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射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移裝置及工藝的制作方法

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射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移裝置及工藝的制作方法

本發(fā)明涉及射頻識(shí)別標(biāo)簽技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移裝置及工藝。



背景技術(shù):

射頻識(shí)別標(biāo)簽(RFID,Radio Frequency Identification),俗稱(chēng)“電子標(biāo)簽”,是一種非接觸式的自動(dòng)識(shí)別技術(shù),它通過(guò)射頻信號(hào)自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù),識(shí)別工作無(wú)須人工干預(yù)。RFID技術(shù)具有防水、防磁、耐高溫、使用壽命長(zhǎng)、讀取距離大、標(biāo)簽上數(shù)據(jù)可以加密、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)容量更大、存儲(chǔ)信息更改自如等優(yōu)點(diǎn),其應(yīng)用將給零售、物流等產(chǎn)業(yè)帶來(lái)革命性變化。

傳統(tǒng)的RFID轉(zhuǎn)移通常采用熱燙技術(shù),需要用到金屬燙金電版和加熱,由于RFID的芯片所能承受的壓力較小、溫度較低,所以容易導(dǎo)致在生產(chǎn)過(guò)程中將RFID的芯片壓壞、溫度過(guò)高將芯片損壞,致使RFID的轉(zhuǎn)移的合格率較低,從而間接的增加了RFID成本。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

基于此,有必要針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題,提供一種可以有效提高合格率以降低成本的射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移裝置及工藝。

一種射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移裝置,用于將復(fù)合于離型膜上的射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移至承印物上,射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移裝置包括:

第一涂布機(jī)構(gòu),用于在復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的離型膜的外表層涂布自粘性膠水,形成附著于射頻識(shí)別標(biāo)簽的第一自粘性膠水層;

第二涂布機(jī)構(gòu),用于在承印物需要轉(zhuǎn)移射頻識(shí)別標(biāo)簽的預(yù)定位置預(yù)涂自粘性膠水,自粘性膠水部分滲入承印物內(nèi)與承印物結(jié)合為一體,形成部分滲入承印物中、部分形成在承印物表面的第二自粘性膠水層;及

壓印機(jī)構(gòu),包括支承板及柔性壓印版,所述支承板用于支承承印物,所述柔性壓印版用于對(duì)離型膜復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的位置進(jìn)行施壓,將第一自粘性膠水層與第二自粘性膠水層進(jìn)行貼合,以使射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移至承印物上。

在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一涂布機(jī)構(gòu)包括第一放卷組件、第一涂布機(jī)及第一收卷組件,所述第一放卷組件用于對(duì)復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的離型膜進(jìn)行放卷,所述第一涂布機(jī)用于在離型膜的外表層涂布自粘性膠水,所述第一收卷組件用于對(duì)離型膜進(jìn)行收卷。

在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一涂布機(jī)構(gòu)還包括烘干機(jī),所述烘干機(jī)位于所述第一涂布機(jī)與所述第一收卷組件之間,所述烘干機(jī)用于烘干離型膜的外表層的自粘性膠水,形成附著于射頻識(shí)別標(biāo)簽的第一自粘性膠水層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述壓印機(jī)構(gòu)還包括第二放卷組件及第二收卷組件,所述第二放卷組件用于放卷附著有第一自粘性膠水層的離型膜,所述第二收卷組件用于收卷貼合后產(chǎn)生的廢料。

在其中一個(gè)實(shí)施例中,還包括烘箱,所述烘箱用于對(duì)預(yù)涂有自粘性膠水的承印物進(jìn)行烘干。

一種射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移工藝,用于將復(fù)合于離型膜的射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移至承印物上,包括以下步驟:

在復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的離型膜的外表層涂布自粘性膠水,以形成附著于射頻識(shí)別標(biāo)簽的第一自粘性膠水層;

在承印物需要轉(zhuǎn)移射頻識(shí)別標(biāo)簽的預(yù)定位置預(yù)涂自粘性膠水,自粘性膠水部分滲入承印物內(nèi)與承印物結(jié)合為一體,以形成部分滲入承印物中、部分形成在承印物表面的第二自粘性膠水層;

采用柔性壓印版對(duì)離型膜復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的位置施壓,將第一自粘性膠水層與第二自粘性膠水層進(jìn)行貼合,以使射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移至承印物上。

