有殘留含有全氟化合物氣體未被完全的解離的氣體偵測器。
基臺本體一側設置用以控制基臺本體內(nèi)部的各動作元件的控制單元。
控制單元上進一步設置數(shù)個控制按鈕。
由于本發(fā)明設置于廢氣處理設備的一側；其包含基臺本體及設置于基臺本體外部的進、排氣管；進氣管與廢氣處理設備連接；排氣管接設用以將基臺本體內(nèi)部的氣體排出的抽氣單元；基臺本體內(nèi)部設有集水箱、與基臺本體外部進氣管連接的前段冷凝管、觸媒處理單元、水處理單元及與基臺外部的排氣管連接的后段冷凝管；集水箱包括與前段冷凝管及觸媒單元連接連接的第一集水箱及與水處理單元及后段冷凝管連接的第二集水箱；觸媒單元與水處理單元之間以管路連接。使用時，將本發(fā)明設置于廢氣處理設備的一側，當經(jīng)由廢氣處理設備處理后含有全氟化合物的氣體經(jīng)由進氣管進入基臺本體內(nèi)部時，利用前段冷凝管將含有全氟化合物氣體內(nèi)所夾帶的水氣轉換為水溶狀態(tài)，使水溶液留滯于第一集水箱中，而使含有全氟化合物的氣體得以保持干燥進入觸媒處理單元，借以將含有全氟化合物氣體進行解離；爾后，經(jīng)過解離后的氣體，再經(jīng)由管路引導至水處理單元內(nèi)部，以對解離后的副產(chǎn)物進行水處理，并予以降溫；然后將無毒性氣體及水分導引至第二集水箱中，使水分得以留滯于第二集水箱中，最后再經(jīng)由后段冷凝管解決所夾帶的水氣，并利用抽氣單元將無毒性的氣體經(jīng)由排氣管排于大氣中，據(jù)以使排出后的氣體不會對環(huán)境及人體造成危害。不僅能去除廢氣中夾帶的全氟化合物、降低對環(huán)境污染，而且適用范圍廣，從而達到本發(fā)明的目的。


圖1、為習知的廢氣處理設備結構示意立體圖。
圖2、為本發(fā)明使用狀態(tài)示意圖。
圖3、為本發(fā)明結構示意立體圖。
圖4、為本發(fā)明結構示意剖視圖。
具體實施例方式
本發(fā)明為設置于如圖1所示的廢氣處理設備1的一側。如圖2、圖3所示，本發(fā)明包含基臺本體10，基臺本體10的外部設有進氣管11及排氣管12。進氣管11與廢氣處理設備1連接，用以導引廢氣處理設備1所排出的氣體。排氣管12接設抽氣單元13，用以將基臺本體10內(nèi)部的氣體排出。
如圖4所示，基臺本體10內(nèi)部設有集水箱14、與基臺本體10外部進氣管11連接的前段冷凝管15、觸媒處理單元16、水處理單元17及與基臺外部10的排氣管12連接的后段冷凝管18。
集水箱14包括與前段冷凝管15及觸媒單元連接16連接的第一集水箱141及與水處理單元17及后段冷凝管18連接的第二集水箱142；觸媒單元16與水處理單元17之間以管路19連接。
觸媒處理單元16內(nèi)部設有觸媒管161。
水處理單元17內(nèi)部設有噴水管171及吸附元件171。
第一集水箱141及第二集水箱142分別利用導接管20與廢氣處理設備1連接。
據(jù)以，當經(jīng)由廢氣處理設備1處理后含有全氟化合物(PFC)的氣體(如NF3、SF6、C2F6等氣體)經(jīng)由進氣管11進入基臺本體10內(nèi)部時，利用前段冷凝管15將含有全氟化合物(PFC)氣體內(nèi)所夾帶的水氣轉換為水溶狀態(tài)，使水溶液留滯于第一集水箱141中，而使含有全氟化合物(PFC)的氣體得以保持干燥進入觸媒處理單元16，并利用觸媒處理單元16內(nèi)部的觸媒管161將含有全氟化合物(PFC)，如NF3、SF6、C2F6氣體進行解離，其化學式如下所示
爾后，經(jīng)過解離后的氣體，再經(jīng)由管路19引導至水處理單元17內(nèi)部，由于水處理單元17內(nèi)部設置噴水管171及吸附元件172(本實施例中將水處理單元17區(qū)隔為上、下層，且各層中連接設有噴水管171及吸附元件172)，俾可借由噴水管171進行灑水作業(yè)，而對解離后的副產(chǎn)物，如HF、F2、NOX、SOX、Si FX等氣體進行水處理，并予以降溫，其化學式如下HF(g)→HF(ag)
經(jīng)由觸媒處理單元16解離后的HF、F2、Si FX等氣體，再經(jīng)由水處理單元17將其轉換為如HF(ag)、O2等無毒性氣體后，將無毒性氣體及水分導引至第二集水箱142中，使水分得以留滯于第二集水箱142中，最后再經(jīng)由后段冷凝管18解決所夾帶的水氣，并利用抽氣單元13將無毒性的氣體經(jīng)由排氣管12排于大氣中，據(jù)以使排出后的氣體不會對環(huán)境及人體造成危害。
如上所述，由于水處理單元17內(nèi)部設有吸附元件172，且吸附元件172為由陶瓷(即拉西環(huán))構成，俾可借由吸附元件172增加水與解離后的氣體，如HF、F2、Si FX等氣體的接觸面積及滯留時間，使解離后的氣體，如HF、F2、Si FX等氣體得以完全于水處理單元17中被分解為無毒氣體。
此外，如圖2、圖3、圖4所示，進氣管11與排氣管12之間連接設有氣動閥30。氣動閥30平常使用時呈關閉狀態(tài)，而進氣管11與前段冷凝管15、排氣管12與后段冷凝管18之間皆連接設有手動閥40。手動閥40平常使用時呈開啟狀態(tài)。借此，當基臺本體10內(nèi)部發(fā)生故障的情形或進行保養(yǎng)或更換觸媒管161時，得以利用將手動閥40截斷進氣管11與前段冷凝管15及排氣管12與后段冷凝管18之間的通路，強迫氣體由氣動閥導30引至排氣管12而排出，進而避免造成基臺本體10內(nèi)部損壞。
