專利名稱：一種真空間歇蒸餾蒸發(fā)盤的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及內(nèi)熱式真空間歇蒸餾電阻爐中一種高效的蒸發(fā)盤，屬于真空冶金爐設備技術領域。
背景技術：
目前，公知的內(nèi)熱式間歇真空蒸餾電阻爐中，蒸發(fā)盤為圓環(huán)形石墨蒸發(fā)盤。在真空蒸餾過程中，蒸發(fā)盤中沿中心線形成一溫度梯度，在蒸發(fā)過程中，物料的揮發(fā)程度不一，盤中心側(cè)金屬揮發(fā)較快，而外側(cè)金屬揮發(fā)較慢，蒸發(fā)率低，要想提高金屬揮發(fā)率，必須延長保溫時間，這勢必造成很大的能源浪費。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種高效真空間歇蒸餾蒸發(fā)盤，以實現(xiàn)加速蒸發(fā)，并改善蒸發(fā)進行的動力學條件，減少蒸發(fā)相同金屬量所需要的時間(即保溫時間)，節(jié)約能耗。本實用新型通過下列技術方案實現(xiàn):一種真空間歇蒸餾蒸發(fā)盤，包括電極孔、盤體和間隙孔；所述盤體中央設置圓柱形電極孔，盤體的側(cè)壁邊緣上間隔設置間隙孔；盤體底部向盤體中心與水平面呈5 10°的傾斜角。所述盤體的厚度為15 20mm。所述間隙孔為數(shù)個，是在盤體的側(cè)壁邊緣上每間隔6 8cm設置一個。以保證揮發(fā)出來的氣態(tài)金屬能夠及時從蒸發(fā)盤中揮發(fā)出去，在外部冷凝罩上冷凝收集。本實用新型通過在蒸發(fā)盤的底部設計一個傾斜坡度，在蒸發(fā)溫度條件下，隨著靠近蒸發(fā)盤中心金屬液體的蒸發(fā)，蒸發(fā)盤外側(cè)的金屬液體向盤中心流動，加速蒸發(fā)，并改善了蒸發(fā)進行的動力學條件，減少蒸發(fā)相同金屬量所需要的時間(即保溫時間)，節(jié)約了能耗。與公知技術相比的優(yōu)點及積極效果:(I)對蒸發(fā)盤而言，在相同蒸餾溫度條件下，大部分金屬在蒸發(fā)盤中心高溫區(qū)域蒸發(fā)，大大減少了保溫時間，節(jié)約了能耗。(2)隨著蒸發(fā)不斷進行，盤內(nèi)金屬液體向盤中心方向流動，改善了金屬液體蒸發(fā)的動力學條件，加速蒸發(fā)，節(jié)約了能耗。

圖1是本實用新型的俯視結構示意圖；圖2是本實用新型的主視結構示意圖；圖3是圖2中A-A的剖視結構示意圖；圖中，電極孔I，盤體2，間隙孔3，傾斜角α。
具體實施方式
下面通過實施例對本 實用新型做進一步說明。[0016]實施例1如圖1、2、3，真空間歇蒸餾蒸發(fā)盤包括電極孔1、盤體2和間隙孔3 ;所述盤體2中央設置圓柱形電極孔1，盤體2的側(cè)壁邊緣上間隔設置間隙孔3 ;盤體2底部向盤體2中心與水平面呈5°的傾斜角α ;盤體2的厚度為20mm ;間隙孔3為三個，是在盤體2的側(cè)壁邊緣上每間隔7cm設置一個。以保證揮發(fā)出來的氣態(tài)金屬能夠及時從蒸發(fā)盤中揮發(fā)出去，在外部冷凝罩上冷凝收集。實施例2如圖1、2、3，真空間歇蒸餾蒸發(fā)盤包括電極孔1、盤體2和間隙孔3 ;所述盤體2中央設置圓柱形電極孔1，盤體2的側(cè)壁邊緣上間隔設置間隙孔3 ;盤體2底部向盤體2中心與水平面呈8。的傾斜角α ;盤體2的厚度為18mm ;間隙孔3為四個，是在盤體2的側(cè)壁邊緣上每間隔6cm設置一個。以保證揮發(fā)出來的氣態(tài)金屬能夠及時從蒸發(fā)盤中揮發(fā)出去，在外部冷凝罩上冷凝收集。實施例3如圖1、2、3，真空間歇蒸餾蒸發(fā)盤包括電極孔1、盤體2和間隙孔3 ;所述盤體2中央設置圓柱形電極孔1，盤體2的側(cè)壁邊緣上間隔設置間隙孔3 ;盤體2底部向盤體2中心與水平面呈10°的傾斜角α ;盤體2的厚度為15mm;間隙孔3為五個，是在盤體2的側(cè)壁邊緣上每間隔8cm設置一個。以保證揮發(fā)出來的氣態(tài)金屬能夠及時從蒸發(fā)盤中揮發(fā)出去，在外部冷凝罩上冷凝 收集。
權利要求1.一種真空間歇蒸餾蒸發(fā)盤，其特征在于:包括電極孔、盤體和間隙孔；所述盤體中央設置圓柱形電極孔，盤體的側(cè)壁邊緣上間隔設置間隙孔；盤體底部向盤體中心與水平面呈5 10°的傾斜角。
2.根據(jù)權利要求1所述的真空間歇蒸餾蒸發(fā)盤，其特征在于:所述盤體的厚度為15 20mmo
3.根據(jù)權利要求1或2所述的真空間歇蒸餾蒸發(fā)盤，其特征在于:所述間隙孔為數(shù)個，是在盤體的側(cè)壁邊緣上每間隔6 8cm設置一個。
專利摘要本實用新型提供一種真空間歇蒸餾蒸發(fā)盤，屬于真空冶金爐設備技術領域。包括電極孔、盤體和間隙孔；所述盤體中央設置圓柱形電極孔，盤體的側(cè)壁邊緣上間隔設置間隙孔；盤體底部向盤體中心與水平面呈5～10°的傾斜角；盤體的厚度為15～20mm；間隙孔為數(shù)個，是在盤體的側(cè)壁邊緣上每間隔6～8cm設置一個。在蒸發(fā)溫度條件下，隨著靠近蒸發(fā)盤中心金屬液體的蒸發(fā)，蒸發(fā)盤外側(cè)的金屬液體向盤中心流動，加速蒸發(fā)，并改善了蒸發(fā)進行的動力學條件，減少蒸發(fā)相同金屬量所需要的時間，節(jié)約了能耗。
文檔編號F27D5/00GK203159686SQ201320112439
公開日2013年8月28日 申請日期2013年3月13日 優(yōu)先權日2013年3月13日
發(fā)明者鄧勇 申請人:昆明理工大學