專利名稱：傳送帶磨損檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于非接觸地檢測(cè)傳送帶的磨損的傳送帶 磨損檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
JP2004-35115A公開了 一種傳送帶磨損檢測(cè)裝置，其中， 在帶體中埋設(shè)顏色與帶體的彈性層的顏色不同的磨損檢測(cè)層， 該彈性層磨損時(shí)使帶顏色的磨損檢測(cè)層露出，以使磨損被發(fā)現(xiàn)。作為另 一 種檢測(cè)磨損的方法，在傳送帶停止時(shí)通過(guò)超聲波 厚度測(cè)量?jī)x定期地測(cè)定傳送帶的厚度，來(lái)發(fā)現(xiàn)磨損。在DE19525326C1中，在帶中，在距表面不同深度處埋設(shè) 許多應(yīng)答器(transponder )。通過(guò)包括發(fā)送線圈(transmission coil)和傳感線圏的天線檢測(cè)帶磨損時(shí)任一應(yīng)答器的破壞或脫 落，以使帶的磨損被發(fā)現(xiàn)。然而，在JP2004-35115A的檢測(cè)裝置和超聲波厚度測(cè)量?jī)x 中，很難自動(dòng)確定磨損量。必須在傳送帶停止時(shí)通過(guò)人來(lái)視覺(jué) 確定磨損，從而其效率差。在DE19525326B中，必須在大范圍內(nèi)埋設(shè)許多應(yīng)答器， 使得裝置本身更大，這需要高成本。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種在運(yùn)轉(zhuǎn)期間自動(dòng)、容易并且正確 地檢領(lǐng)'H專送帶的磨損的傳送帶磨損檢測(cè)裝置。


圖l是根據(jù)本發(fā)明的傳送帶磨損檢測(cè)裝置的第 一 實(shí)施例的側(cè)一見圖；圖2是圖l中的部分II的放大剖視圖；圖3是從圖l中的線III-III看的放大圖；圖4是控制器的方框圖；圖5是示出帶的磨損的剖視圖；圖6示出本發(fā)明的第二實(shí)施例，類似于圖3;圖7是沿圖6中的線VII-VII截取的剖視圖；圖8是示出第二實(shí)施例中的帶體的局部磨損的圖；圖9是本發(fā)明的第三實(shí)施例的仰視圖，類似于圖3;圖IO是沿圖9中的線X-X截取的剖視圖；圖ll是示出本發(fā)明的第四實(shí)施例的仰視圖，類似于圖3;圖12是沿圖ll中的線XII-XII截取的剖視圖。
具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例的傳送帶磨損檢測(cè)裝置包括磁片組3，其包 括纏繞在滑輪1上的帶體2中的多個(gè)磁片M1、 M2、 M3、 M4、 M5;以及靠近帶體2的磁傳感器4，其用于檢測(cè)磁片組3的磁力。在磁片組3的各磁片Ml-M5中，沿帶體2的厚度方向即圖2 中的上下方向磁化片狀磁體，并且使磁體粉末在橡膠基質(zhì)中分 散并混合，將其成形為片狀，并使其沿帶體2的厚度方向被磁化，以形成粘結(jié)》茲體。也可以4吏用其它的7JC久》茲體。磁片沿帶體2的運(yùn)行方向P被埋設(shè)得越來(lái)越深，但是也可以 被埋設(shè)得越來(lái)越淺。磁片Ml-M5的數(shù)量可以是多于一個(gè)。在制造帶時(shí)，可以將磁片M1至M5埋設(shè)在帶體2中，但是由 于更易于埋設(shè)，所以可以優(yōu)選將磁片M1至M 5埋設(shè)在帶體2的一 端與另 一端接合的接合部5。埋設(shè)磁片M1至M5的位置不限于
在圖示的實(shí)施例中，在任一^茲片M1-M5中，N極位于外側(cè)， 而S極位于內(nèi)側(cè)，^旦是N極可以位于內(nèi)側(cè)，而S才及可以位于外側(cè)。磁傳感器4是公知的如環(huán)形線圈或孔元件，并且盡可能靠 近磁片Ml-M5的運(yùn)行位置布置。在圖1和圖2中，磁傳感器4可 以優(yōu)選靠近帶體2的反向側(cè)布置?？梢栽趲w2中檢測(cè)通過(guò)刮料 裝置(scraper) 6除掉被傳送材料的清除部。在圖3中，設(shè)置寬度引導(dǎo)件7以限制帶體2通過(guò)引導(dǎo)件7的寬 度，同時(shí)設(shè)置厚度引導(dǎo)件8以在磁傳感器4的另 一側(cè)保持帶體2 與磁傳感器4的關(guān)系。