本發(fā)明涉及用于對納米壓印用模板的表面進行光清洗處理的紫外線處理裝置。

背景技術(shù)：

以往，作為用于去除附著在納米壓印用模板表面的抗蝕劑殘渣的光清洗裝置，如圖5所示，提案了具有沿著兩側(cè)面的各側(cè)面的上緣部65a設(shè)置供氣體流通的矩形筒狀的氣體流動路徑部件65的殼體60的結(jié)構(gòu)的光清洗裝置(參照專利文獻1)。

在納米壓印用模板的光清洗處理中，使用波長短的紫外線，例如作為氙準分子燈發(fā)光的波長172nm的紫外線。這種波長短的紫外線具有容易被空氣吸收的特性，因此，為了提高清洗能力以及清洗效率，需要減小照射紫外線的紫外線照射窗61與模板之間的距離。

然而，在上述的沿著上緣部65a設(shè)置了氣體流動路徑部件65的結(jié)構(gòu)的光清洗裝置中，存在如下的問題：由于不能將設(shè)置在該氣體流動路徑部件65的氣體供給口減小到一定程度，因此難以使紫外線照射窗與模板之間的距離減小。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：特開2011-155160號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了減小紫外線照射窗與模板之間的距離，例如考慮了將紫外線照射窗與氣體供給口設(shè)置在同一平面上的結(jié)構(gòu)。

然而，在這種結(jié)構(gòu)的光清洗裝置中，產(chǎn)生了在紫外線照射窗與模板之間形成的被處理空間中、難以使處理氣體平面性地以較高的均勻性擴散這樣的問題。

本發(fā)明是基于以上的問題而做出的，目的在于提供一種能夠使紫外線照射窗與被處理物之間的距離減小，而且使處理氣體在形成于紫外線照射窗與被處理物之間的被處理空間中能夠以平面性高均勻性地擴散而流通的紫外線處理裝置。

本發(fā)明的紫外線處理裝置具有：紫外線燈，放射紫外線；平面部件，具有大致矩形的平面區(qū)域；平板部分，設(shè)置于該平面部件，沿著所述平面區(qū)域的一邊以及與該一邊接連的兩邊以比該平面區(qū)域突出的狀態(tài)延伸；保持部件，在平板狀的被處理物與所述平板部分的表面之間形成間隙的狀態(tài)下，保持平板狀的被處理物；處理氣體供給口，沿著所述平面區(qū)域的所述一邊設(shè)置；處理氣體排出口，在與所述平面區(qū)域的所述一邊對置的另一邊，載置所述被處理物從而形成；以及紫外線照射窗，設(shè)置在所述平面部件的所述平面區(qū)域中的與所述處理氣體供給口相比靠近另一邊側(cè)、且所述處理氣體供給口與所述處理氣體排出口之間，照射來自所述紫外線燈的紫外線。

在本發(fā)明的紫外線處理裝置中，所述處理氣體排出口能夠為通過開放與所述平面區(qū)域的所述一邊對置的另一邊而形成的結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的紫外線處理裝置中，優(yōu)選的是，所述平板部分的表面與被處理物之間所形成的間隙的大小為0.1～3mm的范圍。

發(fā)明的效果

本發(fā)明的紫外線處理裝置為如下結(jié)構(gòu)，紫外線照射窗與氣體供給口被設(shè)置在相同的平面區(qū)域上，而且該平面區(qū)域的三方通過平板部分被包圍，并且，在剩余的一方形成有處理氣體排出口。因此，能夠使紫外線照射窗與被處理物之間的距離非常小，而且，能夠使處理氣體在紫外線照射窗與被處理物之間所形成的被處理空間中以平面性高均勻性地擴散而流通。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的紫外線處理裝置的一例中的結(jié)構(gòu)的平面圖。

圖2是表示在圖1所示的紫外線處理裝置中載置了被處理物的狀態(tài)的平面圖。

圖3是表示在載置有被處理物的狀態(tài)下圖1所示的紫外線處理裝置的A-A線剖面的剖面圖。

圖4是表示在載置有被處理物的狀態(tài)下圖1所示的紫外線處理裝置的B-B線剖面的剖面圖。

圖5是表示以往的紫外線處理裝置的一例中的結(jié)構(gòu)的立體圖。

符號的說明

10平面部件；11紫外線照射窗；12平面區(qū)域；12v、12x、12y、12z邊；13保持部件；14平板部分；14X縱堤部分；14Y、14Z橫堤部分；15處理氣體供給口；20處理氣體排出口；30紫外線燈；31紫外線燈室；60殼體；61紫外線照射窗；65氣體流動路徑部件；65a上緣部；S被處理空間；W被處理物。

