專利名稱：多層化合物合成爐裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多層化合物合成爐裝置，屬于化合物合成設(shè)備領(lǐng)域。
技術(shù)背景隨著世界高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，世界高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)對半導(dǎo)體化合物的需求量 增長迅速，目前半導(dǎo)體化合物的傳統(tǒng)生產(chǎn)方法與工藝存在生產(chǎn)成本高、生產(chǎn)的安全性 差的缺點。特別是受到生產(chǎn)設(shè)備小的制約，無法實現(xiàn)半導(dǎo)體化合物產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，嚴(yán)重 阻礙了高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)和微電子光電產(chǎn)業(yè)信息材料事業(yè)的發(fā)展。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種多層化合物合成爐裝置，其特點 是采用高溫耐火磚作為合成爐的保溫層，硅碳管作為加熱源，嚴(yán)格控制爐腔內(nèi)部的熱 場溫度均勻分布，熱場溫度梯度《i5'C/cm。本發(fā)明的目的由以下技術(shù)措施實現(xiàn)多層化合物合成爐裝置的合成爐內(nèi)設(shè)保溫層、加熱絲、隔熱板和合成反應(yīng)管，合 成爐的爐腔內(nèi)用隔熱板分隔為多個合成室，每個合成室內(nèi)放置多個合成反應(yīng)管，控制 爐腔內(nèi)部的熱場溫度均勻分布，熱場溫度梯度《i5。C/cm,每個合成室分隔獨(dú)立保證了 合成過程的安全性。多層化合物合成爐裝置用于碲化鎘、碲化鋅和碲化鉛的合成。本發(fā)明具有如下優(yōu)點1、 采用了多合成波合成技術(shù)；2、 多加熱源加熱技術(shù)；3、 采用智能溫度控制系統(tǒng)控制爐腔內(nèi)部熱場的溫度均勻分布，確保了設(shè)備的產(chǎn)能 和安全性；4、 產(chǎn)品質(zhì)量高，純度高。 -


圖1為多層化合物合成爐裝置結(jié)構(gòu)示意圖 l.合成爐，2.保溫層，3.加熱絲，4.隔熱板，5.合成反應(yīng)管。 圖2為A-A剖視圖具體實施方式
下面通過實施例對本發(fā)明進(jìn)行具體的描述，有必要在此指出的是本實施例只用于 對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說明，不能理解為對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，該領(lǐng)域的技術(shù)熟練 人員可以根據(jù)上述本發(fā)明的內(nèi)容作出一些非本質(zhì)的改進(jìn)和調(diào)整。實施例本發(fā)明的多層化合物合成爐裝置具有結(jié)構(gòu)簡單，制造方便，如圖1所示。合成爐1 內(nèi)設(shè)高溫耐火磚保溫層2，硅碳管作為加熱源，加熱源內(nèi)設(shè)加熱絲3，隔熱板4和合成 反應(yīng)管5，合成爐的爐腔內(nèi)用隔熱板4分隔為多個合成室，每個合成室內(nèi)放置多個合成 反應(yīng)管5，嚴(yán)格控制爐腔內(nèi)部的熱場溫度均勻分布，熱場溫度梯度《士5'C/cm，每個合 成室的分隔獨(dú)立保證了合成過程的安全性。
權(quán)利要求
1、多層化合物合成爐裝置，其特征在于該裝置的合成爐(1)內(nèi)設(shè)保溫層(2)、加熱絲(3)、隔熱板(4)和合成反應(yīng)管(5)，合成爐的爐腔內(nèi)用隔熱板分隔為多個合成室，每個合成室內(nèi)放置多個合成反應(yīng)管，控制爐腔內(nèi)部的熱場溫度梯度≤±5℃/cm。
2、 如權(quán)利要求1所述多層化合物合成爐裝置用于碲化鎘、碲化鋅和碲化鉛的合成。
全文摘要
一種多層化合物合成爐裝置，其特點在于該裝置的合成爐(1)內(nèi)設(shè)保溫層(2)、加熱絲(3)、隔熱板(4)和合成反應(yīng)管(5)，合成爐的爐腔內(nèi)用隔熱板分隔為多個合成室，每個合成室內(nèi)放置多個合成反應(yīng)管(5)，控制爐腔內(nèi)部的熱場溫度梯度≤±5℃/cm，每個合成室的分隔獨(dú)立保證了合成過程的安全性。多層化合物合成爐裝置用于碲化鎘、碲化鋅和碲化鉛的合成。
文檔編號F27B5/06GK101118111SQ20071004988
公開日2008年2月6日 申請日期2007年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月31日
發(fā)明者侯仁義 申請人:侯仁義