沿帶體2的寬度方向?qū)⒕哂邢嗤L(zhǎng)度的磁 片Ml-M5埋設(shè)在帶體2中。圖4示出傳送帶磨損檢測(cè)裝置的 一 個(gè)例子。控制器包括 現(xiàn)場(chǎng)控制部IO,其接收來(lái)自磁傳感器4的檢測(cè)信號(hào)，計(jì)算帶的 磨損程度并且從發(fā)送部9發(fā)送結(jié)果；以及中央控制部13，其中， 接收部ll接收發(fā)送的信號(hào)，向輸出終端12輸出計(jì)算結(jié)果，并且 在磨損超出臨界值時(shí)采取如發(fā)出警報(bào)或停止帶傳送裝置等所需 的動(dòng)作?，F(xiàn)場(chǎng)控制部10或中央控制部13包括數(shù)字控制單元(未示 出)，其計(jì)數(shù)由磁傳感器4檢測(cè)到的磁片Ml-M5的磁力的峰數(shù)， 由于所計(jì)數(shù)量的減少，發(fā)現(xiàn)磁片Ml-M5的脫落，并且數(shù)字地檢 測(cè)帶體2的磨損；以及模擬控制單元(未示出)，其基于由磁傳 感器4檢測(cè)到的磁片Ml-M5的磁力的峰值的變化模擬地檢測(cè)帶 體2的磨損。將:^兌明本實(shí)施例的磨損;險(xiǎn)測(cè)裝置的作用。當(dāng)帶體2沿箭頭P的方向移動(dòng)時(shí)，只要磁片Ml-M5靠近磁 傳感器4通過(guò)，^H專感器4就;險(xiǎn)測(cè)f茲力，并且輸出圖2中的波形 信號(hào)。來(lái)自最近的磁片Ml的信號(hào)是具有最高峰值的輸出波形Hl，而第二階段的磁片M2的信號(hào)是稍低的峰值。磁片M3、 M4的信號(hào)是較低峰值的輸出波形H3、 H4。來(lái)自最深的磁片 M5的信號(hào)是最低峰值的輸出波形H5。圖5示出傳送帶的磨損。帶體2的磨損從傳送材料的表面開 始，并且從最淺的第一磁片M1開始磨損。在圖5(a)中，隨著帶 體2的磨損，第一磁片M1脫落，從而輸出波形H1消失。此外，第二、第三和第四磁片M2、 M3、 M4脫落，從而輸 出波形H1-H4消失，并且僅保留來(lái)自磁片M5的輸出波形H5。來(lái)自磁傳感器4的信號(hào)被輸入到現(xiàn)場(chǎng)控制部10中，輸出波 形H1-H5的峰值的數(shù)量通過(guò)其中的計(jì)數(shù)器來(lái)計(jì)數(shù)，并且確定脫 落的磁片Ml-M5,從而可以正確地?cái)?shù)字4全測(cè)帶體2的磨損。從帶體2的最初的輸出波形H1-H5的峰值中減去當(dāng)前的輸 出波形H1-H5的峰值，從而模擬地檢測(cè)直到各磁片Ml-M5脫 落的磨損程度。圖6-圖8示出本發(fā)明的第二實(shí)施例。與第 一 實(shí)施例類似，沿帶體2的厚度方向磁化磁片組3的各 磁片M1-M6。在第二實(shí)施例中，在距帶體2表面相同深度處埋 設(shè)磁片組3中的各磁片Ml-M6，各磁片Ml-M6具有相同的磁極 方向，沿寬度方向和長(zhǎng)度方向錯(cuò)位以形成傾斜配置。磁傳感器4包括可以覆蓋帶體2的整個(gè)寬度的門狀環(huán)形線 圏，該磁傳感器4靠近帶體2的表面。只要帶體2沿箭頭P的方向移動(dòng)以使磁片Ml-M6靠近磁傳 感器4通過(guò)，磁傳感器4就檢測(cè)磁力，并且從^t傳感器4輸出圖6 中的具有大致相同的峰值的輸出波形H1-H6的信號(hào)。在圖8中，在帶體2中發(fā)生局部磨損14，并且第二磁片M2 脫落，從而第二輸出波形H2消失，與第一實(shí)施例類似，通過(guò)現(xiàn) 場(chǎng)控制部10檢測(cè)該第二輸出波形H 2的消失來(lái)發(fā)現(xiàn)磨損位置。