且進氣管11外側進一步設置壓力偵測器50，用以偵測進氣管11內(nèi)部的壓力。而觸媒處理單元16外側進一步設有溫度感測器60，用以感測觸媒處理單元18內(nèi)部的溫度，避免造成觸媒處理單元16溫度過高，造成觸媒處理單元16的毀損；同時，于后段冷凝管18外側進一步設有氣體偵測器70，用以檢測是否有殘留含有全氟化合物(PFC)的氣體未被完全的解離，以保持整體廢氣處理系統(tǒng)的的正常運作。
另外，在基臺本體10外側壁面上，設置控制單元80，控制單元80上進一步設置數(shù)個控制按鈕81，控制按鈕81用以控制基臺本體10內(nèi)部的各組件，以使整體廢氣處理系統(tǒng)在使用上得以更加便利。
權利要求
1.一種全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)，它設置于廢氣處理設備的一側；其特征在于它包含基臺本體及設置于基臺本體外部的進、排氣管；進氣管與廢氣處理設備連接；排氣管接設用以將基臺本體內(nèi)部的氣體排出的抽氣單元；基臺本體內(nèi)部設有集水箱、與基臺本體外部進氣管連接的前段冷凝管、觸媒處理單元、水處理單元及與基臺外部的排氣管連接的后段冷凝管；集水箱包括與前段冷凝管及觸媒單元連接連接的第一集水箱及與水處理單元及后段冷凝管連接的第二集水箱；觸媒單元與水處理單元之間以管路連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)，其特征在于所述的觸媒處理單元內(nèi)部設有觸媒管。
3.根據(jù)權利要求1所述的全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)，其特征在于所述的水處理單元內(nèi)部設有噴水管及吸附元件。
4.根據(jù)權利要求3所述的全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)，其特征在于所述的水處理單元區(qū)隔為上、下層，且各層中連接設有噴水管及吸附元件。
5.根據(jù)權利要求3所述的全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)，其特征在于所述的吸附元件為由陶瓷構成，
6.根據(jù)權利要求1所述的全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)，其特征在于所述的第一集水箱及第二集水箱分別利用導接管與廢氣處理設備連接。
7.根據(jù)權利要求1所述的全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)，其特征在于所述的進氣管與排氣管之間連接設有氣動閥；進氣管與前段冷凝管、排氣管與后段冷凝管之間皆連接設有手動閥。
8.根據(jù)權利要求1所述的全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)，其特征在于所述的進氣管外側設置用以偵測進氣管內(nèi)部的壓力的壓力偵測器。
9.根據(jù)權利要求1所述的全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)，其特征在于所述的觸媒處理單元外側進一步設有用以感測觸媒處理單元內(nèi)部溫度的溫度感測器。
10.根據(jù)權利要求1所述的全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)，其特征在于所述的后段冷凝管外側進一步設有用以檢測是否有殘留含有全氟化合物氣體未被完全的解離的氣體偵測器。
11.根據(jù)權利要求1所述的全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)，其特征在于所述的基臺本體一側設置用以控制基臺本體內(nèi)部的各動作元件的控制單元。
12.根據(jù)權利要求11所述的全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)，其特征在于所述的控制單元上進一步設置數(shù)個控制按鈕。
全文摘要
一種全氟化合物廢氣加強處理系統(tǒng)。為提供一種能去除廢氣中夾帶的全氟化合物、降低對環(huán)境污染、適用范圍廣的半導體制造輔助設備，提出本發(fā)明，它設置于廢氣處理設備的一側；其包含基臺本體及設置于基臺本體外部的進、排氣管；進氣管與廢氣處理設備連接；排氣管接設用以將基臺本體內(nèi)部的氣體排出的抽氣單元；基臺本體內(nèi)部設有集水箱、與基臺本體外部進氣管連接的前段冷凝管、觸媒處理單元、水處理單元及與基臺外部的排氣管連接的后段冷凝管；集水箱包括與前段冷凝管及觸媒單元連接連接的第一集水箱及與水處理單元及后段冷凝管連接的第二集水箱；觸媒單元與水處理單元之間以管路連接。
文檔編號B01D53/86GK1718273SQ20041006236
公開日2006年1月11日 申請日期2004年7月6日 優(yōu)先權日2004年7月6日
發(fā)明者陳怡蓉 申請人:陳怡蓉