本實(shí)用新型涉及分離裝置，具體涉及一種有機(jī)硅單體分離裝置。

背景技術(shù)：

在硅器件的制造中，存在著將硅錠切斷而形成硅晶片的工序、研磨硅晶片的工序、以及在硅晶片的表面在呈格子狀地排列的大量區(qū)域中形成IC(Integrated Circuit：集成電路)、LSI(large scale integration：大規(guī)模集成電路)等電路并將各區(qū)域沿預(yù)定的間隔道(切斷線)切斷而形成一個(gè)一個(gè)的硅芯片的工序等。在這些工序中，例如為了冷卻切削刀具、加工點(diǎn)、研磨部分等、或者沖走硅屑而采用了水。

近些年，出于水的再利用、硅的再利用的觀點(diǎn)，希望有將含有硅屑的廢液分離為硅屑和不含硅的水的技術(shù)。硅屑是細(xì)微的顆粒，以懸濁的狀態(tài)包含在廢液中。作為該種的現(xiàn)有技術(shù)，已知進(jìn)行過(guò)濾和離心分離的物理方法、以及使用藥品的化學(xué)方法。然而，在已知的物理方法中，存在著在過(guò)濾時(shí)發(fā)生網(wǎng)眼堵塞、或者硅顆粒穿過(guò)的問(wèn)題。特別是在離心分離法中，存在著硅顆粒相對(duì)于水分的濃度過(guò)稀而使離心分離的效率差的情況。此外，在如上所述的化學(xué)方法中，由于使用藥品，因此存在著難以將液體再利用的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型正是鑒于上述情況而做出的，其目的在于提供一種有機(jī)硅單體分離裝置，其能夠高效地將含有機(jī)硅的廢液以容易再利用的狀態(tài)分離為硅屑和水。

本實(shí)用新型提供了一種有機(jī)硅單體分離裝置，其特征在于，它包括一水槽1，和配置于所述水槽1中的硅分離裝置2，所述水槽1的上方設(shè)置有廢液管3，所述硅分離裝置2包括一吸附板4，以及限制裝置5，所述限制裝置5內(nèi)垂直設(shè)有一限制板6，所述吸附板4與該限制板6對(duì)稱地配設(shè)，所述限制裝置5包括一殼體7，以及一出口管道8，所述出口管道8配置在殼體7內(nèi)，所述出口管道8位于水槽1與配置有廢液管3的區(qū)域遠(yuǎn)離的一側(cè)的側(cè)壁，此外，所述有機(jī)硅單體分離裝置具有電壓施加電路9，該電壓施加電路9使所述吸附板4為陽(yáng)極，使所述限制板6為陰極。

進(jìn)一步地，所述廢液管3底部設(shè)有廢液管嘴10。

進(jìn)一步地，吸附板4優(yōu)選由銅形成。

進(jìn)一步地，所述限制板6設(shè)置在與吸附板4相距5mm的距離，所述限制板6與吸附板4平行。

進(jìn)一步地，所述限制板6為200根/厘米的網(wǎng)狀物。

本實(shí)用新型產(chǎn)生的有益效果：利用電場(chǎng)中異性相吸原理對(duì)有機(jī)硅起到吸附作用，能夠高效地將含有有機(jī)硅的廢液以易于再利用的狀態(tài)分離為有機(jī)硅和水；該分離裝置對(duì)于通過(guò)硅的切斷、分離等產(chǎn)生的廢液的再利用是有用的，特別適用于半導(dǎo)體加工領(lǐng)域。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

各附圖中的標(biāo)號(hào)表示如下：

1.水槽；

2.硅分離裝置；

3.廢液管；

4.吸附板；

5.限制裝置；

6.限制板；

7.殼體；

8.出口管道；

9.電壓施加電路；

10廢液管嘴。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。

一種有機(jī)硅單體分離裝置，包括水槽1，其貯留水中含有硅屑的廢液；以及硅分離機(jī)構(gòu)2，其配置在該水槽1內(nèi)。水槽1是上部敞開的長(zhǎng)方體形狀的容器，在該水槽1的上方配置有廢液管3的廢液管嘴10，從該嘴供給廢液。此外，在水槽1的、與配置有廢液管嘴10的區(qū)域遠(yuǎn)離的一側(cè)的側(cè)壁，設(shè)有將除去了硅屑的水運(yùn)出到外部的出口管道8。

硅分離裝置2設(shè)有一吸附板4，其配置在水槽1內(nèi)并在廢液中吸附硅屑；以及限制板6，其以與吸附板4對(duì)置的方式分離配置，僅容許廢液中的水的穿過(guò)而限制硅屑的穿過(guò)。硅在水中帶負(fù)電，由此，為了吸附帶負(fù)電的硅屑而使吸附板4帶正電，限制板6帶負(fù)電，以便產(chǎn)生斥力使硅屑不與其靠近。在本實(shí)施方式中，設(shè)有作為電場(chǎng)形成構(gòu)件的電壓施加電路9，以使吸附板4為陽(yáng)極，使限制板6為陰極，從而形成電場(chǎng)。

吸附板4優(yōu)選由電化學(xué)上的貴材料形成，可以列舉出銅、銀、鉑、金等，吸附板4沿水槽1的一個(gè)側(cè)壁的內(nèi)壁進(jìn)行配置。限制板6配置成與吸附板4相距例如5mm左右的距離地與吸附板4大致平行，由于距離變遠(yuǎn)則電場(chǎng)減弱，因此在確保吸附板4的硅吸附力的方面時(shí)應(yīng)盡量接近。限制板6在水槽1內(nèi)將穿過(guò)了該板的水分隔開來(lái)，收納穿過(guò)了限制板6的水的分隔區(qū)域和出口管道8構(gòu)成限制裝置5。

限制板6與上述的吸附板4優(yōu)選由電化學(xué)上的貴材料即銅(Cu)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)等形成，限制板6為網(wǎng)眼狀的結(jié)構(gòu)，限制板6為200根/厘米的網(wǎng)狀物。在水槽內(nèi)的吸附板4和限制板6之間，一邊供給廢液，一邊由電壓施加電路9向吸附板4和限制板6施加電壓來(lái)形成電場(chǎng)。在硅分離裝置2中，吸附板4吸附廢液中的硅屑，限制板6利用斥力使廢液中的硅屑不靠近。限制板6使廢液中的硅屑無(wú)法穿過(guò)而僅使水穿過(guò)，通過(guò)過(guò)了限制板4的水貯留在由限制板4分隔出的區(qū)域中，并能夠從出口管道8運(yùn)出到外部來(lái)進(jìn)行再利用，被吸附于吸附板4的硅屑能夠在將吸附板4從水槽1中拉出并干燥，從吸附板4刮落來(lái)實(shí)現(xiàn)再利用。

在本實(shí)施方式中，能夠高效地將含有機(jī)硅的廢液以容易再利用的狀態(tài)分離為硅和水。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型具體實(shí)施只局限于上述這些說(shuō)明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。