在其中一個(gè)實(shí)施例中,在復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的離型膜的外表層涂布自粘性膠水具體包括以下步驟:

對(duì)復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的離型膜進(jìn)行放卷;

對(duì)離型膜的外表層涂布自粘性膠水;

對(duì)離型膜進(jìn)行收卷。

在其中一個(gè)實(shí)施例中,步驟對(duì)離型膜的外表層涂布自粘性膠水與步驟對(duì)離型膜進(jìn)行收卷之間還包括步驟:

對(duì)涂布有自粘性膠水的離型膜進(jìn)行烘干,以形成附著于射頻識(shí)別標(biāo)簽的第一自粘性膠水層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中,步驟對(duì)離型膜復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的位置施壓之前還包括步驟:

對(duì)附著有第一自粘性膠水層的離型膜進(jìn)行放卷;

步驟對(duì)離型膜復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的位置施壓之后還包括步驟:

對(duì)貼合后產(chǎn)生的廢料進(jìn)行收卷。

在其中一個(gè)實(shí)施例中,步驟在承印物需要轉(zhuǎn)移射頻識(shí)別標(biāo)簽的預(yù)定位置預(yù)涂自粘性膠水之后還包括:

對(duì)自粘性膠水進(jìn)行烘箱干燥及滲透干燥,烘箱對(duì)自粘性膠水進(jìn)行初步干燥,滲透干燥伴隨烘箱干燥的步驟同時(shí)進(jìn)行,使自粘性膠水中的溶劑揮發(fā),自粘性膠水部分滲入承印物內(nèi)與承印物結(jié)合為一體,以形成部分滲入承印物中、部分形成在承印物表面的第二自粘性膠水層。

上述射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移裝置及工藝至少具有以下優(yōu)點(diǎn):

在復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的離型膜的外表層涂布自粘性膠水,自粘性膠水的分子與射頻識(shí)別標(biāo)簽的分子之間產(chǎn)生作用力,形成附著于射頻識(shí)別標(biāo)簽的第一自粘性膠水層,在承印物上需要轉(zhuǎn)移射頻識(shí)別標(biāo)簽的位置預(yù)涂自粘性膠水,膠水的部分分子滲入承印物內(nèi)與承印物結(jié)合為一體,形成部分滲入承印物內(nèi)、部分形成在承印物表面的第二自粘性膠水層,然后采用柔性壓印版對(duì)離型膜復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的位置施壓,使第一自粘性膠水層與第二自粘性膠水層貼合,第一自粘性膠水層與第二自粘性膠水層之間的粘性力大于第一自粘性膠水層的分子與射頻識(shí)別標(biāo)簽的分子之間的附著力,第一自粘性膠水層的分子與射頻識(shí)別標(biāo)簽的分子之間的附著力大于射頻識(shí)別標(biāo)簽與離型膜之間的作用力,所以射頻識(shí)別標(biāo)簽?zāi)軌驈碾x型膜上脫離,轉(zhuǎn)移到承印物上。由于采用柔性壓印版,因此可以保護(hù)射頻識(shí)別標(biāo)簽的芯片不會(huì)被壓壞,同時(shí)采用的是無(wú)加熱的轉(zhuǎn)移工藝,可以避免高溫對(duì)芯片的損壞,進(jìn)而可以有效提高合格率以降低成本。

附圖說(shuō)明

圖1為一實(shí)施方式中的第一涂布機(jī)構(gòu)對(duì)復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的離型膜進(jìn)行涂布的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2為一實(shí)施方式中涂布有自粘性膠水的復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的離型膜的示意圖;

圖3為一實(shí)施方式中的第二涂布機(jī)構(gòu)對(duì)承印物進(jìn)行涂布的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖4為一實(shí)施方式中壓印機(jī)構(gòu)進(jìn)行壓印的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖5為一實(shí)施方式中射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移工藝的流程示意圖;

圖6為圖5中步驟S110的具體流程示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似改進(jìn),因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。

需要說(shuō)明的是,當(dāng)元件被稱(chēng)為“固定于”另一個(gè)元件,它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件,它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類(lèi)似的表述只是為了說(shuō)明的目的,并不表示是唯一的實(shí)施方式。

