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真空冶煉爐用蒸發(fā)盤的制作方法

文檔序號(hào):10716155閱讀:621來(lái)源:國(guó)知局
真空冶煉爐用蒸發(fā)盤的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種真空冶煉爐用蒸發(fā)盤,所述蒸發(fā)盤底面設(shè)有至少一圈凹槽;所述蒸發(fā)盤盛液槽外沿上平面向內(nèi)側(cè)傾斜。能夠提高防濺效果,能夠減少揮發(fā)物污染同時(shí)又能夠提高金屬回收率。
【專利說(shuō)明】
真空冶煉爐用蒸發(fā)盤
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種真空冶煉裝置,尤其涉及一種用于真空冶煉爐用蒸發(fā)盤。
【背景技術(shù)】
[0002]真空冶煉技術(shù)產(chǎn)生于20世紀(jì)30年代,從20世紀(jì)50年代引進(jìn)我國(guó),由于其低能耗、無(wú)污染、流程短、回收高、高效益,在我國(guó)有色冶金工業(yè)的發(fā)展中發(fā)揮了重要作用?,F(xiàn)在真空蒸餾冶煉如粗金屬提純和合金分離中廣泛使用到一種內(nèi)熱式連續(xù)真空冶煉爐。這種真空冶煉爐中間由多個(gè)圓盤形蒸發(fā)盤疊堆成蒸發(fā)盤組,蒸發(fā)盤設(shè)有盛放金屬液體的盛液槽,上蒸發(fā)盤底面與下蒸發(fā)盤盛液槽外沿口之間有間隙形成蒸汽出口通道,蒸發(fā)盤組周圍有圓筒形冷凝罩,蒸發(fā)盤組從中間加熱,蒸發(fā)盤加熱后,盛放于蒸發(fā)盤中的金屬由于沸點(diǎn)不同,氣液分離,氣相金屬?gòu)恼羝隹谕ǖ罃U(kuò)散出蒸發(fā)盤外至冷凝罩冷卻從而實(shí)現(xiàn)金屬提純或分離。
[0003]目前連續(xù)式真空蒸餾爐使用的蒸發(fā)盤的揮發(fā)物蒸汽出口通道是敞口的,在真空蒸餾過(guò)程中,由于加熱溫度往往高于合金中某種金屬的沸點(diǎn)以上,此時(shí)金屬熔體會(huì)劇烈沸騰,部分熔體會(huì)從蒸汽出口通道飛濺到蒸發(fā)盤外,既造成揮發(fā)物污染,同時(shí)也會(huì)影響產(chǎn)品質(zhì)量和金屬的回收率。
[0004]如何防止熔體從蒸汽出口通道飛濺到蒸發(fā)盤外成為本領(lǐng)域技術(shù)人員一直想解決的技術(shù)問(wèn)題。
[0005]有人將上蒸發(fā)盤底面與下蒸發(fā)盤盛液槽外沿口之間的間隙縮小到不到2毫米,這樣雖然能夠減少熔體會(huì)從蒸汽出口通道飛濺到蒸發(fā)盤外,從而減少揮發(fā)物污染,但是同時(shí)也影響了金屬的回收率。
[0006]有人改進(jìn)了蒸發(fā)盤的結(jié)構(gòu),見(jiàn)專利號(hào)為2012202025781名稱為“一種合金蒸餾用蒸發(fā)盤”的專利,“其包括蒸發(fā)盤(1),擋圈(2),擋臺(tái)(3)和S形氣道(4),在蒸發(fā)盤(I)上設(shè)計(jì)加工出擋圈(2)和擋臺(tái)(3),由若干個(gè)蒸發(fā)盤(I)疊層組合,上下蒸發(fā)盤間通過(guò)蒸發(fā)盤中孔上設(shè)有的凸臺(tái)和沉臺(tái)相互扣合,上蒸發(fā)盤的擋圈(2)和下蒸發(fā)盤的擋臺(tái)(3)相互配合組成一個(gè)S形氣道(4)”,其擋圈有一個(gè)向內(nèi)的面能夠擋住金屬液滴飛濺到蒸發(fā)盤外,“通過(guò)重新設(shè)計(jì)蒸發(fā)盤的截面形狀,把蒸汽出口由敞口式改為S形的氣道,使金屬蒸氣能順利揮發(fā)逸出,而由于高溫沸騰造成飛濺的金屬液滴則被遮擋回流至蒸發(fā)盤中,解決金屬飛濺造成的殘留物損失和揮發(fā)物污染問(wèn)題”。但是,由于該專利文件技術(shù)特征限定不清楚、說(shuō)明書(shū)附圖也不符合機(jī)械制圖標(biāo)準(zhǔn),本領(lǐng)域技術(shù)人員從該專利文件公開(kāi)的內(nèi)容還無(wú)法實(shí)施。