從帶體2的最初的輸出波形H1-H6的峰值中減去各輸出波 形Hl-H6的峰值，從而模擬地檢測(cè)直到各磁片Ml-M6脫落的 磨損、即布置各磁片M1-M6的帶體2的磨損。圖9和圖IO示出本發(fā)明的第三實(shí)施例。沿長(zhǎng)度方向劃分帶體2，以提供分別埋設(shè)有磁片組3A-3C 的三個(gè)檢測(cè)區(qū)域A-C?？扇我膺x擇檢測(cè)區(qū)域的數(shù)量。在磁極位于相同方向的狀態(tài)下，沿傳送帶的寬度方向和長(zhǎng) 度方向使檢測(cè)區(qū)域A-C的磁片組3A-3C階段性地錯(cuò)位，以在整 個(gè)寬度上形成傾斜配置。在圖10中，檢測(cè)區(qū)域A的磁片組3A最 淺，而磁片組3B和磁片組3C依次變深。只要帶體2沿P方向移動(dòng)，以使得檢測(cè)區(qū)域A-C更靠近磁傳 感器4,磁傳感器4就檢測(cè)磁力，并且磁傳感器4輸出波形 Ha-Hc,該波形Ha-Hc在同 一 檢測(cè)區(qū)域中具有大致相同的強(qiáng) 度，并且按照檢測(cè)區(qū)域A-C的順序變小。例如，局部磨損部15出現(xiàn)在檢測(cè)區(qū)域A中，并且磁片M2脫 落，從而檢測(cè)區(qū)域中的第二輸出波形Ha2消失。與第二實(shí)施例 類似，這通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)控制部10來(lái)4企測(cè)，以允許同時(shí)4全測(cè)磨損位置 和磨損深度。同樣，在其它檢測(cè)區(qū)域B、 C中，如果帶被磨損到 磁片組3B、 3C的深度，則可以用相同的原理;險(xiǎn)測(cè)到檢測(cè)區(qū)域B、 C中的局部磨損。圖ll和圖12示出本發(fā)明的第四實(shí)施例。在該實(shí)施例中，帶體2在表面層2a與背面層2b之間包括如 布等三層增強(qiáng)層20。沿厚度方向被磁化的多個(gè)磁片M1-M5沿帶 體2的長(zhǎng)度方向階段性地變深或變淺以形成一個(gè)單元U。將多個(gè) 單元U1-U5布置成沿帶體2的長(zhǎng)度方向或?qū)挾确较蝈e(cuò)位。磁片Ml-M5的N極朝向帶體2的表面?zhèn)?。在表面?a中的第 一單元Ul的靠近增強(qiáng)層2c的前方埋
有用于計(jì)算頂端和檢測(cè)伸長(zhǎng)的磁片MS。磁片MS的磁極與其它磁片M1-M5的磁極相反，并且S極朝 向帶體2的表面。其它構(gòu)成與第一實(shí)施例中的相同。在第四實(shí)施例中，在正常條件下，當(dāng)帶體2沿箭頭P的方向 移動(dòng)時(shí)，磁片MS輸出包括負(fù)峰值和正峰值的單 一周期的輸出波 形Hx,并且第一單元U1的磁片Ml-M5輸出包括正峰值和負(fù)峰 值的單一周期的輸出波形。然后，各單元U2-U5重復(fù)輸出類似 的輸出波形HU2-HU3。 HU4和HU5未示出。在輸出波形Hx中，當(dāng)磁片MS遇到環(huán)形線圈磁傳感器4，以 使朝向磁片MS的S極的向下的磁力線穿過(guò)線圈時(shí)，輸出波形表 現(xiàn)為負(fù)峰值。當(dāng)磁片MS離開磁傳感器4，以使磁片MS的磁力 線離開線圈時(shí)，輸出波形表現(xiàn)為正峰值。在輸出波形HU1-HU5中，各單元U1-U5的磁片M1-M5構(gòu) 成一塊(mass)，以形成磁力線的分布。當(dāng)磁片M1-M5的塊的 頂端經(jīng)過(guò)環(huán)形線圏磁傳感器4以使來(lái)自磁片Ml-M5的N極的向 上的磁力線進(jìn)入線圏時(shí)，輸出波形表現(xiàn)為正峰值。當(dāng)磁片 Ml-M5的塊的末端離開磁傳感器4以使磁片Ml-M5的磁力線 離開線圏時(shí)，輸出波形表現(xiàn)為負(fù)峰值。埋設(shè)磁片Ml-M5使得磁片Ml-M5階l殳性地變深。從而， 來(lái)自磁片Ml的穿過(guò)磁傳感器4的磁力線最強(qiáng)，并且逐漸減弱以 使磁片M5的磁力線最弱。因此，各輸出波形HU1-HU5的末端 處的負(fù)峰值比頂端處的正峰值小。在圖11和圖12中，在帶體2中出現(xiàn)局部磨損部16,使得第 二單元U2的第 一磁片Ml脫落，從而如圖ll的虛線所示第二輸 出波形HU2的頂端峰值P1消失。與第一實(shí)施例類似，通過(guò)現(xiàn)場(chǎng) 控制部10檢測(cè)峰距的變化以及峰值的降低，從而可以正確地發(fā) 現(xiàn)局部磨損部16的位置和磨損程度。
在帶體2以固定的速度運(yùn)行的狀態(tài)下，測(cè)量從輸出波形Hx 到下一波形Hx的時(shí)間。利用時(shí)間的延長(zhǎng)，可以4全測(cè)到帶體2的 伸長(zhǎng)。前述內(nèi)容僅涉及本發(fā)明的實(shí)施例。在不背離權(quán)利要求書的例如，圖2、圖6和圖9中的^t片Ml-M6無(wú)需階^:性地布置， 而是可以隨才幾布置。