具體實施方式

以下，詳細說明本發(fā)明的實施方式。

圖1是表示本發(fā)明的紫外線處理裝置的一例的結(jié)構(gòu)的平面圖，圖2是表示在圖1所示的紫外線處理裝置中載置有被處理物的狀態(tài)的平面圖，圖3是表示在載置有被處理物的狀態(tài)下圖1所示的紫外線處理裝置的A-A線剖面的剖面圖，圖4是表示在載置有被處理物的狀態(tài)下圖1所示的紫外線處理裝置的B-B線剖面的剖面圖。

該紫外線處理裝置被用于例如將納米壓印用模板作為被處理物而對其表面進行光清洗處理。

該紫外線處理裝置，在具有大致矩形的平面區(qū)域12的平面部件10的該平面區(qū)域12上，同時設(shè)置有紫外線照射窗11以及處理氣體供給口15。并且，在平面部件10上，沿著平面區(qū)域12的一邊(圖1中的左邊)12x以及與其連續(xù)的兩邊(圖1中的上邊以及下邊)12y、12z，設(shè)置有以比該平面區(qū)域12突出的狀態(tài)延伸的、在俯視時呈日語的コ字形狀的平板部分14。具體而言，具有：從平面區(qū)域12的一邊12x連續(xù)地延伸的縱堤部分14X，從與該一邊12x連續(xù)的兩邊12y以及12z分別連續(xù)地延伸的橫堤部分14Y、14Z，通過其一體地連續(xù)從而形成日語的コ字形狀。進而，平面部件10中的與平面區(qū)域12的一邊12x對置的另一邊(圖1中的右邊)12v沒有閉塞而是開放，以通過載置被處理物W從而堵塞平面區(qū)域12的上部(圖4中的上部)形成處理氣體排出口20。

在平面部件10的四角分別形成有保持部件13，在平板狀的被處理物W被載置時、與平板部分14的表面之間形成有間隙的狀態(tài)下，該保持部件13保持該被處理物W。

另外，在本實施例中，示出了在平板部件10的四角設(shè)置有保持部件13的結(jié)構(gòu)，但是也可以不使用保持部件13而是通過吸附部件吸附被處理物W的背面來保持、在平板部分14的表面與被處理物W之間形成間隙的結(jié)構(gòu)。

總之，只要是以被處理物W與平板部分14的表面之間形成間隙的方式保持被處理物W的結(jié)構(gòu)，任何結(jié)構(gòu)，都可以相當(dāng)于本發(fā)明的保持部件。

處理氣體供給口15沿著平面區(qū)域12的一邊12x設(shè)置，例如為多個氣體供給孔(圖1中為3個)沿著該一邊12x排列的結(jié)構(gòu)。

在平面部件10的平面區(qū)域12中的與處理氣體供給口15相比靠近另一邊12v側(cè)，即處理氣體供給口15與形成于另一邊12v的處理氣體排出口20之間，設(shè)置有紫外線照射窗11。

在本發(fā)明的紫外線處理裝置中，平面部件10的下部設(shè)置有紫外線燈室31，在該紫外線燈室31中的與平面部件10的平面區(qū)域12的紫外線照射窗11對置的位置，配置有紫外線燈30。

作為平面部件10以及紫外線燈室31的材料，常使用具有耐紫外線性以及耐臭氧性的材料，例如能夠使用硬質(zhì)耐熱絕緣性鋁或SUS。

在本發(fā)明的紫外線處理裝置中，優(yōu)選的是，平板部分14的表面與被處理物W之間形成的間隙的大小h1，例如為0.1～3mm的范圍。如果該間隙的大小過大，則從處理氣體供給口15供給的處理氣體從該間隙向外部泄漏，結(jié)果有可能在平面區(qū)域12的紫外線照射窗11上不能使該處理氣體以高的均勻性流通。

此外，平板部分14從平面區(qū)域12的突出高度(圖4中的上下方向的高度)h2例如為0.8mm以下。

如果表示紫外線處理裝置的尺寸的一例，有平面部件10的大小為165mm×165mm，平板部分14的表面與被處理物W之間形成的間隙的大小h1為0.3mm，平面區(qū)域12與平板部分14的高度(圖4中的上下方向的高度)h2為0.7mm，平板部分14的縱堤部分14X的寬度(圖1中的左右方向的長度)為15mm，橫堤部分14Y、14Z的寬度(圖1中的上下方向的長度)分別為35mm、平面區(qū)域12的寬度(圖1中的上下方向的長度)為70mm，紫外線照射窗11的大小為60mm×60mm。