現(xiàn)在市面上有一種與該專利附圖相似結(jié)構(gòu)的蒸發(fā)盤(如圖1),即蒸發(fā)盤底面向下設(shè)有一圈突沿I,蒸發(fā)盤盛液槽外沿內(nèi)側(cè)設(shè)有一圈凹陷臺(tái)階2,上下蒸發(fā)盤疊堆后底面突沿與盛液槽外沿內(nèi)側(cè)凹陷臺(tái)階組合使蒸汽出口通道成S形,蒸發(fā)盤底面向下伸出的一圈突沿能夠擋住金屬液滴飛濺到蒸發(fā)盤外,這種結(jié)構(gòu)比純粹縮小間隙效果要好一些,能夠減少揮發(fā)物污染,同時(shí)對(duì)金屬的回收率影響比純粹縮小間隙要小,但是,這種蒸發(fā)盤結(jié)構(gòu)復(fù)雜,底面突沿和盛液槽外沿內(nèi)側(cè)凹陷臺(tái)階加工困難,制造成本高,制造成本高于因使用而至金屬回收率提高所得效益。
[0007]如何才能防止熔體從蒸汽出口通道飛濺到蒸發(fā)盤外,既能夠減少揮發(fā)物污染同時(shí)又能夠提高金屬回收率成為本領(lǐng)域技術(shù)人員迫切需要解決的技術(shù)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能有效防止熔體從蒸汽出口通道飛濺到蒸發(fā)盤外、既能夠減少揮發(fā)物污染同時(shí)又能夠提高金屬回收率的真空冶煉爐用蒸發(fā)盤。
[0009]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明的真空冶煉爐用蒸發(fā)盤,所述蒸發(fā)盤底面設(shè)有至少一圈凹槽。
[0010]所述蒸發(fā)盤底面設(shè)有四圈凹槽。
[0011 ]所述蒸發(fā)盤底面凹槽橫截面形狀為矩形。
[0012]所述蒸發(fā)盤底面凹槽橫截面形狀為圓弧形。
[0013]所述蒸發(fā)盤盛液槽外沿上平面向內(nèi)側(cè)傾斜。
[0014]所述蒸發(fā)盤盛液槽外沿上平面向內(nèi)側(cè)傾斜5-45°。
[0015]所述蒸發(fā)盤盛液槽外沿上平面向內(nèi)側(cè)傾斜10-30°。
[0016]所述蒸發(fā)盤底面對(duì)應(yīng)于蒸發(fā)盤盛液槽外沿處設(shè)有一圈凹槽。
[0017]采用本發(fā)明的結(jié)構(gòu),由于蒸發(fā)盤底面可以設(shè)有至少一圈凹槽,這樣,蒸發(fā)盤內(nèi)沸騰的金屬液滴進(jìn)入凹槽內(nèi),可以冷卻而掉下,不會(huì)隨氣體濺出蒸發(fā)盤外,能增強(qiáng)防濺效果。蒸發(fā)盤盛液槽外沿上平面向內(nèi)側(cè)傾斜,上下蒸發(fā)盤邊沿的平面間的間隙形成的蒸汽出口通道里寬外窄,氣相金屬能夠從蒸汽出口通道順利擴(kuò)散出蒸發(fā)盤外,液相金屬則在可能濺落到下蒸發(fā)盤邊沿的平面時(shí)沿傾斜面流入盤中、而不會(huì)從該蒸汽出口通道濺出蒸發(fā)盤外,從而更有效防止了熔體從蒸汽出口通道飛濺到蒸發(fā)盤外,防濺效果更好,既能夠減少揮發(fā)物污染同時(shí)又能夠提高金屬回收率。
[0018]本發(fā)明的蒸發(fā)盤結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,制造方便、成本低。
[0019]經(jīng)過(guò)相同條件使用對(duì)比,采用本發(fā)明的結(jié)構(gòu),金屬回收率比現(xiàn)有技術(shù)中僅間隙縮小到2毫米以下的蒸發(fā)盤提高了6-9%;比現(xiàn)有技術(shù)中有S形蒸汽出口通道的蒸發(fā)盤金屬回收率提高了3%左右而制造成本能降低9-10%,而且效率提高了5%左右。
【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1是現(xiàn)有技術(shù)蒸發(fā)盤組結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明蒸發(fā)盤結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)描述:
如圖2所示,本發(fā)明的真空冶煉爐用蒸發(fā)盤,在蒸發(fā)盤底面設(shè)有至少一圈凹槽2。凹槽2在底面呈圓形布置。作為優(yōu)選,在蒸發(fā)盤底面對(duì)應(yīng)于蒸發(fā)盤盛液槽外沿處設(shè)有一圈凹槽,這樣防濺效果更好。。
[0022]蒸發(fā)盤底面可以設(shè)有四圈凹槽。這樣效果更好。
[0023]蒸發(fā)盤底面凹槽橫截面形狀為矩形。也可以為圓弧形。
[0024]作為進(jìn)一步改進(jìn),蒸發(fā)盤盛液槽外沿上平面I向內(nèi)側(cè)傾斜。這樣,更有利于氣體逸出,液體回流至蒸發(fā)盤內(nèi),防濺效果更好。
[0025]蒸發(fā)盤盛液槽外沿上平面向內(nèi)側(cè)傾斜優(yōu)選5-45°。更優(yōu)選10-30°。
[0026]還可以在蒸發(fā)盤盛液槽外沿外側(cè)壁向外設(shè)有一圈用于支撐保溫套的突沿。這樣便于固定保溫套。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種真空冶煉爐用蒸發(fā)盤,其特征在于:所述蒸發(fā)盤底面設(shè)有至少一圈凹槽(2)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述蒸發(fā)盤,其特征在于:所述蒸發(fā)盤底面設(shè)有四圈凹槽。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述蒸發(fā)盤,其特征在于:所述蒸發(fā)盤底面凹槽橫截面形狀為矩形。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述蒸發(fā)盤,其特征在于:所述蒸發(fā)盤底面凹槽橫截面形狀為圓弧形。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述蒸發(fā)盤,其特征在于:所述蒸發(fā)盤盛液槽外沿上平面(I)向內(nèi)側(cè)傾斜。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述蒸發(fā)盤,其特征在于:所述蒸發(fā)盤盛液槽外沿上平面向內(nèi)側(cè)傾斜5-45。。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述蒸發(fā)盤,其特征在于:所述蒸發(fā)盤盛液槽外沿上平面向內(nèi)側(cè)傾斜10-30。。8.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述蒸發(fā)盤,其特征在于:所述蒸發(fā)盤底面對(duì)應(yīng)于蒸發(fā)盤盛液槽外沿處設(shè)有一圈凹槽。9.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述蒸發(fā)盤,其特征在于:所述蒸發(fā)盤盛液槽外沿外側(cè)壁向外設(shè)有一圈用于支撐保溫套的突沿。
【文檔編號(hào)】B01D3/10GK106086443SQ201610657725
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年8月12日 公開(kāi)號(hào)201610657725.7, CN 106086443 A, CN 106086443A, CN 201610657725, CN-A-106086443, CN106086443 A, CN106086443A, CN201610657725, CN201610657725.7
【發(fā)明人】藍(lán)川華, 黃存文
【申請(qǐng)人】永興縣億翔環(huán)??萍加邢薰?br>
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