權(quán)利要求
1.一種傳送帶磨損檢測(cè)裝置，其中，在帶體中沿所述帶體的長(zhǎng)度方向以不同的深度埋設(shè)沿厚度方向被磁化的多個(gè)磁片，檢測(cè)所述磁片的磁力變化的磁傳感器位于所述磁片通過(guò)的位置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，沿所述 帶體的長(zhǎng)度方向階段性地變深或變淺地布置沿厚度方向被磁化 的多個(gè)磁片以構(gòu)成一個(gè)單元，使多個(gè)所述單元沿所述帶體的長(zhǎng) 度方向或?qū)挾确较蝈e(cuò)位。
3. —種傳送帶磨損檢測(cè)裝置，其中，以相同的深度埋設(shè) 沿厚度方向被磁化的多個(gè)磁片，使所述多個(gè)磁片沿帶體的長(zhǎng)度 方向或?qū)挾确较蝈e(cuò)位，檢測(cè)所述磁片的磁力變化的磁傳感器位 于所述,茲片通過(guò)的位置。
4. 一種傳送帶磨損檢測(cè)裝置，其中，將帶體沿長(zhǎng)度方向 劃分成多個(gè)4全測(cè)區(qū)域，在同一才企測(cè)區(qū)域中以相同的深度并且在 不同的檢測(cè)區(qū)域中以不同的深度埋設(shè)沿厚度方向被磁化的多個(gè) 磁片，使所述多個(gè)磁片沿所述帶體的長(zhǎng)度方向或?qū)挾确较蝈e(cuò)位， 檢測(cè)所述石茲片的石茲力變化的^f茲傳感器位于所述石茲片通過(guò)的位 置。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，以 不同的深度埋設(shè)的多個(gè)磁片被布置成沿所述帶體的長(zhǎng)度方向階 段性地變深或變淺。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，沿 所述帶體的長(zhǎng)度方向或?qū)挾确较蝈e(cuò)位的、以相同的深度埋設(shè)的 多個(gè)磁片被布置成平面位置階段性地改變。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)裝置，其特征 在于，出現(xiàn)在多個(gè)磁片表面的磁極都相同。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)裝置，其特征 在于，所述多個(gè)磁片包括使磁體粉末在橡膠基質(zhì)中分散并混合、 成形為片狀并且沿厚度方向被磁化的粘結(jié)磁體。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)裝置，其特征 在于，所述檢測(cè)裝置包括控制器，所述控制器計(jì)數(shù)由所述磁傳 感器檢測(cè)的所述磁片的磁力峰值的數(shù)量，通過(guò)該計(jì)數(shù)數(shù)量，檢 測(cè)所述磁片的脫落，從而檢測(cè)所述帶體的磨損程度和磨損位置。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)裝置，其特征 在于，所述檢測(cè)裝置包括控制器，所述控制器基于由所述磁傳 感器檢測(cè)出的所述磁片的磁力峰值的變化模擬地檢測(cè)所述帶體 的磨損程度。
全文摘要
一種傳送帶磨損檢測(cè)裝置，其可以在運(yùn)轉(zhuǎn)期間自動(dòng)、容易并且正確地檢測(cè)傳送帶的磨損量。沿厚度方向被磁化的多個(gè)磁片(M1-M5)被布置成在表面上的磁極位于相同的方向，且沿帶體(2)的長(zhǎng)度方向階段性地變深地埋設(shè)。將檢測(cè)磁片(M1-M5)的磁力變化的磁傳感器(4)布置在磁片(M1-M5)通過(guò)的位置。
文檔編號(hào)B65G43/02GK101160250SQ200680012168
公開日2008年4月9日 申請(qǐng)日期2006年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月13日
發(fā)明者東憲一, 相澤聰, 西北行伸 申請(qǐng)人:株式會(huì)社普利司通