在這樣的紫外線處理裝置中，首先，被處理物W被載置于平面部件10的保持部件13上，由此形成了平面區(qū)域12的另一邊12v與被處理物W的一邊所包圍的處理氣體排出口20。

接著，處理氣體被從處理氣體供給口15向在紫外線照射窗11與被處理物W之間形成的被處理空間S供給，由于平面區(qū)域12與被處理物W之間的距離比平板部分14與被處理物W之間的距離h1大，該處理氣體一邊一點點地從平板部分14與被處理物W之間的間隙泄漏，一邊整體地朝向處理氣體排出口20穩(wěn)定地流通。通過處理氣體從平板部分14與被處理物W之間的間隙一點點地泄漏，產(chǎn)生針對來自外部的氣體的流動阻力，抑制外部氣體向被處理空間S的流入。而且，在該狀態(tài)下，通過使紫外線燈30點燈，從紫外線燈30的紫外線經(jīng)由紫外線照射窗11向被處理空間S以及被處理物W的被照射面照射，由此，進行被處理物W的光清洗處理。

在上述中，紫外線照射窗11與被處理物W之間的間隙中流通的處理氣體的供給量例如是0.1～10L/min。

此外，針對被處理物W的紫外線的照射時間例如是3～3600秒。

作為處理氣體，只要是通過照射紫外線產(chǎn)生臭氧的氣體即可，例如能夠使用CDA(Clean Dry Air，清潔干燥空氣)。

上述的紫外線處理裝置構(gòu)成為，紫外線照射窗11以及處理氣體供給窗口15被設(shè)置于相同的平面區(qū)域12上，而且，該平面區(qū)域12的三方被平板部分14包圍，并且剩余的一方形成處理氣體排出口20。因此，能夠使紫外線照射窗11與被處理物W之間的距離非常小，而且，能夠使處理氣體在被處理空間S中以平面性高均勻性擴散地流通，結(jié)果是能夠高效率地進行被處理物W的光清洗處理。

以上，說明了本發(fā)明的實施方式，但是本發(fā)明并不限定于上述實施方式，而是能夠加以各種變更。

例如，在本發(fā)明中，也可以是處理氣體供給口15是由沿著平面區(qū)域12的一邊12x延伸的狹縫構(gòu)成。

此外，例如，本發(fā)明的紫外線處理裝置的被處理物并不限定于納米壓印用模板，而是能夠適用于需要紫外線照射處理的各種被處理物。

以下，表示為了確認本發(fā)明的效果而進行的實驗，但是本發(fā)明并不限定于此。

【實施例1】

制作了圖1所示的紫外線處理裝置。紫外線處理裝置的各尺寸如下所示。將其作為紫外線處理裝置【1】。

·平面部件10的整體大?。?65mm×165mm

·平面區(qū)域12與平板部分14的高度h2：0.7mm

·縱堤部分14X的寬度：15mm

·橫堤部分14Y、14Z的寬度：35mm

·平面區(qū)域12的寬度：70mm

·紫外線照射窗11與被處理物W的距離：1mm

(·平板部分14的表面與被處理物W之間形成的間隙的大小h1:

0.3mm)

·紫外線照射窗11的大?。?0mm×60mm

使用上述的紫外線處理裝置【1】，以下述的光清洗處理條件(處理氣體的供給條件以及紫外線的照射條件)進行被處理物(模板)的光清洗處理時，被處理物(模板)上粘附的抗蝕劑的灰化(ashing)量不產(chǎn)生不均勻。

·處理氣體種類：CDA

·處理氣體的供給量：0.5L/min

·紫外線照射窗11的紫外線照度：70mW/cm²

·紫外線的照射時間：600秒

【比較例1】

在實施例1中使用的紫外線處理裝置中，除了使紫外線照射窗與被處理物的距離為3.8mm，即，平板部分的表面與被處理物之間形成的間隙的大小為3.1mm之外，都相同，制作比較用的紫外線處理裝置【2】。

使用該紫外線處理裝置，進行與上述的紫外線處理裝置【1】相同的光清洗條件下的被處理物(模板)的光清洗處理，由于平板部分的表面與被處理物之間形成的間隙的大小過大，處理氣體向平面區(qū)域的外部流出，不能在紫外線照射窗上使處理氣體以高的均勻性流通。并且，進行該光清洗處理的被處理物(模板)上粘附的抗蝕劑的灰化量產(chǎn)生了不均勻。