除非另有定義,本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的,不是旨在于限制本發(fā)明。以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合,為使描述簡(jiǎn)潔,未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述,然而,只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾,都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說(shuō)明書(shū)記載的范圍。

一實(shí)施方式中的射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移裝置,用于將復(fù)合于離型膜20(如圖1及圖2)的射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移至承印物30(如圖4)上。具體地,請(qǐng)參閱圖2,射頻識(shí)別標(biāo)簽10包括基質(zhì)層101及射頻識(shí)別標(biāo)簽層102,基質(zhì)層101位于射頻識(shí)別標(biāo)簽層102與離型膜20之間,離型膜20朝向基質(zhì)層101的表面涂覆有離型硅油,因此離型膜20表面與基質(zhì)層101的結(jié)合力較小,射頻識(shí)別標(biāo)簽10很容易從離型膜20上剝離。

具體地,射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移裝置包括第一涂布機(jī)構(gòu)100(如圖1)、第二涂布機(jī)構(gòu)200(如圖3)及壓印機(jī)構(gòu)300(如圖4)。請(qǐng)參閱圖1,第一涂布機(jī)構(gòu)100用于在復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的離型膜20的外表層涂布自粘性膠水,以形成附著于射頻識(shí)別標(biāo)簽的第一自粘性膠水層40。具體地,第一自粘性膠水層40附著于射頻識(shí)別標(biāo)簽層102上。第一涂布機(jī)構(gòu)100包括第一放卷組件110、第一涂布機(jī)120、烘干機(jī)130及第一收卷組件140。

第一放卷組件110用于對(duì)復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的卷裝離型膜20進(jìn)行放卷。例如第一放卷組件110包括放卷輥,卷裝離型膜20可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置在放卷輥上。第一放卷組件110的工位后方還可以設(shè)置糾偏機(jī)構(gòu)及張緊輪150,糾偏機(jī)構(gòu)用于對(duì)離型膜20進(jìn)行糾偏,張緊輪150用于張緊離型膜20。

第一涂布機(jī)120用于在離型膜20的外表層涂布自粘性膠水。烘干機(jī)130位于第一涂布機(jī)120與第一收卷組件140之間,烘干機(jī)130用于烘干離型膜20的外表層的自粘性膠水,以使自粘性膠水中的溶劑揮發(fā),自粘性膠水的分子與射頻識(shí)別標(biāo)簽的分子之間產(chǎn)生作用力,以形成附著于射頻識(shí)別標(biāo)簽的第一自粘性膠水層。第一收卷組件140用于對(duì)附著有第一自粘性膠水層40的離型膜20進(jìn)行收卷。例如,第一收卷組件140包括收卷輥,收卷輥對(duì)附著有第一自粘性膠水層的離型膜20進(jìn)行收卷。

請(qǐng)參閱圖2,第二涂布機(jī)構(gòu)200用于在承印物30需要轉(zhuǎn)移射頻識(shí)別標(biāo)簽的預(yù)定位置預(yù)涂自粘性膠水,自粘性膠水部分滲入承印物30內(nèi)與承印物30結(jié)合為一體,形成部分滲入承印物30中、部分形成在承印物30表面的第二自粘性膠水層。具體到本實(shí)施方式中,承印物30可以為紙張。該種自粘性膠水不能對(duì)除自粘性膠水之外的其它物品產(chǎn)生粘性力,避免了紙張之間的互粘。

射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移裝置還包括烘箱,烘箱用于對(duì)預(yù)涂有自粘性膠水的承印物30進(jìn)行烘干,以使自粘性膠水中的溶劑揮發(fā)。在烘箱對(duì)承印物30進(jìn)行烘干的過(guò)程中,同時(shí)伴隨著滲透干燥的過(guò)程,具體為自粘性膠水滲入承印物30中進(jìn)行干燥,使膠水的部分分子滲入承印物30內(nèi)與承印物30結(jié)合為一體,形成部分滲入承印物30內(nèi)、部分形成在承印物30表面的第二自粘性膠水層。

請(qǐng)參閱圖3,壓印機(jī)構(gòu)300用于對(duì)復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的離型膜20與承印物30施壓。具體地,壓印機(jī)構(gòu)300包括第二放卷組件310、支承板320、柔性壓印版330及第二收卷組件340。

第二放卷組件310用于放卷附著有第一自粘性膠水層40的離型膜20。支承板320用于支承承印物30,柔性壓印版330用于對(duì)離型膜20復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的位置進(jìn)行施壓,以將第一自粘性膠水層40與第二自粘性膠水層進(jìn)行貼合,使射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移至承印物30上。第二收卷組件340用于收卷貼合后產(chǎn)生的廢料。具體地,柔性壓印版330可以為硅膠板。

上述射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移裝置至少具有以下優(yōu)點(diǎn):

在復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽10的離型膜20的外表層涂布自粘性膠水,自粘性膠水的分子與射頻識(shí)別標(biāo)簽的分子之間產(chǎn)生作用力,形成附著于射頻識(shí)別標(biāo)簽的第一自粘性膠水層40,在承印物30上需要轉(zhuǎn)移射頻識(shí)別標(biāo)簽的位置預(yù)涂自粘性膠水,膠水的部分分子滲入承印物30內(nèi)與承印物30結(jié)合為一體,形成部分滲入承印物30內(nèi)、部分形成在承印物30表面的第二自粘性膠水層,然后采用柔性壓印版330對(duì)離型膜20復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的位置施壓,使第一自粘性膠水層40與第二自粘性膠水層貼合,由于自粘性膠水的自粘特性,第一自粘性膠水層40與第二自粘性膠水層之間的粘性力大于第一自粘性膠水層40的分子與射頻識(shí)別標(biāo)簽10的分子之間的附著力,第一自粘性膠水層40的分子與射頻識(shí)別標(biāo)簽10的分子之間的附著力大于射頻識(shí)別標(biāo)簽10與離型膜20之間的作用力,所以射頻識(shí)別標(biāo)簽?zāi)軌驈碾x型膜上脫離,轉(zhuǎn)移到承印物上。由于采用柔性壓印版330,因此可以保護(hù)射頻識(shí)別標(biāo)簽的芯片不會(huì)被壓壞,同時(shí)采用的是無(wú)加熱的轉(zhuǎn)移工藝,可以避免高溫對(duì)芯片的損壞,進(jìn)而可以有效提高合格率以降低成本。

請(qǐng)參閱圖5,還提供一種射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移工藝,用于將復(fù)合于離型膜20的射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移至承印物30上,具體包括以下步驟:

步驟S110,在復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的離型膜20的外表層涂布自粘性膠水,以形成附著于射頻識(shí)別標(biāo)簽10的第一自粘性膠水層40。例如,可以通過(guò)第一涂布機(jī)構(gòu)100對(duì)離型膜20的外表層涂布自粘性膠水。

請(qǐng)一并參閱圖6,具體地,步驟S110包括以下步驟:

步驟S111,對(duì)復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的卷裝離型膜20進(jìn)行放卷。例如,可以通過(guò)第一放卷組件110對(duì)卷裝離型膜20進(jìn)行放卷。

步驟S112,對(duì)離型膜20的外表層涂布自粘性膠水。例如,可以通過(guò)第一涂布機(jī)120對(duì)離型膜20的外表層涂布自粘性膠水。

步驟S113,對(duì)涂布有自粘性膠水的離型膜20進(jìn)行烘干,以形成附著于射頻識(shí)別標(biāo)簽的第一自粘性膠水層40。例如,可以采用烘干機(jī)130對(duì)涂布自粘性膠水后的離型膜20進(jìn)行烘干,使自粘性膠水中的溶劑揮發(fā),自粘性膠水的分子與射頻識(shí)別標(biāo)簽的分子之間產(chǎn)生作用力,以形成附著于射頻識(shí)別標(biāo)簽的第一自粘性膠水層40。

步驟S114,對(duì)離型膜20進(jìn)行收卷。例如,可以通過(guò)第一收卷組件140對(duì)涂布自粘性膠水、并經(jīng)過(guò)烘干的離型膜20進(jìn)行收卷。

步驟S120,在承印物30需要轉(zhuǎn)移射頻識(shí)別標(biāo)簽的預(yù)定位置預(yù)涂自粘性膠水,自粘性膠水部分滲入承印物內(nèi)與承印物結(jié)合為一體,以形成部分滲入承印物中、部分形成在承印物表面的第二自粘性膠水層。

例如,通過(guò)第二涂布機(jī)構(gòu)200對(duì)承印物30進(jìn)行預(yù)涂自粘性膠水,承印物30可以為紙張。

步驟S121,對(duì)自粘性膠水進(jìn)行烘箱干燥及滲透干燥,烘箱對(duì)自粘性膠水進(jìn)行初步干燥,滲透干燥伴隨烘箱干燥的步驟同時(shí)進(jìn)行,使自粘性膠水中的溶劑揮發(fā),自粘性膠水部分滲入承印物內(nèi)與承印物結(jié)合為一體,以形成部分滲入承印物中、部分形成在承印物表面的第二自粘性膠水層。

需要指出的是,步驟S110與步驟S120的先后順序可以調(diào)換,也可以同時(shí)進(jìn)行,這里不對(duì)步驟S110與步驟S120的先后順序作特殊限定。

步驟S130,將預(yù)涂有自粘性膠水的承印物30置于支承板320上。例如,可以通過(guò)人工方式或自動(dòng)將預(yù)涂有自粘性膠水的承印物30置于支承板320上。

步驟S140,對(duì)涂布有自粘性膠水的離型膜20進(jìn)行放卷。例如,可以通過(guò)第二放卷組件310對(duì)涂布有自粘性膠水的離型膜20進(jìn)行放卷。需要指出的是,步驟S130與步驟S140的先后順序可以調(diào)換,也可以同時(shí)進(jìn)行,這里不對(duì)步驟S130與步驟S140的先后順序作特殊限定。

步驟S150,采用柔性壓印版330對(duì)離型膜20復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的位置施壓,使第一自粘性膠水層40與第二自粘性膠水層貼合,以使射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移至承印物30上。柔性壓印版330可以為硅膠板,硬度合適,不至于使射頻識(shí)別標(biāo)簽的芯片被壓變形。由于自粘性膠水的自粘特性,因此施壓使第一自粘性膠水層與二自粘性膠水層貼合時(shí),射頻識(shí)別標(biāo)簽將會(huì)被膠水直接轉(zhuǎn)移至承印物30的表面。

步驟S160,對(duì)貼合后產(chǎn)生的廢料進(jìn)行收卷。射頻識(shí)別標(biāo)簽被轉(zhuǎn)移至承印物30上后,產(chǎn)生的廢料由第二收卷組件340進(jìn)行收卷。

上述射頻識(shí)別標(biāo)簽轉(zhuǎn)移工藝至少具有以下優(yōu)點(diǎn):

在復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽10的離型膜20的外表層涂布自粘性膠水,自粘性膠水的分子與射頻識(shí)別標(biāo)簽的分子之間產(chǎn)生作用力,形成附著于射頻識(shí)別標(biāo)簽的第一自粘性膠水層40,在承印物30上需要轉(zhuǎn)移射頻識(shí)別標(biāo)簽的位置預(yù)涂自粘性膠水,膠水的部分分子滲入承印物30內(nèi)與承印物30結(jié)合為一體,形成部分滲入承印物30內(nèi)、部分形成在承印物30表面的第二自粘性膠水層,然后采用柔性壓印版330對(duì)離型膜20復(fù)合有射頻識(shí)別標(biāo)簽的位置施壓,使第一自粘性膠水層40與第二自粘性膠水層貼合,由于自粘性膠水的自粘特性,第一自粘性膠水層40與第二自粘性膠水層之間的粘性力大于第一自粘性膠水層40的分子與射頻識(shí)別標(biāo)簽10的分子之間的附著力,第一自粘性膠水層40的分子與射頻識(shí)別標(biāo)簽10的分子之間的附著力大于射頻識(shí)別標(biāo)簽10與離型膜20之間的作用力,所以射頻識(shí)別標(biāo)簽?zāi)軌驈碾x型膜上脫離,轉(zhuǎn)移到承印物上。由于采用柔性壓印版330,因此可以保護(hù)射頻識(shí)別標(biāo)簽的芯片不會(huì)被壓壞,同時(shí)采用的是無(wú)加熱的轉(zhuǎn)移工藝,可以避免高溫對(duì)芯片的損壞,進(jìn)而可以有效提高合格率以降低成本。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專(zhuān)利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此,本發(fā)明專(zhuān)利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。

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